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末光 哲也  SUEMITSU Tetsuya

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90447186
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2021年度 – 2025年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任教授
2017年度 – 2020年度: 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 教授
2010年度 – 2016年度: 東北大学, 電気通信研究所, 准教授
2007年度: 東北大学, 電気通信研究所, 准教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 小区分21050:電気電子材料工学関連
研究代表者以外
中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 工学 / 理工系 / 電子デバイス・電子機器
キーワード
研究代表者
窒化物半導体 / トランジスタ / 電界効果トランジスタ / 窒素極性 / 高電子移動度トランジスタ / マイクロ波・ミリ波 / 進行波増幅 / テラヘルツ / 半導体 / 基板接合 … もっと見る / HEMT / 半導体物性 / マイクロ・ナノデバイス / デバイス設計・製造プロセス / 結晶成長 / 先端機能デバイス / 電子デバイス・機器 / 窒素極性窒化物 / SCAM基板 / パワーデバイス / GaN / 窒化物トランジスタ … もっと見る
研究代表者以外
テラヘルツ / プラズモン / パワーデバイス / 結晶欠陥 / 酸化ガリウム / 結晶成長シミュレーション / 単結晶成長 / 光学励起 / テラへルツ / ボトムアップ / 誘導放出 / ポラリトン / 電流注入 / レーザー / グラフェン / 集積回路 / 回路 / 伝搬モード / 赤外材料・素子 / 電磁波 / テラヘルツ/赤外材料・素子 / 高速伝送回路設計 / 電子デバイス / 電磁波伝搬モード型回路 / 分散制御 / 低次元プラズモン 隠す
  • 研究課題

    (9件)
  • 研究成果

    (199件)
  • 共同研究者

    (34人)
  •  日本の半導体産業再興への道を拓く酸化ガリウムの新規バルク単結晶成長法の開発

    • 研究代表者
      吉川 彰
    • 研究期間 (年度)
      2025 – 2027
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東北大学
  •  窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究研究代表者

    • 研究代表者
      末光 哲也
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分30:応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東北大学
  •  半導体中における進行波増幅の可能性の検証に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      末光 哲也
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2025
    • 研究種目
      挑戦的研究(開拓)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東北大学
  •  窒素極性GaN系MIS-HEMTのパワーデバイス応用に向けた研究研究代表者

    • 研究代表者
      末光 哲也
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      東北大学
  •  窒素極性InGaNチャネルヘテロ構造を用いた高電子移動度トランジスタの研究研究代表者

    • 研究代表者
      末光 哲也
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東北大学
  •  ScAlMgO4基板を用いた窒化物半導体縦型トランジスタ作製プロセスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      末光 哲也
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東北大学
  •  GaN系HEMTにおける電子速度の詳細評価の研究研究代表者

    • 研究代表者
      末光 哲也
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東北大学
  •  グラフェンテラヘルツレーザーの創出

    • 研究代表者
      尾辻 泰一
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2015
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 審査区分
      理工系
      工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  低次元プラズモンの分散特性を利用した電磁波伝搬モード型回路の研究

    • 研究代表者
      尾辻 泰一
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東北大学

すべて 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書

  • [図書] グラフェンが拓く材料の新領域2012

    • 著者名/発表者名
      末光眞希, 第一章第4節エピタキシャルグラフェン法
    • 総ページ数
      233
    • 出版者
      エヌ・ティー・エス、東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [図書] グラフェンの最先端技術と拡がる応用 ―グラフェンの材料科学、成長・合成技術、各種デバイス応用―2012

    • 著者名/発表者名
      末光哲也, 第4章第1節"グラフェンチャネルトランジスタ"
    • 総ページ数
      242
    • 出版者
      フロンティア出版, 東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [図書] グラフェンの最先端技術と拡がる応用2012

    • 著者名/発表者名
      末光眞希, 第3章グラフェンの合成技術と応用展開 6.SiC基板上のエピタキシャルグラフェン成長
    • 総ページ数
      242
    • 出版者
      フロンティア出版、東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors2021

    • 著者名/発表者名
      Prasertsuk Kiattiwut、Suemitsu Tetsuya、Matsuoka Takashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: SA ページ: SA1006-SA1006

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac2214

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02165
  • [雑誌論文] Effective Schottky Barrier Height Model for N‐Polar and Ga‐Polar GaN by Polarization‐Induced Surface Charges with Finite Thickness2020

    • 著者名/発表者名
      Suemitsu Tetsuya、Makabe Isao
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 257 号: 4 ページ: 1900528-1900528

    • DOI

      10.1002/pssb.201900528

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02165
  • [雑誌論文] N-polar GaN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor formed on sapphire substrate with minimal step bunching2018

    • 著者名/発表者名
      K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 11 号: 1 ページ: 015503-015503

    • DOI

      10.7567/apex.11.015503

    • NAID

      210000136090

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18074, KAKENHI-PUBLICLY-17H05325, KAKENHI-PROJECT-16H03857, KAKENHI-PROJECT-16H04341
  • [雑誌論文] Neutral beam process in AlGaN/GaN HEMTs: Impact on current collapse2017

    • 著者名/発表者名
      Hemmi Fuyumi、Thomas Cedric、Lai Yi-Chun、Higo Akio、Watamura Yoh、Samukawa Seiji、Otsuji Taiichi、Suemitsu Tetsuya
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: 137 ページ: 1-5

    • DOI

      10.1016/j.sse.2017.07.015

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13963
  • [雑誌論文] Neutral beam etching for device isolation in AlGaN/GaN HEMTs2017

    • 著者名/発表者名
      F. Hemmi, C. Thomas, Y. C. Lai, A. Higo, A. Guo, S. Warnock, J. A. del Alamo, S. Samukawa, T. Otsuji, T. Suemitsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 214 号: 3

    • DOI

      10.1002/pssa.201600617

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13963
  • [雑誌論文] A new process approach for slant field plates in GaN-based high-electron-mobility transistors2016

    • 著者名/発表者名
      T. Suemitsu, K. Kobayashi, S. Hatakeyama, N. Yasukawa, T. Yoshida, T. Otsuji, D. Piedra, and T. Palacios
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 1S ページ: 01AD02-01AD02

    • DOI

      10.7567/jjap.55.01ad02

    • NAID

      210000145958

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13963
  • [雑誌論文] Evaluations of crystal defects of 3C-SiC(-1-1-1) film on Si(110) substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Shota Sambonsuge, Shun Ito, Sai Jiao, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Sergey N. Filimonov, and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi A

      巻: 印刷中 号: 5 ページ: 1125-1129

    • DOI

      10.1002/pssa.201532675

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Room-temperature zero-bias plasmonic THz detection by asymmetric dual-grating-gate HEMT2015

    • 著者名/発表者名
      T. Watanabe, T. Kawasaki, A. Satou, S.A. Boubanga Tombet, T. Suemitsu, G. Ducournau, D. Coquillat, W. Knap, H. Minamide, H. Ito, Y.M. Meziani, V.V. Popov, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      Proc. SPIE

      巻: 9362 ページ: 93620F-93620F

    • DOI

      10.1117/12.2079184

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] SiNゲートスタックによる高キャリア移動度グラフェンチャネルFET2015

    • 著者名/発表者名
      玉虫元, 菅原健太, Mastura binti Hussin, 末光哲也, 須藤亮太, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Interfacial charge states in graphene on SiC studied by noncontact scanning nonlinear dielectric potentiometry2015

    • 著者名/発表者名
      Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, and Yasuo Cho
    • 雑誌名

      Physical Review Letters

      巻: 114 号: 22 ページ: 226103-226103

    • DOI

      10.1103/physrevlett.114.226103

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K04673, KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23226008
  • [雑誌論文] Correlation between the residual stress in 3C-SiC/Si epifilm and the quality of epitaxial graphene formed thereon2015

    • 著者名/発表者名
      R Bantaculo, H Fukidome and M Suemitsu
    • 雑誌名

      IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering

      巻: 79 ページ: 012004-012004

    • DOI

      10.1088/1757-899x/79/1/012004

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Si基板上エピタキシャルグラフェンのNi援用低温形成とリアルタイム/角度分解光電子分光によるグラフェン化機構評価2015

    • 著者名/発表者名
      長谷川美佳、須藤亮太、菅原健太、三本菅正太、原本直樹、寺岡有殿、吉越章隆、吹留博一、末光眞希
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Graphene-channel FETs for photonic frequency double-mixing conversion over the sub-THz band2015

    • 著者名/発表者名
      T. Kawasaki, K. Sugawara, A. Dobroiu, T. Eto, Y. Kurita, K. Kojima, Y. Yabe, H. Sugiyama, T. Watanabe, T. Suemitsu, V. Ryzhii, K. Iwatsuki, Y. Fukada, J. Kani, J. Terada, N. Yoshimoto, K. Kawahara, H. Ago, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      Solid State Electron

      巻: 103 ページ: 216-221

    • DOI

      10.1016/j.sse.2014.07.009

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] 非対称二重格子ゲートHEMTによるテラヘルツ波検出の周波数特性2015

    • 著者名/発表者名
      佐藤昭, Stephane Boubanga Tombet, 渡辺隆之, 川﨑鉄哉, 糟谷文月, 末光哲也, Denis V. Fateev, Vyacheslav V. Popov, 南出泰亜, 伊藤弘昌, Dominique Coquillat, Wojciech Knap, Guillaume Ducournau, Yahya Meziani, 尾辻泰一
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] グラフェンチャネルFETのサブテラヘルツ帯ミキサ応用2015

    • 著者名/発表者名
      菅原健太, 川﨑鉄哉, Binti Hussin Mastura, 玉虫元, 末光眞希, 吹留博一, 可児淳一, 寺田純, 桑野茂, 岩月勝美, 末光哲也, 尾辻泰一
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] In Situ SR-XPS Observation of Ni-Assisted Low-Temperature Formation of Epitaxial Graphene on 3X-SiC/Si2015

    • 著者名/発表者名
      Mika Hasegawa, Kenta Sugawara, Ryota Suto, Shota Sambonsuge, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Sergey Filimonov, Hirokazu Fukidome, and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Nanoscale Research Letter

      巻: 10 号: 1 ページ: 421-426

    • DOI

      10.1186/s11671-015-1131-9

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26420289, KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Controlling Planar Defects in 3C-SiC: Ways to Wake it up as a Practical Semiconductor2015

    • 著者名/発表者名
      Hiroyoki Nagasawa, Ramya Gurunathan, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 821-823 ページ: 108-114

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.108

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] InP and GaN high electron mobility transistors for millimeter-wave applications2015

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Suemitsu
    • 雑誌名

      IEICE Electronics Express

      巻: 12 号: 13 ページ: 20152005-20152005

    • DOI

      10.1587/elex.12.20152005

    • NAID

      130005087552

    • ISSN
      1349-2543
    • 言語
      英語
    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13963
  • [雑誌論文] 高品質エピタキシャルグラフェンを用いたGFETの特性評価2015

    • 著者名/発表者名
      須藤亮太、舘野泰範、吹留博一、末光眞希
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] High carrier mobility graphene-channel FET using SiN gate stack2015

    • 著者名/発表者名
      G. Tamamushi, K. Sugawara, M. B. Hussin, T. Suemitsu, R. Suto, H. Fukidome, M. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      The 42nd International Symposium on Compound Semiconductors Proc.

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] 接触抵抗改善によるグラフェンFETの高性能化2015

    • 著者名/発表者名
      小岩匡, 岡謙吾, 末光哲也, 尾辻泰一, 内野俊
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] InAlN/GaN HEMTsにおける傾斜型フィールドプレートによるドレイン空乏領域長への影響2015

    • 著者名/発表者名
      安川奈那, 畠山信也, 吉田智洋, 尾辻泰一, 末光哲也
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110)2015

    • 著者名/発表者名
      Shota Sambonsuge, Sai Jiao, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Sergey N. Filimonov, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Diamond & Related Materials

      巻: 67 ページ: 51-53

    • DOI

      10.1016/j.diamond.2016.02.020

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] SiCN鋳型プロセスを用いた傾斜フィールドプレート構造を持つInGaAs系HEMTの作製とその特性2015

    • 著者名/発表者名
      吉田智洋, 畠山信也, 安川奈那, 尾辻泰一, 末光哲也
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Geometrical dependence of ultrahigh responsivity and its broadband characteristics of InP-based asymmetric dual-grating-gate high-electron-mobility transistors2015

    • 著者名/発表者名
      A. Satou, T. Kawasaki, S. Hatakeyama, S. Boubanga Tombet, T. Suemitsu, G. Ducournau, D. Coquillat, D.V. Fateev, V.V. Popov, Y.M. Meziahi, and T. Otsuii
    • 雑誌名

      OTST : Int. Conf. on Optical Terahertz Science and Technology Dig

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Graphene based Electronic & Photonic Devices, Circuits and Systems2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 雑誌名

      EXMATEC 2014 Book of Abstracts

      巻: 1 ページ: 197-198

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] RF characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with slant field plates2014

    • 著者名/発表者名
      Shinya Hatakeyama, Kengo Kobayashi, Tomohiro Yoshida, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu
    • 雑誌名

      ISCS : the 41st Int. Symp. On Compound Semiconductors Dig

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AIN/Si heterostructure2014

    • 著者名/発表者名
      Sai Jiao, Yuya Murakami, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazau Fukidome, Isao Makabe, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 806 ページ: 89-93

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.806.89

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Investigation of Hydrogen-Intercalated Graphene on 4H-SiC(0001) by Noncontact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho
    • 雑誌名

      ECOSS30 : the 30th European Conference on Surface Science Book of Abstracts

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Epitaxial Graphene on Silicon Substrates : Tailoring the Properties through Crystal Faces2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 雑誌名

      2014 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS'14), Abstract book

      巻: 1 ページ: 17-17

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Improving Graphene Field-Effect Transistor Performance by Self-Aligned Source/Drain Process with Aluminum Sacrificial Layer2014

    • 著者名/発表者名
      M.B. Hussin, K. Sugawara, T. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      RPGR 2014 : the 6th Int. Conf. on Recent Progress on Graphene Research Proc

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Plasmonic terahertz monochromatic coherent emission from an asymmetric chirped dual-grating-gate InP-HEMT with highly asymmetric resonant cavities2014

    • 著者名/発表者名
      T. Watanabe, A. Satou, T. Suemitsu, W. Knap, V.V. Popov, V. Ryzhii, M. Shur, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      RJUS TeraTech-2014 : The 3rd Russia-Japan-USA Symp. on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies Proc

      巻: 1 ページ: 39-40

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] InGaAsチャネルHEMT及びグラフェンチャネルFETを用いたミリ波帯フォトミキシング2014

    • 著者名/発表者名
      川崎鉄哉, 吉田智洋, 菅原健太, Adrian Dobroiu, 渡辺隆之, 杉山弘樹, 若生洋由希, 可児淳一, 寺田純, 桑野茂, 吾郷浩樹, 河原憲次, 岩月勝美, 末光哲也, 尾辻泰一
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: ED2014 ページ: 9-13

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Detection of terahertz and mid-infrared radiations by InP-based asymmetric dual-grating-gate HEMTs2014

    • 著者名/発表者名
      D. Coquillat, P. Zagrajek, N. Dyakonova, K. Chrzanowski, J. Marczewski, Y. Kurita, A. Satou, K. Kobayashi, S. Boubanga Tombet, V.V. Popov, T. Suemitsu, T. Otsuji, W. Knap
    • 雑誌名

      IRMMW-THz : Int. Conf. on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves Dig

      巻: 1 ページ: 1-2

    • DOI

      10.1109/irmmw-thz.2014.6956522

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Improved breakdown voltage and RF characteristics in AlGaN/GaN high electron mobility transistors achieved by slant field plates2014

    • 著者名/発表者名
      Kengo Kobayashi, Shinya Hatakeyama, Tomohiro Yoshida, Yuhei Yabe, Daniel Piedra, Tomás Palacios, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 7 号: 9 ページ: 096501-096501

    • DOI

      10.7567/apex.7.096501

    • NAID

      210000137238

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [雑誌論文] Ultrahigh sensitive sub-terahertz detection by InP-based asymmetric dual-grating-gate high-electron-mobility transistors and their broadband characteristics2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Kurita, G. Ducournau, D. Coquillat, A. Satou, K. Kobayashi, S.A. Boubanga-Tombet, Y.M. Meziani, V.V. Popov, W. Knap, T. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: 104 号: 25 ページ: 251114-251114

    • DOI

      10.1063/1.4885499

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-26820123
  • [雑誌論文] 微細加工Si基板上GOSグラフェンの電荷移動領域観察2014

    • 著者名/発表者名
      田島圭一郎、井出隆之、永村直佳、堀場弘司、尾嶋正治、吹留博一、末光眞希
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Si (111)基板上に炭素との固相反応で生成したSiC薄膜の評価2014

    • 著者名/発表者名
      細谷友崇, 三本菅正太, 伊藤俊, 吹留博一, 長澤弘幸, 末光眞希
    • 雑誌名

      第61回応用物理春季学術講演会

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Impact of drain conductance in InGaAs-HEMTs operated in a class-F amplifier2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yoshida, M. Oyama, K. Watanabe, Y. Umeda, T. Otsuji, and T. Suemitsu
    • 雑誌名

      LEC : 2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices Proc

      巻: 1 ページ: 1-4

    • DOI

      10.1109/lec.2014.6951560

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Silicon Carbide on Silicon (110) : Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth2014

    • 著者名/発表者名
      S. Sambonsuge, L.N. Nikitina, Yu.Yu. Hervieu, M. Suemitsu, S.N. Filimonov
    • 雑誌名

      Russian Physics Journal

      巻: 56 号: 12 ページ: 1439-1444

    • DOI

      10.1007/s11182-014-0197-7

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [雑誌論文] MoS2 FETにおける金属-チャネル界面領域での電荷移動観察2014

    • 著者名/発表者名
      須藤亮太、田島圭一郎、安川奈那、北田祐太、永村直佳、本間格、堀場弘司、尾嶋正治、吹留博一、末光眞希
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMTs by means of slant field plates fabricated by multi-layer SiCN2014

    • 著者名/発表者名
      Kengo Kobayashi, Shinya Hatakeyama, Tomohiro Yoshida, Daniel Piedra, Tomás Palacios, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu
    • 雑誌名

      Solid State Electron

      巻: 101 ページ: 63-69

    • DOI

      10.1016/j.sse.2014.06.022

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [雑誌論文] Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using GSMBE and Formation of Epitaxial Graphene Thereon2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu, S.N. Filimonov
    • 雑誌名

      Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces Abstracts Book

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Observing hot carrier distribution in an n-type epitaxial graphene on a SiC substrate2014

    • 著者名/発表者名
      T. Someya, F. Fukidome, Y. Ishida, R. Yoshida, T. Iimori, R. Yukawa, K. Akikubo, Sh. Yamamoto, S. Yamamoto, T. Yamamoto, T. Kanai, K. Funakubo, M. Suemitsu, J. Itatani, F. Komori, S. Shin, I. Matsuda
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 104 号: 16

    • DOI

      10.1063/1.4871381

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23226003, KAKENHI-PROJECT-23560020, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-26287061, KAKENHI-PROJECT-25220707
  • [雑誌論文] Current driven detection of terahertz radiation in dual-grating-gate plasmonic detector2014

    • 著者名/発表者名
      S.A. Boubanga Tombet, Y. Tanimoto, A. Satou, T. Suemitsu, Y. Wang, H. Minamide, H. Ito, D.V. Fateev, V.V. Popov, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: 104 号: 26 ページ: 262104-262104

    • DOI

      10.1063/1.4886763

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-26820123
  • [雑誌論文] Controlling Planar Defects in 3C-SiC : Ways to Wake it upDevelop 3C-SiC as a Practical Semiconductor2014

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Nagasawa, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      ECSCRM2014 : European Conf. on Silicon Carbide and Related Materials Abstracts Book

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Comparative Study on Pristine and Hydrogen-Intercalated Graphene on 4H-SiC(0001) Surface Using Noncontact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho
    • 雑誌名

      MRS Fall Meeting 2014 Abstracts Book

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Orbital-specific Tunability of Many-Body Effects in Bilayer Graphene by Gate Bias and Metal Contact2014

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Kosuke Nagashio, Ryo Sato, Takuo Ohkochi, Takashi Itoh, Akira Toriumi, Maki Suemitsu, and Toyohiko Kinoshita
    • 雑誌名

      Scientific Report

      巻: 4 号: 9 ページ: 37131-5

    • DOI

      10.1088/0022-3727/47/9/094016

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [雑誌論文] High-Resolution Imaging of Hydrogen-Intercalated Graphene on 4H-SiC(0001) Using Non-Contact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Kohei Yamasue, H. Fukidome, K. Funakubo, M. Suemitsu, Y. Cho
    • 雑誌名

      ICN+T 2014 Abstract Book

      巻: 1 ページ: 58-58

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Noncontact scanning nonlinear dielectric microscopy study of graphene on 4H-SiC(0001) and its hydrogen-intercalation2014

    • 著者名/発表者名
      Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho
    • 雑誌名

      NC-AFM 2014 Book of Abstracts

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Impact of T-gate stem height on parasitic gate delay time in InGaAs-HEMTs2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yoshida, K. Kobayashi, T. Otsuji, and T. Suemitsu
    • 雑誌名

      Solid State Electron

      巻: 102 ページ: 93-97

    • DOI

      10.1016/j.sse.2014.06.005

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] F級増幅器におけるInGaAs-HEMTゲート寄生遅延時間の影響2014

    • 著者名/発表者名
      吉田智洋, 小山雅史, 渡邊邦彦, 楳田洋太郎, 尾辻泰一, 末光哲也
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] 傾斜型フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTsのRF特性2014

    • 著者名/発表者名
      畠山信也, 小林健悟, 吉田智洋, 尾辻泰一, 末光哲也
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Pinpoint operando analysis of the electronic states of a graphene transistor using photoelectron nanospectroscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Kousuke Nagashio, Naoka Nagamura, Keiichiro Tashima, Kazutoshi Funakubo, Koji Horiba, Maki Suemitsu, Akira Toriumi, Masaharu Oshima
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 7 号: 6 ページ: 065101-065101

    • DOI

      10.7567/apex.7.065101

    • NAID

      210000137137

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PUBLICLY-26107503
  • [雑誌論文] グラフェンとNiの界面反応の微視的「その場」観察2014

    • 著者名/発表者名
      長谷川美佳、吹留博一、小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦、伊藤俊、末光眞希
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Microscopically-Tuned Band Structure of Epitaxial Graphene through Interface and Stacking Variations Using Si Substrate Microfabrication2014

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Takayuki Ide, Yusuke Kawai, Toshihiro Shinohara, Naoka Nagamura, Koji Horiba, Masato Kotsugi, Takuo Ohkochi, Toyohiko Kinoshita, Hiroshi Kumighashira, Masaharu Oshima, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 4 号: 1 ページ: 5173-5173

    • DOI

      10.1038/srep05173

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23560003, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PUBLICLY-26107503
  • [雑誌論文] グラフェンチャネルネルFETを用いたミリ波帯フォトミキサー2014

    • 著者名/発表者名
      菅原健太, 江藤隆紀, 川崎鉄哉, Mastura Hussin, 若生洋由希, 末光哲也, 尾辻泰一, 吾郷浩樹, 河原憲治, 深田陽一, 可児淳一, 寺田純, 吉本直人
    • 雑誌名

      第61回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] An Improved Self-Aligned Ohmic-Contact Process for Graphene-Channel Field-Effect Transistors2014

    • 著者名/発表者名
      Hussin Mastura, Kenta Sugawara, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Ultrahigh sensitive sub-terahertz plasmonic detector based on asymmetri ual-grating-gate HEMT2014

    • 著者名/発表者名
      A. Satou, Y. Kurita, G. Ducournau, D. Coquillat, K. Kobayashi, S. Boubanga Tombet, Y.M. Meziani, V.V. Popov, W. Knap, T. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      RJUS TeraTech-2014 : The 3rd Russia-Japan-USA Symp. on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies Proc

      巻: 1 ページ: 21-23

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Graphene materials and devices for terahertz science and technology2013

    • 著者名/発表者名
      T. Otsuji, M. Suemitsu, and V. Ryzhii
    • 雑誌名

      APMC : Asia-Pacific Microwave Conference

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Si (110)基板上3C-SiC (111)回転エピ膜上に形成したエピタキシャルグラフェンの断面TEM評価2013

    • 著者名/発表者名
      三本菅 正太, 長澤 弘幸, Sergey Filimonov, 伊藤 駿, 吹留 博一, 末光 眞希
    • 雑誌名

      第74回応用物理学会秋季学術講演会

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] グラフェンテラヘルツレーザーとフォトニックデバイス応用の可能性2013

    • 著者名/発表者名
      尾辻泰一, 佐藤 昭, マキシム リズィー, 佐野栄一, 末光眞希, ヴィクトール リズィー
    • 雑誌名

      電子情報通信学会2013年総合大会

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Dielectric-tuned diamondlike carbon materials for an ultrahigh-speed self-aligned graphene channel field effect transistor2013

    • 著者名/発表者名
      S. Takabayashi, M. Yang, S. Ogawa, Y. Takakuwa, T. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      4th Int. Conf. on Smart Materials, Structures, and Systems, CIMTE

      巻: 77 ページ: 270-275

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/ast.77.270

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-24760247
  • [雑誌論文] XRD and Raman-Spectroscopic Evaluation of Graphene on 3C- SiC (111)/Vicinal Si (111) Substrate2013

    • 著者名/発表者名
      N. Haramoto, S. Inomata, S. Sambonsuge, H. Fukidome and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      ALC'13:9th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices' 13

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] 微傾斜Si (111)基板使用によるSi基板上エピタキシャルグラフェンの高品質化2013

    • 著者名/発表者名
      原本直樹, 猪俣州哉, 三本菅正太, 吹留博一, 末光眞希
    • 雑誌名

      第74回応用物理学会秋季学術講演会

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] From 3C-SiC growth to graphene formation using 4H-AlN (0001)/Si (111) heterostructure2013

    • 著者名/発表者名
      Sai Jiao, Hirokazu Fukidome, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      2013 JSAP-MRS Joint Symposia : Symposium C

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC (111)/4H-AlN (0001) Double Layer Stacking on Si (111) Substrates2013

    • 著者名/発表者名
      S. Jiao, H. Fukidome, H. Nagasawa, S. Filimonov, M. Tateno, I. Makabe, T. Nakabayashi, and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2013)

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Site selective epitaxy of graphene on Si wafers2013

    • 著者名/発表者名
      H. Fukidome, Y. Kawai, H. Handa, H. Hibino, H. Miyashita, M. Kotsugi, T. Ohkochi, M. Jung, T. Suemitsu, T. Kinoshita, T. Otsuji, and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      Proceeding of the IEEE

      巻: 101 号: 7 ページ: 1557-1566

    • DOI

      10.1109/jproc.2013.2259131

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23560003, KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] Graphene-channel FET with -doped diamondlike carbon top-gate dielectrics2013

    • 著者名/発表者名
      T. Eto, S. Takabayashi, Y. Kurita, M. Yang, H. Hayashi, R. Jesko, S. Ogawa, Y. Takakuwa, T. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      The 9th International Thin-Film Transistor Conference

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] 微細加工基板へのグラフェンのエピ成長による擬電磁場の創出2013

    • 著者名/発表者名
      吹留博一、小嗣真人、川合祐輔、井出隆之、大河内拓雄、木下豊彦、末光眞希
    • 雑誌名

      表面科学

      巻: 34 号: 7 ページ: 380-384

    • DOI

      10.1380/jsssj.34.380

    • NAID

      10031184986

    • ISSN
      0388-5321, 1881-4743
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23560003
  • [雑誌論文] High-Performance Graphene Field-Effect Transistors with Extremely small access length using self-aligned source and drain techniques2013

    • 著者名/発表者名
      M. -H. Jung, G. -H. Park, T. Yoshida, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji, and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      Proceeding of the IEEE

      巻: 101 号: 7 ページ: 1603-1608

    • DOI

      10.1109/jproc.2013.2258651

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] グラフェン上Al203ゲート絶縁膜中の「その場」ラマン分光観察2013

    • 著者名/発表者名
      須藤亮太, 佐藤 良, 吹留博一, 末光眞希
    • 雑誌名

      第74回応用物理学会秋季学術講演会

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Graphene-Channel FETs with DLC gate insulator for Photonic Frequency Double-Mixing Conversion over the Sub-THz Band2013

    • 著者名/発表者名
      T. Kawasaki, T. Eto, K. Kojima, Y. Kurita, Y. Yabe, H. Sugiyama, T. Watanabe, A. Dobroiu, S. Takabayashi, Y. Fukada, J. Kani, J. Terada, N. Yoshimoto, T. Suemitsu, V. Ryzhii, K. Iwatsuki, T. Otsuji
    • 雑誌名

      RPGR2013 : Recent Progress on Graphene Research

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Direct observation of charge transfer region at interfaces in graphene devices2013

    • 著者名/発表者名
      Naoka Nagamura, Koji Horiba, Satoshi Toyoda, Shodai Kurosumi, Toshihiro Shinohara, Masaharu Oshima, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 102 号: 24 ページ: 241604-241604

    • DOI

      10.1063/1.4808083

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [雑誌論文] Surface Energy Anisotropy of Clean and Hydrodgen Covered 3C-SiC Surfaces2013

    • 著者名/発表者名
      S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu, S. Jiao, S. Sambonsuge and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      ACSIN-12&ICSPM21

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Graphene FETs : Issues and Prospects2013

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 雑誌名

      AMFPD13 (The twentieth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices)

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] AlGaN/GaN MIS-gate HEMTs with SiCN gate stacks2013

    • 著者名/発表者名
      K. Kobayashi, M. Kano, T. Yoshida, R. Katayama, T. Matsuoka, T. Otsuji, T. Suemitsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)

      巻: 10 号: 5 ページ: 790-793

    • DOI

      10.1002/pssc.201200609

    • NAID

      110009728022

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [雑誌論文] テラヘルツ通信を志向したダイヤモンドライクカーボンゲート絶縁膜を有するグラフェンFET2013

    • 著者名/発表者名
      江藤 隆紀,鷹林 将,栗田 裕記,楊 猛,林 広幸,イェシコ ラディック,小川 修一, 高桑 雄二,末光 哲也,尾辻 泰一
    • 雑誌名

      ゲートスタック研究会 第18回研究会研究報告

      巻: 1 ページ: 47-50

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Coherent nanoscale optical-phonon wave packet in graphene layers2013

    • 著者名/発表者名
      I. Katayama, K. Sato, S. Koga, J. Takeda, S. Hishita, H. Fukidome, M. Suemitsu, and M. Kitajim
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 88 号: 24

    • DOI

      10.1103/physrevb.88.245406

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23241034, KAKENHI-PUBLICLY-25104712, KAKENHI-PROJECT-25800177
  • [雑誌論文] Emerging graphene-based electronic & photonic devices, circuits, and systems2013

    • 著者名/発表者名
      Towe E., Palacios, T. Suemitsu, M.
    • 雑誌名

      Proceeding of the IEEE

      巻: 101 号: 7 ページ: 1518-1521

    • DOI

      10.1109/jproc.2013.2263615

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Low-temperature Formation of Epitaxial Graphene On Silicon Substrate Using Ni silicidation2013

    • 著者名/発表者名
      長谷川美佳, 菅原健太, 三本菅正太, 原本直樹, 須藤亮太, 吹留博一, 長澤弘幸, 末光眞希
    • 雑誌名

      第74回応用物理学会秋季学術講演会

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Solution-processed Al203 for gate dielectrics in Top-Gated Graphene Field Effect Transistors2013

    • 著者名/発表者名
      G. -H. Park, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      MNC2013:26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Epitaxial Graphene on Silicon Substrates : Current Status and Perspective2013

    • 著者名/発表者名
      Sai Jiao and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Energy Materials Nanotechnology (EMN) East Workshop

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] グラフェン/SiC/SiバックゲートFET特性とSiC層厚の関係2012

    • 著者名/発表者名
      江藤隆紀,鷹林将,三本菅正太,猪俣州哉,吹留博一,末光眞希,末光哲也,尾辻泰一
    • 雑誌名

      第73回応用物理学会学術講演会

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Dielectric-tuned Diamondlike Carbon Materials for a High-performance Self-aligned Graphene-channel Field Effect Transistor2012

    • 著者名/発表者名
      S. Takabayashi, M. Yang, S. Ogawa, Y. Takakuwa, T. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      MRS Spring Meeting Proc.

      巻: 1451 ページ: 185-190

    • DOI

      10.1557/opl.2012.960

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-24760247
  • [雑誌論文] Improvement in Film Quality of Epitaxial Graphene on SiC(111)/Si(111) by SiH4 Pretreatment2012

    • 著者名/発表者名
      Shota Sanbonsuge, Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 号: 6S ページ: 06FD10-06FD10

    • DOI

      10.1143/jjap.51.06fd10

    • NAID

      210000140726

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Graphene-based devices in terahertz science and technology2012

    • 著者名/発表者名
      T. Otsuji, S. A. Boubanga Tombet, A. Satou, H. Fukidome, M. Suemitsu, E. Sano, V. Popov, M. Ryzhii, and V. Ryzhii
    • 雑誌名

      J. Phys. D: Applied Physics (招待論文)

      巻: 45 号: 30 ページ: 303001-303001

    • DOI

      10.1088/0022-3727/45/30/303001

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23760300, KAKENHI-PUBLICLY-23104515
  • [雑誌論文] Graphene materials and devices in terahertz science and technology2012

    • 著者名/発表者名
      T. Otsuji, S. A. Boubanga Tombet, A. Satou, H. Fukidome, M. Suemitsu, E. Sano, V. Popov, M. Ryzhii, and V. Ryzhii
    • 雑誌名

      MRS Bulletin

      巻: 37 号: 12 ページ: 1235-1243

    • DOI

      10.1557/mrs.2012.241

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23760300
  • [雑誌論文] Epitaxy of Graphene on 3C-SiC(111) Thin Films on Microfabricated Si(111) Substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Ide, Yusuke Kawai, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Takuo Ohkochi, Yoshiharu Enta, Toyohiko Kinoshita, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 号: 6S ページ: 06FD02-06FD02

    • DOI

      10.1143/jjap.51.06fd02

    • NAID

      210000140718

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Precise control of epitaxy of graphene by microfabricating SiC substrate2012

    • 著者名/発表者名
      H. Fukidome, Y. Kawai, F. Fromm, M. Kotsugi, H. Handa, T. Ide, T. Ohkouchi, H. Miyashita, Y. Enta, T. Kinoshita, Th. Seyller, and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 101

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Control of Electronic and Structural Properties of Epitaxial Graphene on 3C-SiC/Si and Its Device Applications2012

    • 著者名/発表者名
      H. Fukidome, M. Kotsugi, T. Ohkouchi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, Y. Enta, T. Kinoshita, T. Suemitsu, T. Otsuji, and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      MRS Spring Meeting Proc.

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Carrier remote doping effect in graphene-channel FET’s with diamondlike carbon gate dielectrics2012

    • 著者名/発表者名
      S. Takabayashi, M. Yang, T. Eto, H. Hayashi, S. Ogawa, Y. Takakuwa, T. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      ISGD: International Symposium on Graphene Devices

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Spectroscopic study on ultrafast carrier dynamics and terahertz amplified stimulated emission in optically pumped graphene2012

    • 著者名/発表者名
      T. Otsuji, S. Boubanga-Tombet, A. Satou, M. Suemitsu, and V. Ryzhii
    • 雑誌名

      J. Infrared Milli. Terhertz Waves

      巻: 33 号: 8 ページ: 825-838

    • DOI

      10.1007/s10762-012-9908-8

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Oxygen-plasma formation of alumina for a gate dielectric in graphene field effect transistors2012

    • 著者名/発表者名
      G.H. Park, M.H. Jung, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu
    • 雑誌名

      ISGD: International Symposium on Graphene Devices

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET2012

    • 著者名/発表者名
      鷹林 将・楊 猛・小川修一・林 広幸・栗田裕記・高桑雄二・末光哲也・尾辻泰一
    • 雑誌名

      信学会電子デバイス研究会, 信学技報

      巻: 112 ページ: 67-72

    • NAID

      110009626397

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Synthesis of diamond-like carbon films on Si substrates by photoemission-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition2012

    • 著者名/発表者名
      M. Yang, S. Ogawa, S. Takabayashi, T. Otsuji, and Y. Takakuwa
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 523 ページ: 25-28

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2012.05.059

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-24760247
  • [雑誌論文]2011

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Suemitsu(2番目), Taiichi Otsuji(3番目), 他5名
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Solidi

      巻: Vol.8, No.2 ページ: 346-348

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18106006
  • [雑誌論文]2010

    • 著者名/発表者名
      Taiichi Otsuji(1番目), Tetsuya Suemitsu(4番目), Eiichi Sano(6番目), Victor Ryzhii(8番目), 他4名
    • 雑誌名

      Comptes Rendus Physique

      巻: Vol.11 ページ: 421-432

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18106006
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Tsuda, T. Komori, A. El Fatimy, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji
    • 雑誌名

      J. Opt. Soc. Am. B

      巻: Vol.26

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18106006
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Suemitsu(4番目), Taiichi Otsuji(6番目), 他4名
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: Vol.48

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18106006
  • [雑誌論文] Emission of terahertz radiation from dual-grating-gates plasmon- resonant emitters fabricated with InGaP/InGaAs/GaAs material systems2008

    • 著者名/発表者名
      T. Otsuji, Y. M. Meziani, T. Nishimura, T. Suemitsu, W. Knap, E. Sano, T. Asano, V.V. Popov
    • 雑誌名

      J. Phys.: Condens. Matters Vol. 20

      ページ: 384206-384206

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18106006
  • [雑誌論文]2008

    • 著者名/発表者名
      Taiichi Otsuji, Yahya M. Meziani, T. Nishimura, Tetsuya Suemitsu, W. Knap, Eiichi Sano, T. Asano, V. V. Popov
    • 雑誌名

      J. Phys.: Condens. Matters

      巻: Vol.20 ページ: 384206-384206

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18106006
  • [雑誌論文] Graphene/SiC/Si Group-IV Heterostructure Transistors2008

    • 著者名/発表者名
      末光 哲也
    • 雑誌名

      14th European Workshop on Heterostruct ure Technology (HETECH 2008) 1

      ページ: 135-136

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18106006
  • [雑誌論文] Novel plasmon-resonant terahertz-wave emitter using a double-decked HEMT structure2007

    • 著者名/発表者名
      末光 哲也
    • 雑誌名

      65th Device Research Conference(DRC)Dig. 1

      ページ: 157-158

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18106006
  • [学会発表] Evidence of carrier trapping at extrinsic gate region in N-polar GaN/AlGaN MIS HEMTs2021

    • 著者名/発表者名
      K. Prasertsuk, T. Suemitsu and T. Matsuoka
    • 学会等名
      13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02165
  • [学会発表] Impact of polarization-induced charges on Schottky barrier height of polar GaN2021

    • 著者名/発表者名
      T. Suemitsu and I. Makabe
    • 学会等名
      13th International Symposium on Advanced Plasma Sciene and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02165
  • [学会発表] 分極電荷の広がりを考慮したGa極性・N極性の実効ショットキー障壁高さモデル2020

    • 著者名/発表者名
      末光哲也, 眞壁勇夫
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02165
  • [学会発表] Effective Schottky barrier height model for Ga- and N-polar GaN by polarization-induced surface charges with finite depth2019

    • 著者名/発表者名
      Suemitsu Tetsuya、Makabe Isao
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02165
  • [学会発表] Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs2018

    • 著者名/発表者名
      T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04341
  • [学会発表] 窒素極性GaN MIS-HEMT における逆バイアスアニールの効果2018

    • 著者名/発表者名
      末光哲也, K. Prasertsuk, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 松岡隆志
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04341
  • [学会発表] 窒素極性GaN HEMT の現状と今後の展望2018

    • 著者名/発表者名
      末光哲也
    • 学会等名
      日本学術振興会第162委員会第112研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04341
  • [学会発表] Reverse-bias-induced virtual gate phenomenon in N-polar GaN HEMTs2018

    • 著者名/発表者名
      T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04341
  • [学会発表] Advanced plasma process for GaN high electron mobility transistors2018

    • 著者名/発表者名
      T. Suemitsu
    • 学会等名
      International Workshop on Plasma and Bionano Devices
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04341
  • [学会発表] N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on sapphire substrates with small off-cut for flat interface by MOVPE2017

    • 著者名/発表者名
      K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Suemitsu, T. Matsuoka
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04341
  • [学会発表] Threshold voltage engineering of recessed MIS-gate N-polar GaN HEMTs2017

    • 著者名/発表者名
      K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04341
  • [学会発表] Reduced gate leakage current in N-polar GaN MIS-HEMTs2017

    • 著者名/発表者名
      K. Prasertsuk, A. Miura, S. Tanaka, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04341
  • [学会発表] N-polar GaN MIS-HEMTs with flat interface grown by optimized MOVPE2017

    • 著者名/発表者名
      K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04341
  • [学会発表] AlGaN/GaN HEMTのゲートリセス構造形成における中性粒子ビームエッチング適用効果2017

    • 著者名/発表者名
      渡村遥、邉見ふゆみ、C.トーマス、Y.C.ライ、肥後昭男、寒川誠二、尾辻泰一、末光哲也
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13963
  • [学会発表] Recent Progress in the Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC/Si Substrates2016

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      2016 MRS Spring Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Phoenix Convention Center (Pheonix, AZ, USA)
    • 年月日
      2016-03-31
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] グラフェンFETにおける真性トランジスタパラメータ抽出用モデルの評価2016

    • 著者名/発表者名
      満塩純希, 玉虫元, 菅原健太, 佐藤昭, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻藤一
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都目黒区大岡山)
    • 年月日
      2016-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Impact of neutral beam etching on isolation leakage current and breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMTs2016

    • 著者名/発表者名
      F. Hemmi, C. Thomas, Y. C. Lai, A. Higo, A. Guo, S. Warnock, J. A. del Alamo, S. Samukawa, T. Otsuji, T. Suemitsu
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13963
  • [学会発表] Suppression of isolation leakage current in AlGaN/GaN HEMTs by neutral-beam etching2016

    • 著者名/発表者名
      F. Hemmi, C. Thomas, Y.-C. Lai, A. Higo, A. Guo, S. Warnock, J. A. del Alamo, S. Samukawa, T. Otsuji, and T. Suemitsu
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京都目黒区
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13963
  • [学会発表] MOVPE growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructure on small off-cut substrate for flat interface2016

    • 著者名/発表者名
      K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka
    • 学会等名
      43rd International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • 年月日
      2016-06-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04341
  • [学会発表] The effect of neutral beam etching on device isolation in AlGaN/GaN HEMTs2016

    • 著者名/発表者名
      F. Hemmi, C. Thomas, Y. C. Lai, A. Higo, A. Guo, S. Warnock, J. A. del Alamo, S. Samukawa, T. Otsuji, T. Suemitsu
    • 学会等名
      43rd International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • 年月日
      2016-06-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13963
  • [学会発表] THz devices based on plasmons in 2D electron systems2016

    • 著者名/発表者名
      A. Satou, T. Watanabe, T. Suemitsu, V. Ryzhii, D. Fateev, V. V. Popov, and T. Otsuji
    • 学会等名
      XX International Symposium"Nanophysics & Nanoelectronics"
    • 発表場所
      The sanatorium "Motorist" (Nizhny Novgorod, Russia)
    • 年月日
      2016-03-16
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Neutral beam process in AlGaN/GaN HEMTs: Impact on current collapse2016

    • 著者名/発表者名
      F. Hemmi, C. Thomas, Y. C. Lai, A. Higo, S. Samukawa, T. Otsuji, T. Suemitsu
    • 学会等名
      International Semiconductor Device Research Symposium
    • 発表場所
      Washington DC, USA
    • 年月日
      2016-12-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13963
  • [学会発表] Si基板上3C-SiCヘテロエビ成長とエピタキシャルグラフェン2016

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      第8回九大グラフェン研究会
    • 発表場所
      九州大学(福岡県春日市)
    • 年月日
      2016-01-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] グラフェンチャネルFETにおける真性キャリア移動度の抽出2015

    • 著者名/発表者名
      玉虫 元, 菅原 健太, 吹留 博一, 末光 眞 希, 尾辻 泰一
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Drain depletion length in InAlN/GaN MIS-HEMTs with slant field plates2015

    • 著者名/発表者名
      N. Yasukawa, S. Hatakeyama, T. Yoshida, T. Kimura, T. Matsuoka, T. Otsuji, and T. Suemitsu
    • 学会等名
      42nd International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Santa Barbara, USA
    • 年月日
      2015-06-28
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13963
  • [学会発表] Recent progress in epitaxial graphene on bulk and thin film SiC crystals2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      IEFM 2015 : International symposium on emerging functional materials
    • 発表場所
      Songdo Convensia (Incheon, Korea)
    • 年月日
      2015-11-06
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Epitaxial graphene formation on SiC and on Si substrates2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      PSS 2015 : Physical Sciences Symposia-2015
    • 発表場所
      Courtyard Marriott (Cambridge, MA, USA)
    • 年月日
      2015-09-22
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出2015

    • 著者名/発表者名
      玉虫 元, 菅原 健太, 佐藤 昭, 田島 圭一郎, 吹留 博一, 末光 眞希, 尾辻 泰一
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      東北大学(宮城県仙台市)
    • 年月日
      2015-12-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] High carrier mobility graphene-channel FET using SiN gate stack2015

    • 著者名/発表者名
      G. Tamamushi, K. Sugawara, M. B. Hussin, T. Suemitsu, R. Suto, H. Fukidome, M. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 学会等名
      CSW 2015 : Compound Semiconductor Week 2015, ISCS : The 42nd International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      UCSB(米国カリフォルニア州サンタバーバラ市)
    • 年月日
      2015-06-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Evaluations of crystal defects of 3C-SiC(-1-1-1) film on Si(110) substrate2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      SENM2015 : the international conference on Smart Engineering of New
    • 発表場所
      Andel's Hotel (Lodz, Poland)
    • 年月日
      2015-06-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si (110)2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      SENM2015 : the international conference on Smart Engineering of New Materials
    • 発表場所
      Andel's Hotel (Lodz, Poland)
    • 年月日
      2015-06-23
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using GSMBE and Formation of Epitaxial Graphene Thereon2014

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces
    • 発表場所
      Vladivostok, Russia
    • 年月日
      2014-09-30
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] グラフェンのディスプレイ応用の可能性2014

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      CEATEC JAPAN 2014/電子ディスプレイ研究専門委員会(EID)
    • 発表場所
      幕張、千葉, 日本
    • 年月日
      2014-10-09
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Growth of epitaxial graphene on SiC and its application to FET2014

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      2nd Malaysia Graphene and Carbon Nanotube Workshop (MGCW 2014)
    • 発表場所
      Kuala Lumpur, Malaysia
    • 年月日
      2014-10-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Graphene based Electronic & Photonic Devices, Circuits and Systems2014

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      EXMATEC 2014
    • 発表場所
      Delphi, Greece
    • 年月日
      2014-06-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 多層SiCNを用いて作製した傾斜型フィールドプレートによるAlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの抑制2014

    • 著者名/発表者名
      小林健悟、畠山信也、吉田智洋、矢部裕平、D. Piedra、T. Palacios、尾辻泰一、末光哲也
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川県相模原市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [学会発表] シリコン基板上3C-SiCのガスソースMBE成長とグラフェン・オン・シリコン技術2014

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      第11回Cat-CVD研究会
    • 発表場所
      仙台, 日本
    • 年月日
      2014-07-11
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] InAlN/GaN HEMTsとAlGaN/GaN HEMTsにおける相互コンダクタンスの周波数分散2014

    • 著者名/発表者名
      畠山信也、小林健悟、吉田智洋、尾辻泰一、末光哲也
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川県相模原市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [学会発表] Epitaxial Graphene on Silicon Substrates : Tailoring the Properties through Crystal Faces2014

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      2014 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS'14)
    • 発表場所
      つくば, 日本
    • 年月日
      2014-07-26
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Fabrication of slant field plates for AlGaN/GaN HEMTs by multi-layer SiCN2013

    • 著者名/発表者名
      S. Hatakeyama, K. Kobayashi, T. Yoshida, T. Otsuji, T. Suemitsu
    • 学会等名
      10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM)
    • 発表場所
      北海道函館市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [学会発表] グラフェンデバイスの現状と課題2013

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      日本学術振興会 産学協力研究委員会ナノプローブテクノロジー第167委員会主催の第70回研究会「グラフェン・シリセン・CNT」
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2013-04-18
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Solution-Processed Al2O3 for a Gate Dielectric in Graphene Field Effect Transistors2013

    • 著者名/発表者名
      Goon-Ho Park, Won-Ju Cho and Maki Suemitsu
    • 学会等名
      TeraNano Student Seminar 2013
    • 発表場所
      ビュルツブルグ, ドイツ
    • 年月日
      2013-03-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMTs by means of slant field plates fabricated by multi-layer SiCN2013

    • 著者名/発表者名
      K. Kobayashi, S. Hatakeyama, T. Yoshida, D. Piedra, T. Palacios, T. Otsuji, T. Suemitsu
    • 学会等名
      International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS)
    • 発表場所
      Bethesda, MD, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [学会発表] Graphene FETs : Issues and Prospects2013

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 学会等名
      20 anniv. AMFPD13 (The twentieth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2013-07-04
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Epitaxial graphene formation on Si substrates : its history and current status・Session VII : Graohene Electronics, Plasmonics & Silicon Technology2013

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      Physical Sciences Symposium-2013
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2013-09-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Heteroepitaxy of 3C-SiC and Formation of Epitaxial Graphene2013

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      半導体に関する日露合同セミナー
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      2013-11-07
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Si基板上エピタキシャルグラフェンの放射光PES評価2013

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      平成24年度文部科学省ナノテクノロジプラットフォーム事業 微細構造解析プラットフォーム 「放射光実験設備利用講習会・放射光利用研究セミナー」
    • 発表場所
      大阪, 日本
    • 年月日
      2013-02-15
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 多層SiCN絶縁膜によるAlGaN/GaN HEMT用傾斜フィールドプレートの形成2013

    • 著者名/発表者名
      小林健悟,吉田智洋,畠山信也,尾辻泰一,末光哲也
    • 学会等名
      電子情報通信学会総合大会
    • 発表場所
      岐阜
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [学会発表] SiC上エピタキシャルグラフェンの成長過程とグラフェン・オン・シリコン技術2013

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      日本物理学会
    • 発表場所
      徳島
    • 年月日
      2013-09-25
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] High Speed Graphene Field-effect Transistors Using Self-aligned Source and Drain Formation Technique2012

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      Nano-S&T (Nano Sciences & Technologies2012)
    • 発表場所
      Qingdao, China
    • 年月日
      2012-10-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御2012

    • 著者名/発表者名
      吹留博一,川合祐輔, 末光眞希
    • 学会等名
      電子デバイス研究会(ED)
    • 発表場所
      山形, 日本
    • 年月日
      2012-04-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Operando Analysis of Graphene Transistor by Soft X-ray 3D Scanning Photoelectron Microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Naoka Nagamura, Koji Horiba, Shodai Kurosumi, Toshihiro Shinohara, Takayuki Ide, Maki Suemitsu, Kousuke Nagashio, Akira Toriumi and Masaharu Oshima
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 微細加工Si(100)基板上3C-SiC薄膜へのエピタキシャルグラフェン形成2012

    • 著者名/発表者名
      井出隆之,川合祐輔,宮下英俊,吹留博一,末光眞希
    • 学会等名
      2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      松山, 日本
    • 年月日
      2012-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] High Frequency Performance of Graphene Field-Effect Transistors with Extremely Small Access Length2012

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Terahertz Nanoscience (TeraNanoⅢ)
    • 発表場所
      ハワイ, 米国
    • 年月日
      2012-12-10
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Qualified Graphene-On-Silicon Formation Using 3C-SiC(111)/Si(110) Thick Film By Two-Step Growth2012

    • 著者名/発表者名
      Shota Sambonsuge, Eiji Saito, Sergey Fimimonov, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 3次元nanoESCAを用いたグラフェンデバイス構造の実空間分解界面電子状態分析2012

    • 著者名/発表者名
      永村直佳、堀場弘司、豊田智史、黒角翔大、篠原稔宏、井出隆之、吹留博一、末光眞希、長汐晃輔、鳥海明、尾嶋正治
    • 学会等名
      第32回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      仙台, 日本
    • 年月日
      2012-11-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Definite Observation of Interfacial Charge Transfer in Graphene Transistor by Using Soft X-ray 3D Scanning Photoelectron Microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Naoka Nagamura, Koji Horiba, Satoshi Toyoda, Shodai Kurosumi, Toshihiro Shinohara, Takayuki Ide, Masaharu Oshima, Maki Suemitsu, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi, and Masaharu Oshima
    • 学会等名
      SSDM (2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      京都, 日本
    • 年月日
      2012-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 微傾斜Si(111)基板上エピタキシャルグラフェン成長2012

    • 著者名/発表者名
      原本直樹、猪俣州哉、高橋良太、吉越章隆、寺岡有殿、吹留博一、末光眞希
    • 学会等名
      第32回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      仙台, 日本
    • 年月日
      2012-11-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] In situ Observation of Graphene during Gate Oxide Formation using Raman Spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      R. Sato, H. Fukidome and M. Suemitsu
    • 学会等名
      MNC2012 (25th International Microprocesses and Nanoetechnology Conference)
    • 発表場所
      神戸, 日本
    • 年月日
      2012-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Improvement Of Epitaxial Graphene On Silicon By Use Of Vicinal Si (111) Substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Naoki Haramoto, Syuya Inomata, Ryota Takahashi, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Hirokazu Hukidome, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 3C-SiC(111)/Si(111)薄膜上グラフェンの電子構造の評価2012

    • 著者名/発表者名
      猪俣州哉、半田浩之、高橋良太、今泉京、原本直樹、吹留博一、末光眞希
    • 学会等名
      第32回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      仙台, 日本
    • 年月日
      2012-11-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Controls of Structural, Electronic, and Pseudofield Properties of Epitaxial Graphene by Microfabrication2012

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Yusuke Kawai, Masato Kotsugi, Felix Fromm, Takayuki Ide, Takuo Ohkouchi, Hidetoshi Miyashita, Toyohiko Kinoshita, Maki Suemitsu1, Thomas Seyller
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Epitaxy Of Graphene On Si(100) And Si(111) Faces Simultaneously Formed On Si(100) Substrate2012

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Ide, Yusuke Kawai, Hirokazu Fukidome, Hidetoshi Miyashita,Masato Kotsugi, Takuo Ohkochi, Yoshiharu Enta,Toyohiko Kinoshita, Koji Horiba, Naoka Nagamura, Satoshi Toyoda,Toshihiro Shinohara, Masaharu Oshima, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Rotated epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) using monomethylsilane-based gas-source molecular-beam epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      Shota Sanbonsuge, Eiji Saito, Myung-Ho Jung,Hirokazu Fukidome, Sergey Filimonov, and Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ECSCRM2012 (9 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials
    • 発表場所
      サンクトペテルブルク, ロシア
    • 年月日
      2012-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] High-rate rotated epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate for qualified epitaxial graphene on silicon2012

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu, Shota Sanbonsuge, Eiji Saito, Myung-Ho Jung, Hirokazu Fukidome, Sergey Filimonov
    • 学会等名
      ECSCRM2012 (9 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials
    • 発表場所
      サンクトペテルブルク, ロシア
    • 年月日
      2012-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] SiC薄膜を介したSi基板上エピタキシャルグラフェン製膜とグラフェンデバイス2012

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      光ナノサイエンス特別講演会
    • 発表場所
      奈良, 日本
    • 年月日
      2012-09-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 回転エピ成長3C-SiC(111)/Si(110)の厚膜化による高品質グラフェン形成2012

    • 著者名/発表者名
      Shota Sanbonsuge, Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu Eiji Saito, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      松山, 日本
    • 年月日
      2012-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Electronic structure observations of graphene on 3C-SiC(111)/Si(111)2012

    • 著者名/発表者名
      Syuya Inomata, Ryota Takahashi, Hiroyuki Handa, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Modulation of Electronic and Vibrational Properties of Epitaxial Graphene by Spatially Confining Eptaxy2012

    • 著者名/発表者名
      H. Fukidome, Y. Kawai, F. Fromm, M. Kosugi, T. Ide, T. Ohkouchi, H. Miyashita, Y. Enta, T. Kinoshita, T. Seyller, M. Suemitsu
    • 学会等名
      VAS14(14th International Conference on Vibrations at Surfaces)
    • 発表場所
      神戸, 日本
    • 年月日
      2012-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC/Si Thin Films2012

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-08
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Epitaxial graphene on silicon2012

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome
    • 学会等名
      ANM2012(4th International Conference on Advanced Nano Materials)
    • 発表場所
      Chennai, India
    • 年月日
      2012-10-17
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] THz Coherent Phonons in Graphene on Silicon2012

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu, M. H. Jung and H. Fukidome (Tohoku Univ.), I. Katayama, J. Takeda(Yokohama National Univ.), M. Kitajima (National Defense Academy)
    • 学会等名
      第2回テラヘルツナノ科学国際会議(2nd International Symposium on Terahertz Nanoscience)
    • 発表場所
      沖縄
    • 年月日
      2012-07-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] In-situ Raman Observation of Graphene during Formation of Al-oxide Gate Dielectrics2012

    • 著者名/発表者名
      Ryo Sato, Hirokazu fukidome,Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 界面応力制御によるグラフェンの擬スカラーポテンシャルの創出2012

    • 著者名/発表者名
      吹留博一、川合祐輔、フロムフェリックス、小嗣真人、半田浩之、井出隆之、大河内拓雄、宮下英俊、遠田義晴、木下豊彦、トーマスザイラー、末光眞希
    • 学会等名
      第32回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      仙台, 日本
    • 年月日
      2012-11-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Plasma-oxidized Al2O3 for Gate Dielectrics in Graphene Field Effect Transistors2012

    • 著者名/発表者名
      G.-H. Park, M.-H. Jung, S. Inomata, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji and M. Suemitsu
    • 学会等名
      MNC2012(25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference)
    • 発表場所
      神戸, 日本
    • 年月日
      2012-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 微細加工Si(100)基板上エピタキシャルグラフェンの形成と物性評価2012

    • 著者名/発表者名
      井出隆之,川合祐輔,吹留博一,宮下英俊、小嗣正人、大河内拓雄、遠田義晴、木下豊彦、堀場弘司、永村直佳、篠原稔宏、尾嶋正治、末光眞希
    • 学会等名
      第32回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      仙台, 日本
    • 年月日
      2012-11-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 微傾斜Si(111)基板を用いたグラフェン・オン・シリコン2012

    • 著者名/発表者名
      Naoki Haramoto,Syuya Inomata,Shota Sanbonsuge,Akitaka Yoshigoe,Yuden Teraoka,Hirokazu Fukidome,Maki Suemitsu
    • 学会等名
      2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      松山, 日本
    • 年月日
      2012-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] SiC薄膜を介したSi基板上エピタキシャルグラフェンの形成2011

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      第31回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      東京都江戸川区(招待)
    • 年月日
      2011-12-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Growth of epitaxial graphene on 3C-SiC/Si heterostructure2011

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      HeteroSiC-WASMPE 2011
    • 発表場所
      Tours, France
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] XTEM characterization of epitaxial graphene formed on non-basal SiC surfaces2011

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2011
    • 発表場所
      島根県松江市
    • 年月日
      2011-05-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] グラフェンのエピタキシャル成長法2011

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      応用物理学会第49回応用物理学会スクール-グラフェンの基礎から応用まで
    • 発表場所
      山形県山形市(invited)
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Graphene/SiC/Si FETs with SiCN Gate Stack2011

    • 著者名/発表者名
      末光哲也
    • 学会等名
      220th ECS Meeting
    • 発表場所
      Boston, MA, USA
    • 年月日
      2011-10-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Graphene/SiC/Si Group-IV Heterostructure Transistors2008

    • 著者名/発表者名
      末光哲也
    • 学会等名
      HETECH 2008 : 14th European Workshop on Heterostructure Technology
    • 発表場所
      Venice, Italy
    • 年月日
      2008-11-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18106006
  • [学会発表] Broadband Terahertz Emission from Dual-Grating Gate HEMT's -Mechanism and Emission Spectral Profile2008

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, H. Handa, H. Tsuda, T. Suemitsu, Y.M. Meziani, W. Knap, T. Otsuji, E. Sano, V. Ryzhii, A. Satou, V. Popov, D. Coquillat, and F. Teppe
    • 学会等名
      Device Research Conference (DRC), Santa Barbara, CA
    • 発表場所
      USA
    • 年月日
      2008-06-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18106006
  • [学会発表] Broadband Terahertz Emission from Dual-Grating Gate HEMT's-Mechanism and Emission Spectral Profile2008

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, H. Hanabe, H. Tsuda, Tetsuya Suemitsu, Yahya M. Meziani, Taiichi Otsuji, W. Knap, Eiichi Sano
    • 学会等名
      DRC : 66th Device Research Conf.
    • 発表場所
      Santa Barbara
    • 年月日
      2008-06-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18106006
  • [学会発表] Novel plasmon-resonant terahertz-wave emitter using a double-decked HEMT structure2007

    • 著者名/発表者名
      末光 哲也
    • 学会等名
      65th Device Research Conference(DRC)
    • 発表場所
      Notre Dame, USA
    • 年月日
      2007-06-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18106006
  • [学会発表] SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT

    • 著者名/発表者名
      小林健悟,吉田智洋,尾辻泰一,片山竜二,松岡隆志,末光哲也
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [学会発表] RF characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with slant field plates

    • 著者名/発表者名
      S. Hatakeyama, K. Kobayashi, T. Yoshida, T. Otsuji, and T. Suemitsu
    • 学会等名
      41st International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      フランス・モンペリエ
    • 年月日
      2014-05-11 – 2014-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [学会発表] 傾斜型フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTのRF特性

    • 著者名/発表者名
      畠山信也, 小林健悟, 吉田智洋, 尾辻泰一, 末光哲也
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2014-09-16 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [学会発表] Drain depletion length in InAlN/GaN MIS-HEMTs with slant field plates

    • 著者名/発表者名
      N. Yasukawa, S. Hatakeyama, T. Yoshida, T. Kimura, T. Matsuoka, T. Otsuji, and T. Suemitsu
    • 学会等名
      42nd International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      アメリカ・サンタバーバラ
    • 年月日
      2015-06-28 – 2015-07-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [学会発表] A new process approach for slant field plates in GaN-based HEMTs

    • 著者名/発表者名
      T. Suemitsu, K. Kobayashi, S. Hatakeyama, N. Yasukawa, T. Yoshida, T. Otsuji, D. Piedra, and T. Palacios
    • 学会等名
      th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitride and Nanomaterials
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2015-03-26 – 2015-03-31
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [学会発表] InAlN/GaN HEMTs における傾斜型フィールドプレトによるドレイン空乏領域長への影響

    • 著者名/発表者名
      安川奈那, 畠山信也, 吉田智洋, 尾辻泰一, 末光哲也
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      平塚
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560392
  • 1.  松岡 隆志 (40393730)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 10件
  • 2.  RYZHII VICTOR (90254078)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 11件
  • 3.  尾辻 泰一 (40315172)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 58件
  • 4.  佐野 栄一 (10333650)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 8件
  • 5.  楢原 浩一 (00422171)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  MEZIANI YAHYA (80436162)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件
  • 7.  末光 眞希 (00134057)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 144件
  • 8.  佐藤 昭 (70510410)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 16件
  • 9.  マキシム リズィー (50254082)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  吹留 博一 (10342841)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 67件
  • 11.  橋詰 保 (80149898)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  重川 直輝 (60583698)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  大野 裕 (80243129)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  高橋 琢二 (20222086)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  吉川 彰 (50292264)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  姚 永昭 (80523935)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  渡辺 隆之
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 8件
  • 18.  ボーバンガ-トンベット ステファン
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 19.  鷹林 将
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 9件
  • 20.  高桑 雄二
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件
  • 21.  吾郷 浩樹
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 22.  河原 憲治
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 23.  ドゥビノフ アレクサンダー
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  ポポフ ヴィチェスラブ
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 11件
  • 25.  スヴィンツォフ ディミトリ
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  ミティン ウラジミール
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  シュール マイケル
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 28.  長澤 弘幸
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 29.  山末 耕平
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 30.  マキシム リズイー
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 9件
  • 31.  焦 賽
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 32.  吉越 章隆
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 33.  寺岡 有殿
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 34.  谷川 智之
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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