小林清輝 Kobayashi Kiyoteru

研究者番号	90408005
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2020年度: 東海大学, 工学部, 教授 2014年度 – 2016年度: 東海大学, 工学部, 教授 2009年度 – 2011年度: 東海大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連
キーワード	研究代表者シリコン窒化膜 / 不揮発性メモリ / 不揮発性半導体メモリ / フラッシュメモリ / 電荷トラップ / 常磁性欠陥 / 電荷捕獲膜 / トラップ準位 / 正孔捕獲 / 欠陥準位 … もっと見る / 点欠陥 / 電子保持特性 / シリコン炭窒化膜 / SiCN / Si_3N_4 / Cat-CVD / CVD / LSI / 電子・電気材料 / 半導体メモリ隠す

研究課題
(3件)
研究成果
(73件)

電荷捕獲膜のトラップ準位のエネルギー分布制御に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  小林清輝
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東海大学
低誘電率絶縁膜の電荷捕獲メモリへの応用に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  小林清輝
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東海大学
不揮発性メモリ用絶縁膜の電荷トラップに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  小林清輝
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東海大学

すべて 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2011 2010 2009 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Hole trapping capability of silicon carbonitride charge trap layers2020
- 著者名/発表者名
  Kiyoteru Kobayashi and Hiroshi Mino
- 雑誌名
  
  Eur. Phys. J. Appl. Phys.
  
  巻: 91 号: 1 ページ: 10101-10101
- DOI
  10.1051/epjap/2020190297
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[雑誌論文] First-Principles Study of Defect Levels Caused by Transition Metal Atoms in Silicon Nitride for Non-Volatile Memory Applications2020
- 著者名/発表者名
  R. Agrawal and K. Kobayashi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 98 号: 8 ページ: 65-75
- DOI
  10.1149/09808.0065ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[雑誌論文] Experimental Extraction of the Charge Centroid of Holes Trapped in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memories2018
- 著者名/発表者名
  Mino Hiroshi、Kobayashi Kiyoteru
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 86 号: 3 ページ: 23-32
- DOI
  10.1149/08603.0023ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[雑誌論文] Experimental Extraction of the Charge Centroid in SiCN-Based Charge Trapping Memories Using the Constant-Current Carrier Injection Method2017
- 著者名/発表者名
  Sheikh Rashel Al Ahmed, Kaihei Kato, Kiyoteru Kobayashi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 75 (32) 号: 32 ページ: 51-62
- DOI
  10.1149/07532.0051ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[雑誌論文] Evaluation of Hole Trapping Characteristics in MONOS-Type Memories Using the Constant-Current Carrier Injection Method2017
- 著者名/発表者名
  Kaihei Kato, Sheikh Rashel Al Ahmed, Kiyoteru Kobayashi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 75 (32) 号: 32 ページ: 73-82
- DOI
  10.1149/07532.0073ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[雑誌論文] Hole trapping characteristics of silicon carbonitride(SiCN)-based charge trapping memories evaluated by the constant-current carrier injection method2017
- 著者名/発表者名
  Sheikh Rashel Al Ahmed, Kaihei Kato, Kiyoteru Kobayashi
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 印刷中ページ: 265-271
- DOI
  10.1016/j.mssp.2017.01.012
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[雑誌論文] Extraction of Energy Distribution of Electrons Trapped in Silicon Carbonitride (SiCN) Charge Trapping Films2017
- 著者名/発表者名
  Sheikh Rashel Al Ahmed, Kiyoteru Kobayashi
- 雑誌名
  
  IEICE TRANSACTIONS on Electronics
  
  巻: Vol.E100‐C, No.7
- NAID
  130006792964
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[雑誌論文] Characterization of Low-Dielectric Constant Silicon Carbonitride (SiCN) Dielectric Films for Charge Trapping Nonvolatile Memories2015
- 著者名/発表者名
  S. R. A. Ahmed, S. Naito, and K. Kobayashi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: Vol. 69 号: 3 ページ: 99-109
- DOI
  10.1149/06903.0099ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[雑誌論文] Charge Trapping Properties of Silicon Carbonitride Storage Layers for Nonvolatile Memories2014
- 著者名/発表者名
  K. Kobayashi, S. Naito, S. Tanaka, and Y. Ito
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 64 号: 14 ページ: 85-92
- DOI
  10.1149/06414.0085ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[雑誌論文] Effectiveness of Dimethyl Carbonate and Dipivaloyl Methane Chemicals for Internal Repair of Plasma-Damaged Low-k Flims2011
- 著者名/発表者名
  S.Nagano, K.Sakoda, S.Hasaka, K.Kobayashi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50 号: 5S1 ページ: 05EB08-05EB08
- DOI
  10.1143/jjap.50.05eb08
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[雑誌論文] Conduction Currents and Paramagnetic Defect Centers in UV-Illuminated Silicon Nitride Films2011
- 著者名/発表者名
  K. Kobayashi and K. Ishikawa
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: Vol.41, No.3 ページ: 401-414
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[雑誌論文] Effectiveness of Dimethyl Carbonate and Dipivaloyl Methane Chemicals for Internal Repair of Plasma-Damaged Low-k Films2011
- 著者名/発表者名
  S. Nagano, K. Sakoda, S. Hasaka, and K. Kobayashi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: Vol.50
- NAID
  210000138869
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[雑誌論文] Conduction Currents and Paramagnetic Defect Centers in UV-Illuminated Silicon Nitride Films2011
- 著者名/発表者名
  K.Kobayashi, K.Ishikawa
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 41(3) 号: 3 ページ: 401-414
- DOI
  10.1149/1.3633055
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[雑誌論文] Ultraviolet Light-Induced Conduction Current in Silicon Nitride Films2011
- 著者名/発表者名
  K. Kobayashi and K. Ishikawa
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: Vol.50
- NAID
  40018777873
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[雑誌論文] Ultraviolet Light-Induced Conduction Current in Silicon Nitride Films2011
- 著者名/発表者名
  K.Kobayashi and K.Ishikawa
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50
- NAID
  40018777873
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[産業財産権] 不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法、並びに電荷蓄積膜2011
- 発明者名
  座間秀昭、高木牧子、小林清輝、渡辺紘章、高原優
- 権利者名
  学校法人東海大学、(株)アルバック
- 出願年月日
  2011-07-29
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[産業財産権] 不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法、並びに電荷蓄積膜2011
- 発明者名
  座間秀昭、高木牧子、小林清輝、渡辺紘章、高原優
- 権利者名
  学校法人東海大学、(株)アルバック
- 出願年月日
  2011-07-28
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[産業財産権] 不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法、並びに電荷蓄積膜2011
- 発明者名
  座間秀昭、高木牧子、小林清輝、渡辺紘章、高原優
- 権利者名
  学校法人東海大学、(株)アルバック
- 出願年月日
  2011-07-29
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[産業財産権] 不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法、並びに電荷蓄積膜2011
- 発明者名
  座間秀昭、高木牧子、小林清輝、渡辺紘章、高原優
- 権利者名
  学校法人東海大学、(株)アルバック
- 出願年月日
  2011-07-28
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[産業財産権] 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法2009
- 発明者名
  小林清輝
- 権利者名
  学校法人東海大学
- 出願年月日
  2009-11-17
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[産業財産権] 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法2009
- 発明者名
  小林清輝
- 権利者名
  学校法人東海大学
- 産業財産権番号
  2010-540453
- 出願年月日
  2009-11-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] First-Principles Calculations of Transition Metal Defects in Silicon Nitride Charge Trap Material2020
- 著者名/発表者名
  Rahul Agrawal and Kiyoteru Kobayashi
- 学会等名
  第84回半導体・集積回路技術シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[学会発表] First-Principles Calculations of Energy Levels in Metal-Doped Silicon Nitride for Charge Trap Memory Applications2020
- 著者名/発表者名
  Rahul Agrawal and Kiyoteru Kobayashi
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[学会発表] First-Principles Study of Defect Levels Caused By Transition Metal Atoms in Silicon Nitride for Non-Volatile Memory Applications2020
- 著者名/発表者名
  R. Agrawal and K. Kobayashi
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2020 (PRiME 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[学会発表] The effect of Hf-ion implantation on the charge trapping characteristics of MONOS-type memory devices2019
- 著者名/発表者名
  Rahul Agrawal, Takashi Kuroi, Naoya Matsuoka, Ayato Sakurai, Reo Mazaki, Koudai Nakamura, Akinari Okano, Riku Ito, and Kiyoteru Kobayashi
- 学会等名
  第83回半導体・集積回路技術シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[学会発表] The effect of Hf-ion implantation on the charge trapping characteristics of MONOS-type memory devices2019
- 著者名/発表者名
  Rahul Agrawal and Kiyoteru Kobayashi
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[学会発表] トンネル電流解析によるMONOS型不揮発性メモリの捕獲正孔密度の決定2019
- 著者名/発表者名
  美濃暢、小林清輝
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[学会発表] ハフニウムを添加したシリコン窒化膜の窒素原子空孔の欠陥準位2019
- 著者名/発表者名
  新里健也、小林清輝
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[学会発表] Determination of Charge Centroid and Density of Holes Trapped in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor-type Non-Volatile Memory Devices2019
- 著者名/発表者名
  Kiyoteru Kobayashi
- 学会等名
  28th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors (ICANS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[学会発表] 高電圧で MONOS 型メモリに捕獲された正孔のチャージセントロイドの決定2018
- 著者名/発表者名
  美濃暢、小林清輝
- 学会等名
  第82回半導体・集積回路技術シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[学会発表] シリコン窒化膜の窒素原子空孔による欠陥準位の第一原理計算2018
- 著者名/発表者名
  新里健也、小林清輝
- 学会等名
  第82回半導体・集積回路技術シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[学会発表] N/Si 組成比が異なるシリコン窒化膜の紫外線照射後の伝導電流の変化2018
- 著者名/発表者名
  小林大泰、岸田拓朗、山口真司、小林清輝
- 学会等名
  第82回半導体・集積回路技術シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[学会発表] MONOS型不揮発性メモリの電子保持特性2018
- 著者名/発表者名
  岸田拓朗、小林清輝
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[学会発表] Determination of the Charge Centroid of Holes Trapped in MONOS-Type Memories at High Gate Voltages2018
- 著者名/発表者名
  H. Mino and K. Kobayashi
- 学会等名
  18th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS 2018)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[学会発表] Experimental Extraction of the Charge Centroid of Holes Trapped in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memories2018
- 著者名/発表者名
  H. Mino and K. Kobayashi
- 学会等名
  2018 ECS and SMEQ Joint International Meeting (AiMES 2018)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04244
[学会発表] シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の効果(Ⅳ)2017
- 著者名/発表者名
  数見理, 小林清輝
- 学会等名
  第64回　応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜、横浜
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] Hole trapping characteristics of SiCN-based charge trapping memories using the constant-current carrier injection method2016
- 著者名/発表者名
  S. R. A. Ahmed, S. Tanaka, and K. Kobayashi
- 学会等名
  7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII)
- 発表場所
  Nagoya University, Nagoya
- 年月日
  2016-06-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] Evaluation of Hole Trapping Characteristics in MONOS-Type Memories Using the Constant Current Carrier Injection Method2016
- 著者名/発表者名
  Kaihei Kato, Sheikh Rashel Al Ahmed, Kiyoteru Kobayashi
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2016
- 発表場所
  Hawai'i Convention Center, Honolulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2016-10-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] Charge retention characteristics of charge trapping nonvolatile memories with silicon carbonitride (SiCN) dielectrics (II)2016
- 著者名/発表者名
  S. R. A. Ahmed, F. Uehara, 小林清輝
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京、東京工業大学大岡山キャンパス
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する900℃の熱処理の効果2016
- 著者名/発表者名
  数見理, 工藤匡喜, 小林清輝
- 学会等名
  第８０回半導体・集積回路技術シンポジウム
- 発表場所
  東京理科大学森戸記念館、東京
- 年月日
  2016-08-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] Experimental Extraction of the Charge Centroid in SiCN-Based Charge Trapping Memories Using the Constant-Current Carrier Injection Method2016
- 著者名/発表者名
  Sheikh Rashel Al Ahmed, Kaihei Kato, Kiyoteru Kobayashi
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2016
- 発表場所
  Hawai'i Convention Center, Honolulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2016-10-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] 不揮発性半導体メモリのSiNX電荷捕獲層の正孔捕獲特性2016
- 著者名/発表者名
  加藤海平, S. R. A. Ahmed, 小林清輝
- 学会等名
  第８０回半導体・集積回路技術シンポジウム
- 発表場所
  東京理科大学森戸記念館、東京
- 年月日
  2016-08-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] Evaluation of hole trapping efficiency in SiCN-based charge trapping memories using the constant-current carrier injection method2016
- 著者名/発表者名
  Sheikh Rashel Al Ahmed, Shin Tanaka, 小林　清輝
- 学会等名
  電気化学会第83回大会
- 発表場所
  大阪、大阪大学
- 年月日
  2016-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] 定電流キャリヤ注入法を用いた MONOS構造の正孔捕獲特性の評価（Ⅱ）2015
- 著者名/発表者名
  田中伸, S. R. A. Ahmed, 加藤海平, 福山耕作, 尾崎航佑, 小林清輝
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋、名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] Hole Trapping Characteristics of Nitride-Based Charge Trapping Memories Using the Constant-Current Carrier Injection Method2015
- 著者名/発表者名
  S. R. A. Ahmed, S. Tanaka, and K. Kobayashi
- 学会等名
  2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2015-11-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] 定電流キャリヤ注入法を用いた MONOS 構造の正孔捕獲特性の評価2015
- 著者名/発表者名
  田中伸，内藤慎二，小林清輝
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス（神奈川県平塚市北金目4-1-1）
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] Charge retention characteristics of charge trapping nonvolatile memories with silicon carbonitride (SiCN) dielectrics2015
- 著者名/発表者名
  S. R. A. Ahmed, S. Naito, H. Shibayama, J. Nakamura, and K. Kobayashi
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス（神奈川県平塚市北金目4-1-1）
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] Charge Trapping Properties of Silicon Carbonitride Storage Layers for Nonvolatile Memories2014
- 著者名/発表者名
  S. Naito, S. Tanaka, Y. Ito, and K. Kobayashi
- 学会等名
  2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting (226 th Meeting of The Electrochemical Society)
- 発表場所
  Moon Palace Resort, Cancun, Mexico (Carretera Cancun-Chetumal Km. 340. Cancun, Q. Roo 77500 - Mexico)
- 年月日
  2014-10-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] 低誘電率SiCN電荷捕獲層の正孔捕獲特性2014
- 著者名/発表者名
  田中伸，内藤慎二，小林清輝
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市北区北8条西5丁目）
- 年月日
  2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の効果(Ⅲ)2014
- 著者名/発表者名
  鈴木亜嵐, 永島大樹, 林宏紀, 小林清輝
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市北区北8条西5丁目）
- 年月日
  2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280
[学会発表] Cat-CVD法によるシリコン窒化膜の不揮発性メモリデバイスへの応用2011
- 著者名/発表者名
  高原優, 高木牧子, 山本裕子, 座間秀昭, 小林清輝
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] Cat-CVD法によるシリコン窒化膜の不揮発性メモリデバイスへの応用2011
- 著者名/発表者名
  高原優, 高木牧子, 山本裕子, 座間秀昭, 小林清輝
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] Carrier Transport in UV-illuminated Silicon Nitride Films2011
- 著者名/発表者名
  K.Ishikawa and K.Kobayashi
- 学会等名
  2011 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ULSI DEVICES : SCIENCE AND TECHNOLOGY
- 発表場所
  東京工業大学(東京都)
- 年月日
  2011-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] Effects of thermal annealing on current component and paramagnetic defects induced by UV exposure of silicon nitride films2011
- 著者名/発表者名
  K. Ishikawa and K. Kobayashi
- 学会等名
  Extended Abstracts of 30th Electronic Materials Symposium(EMS-30)
- 発表場所
  Moriyama
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] Effects of thermal annealing on current component and paramagnetic defects induced by UV exposure of silicon nitride films2011
- 著者名/発表者名
  K.Ishikawa, K.Kobayashi
- 学会等名
  30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] Conduction currents and paramagnetic defect centers in UV-illuminated silicon nitride films2011
- 著者名/発表者名
  K.Ishikawa, K.Kobayashi
- 学会等名
  220th ECS Meeting
- 発表場所
  Boston
- 年月日
  2011-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] Conduction Currents and Paramagnetic Defect Centers in UV-Illuminated Silicon Nitride Films2011
- 著者名/発表者名
  K. Ishikawa and K. Kobayashi
- 学会等名
  220th ECS Meeting
- 発表場所
  Boston, Abstract
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] Carrier Transport in UV-illuminated Silicon Nitride Films2011
- 著者名/発表者名
  K. Ishikawa and K. Kobayashi
- 学会等名
  Extended Abstracts of 2011 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ULSI DEVICES : SCIENCE AND TECHNOLOGY(IWDTF-11)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] Photoinduced leakage currents and paramagnetic defects in amorphous SiCN and Si_3N_4 dielectrics for ULSI applications2010
- 著者名/発表者名
  K.Kobayashi
- 学会等名
  Asia Pacific Interfinish 2010
- 発表場所
  The BIOPOLIS (Singapore)
- 年月日
  2010-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] 低誘電率紫外線照射を行ったSi_3N_4膜における電気伝導機構の検討(II)2010
- 著者名/発表者名
  浅妻裕文、石川貢吉、渡辺紘章、村田龍紀、浅井孝祐、土本淳一、小林清輝
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] Internal Repair for Plasma Damaged Low-k Films by Methylating Chemical Vapor2010
- 著者名/発表者名
  S.Nagano, K.Sakoda, S.Hasaka, and K.Kobayashi
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2010 : 20th Asian Session
- 発表場所
  東京大学(東京都)
- 年月日
  2010-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] 低誘電率紫外線照射を行ったSi_3N_4膜における電気伝導機構の検討(III)2010
- 著者名/発表者名
  渡辺紘章、石川貢吉、浅妻裕文、渡辺紘章、村田龍紀、浅井孝祐、土本淳一、小林清輝
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] Charge Trapping Characteristics in Silicon Nitrides Deposited Using Catalytic Chemical Vapor Deposition2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takahara, H.Watanabe, M.Takagi, H.Zama, and K.Kobayashi
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第7回研究集会
- 発表場所
  なら100年会館(奈良県)
- 年月日
  2010-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] 紫外線照射を行ったSi_3N_4膜における電気伝導機構の検討(I)2010
- 著者名/発表者名
  石川貢吉, 浅妻裕文, 渡辺紘章, 村田龍紀, 浅井孝祐, 土本淳一, 小林清輝
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] 低誘電率紫外線照射を行ったSi_3N_4膜における電気伝導機構の検討(I)2010
- 著者名/発表者名
  石川貢吉、浅妻裕文、渡辺紘章、村田龍紀、浅井孝祐、土本淳一、小林清輝
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] 紫外線照射を行ったSi_3N_4膜における電気伝導機構の検討(III)2010
- 著者名/発表者名
  渡辺紘章, 浅妻裕文, 石川貢吉, 小林清輝
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] 低誘電率SiCN膜の不揮発性メモリデバイスへの応用2010
- 著者名/発表者名
  立崎悟史、渡辺紘章、五反田慎、小林清輝
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] Photoinduced leakage currents and paramagnetic defects in amorphous SiCN and Si3N4 dielectrics for ULSI applications2010
- 著者名/発表者名
  K. Kobayashi
- 学会等名
  Asia Pacific Interfinish 2010
- 発表場所
  Singapole
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] 低誘電率SiCN膜の不揮発性メモリデバイスへの応用2010
- 著者名/発表者名
  立崎悟史, 渡辺紘章, 五反田慎, 小林清輝
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] 紫外線照射を行ったSi_3N_4膜における電気伝導機構の検討(II)2010
- 著者名/発表者名
  石川貢吉, 浅妻裕文, 渡辺紘章, 村田龍紀, 浅井孝祐, 土本淳一, 小林清輝
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] Charge Trapping Characteristics in Silicon Nitrides Deposited Using Catalytic Chemical Vapor Deposition2010
- 著者名/発表者名
  Y. Takahara, H. Watanabe, M. Takagi, H. Zama, and K. Kobayashi
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第7回研究集会「薄膜デバイスの理解と解析」アブストラクト
- 発表場所
  なら100年会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] Internal Repair for Plasma Damaged Low-k Films by Methylating Chemical Vapor2010
- 著者名/発表者名
  S. Nagano, K. Sakoda, S. Hasaka, and K. Kobayashi
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2010 : 20th Asian Session
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560336
[学会発表] Application of Silicon Carbonitride Dielectric Films to Charge Trapping Nonvolatile Memories
- 著者名/発表者名
  S. Naito, Y. Ito, and K. Kobayashi
- 学会等名
  International Union of Materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2014 (IUMRS-ICEM 2014)
- 発表場所
  Taipei World Trade Center Nangang (TWTC Nangang) Exhibition Hall, Taipei, Taiwan (No.1, Jingmao 2nd Rd., Nangang District, Taipei City 11568, Taiwan (R.O.C.))
- 年月日
  2014-06-10 – 2014-06-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420280

小林 清輝 Kobayashi Kiyoteru

研究課題

研究成果

電荷捕獲膜のトラップ準位のエネルギー分布制御に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

低誘電率絶縁膜の電荷捕獲メモリへの応用に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

不揮発性メモリ用絶縁膜の電荷トラップに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Hole trapping capability of silicon carbonitride charge trap layers2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] First-Principles Study of Defect Levels Caused by Transition Metal Atoms in Silicon Nitride for Non-Volatile Memory Applications2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Experimental Extraction of the Charge Centroid of Holes Trapped in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memories2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Experimental Extraction of the Charge Centroid in SiCN-Based Charge Trapping Memories Using the Constant-Current Carrier Injection Method2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Evaluation of Hole Trapping Characteristics in MONOS-Type Memories Using the Constant-Current Carrier Injection Method2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Hole trapping characteristics of silicon carbonitride(SiCN)-based charge trapping memories evaluated by the constant-current carrier injection method2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Extraction of Energy Distribution of Electrons Trapped in Silicon Carbonitride (SiCN) Charge Trapping Films2017

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Characterization of Low-Dielectric Constant Silicon Carbonitride (SiCN) Dielectric Films for Charge Trapping Nonvolatile Memories2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Charge Trapping Properties of Silicon Carbonitride Storage Layers for Nonvolatile Memories2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effectiveness of Dimethyl Carbonate and Dipivaloyl Methane Chemicals for Internal Repair of Plasma-Damaged Low-k Flims2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Conduction Currents and Paramagnetic Defect Centers in UV-Illuminated Silicon Nitride Films2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Effectiveness of Dimethyl Carbonate and Dipivaloyl Methane Chemicals for Internal Repair of Plasma-Damaged Low-k Films2011

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

小林清輝 Kobayashi Kiyoteru