小林大輔 Kobayashi Daisuke

研究者番号	90415894
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2024年度: 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 准教授 2016年度: 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 助教 2011年度 – 2014年度: 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 助教 2007年度 – 2009年度: 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 助教 2006年度: 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連研究代表者以外薄膜・表面界面物性 / 薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者放射線 / ソフトエラー / 量子ビーム産業応用 / 機器・人間の信頼性 / 品質管理 / SET / シングルイベント効果 / 電子デバイス・機器 / 低酸素社会 / 電子デバイス・集積回路 … もっと見る / リスク評価 / 低炭素社会 / SETs / Combinational Circuits / VLSIs / Radiation / Design for Testability / Scan Designs / Single-Event Effects / Soft Errors / 論理回路 / VLSI / テスト容易化設計 / スキャン設計 / 熱 / 信頼性 / シングルイベントトランジェント / ディペンダブルコンピューティング / 解析式 / 放射線,X線,粒子線 / モデリング / 宇宙線 / 放射線・X線・粒子線 / 半導体物性 … もっと見る研究代表者以外光電子分光 / 界面 / シリコン酸化膜 / 第一原理計算 / 表面 / シリコン / 誘電率 / 欠陥準位 / アモルファス / MOSFET / defect / XANES / XPS / amorphous / interface / SiO2 / 第一原理計 / 酸化膜S / 薄膜 / 酸化膜隠す

放射線を当てずに放射線ソフトエラー信頼性を評価する技術研究代表者
- 研究代表者
  
  小林大輔
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
高信頼性LSIの開発コスト削減に向けたソフトエラー耐性スクリーニングの実現研究代表者
- 研究代表者
  
  小林大輔
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
光電子分光法を用いた極薄SiO2/Si界面の欠陥とアモルファス構造の研究
- 研究代表者
  
  廣瀬和之
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
放射線による過渡的な局所昇温現象とそのソフトエラー耐性への影響研究代表者
- 研究代表者
  
  小林大輔
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  独立行政法人宇宙航空研究開発機構
硬X線光電子分光法と第一原理計算を用いた極薄酸化膜の光学的誘電率の研究
- 研究代表者
  
  廣瀬和之
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  独立行政法人宇宙航空研究開発機構
論理回路のソフトエラーを引き起こすSETパルスの実験的波形解明研究代表者
- 研究代表者
  
  小林大輔
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  独立行政法人宇宙航空研究開発機構
積層ゲート絶縁膜の局所的誘電率の研究
- 研究代表者
  
  廣瀬和之
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  独立行政法人宇宙航空研究開発機構
組み合わせ論理回路のソフトエラー評価を可能とするLSIテスト技術研究代表者
- 研究代表者
  
  小林大輔
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  独立行政法人宇宙航空研究開発機構

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すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] X線光電子分光による誘電率の推定法2016
- 著者名/発表者名
  廣瀬和之, 小林大輔
- 総ページ数
  6
- 出版者
  技術情報協会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[雑誌論文] Threshold and Characteristic LETs in SRAM SEU Cross Section Curves2023
- 著者名/発表者名
  Daisuke Kobayashi, Masashi Uematsu, Kazuyuki Hirose
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science
  
  巻: 70 号: 4 ページ: 707-713
- DOI
  10.1109/tns.2023.3244181
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02217
[雑誌論文] 魔法のソフトエラー信頼性方程式を探して2023
- 著者名/発表者名
  小林大輔、廣瀬和之
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 92 号: 2 ページ: 89-93
- DOI
  10.11470/oubutsu.92.2_89
- ISSN
  0369-8009, 2188-2290
- 年月日
  2023-02-01
- 言語
  日本語
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02217
[雑誌論文] Exploring magic equations for soft-error reliability2023
- 著者名/発表者名
  Daisuke Kobayashi, Kazuyuki Hirose
- 雑誌名
  
  JSAP Review
  
  巻: 2023 号: 0 ページ: n/a
- DOI
  10.11470/jsaprev.230423
- ISSN
  2437-0061
- 言語
  英語
- オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26172
[雑誌論文] ITサステナビリティに与える宇宙の影響2023
- 著者名/発表者名
  小林大輔
- 雑誌名
  
  科学
  
  巻: 93
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26172
[雑誌論文] An SRAM SEU cross section curve physics model2022
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, K. Hirose, K. Sakamoto, Y. Tsuchiya, S. Okamoto, S. Baba, H. Shindou, O. Kawasaki, T. Makino, and T. Ohshima
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science
  
  巻: 69 号: 3 ページ: 232-240
- DOI
  10.1109/tns.2021.3129185
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02217
[雑誌論文] Scaling Trends of Digital Single-Event Effects: A Survey of SEU and SET Parameters and Comparison With Transistor Performance2021
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science
  
  巻: 68 号: 2 ページ: 124-148
- DOI
  10.1109/tns.2020.3044659
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02217
[雑誌論文] Time-Domain Study on Reproducibility of Laser-Based Soft-Error Simulation2017
- 著者名/発表者名
  H. Itsuji, D. Kobayashi, N.E. Lourenco, and K. Hirose
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56
- NAID
  210000147576
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[雑誌論文] Estimation of breakdown electric-field strength while reflecting local structures of SiO_2 gate dielectrics using first-principles molecular orbital calculation technique2011
- 著者名/発表者名
  H. Seki, Y. Shibuya, D. Kobayashi, H. Nohira, K. Yasuoka, and K. Hirose
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 20-21
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所的な絶縁破壊電界の推定法2011
- 著者名/発表者名
  関洋, 渋谷寧浩, 野平博司, 小林大輔, 泰岡顕治, 廣瀬和之
- 雑誌名
  
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理
  
  巻: 16 ページ: 127-130
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] 第一原理分子軌道計算を用いた欠陥を持つSiO_2の絶縁破壊電界の推定2011
- 著者名/発表者名
  関洋,渋谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
- 雑誌名
  
  第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
  
  ページ: 77-80
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] Estimation of breakdown electric-field strength while reflecting local structures of SiO_2 gate dielectrics using first-principles molecular orbital calculation technique2011
- 著者名/発表者名
  H. Seki, Y. Shibuya, D. Kobayashi, H. Nohira, K. Yasuoka, and K. Hirose
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51(4)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  渋谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 雑誌名
  
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理
  
  巻: 16 ページ: 131-134
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] 第一原理計算を用いたSiO_2多形の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  渋谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 雑誌名
  
  第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
  
  ページ: 157-160
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2010
- 著者名/発表者名
  五十嵐智,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 雑誌名
  
  第15回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
  
  ページ: 193-196
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2010
- 著者名/発表者名
  五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 雑誌名
  
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 15
  
  ページ: 175-178
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[雑誌論文] Device-physics-based analytical model for single event transients in SOI CMOS logics2009
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi, et al.
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science 56
  
  ページ: 3043-3049
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760228
[雑誌論文] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2009
- 著者名/発表者名
  五十嵐智、小林大輔、野平博司、廣瀬和之
- 雑誌名
  
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 第14回
  
  ページ: 175-178
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] Device-physics-based analytical model for single event transients in SOI CMOS logics2009
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, K. Hirose, V. Ferlet-Cavrois, D. McMorrow, T. Makino, H. Ikeda, Y. Arai, M. Ohno
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science vol.56,no.6
  
  ページ: 3043-3049
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760228
[雑誌論文] Waveform observation of digital single-event transients employing monitoring transistor technique2008
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, K. Hirose, Y. Yanagawa, H. Ikeda, H. Saito, V. Ferlet-Cavrois, D. McMorrow, M. Gaillardin, P. Paillet, Y. Arai, M. Ohno
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science vol.55,no.6
  
  ページ: 2872-2879
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760228
[雑誌論文] Waveform observation of digital single-event transients employing monitoring transistor technique2008
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi et al.
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science 55
  
  ページ: 2872-2879
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760228
[雑誌論文] Correlation between the dipole moment induced at the Slater transition state and the optical dielectric constant of Si and Al compounds2008
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, D. Kobayashi, H. Suzuki, H. Nohira
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol. 93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] Relationship between optical dielectric constant and XPS relative chemical shift of 1s and 2p levels for dielectric compounds2008
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Suzuki, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series Vol. 100
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] Estimation of single event transient voltage pulses in VLSI circuits from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, et. al.
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science vol.54, no.4
  
  ページ: 1037-1041
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[雑誌論文] Feasibility study of a table-based SET-pulse estimation in logic cells from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, et. al.
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science vol.54, no.6
  
  ページ: 2347-2354
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[雑誌論文] Estimation of single event transient voltage pluses in VLSI circuits from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi et al.
- 雑誌名
  
  Proc. 2006 Radiation aeffects on Components and Systemes (RADECS) Workshop (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[雑誌論文] Estimation of single event transient voltage pulses in VLST circuits from heavy-ion-induced transients measured in a single MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi et al.
- 雑誌名
  
  IEEF Transactions on Nuclear Science 54(4)(印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[雑誌論文] Estimation of single event transient voltage pulses in VLSI circuits from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi, et. al.
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science 54
  
  ページ: 1037-1041
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[雑誌論文] Feasibility study of a table-based SET-pulse estimation in logic cells from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi, et. al.
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science 54
  
  ページ: 2347-2354
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[雑誌論文] Estimation of single event transient voltage pulses in VLSI circuits fromheavy-ion・-induced transient currents measured in a single MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi, et. al.
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science 54
  
  ページ: 1037-1041
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[雑誌論文] High-k gate dielectric films studied by extremely asymmetric x-ray diffraction and x-ray photoelectron spectroscopy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Itoh, K. Akimoto, H. Yoshida, T. Emoto, D. Kobayashi, K. Hirose
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series Vol. 83
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] Time-domain component analysis of heavy-ion-induced transient currents in fully-depleted SOI MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi et al.
- 雑誌名
  
  IEEF Transactions on Nuclear Science 53(6)
  
  ページ: 3372-3378
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[雑誌論文] Time-domain component analysis of heavy-ion-induced transient currents in fully-depleted SOI MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, et. al.
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science vol.53, no.6
  
  ページ: 3372-3378
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[雑誌論文] Time-domain component analysis of heavy-ion-induced transient-currents in fully-depleted SOi MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi et al.
- 雑誌名
  
  Proc. 7th Int. Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA)
  
  ページ: 99-102
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties at gate insulator film/Si interface2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Nohira, D. Kobayashi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  IEEE 2006 Int. Conf. Solid-State and Integrated Circuit Technology
  
  ページ: 368-371
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] Time-domain component analysis of heavy-ion-induced transient currents in fully-depleted SOI MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi, et. al.
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science 53
  
  ページ: 3372-3378
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[雑誌論文] XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定2006
- 著者名/発表者名
  鈴木治彦、長谷川覚、野平博司、服部健雄、山脇師之、鈴木伸子、小林大輔、廣瀬和之
- 雑誌名
  
  応用物理学会分科会シリコンテクノロジー No.82-2
  
  ページ: 55-60
- NAID
  110004757013
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study of dielectric constants for Si compounds2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, M. Kihara, D. Kobayashi, H. Okamoto, S. Shinagawa, H. Nohira, E. Ikenaga, M. Higuchi, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Physics letters Vol. 89
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] 単体トランジスタで観測された重イオン誘起過渡電流に基づくシングルイベント過渡電圧パルスの波形推定2006
- 著者名/発表者名
  小林大輔他
- 雑誌名
  
  第7回半導体の放射線照射効果研究会予稿集
  
  ページ: 45-48
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties of AlN/Al_2O_3 Films2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Suzuki, T. Matsuda, Y. Takenaga, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  2006 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Device-Science and Technology-
  
  ページ: 25-26
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] 宇宙ってどれくらい厳しいの? 宇宙と地上をつなぐ方程式~それはなぜ生まれたのか2023
- 著者名/発表者名
  小林大輔
- 学会等名
  電気学会ナノエレクトロニクス機能化・応用技術調査専門委員会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26172
[学会発表] How Harsh is Space? Equations That Connect Space and Ground VLSI2023
- 著者名/発表者名
  Daisuke Kobayashi, Kazuyuki Hirose
- 学会等名
  2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26172
[学会発表] バンド間トンネリングのソフトエラー信頼性予測への応用可能性2023
- 著者名/発表者名
  加藤由高、小林大輔、廣瀬和之
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02217
[学会発表] 二光子吸収過程パルスレーザを用いた重イオン誘起ノイズパルスの入射位置依存性の再現2021
- 著者名/発表者名
  出口拓実，小林大輔，廣瀬和之
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02217
[学会発表] An SRAM SEU cross section curve physics model2021
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, K. Hirose, K. Sakamoto, Y Tsuchiya, S. Okamoto, S. Baba, H. Shindou, O. Kawasaki, T. Makino, and T. Ohshima
- 学会等名
  IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02217
[学会発表] パルスレーザによる二光子吸収過程を利用した重イオン誘起SETパルス波形のエネルギー依存性の再現2021
- 著者名/発表者名
  唐木達矢, 小林大輔，廣瀬和之
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02217
[学会発表] 低照射線量率下のSiO2/Si界面準位生成量に与える膜中Si-H基量の影響2017
- 著者名/発表者名
  東口紳太郞, 牧野高紘, 大島武, 小林大輔, 廣瀬和之
- 学会等名
  2017年第64回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  神奈川県横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[学会発表] X線照射によるSiO2表面帯電の自発的補償機構の解明に向けた試料電流測定2017
- 著者名/発表者名
  張江貴大, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
- 学会等名
  2017年第64回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  神奈川県横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[学会発表] 宇宙用半導体デバイス～日本に残すべき耐環境性技術～2017
- 著者名/発表者名
  廣瀬和之, 小林大輔
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイスの物理-（第22回研究会）
- 発表場所
  静岡県三島市
- 年月日
  2017-01-20
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[学会発表] X 線照射による SiO2 表面帯電の自発的補償機構2016
- 著者名/発表者名
  張江貴大, 津吹優太, 岡田啓太郎, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
- 学会等名
  2016年第77回応用物理学会秋期学術講演会
- 発表場所
  新潟県新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[学会発表] 第一原理計算を用いた絶縁破壊電界の推定2016
- 著者名/発表者名
  山口記功, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
- 学会等名
  第26回日本MRS年次大会
- 発表場所
  神奈川県横浜市
- 年月日
  2016-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[学会発表] 第一原理計算を用いた SiC 多形における回復率の検討2016
- 著者名/発表者名
  山口記功, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
- 学会等名
  2016年第77回応用物理学会秋期学術講演会
- 発表場所
  新潟県新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[学会発表] Evaluation of Dielectric Constant Deduced from Relaxation Energy at SiO2/Si interfaces2015
- 著者名/発表者名
  M. Moriya, Y. Amano, K. Umeda, D. Kobayashi, T. Yamamoto, H. Nohira, and K. Hirose
- 学会等名
  2nd International Symposium on Computational Materials and Biological Sciences
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2015-09-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[学会発表] Ｘ線光電子分光法におけるチャージアップの帯電補償に関する研究2015
- 著者名/発表者名
  津吹優太、小林大輔、廣瀬和之
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2多形の静的誘電率推定2012
- 著者名/発表者名
  渋谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いた欠陥を持つSiO_2の絶縁破壊電界の推定2012
- 著者名/発表者名
  関洋,渋谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
- 学会等名
  第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] Estimation of breakdown electric-field strength while reflecting local structures of SiO_2 gate dielectrics using first-principles molecular orbital calculation technique2011
- 著者名/発表者名
  H. Seki, Y. Shibuya, D. Kobayashi, H. Nohira, K. Yasuoka, and K. Hirose
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSiO_2の局所構造を反映した絶縁破壊電界の推定2011
- 著者名/発表者名
  関洋,渋谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価2011
- 著者名/発表者名
  石原由梨,五十嵐智,小林大輔,野平博司,上野和良,廣瀬和之
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  渋谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  渋谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理
- 発表場所
  東京都目黒区
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2多形の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  渋谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価2011
- 著者名/発表者名
  石原由梨, 五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 上野和良, 廣瀬和之
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  澁谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所絶縁破壊電解の推定2011
- 著者名/発表者名
  関洋, 澁谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 泰岡顕治, 廣瀬和之
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所絶縁破壊電解の推定2011
- 著者名/発表者名
  関洋,澁谷寧浩,小林大輔,野平博司,泰岡顕治,廣瀬和之
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所的な絶縁破壊電界の推定法2011
- 著者名/発表者名
  関洋,渋谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  澁谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2/Si界面の誘電率推定2011
- 著者名/発表者名
  五十嵐智,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-第15回研究会
- 発表場所
  三島市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所的な絶縁破壊電界の推定法2011
- 著者名/発表者名
  関洋, 渋谷寧浩, 野平博司, 小林大輔, 泰岡顕治, 廣瀬和之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価2011
- 著者名/発表者名
  石原由梨,五十嵐智,小林大輔,野平博司,上野和良,廣瀬和之
- 学会等名
  シリコンテクノロジー研究会
- 発表場所
  名古屋市
- 年月日
  2011-07-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] Estimation technique for optical dielectric constant of polymorphous SiO_2 through first-principles molecular orbital calculation2010
- 著者名/発表者名
  K.Hirose, D.Kobayashi, S.Igarashi, H.Nohira
- 学会等名
  12th International Conference on Modern Materials and Technologies
- 発表場所
  Montecatini Terme, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2/Si界面の誘電率推定2010
- 著者名/発表者名
  五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-第15回研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSi・Al化合物の絶縁破壊電界の推定2010
- 著者名/発表者名
  関洋,澁谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] Estimation technique f or optical dielectric constant of polym orphous SiO_2 through first-principles mo lecular orbital calculation2010
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, D. Kobayashi, S. Igarashi, and H. Nohira
- 学会等名
  12th International Conference on Modern Materials and Technologies
- 発表場所
  Mon tecatini Terme
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] SiO_2/Si界面の誘電率のSi面方位依存性についての考察2010
- 著者名/発表者名
  五十嵐智,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理分子軌道計算を用いたSi・Al化合物の絶縁破壊電界の推定2010
- 著者名/発表者名
  関洋, 澁谷寧浩, 野平博司, 小林大輔, 泰岡顕治, 廣瀬和之
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎県長崎市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 格子分極起因の誘電率推定法についての考察2010
- 著者名/発表者名
  澁谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 格子分極起因の誘電率推定法についての考察2010
- 著者名/発表者名
  澁谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 学会等名
  2010年秋季第71画応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎県長崎市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] Estimation technique f or optical dielectric constant of Si an d Al compounds2009
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, S. Igarashi, D. Kobayashi, and H. Nohira
- 学会等名
  11th International Conference on Electronic Spectroscopy & Structure(ICESS-11)
- 発表場所
  Nara
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] SOI CMOSテバイスで発生する放射線誘起パルスノイズSETの解析モデル2009
- 著者名/発表者名
  小林大輔, 廣瀬和之
- 学会等名
  2009年秋季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県富山市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760228
[学会発表] SOI CMOSデバイスで発生する放射線誘起パルスノイズSETの解析モデル2009
- 著者名/発表者名
  小林大輔, 他
- 学会等名
  2009年秋季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山県富山市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760228
[学会発表] Device-physics-based analytical model for single event transients in SOI CMOS logics2009
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, K. Hirose, V. Ferlet-Cavrois, D. McMorrow, M. Gaillardin, T. Makino, H. Ikeda, Y. Arai, M. Ohno
- 学会等名
  presented in 2009 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC)
- 発表場所
  Quebec City, Quebec, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760228
[学会発表] Device-physics-based analytical model for single event transients in SOI CMOS logics2009
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi, et al.
- 学会等名
  2000 IEEE Nuclear and Space Radiation Effeccts Conference (NSREC)
- 発表場所
  Quebec City, Quebec, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760228
[学会発表] Estimation technique for optical dielectric constant of Si and Al compounds2009
- 著者名/発表者名
  廣瀬和之, 五十嵐智, 小林大輔, 野平博司
- 学会等名
  11th International Conference on Electronic Spectroscopy & Structure(ICESS-11)
- 発表場所
  Nara
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] Analytical expression for temporal width characterization of radiation-induced pulse noises in SOI CMOS logic gates2009
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi, et al.
- 学会等名
  2009 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
- 発表場所
  Montreal, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760228
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2/Si界面の誘電率推定2009
- 著者名/発表者名
  五十嵐智,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
- 学会等名
  2009年秋期第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2多形間の誘電率の違いについての検討2009
- 著者名/発表者名
  五十嵐智、小林大輔、野平博司、廣瀬和之
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  つくば
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] Analytical expression for temporal width characterization of radiation-induced pulse noises in SOI CMOS logic gates (審査済・発表決定)2009
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi et al.
- 学会等名
  2009 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
- 発表場所
  Montreal, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760228
[学会発表] Device-physics-based analytical model for single event transients in SOI CMOS logics (審査済・発表決定)2009
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi et al.
- 学会等名
  2009 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC)
- 発表場所
  Quebec, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760228
[学会発表] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2009
- 著者名/発表者名
  五十嵐智、小林大輔、野平博司、廣瀬和之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 第14回
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2009-01-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] 第一原理計算を用いたSiO_2/Si界面の誘電率推定2009
- 著者名/発表者名
  五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 学会等名
  2009年秋期第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360025
[学会発表] Analytical expression for temporal width characterization of radiation-induced pulse noises in SOI CMOS logic gates2009
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, T. Makino, K. Hirose
- 学会等名
  in Proc. 2009 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
- 発表場所
  Montreal, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760228
[学会発表] Relationship between the dipole moment induced in photoemission process and the optical dielectric constant2008
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, D. Kobayashi, H. Suzuki, S. Igarashi, H. Nohira
- 学会等名
  Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices : Science and Technology
- 発表場所
  Ookayama
- 年月日
  2008-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] Waveform observation of digital single-event transients employing monitoring transistor technique2008
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi et al.
- 学会等名
  2008 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC)
- 発表場所
  Tucson, AZ, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760228
[学会発表] Waveform observation of digital single-event transients employing monitoring transistor technique2008
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, K. Hirose, Y. Yanagawa, H. Ikeda, H. Saito, V. Ferlet-Cavrois, P. Paillet, D. McMorrow, Y. Arai, M. Ohno
- 学会等名
  presented in 2008 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC)
- 発表場所
  Tucson, AZ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760228
[学会発表] First-principles calculation of the Slater transition state for estimating optical dielectric constants of Si and Al dielectric compounds2008
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, D. Kobayashi, H. Suzuki, S. Igarashi, H. Nohira
- 学会等名
  Solid State Device and Materials
- 発表場所
  Tsukuba
- 年月日
  2008-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2008
- 著者名/発表者名
  五十嵐智、鈴木治彦、小林大輔、野平博司、廣瀬和之
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  春日井市
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] First-principles calculation of the Slater transition state for estimating optical dielectric constants of Si and Al dielectric compounds2008
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Suzuki, D. Kobayashi, H. Nohira
- 学会等名
  SiO_2 2008
- 発表場所
  Saint-Etienne
- 年月日
  2008-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] Fast and physically-accurate estimation of single event transient pulses from radiation-induced transient currents measured in a single MOSFET:a simulation-based case study in bulk CMOS logic circuits2007
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi, et. al.
- 学会等名
  2007 IEEE Workshop on Silicon Errors in Logic-System Effects(SELSE3)
- 発表場所
  Austin,TX,USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] 論理回路の新しいソフトエラーモード『シングルイベント・トランジェント』をデバイスレベルで考える2007
- 著者名/発表者名
  小林大輔, 他
- 学会等名
  2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会内シンポジウム「先端LSIに与える放射線の影響"ソフトエラーとハードエラー"」
- 発表場所
  北海道工業大学(北海道札幌市)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] シングルイベント過渡パルスの高速・高精度な波形推定:1 原理2007
- 著者名/発表者名
  小林大輔, 他
- 学会等名
  2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大学(神奈川県相模原市)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] Fast and physically-accurate estimation of single event transient pulses from radiation-hlduced transient currents measured in a single MOSFET:a simulation-based case study in bulk CMOS logic circuits2007
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi, et. al.
- 学会等名
  2007 IEEE Workshop on Silicon Errors in Logic-System Effects(SELSE3)
- 発表場所
  Austin, TX, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] Relationship between optical dielectric constant and XPS relative chemical shift of 1s and 2p levels for dielectric compounds2007
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Suzuki, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattroi
- 学会等名
  13^<th> International Conference on Surface Science
- 発表場所
  Stockholm
- 年月日
  2007-07-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] Feasibility study of a table-based SET-pulse estimation in logic cells fromheavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi, et. al.
- 学会等名
  2007 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC)
- 発表場所
  Honolulu, HI, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] Feasibility study of a table-based SET-pulse estimation in logic cells from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi, et. al.
- 学会等名
  2007 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC)
- 発表場所
  Honolulu,HI,USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] Feasibility study of a table-based SET-pulse estimation in logic cells from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, et. al.
- 学会等名
  2007 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC)
- 発表場所
  Honolulu, HI(paper H-6)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] Fast and physically-accurate estimation of single event transient pulses from radiation-induced transient currents measured in a single MOSFET: a simulation-based case study in bulk CMOS logic circuits2007
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, et. al.
- 学会等名
  2007 IEEE Workshop on Silicon Errors in Logic-Systems Effects(SELSE3)
- 発表場所
  Austin, TX
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] 完全空乏型SOI MOSFETにおけるシングルイベント過渡電流の時間領域成分解析2006
- 著者名/発表者名
  小林大輔, 他
- 学会等名
  2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  立命館大学(滋賀県草津市)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] Al酸化物・窒化物における相対ケミカルシフトと誘電率の関係の検証2006
- 著者名/発表者名
  鈴木治彦、松田徹、野平博司、高田恭考、池永英司、小林大輔、小林啓介、服部健雄、廣瀬和之
- 学会等名
  第67回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  草津
- 年月日
  2006-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] Estimation of single event transient voltage pulses in VLSI circuits from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2006
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi, et. al.
- 学会等名
  2006 European Workshop on Radiation Effects on Components and Systems(RADECS)
- 発表場所
  Athens,Greece
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] Time-domain component-analysis of heavy-ion-induced transient-currents in fully-depleted SOI MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, et. al.
- 学会等名
  7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application(RASEDA)
- 発表場所
  Takasaki, Japan(pp.99-102)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] Time-domain component-analysis of heavy-ion-induced transient-currents in FD-SOI MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, et. al.
- 学会等名
  2006 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC) , FL, late news paper PC-14L
- 発表場所
  Ponte Vedra Beach(late news paper PC-14L)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] Time-domain component analysis of heavy-ion-induced transient currents in fully-depleted SOI MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi, et. al.
- 学会等名
  2006 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC)
- 発表場所
  Ponte Vedra Beach,FL,USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] Time-domain component analysis of heavy-ion-induced transient currents in fully-depleted SOI MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  D.Kobayashi, et. al.
- 学会等名
  7th Int.Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications(RASEDA)
- 発表場所
  Takasaki,Japan
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] 宇宙用SOI半導体部品の処理能力向上のための放射線誘起過渡現象の研究2006
- 著者名/発表者名
  小林大輔, 他
- 学会等名
  第7回宇宙科学シンポジウム
- 発表場所
  宇宙科学研究本部(神奈川県相模原市)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] 極端に非対称なX線解析法とX線光電子分光法による高誘電率絶縁膜の研究2006
- 著者名/発表者名
  伊藤勇希、秋本晃一、吉田広徳、榎本貴志、廣瀬和之、小林大輔、生田目俊秀、鳥海明
- 学会等名
  第67回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  草津
- 年月日
  2006-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] Estimation of single event transient voltage pulses in VLSI circuits from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2006
- 著者名/発表者名
  D. Kobayashi, et. al.
- 学会等名
  2006 European Workshop on Radiation Effect on Components and Systems(RADECS) , late news paper LN-6
- 発表場所
  Athens, Greece(late news paper LN-6)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties of AlN/Al_2O_3 Films2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Suzuki, T. Matsuda, Y. Takenaga, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattori
- 学会等名
  2006 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Device -Science and Technology-
- 発表場所
  Kawasaki
- 年月日
  2006-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties at gate insulator film/Si interface2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Nohira, D. Kobayashi, T. Hattori
- 学会等名
  IEEE 2006 Int. Conf. Solid-State and Integrated Circuit Technology
- 発表場所
  Shanghai
- 年月日
  2006-10-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] 単体トランジスタで観測された重イオン誘起過渡電流に基づくシングルイベント過渡電圧パルスの波形推定2006
- 著者名/発表者名
  小林大輔, 他
- 学会等名
  第7回半導体の放射線照射効果研究会
- 発表場所
  日本大学(千葉県船橋市)
- 年月日
  2006-12-09
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560359
[学会発表] XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定2006
- 著者名/発表者名
  鈴木治彦、長谷川覚、野平博司、服部健雄、山脇師之、鈴木伸子、小林大輔、廣瀬和之
- 学会等名
  応用物理学会分科会シリコンテクノロジー研究会
- 発表場所
  広島
- 年月日
  2006-06-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] XANESから推定したSiO2/Si界面の物性評価
- 著者名/発表者名
  森谷真帆, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[学会発表] 放射線による局所昇温現象を考慮したソフトエラーシミュレーションの適用可能性
- 著者名/発表者名
  小林大輔, 伊藤大智, 廣瀬和之
- 学会等名
  第 62 回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス(神奈川県平塚市)
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560435
[学会発表] Photoemission and molecular orbital calculation study on atomic structures and physical properties at (SiO2-Si)-interfaces
- 著者名/発表者名
  K. Hirose and D. Kobayashi
- 学会等名
  18th Research Workshop on Nucleation Theory and Applications
- 発表場所
  Joinx Institute for Nuclear Research in Dubna, Russia
- 年月日
  2014-04-12 – 2014-04-20
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[学会発表] 分子軌道法を用いて求めた回復率の検討
- 著者名/発表者名
  若尾周一郎, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[学会発表] 放射線による局所昇温現象を考慮したソフトエラーシミュレーション
- 著者名/発表者名
  小林大輔, 伊藤大智, 廣瀬和之
- 学会等名
  第 75 回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560435
[学会発表] SiO2/Si 界面の緩和エネルギーから推定した誘電率の評価
- 著者名/発表者名
  森谷真帆, 天野裕士, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072
[学会発表] Zr Lα線源を用いたAESによるSiO2/Si界面構造の評価
- 著者名/発表者名
  天野裕司, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390072

1. 廣瀬和之 (00280553)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 74件
2. 野平博司 (30241110)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 57件
3. 服部健雄 (10061516)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 9件
4. 牧野高紘 (80549668)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
5. 齋藤宏文 (80150051)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

小林 大輔 Kobayashi Daisuke

研究課題

研究成果

共同研究者

放射線を当てずに放射線ソフトエラー信頼性を評価する技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高信頼性LSIの開発コスト削減に向けたソフトエラー耐性スクリーニングの実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

光電子分光法を用いた極薄SiO2/Si界面の欠陥とアモルファス構造の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

放射線による過渡的な局所昇温現象とそのソフトエラー耐性への影響研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

硬X線光電子分光法と第一原理計算を用いた極薄酸化膜の光学的誘電率の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

論理回路のソフトエラーを引き起こすSETパルスの実験的波形解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

積層ゲート絶縁膜の局所的誘電率の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

組み合わせ論理回路のソフトエラー評価を可能とするLSIテスト技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] X線光電子分光による誘電率の推定法2016

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[雑誌論文] Threshold and Characteristic LETs in SRAM SEU Cross Section Curves2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 魔法のソフトエラー信頼性方程式を探して2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

ISSN

年月日

言語

データソース

[雑誌論文] Exploring magic equations for soft-error reliability2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

ISSN

言語

データソース

[雑誌論文] ITサステナビリティに与える宇宙の影響2023

著者名/発表者名

雑誌名

小林大輔 Kobayashi Daisuke