細井卓治 Hosoi Takuji

… 別表記

細井卓冶 HOSOI Takuji

細井卓司 HOSOI Takuji

研究者番号	90452466
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, グループリーダー
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 関西学院大学, 工学部, 准教授 2021年度 – 2022年度: 関西学院大学, 工学部, 准教授 2020年度: 大阪大学, 工学研究科, 助教 2016年度 – 2017年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 2014年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 … もっと見る 2013年度 – 2014年度: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2011年度 – 2012年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 2009年度 – 2010年度: 大阪大学, 工学研究科, 助教隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分29020:薄膜および表面界面物性関連 / 薄膜・表面界面物性 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 薄膜・表面界面物性 / 量子ビーム科学 / マイクロ・ナノデバイス
キーワード	研究代表者 MOSFET / パワーデバイス / SiC / パワーエレクトロニクス / CMOS / 赤外線光学素子 / 赤外光学素子 / 薄膜トランジスタ / センシング / 赤外センシング … もっと見る / レーザー / 結晶化 / 赤外線 / GeSn / MOSトランジスタ / ショットキー接合 / ゲート絶縁膜 / GOI (Germanium On Insulator) / GOI(Germanium On Insulator) / SiGe(シリコンゲルマニウム) / 半導体基板 / 液相エピタキシャル成長 / SGOI基板 / GOI基板 / ゲルマニウム … もっと見る研究代表者以外ゲルマニウム / 電子・電気材料 / 半導体 / 作成・評価技術 / パワーエレクトロニクス / エピタキシャル成長 / 電気・電子材料 / 結晶成長 / 電子デバイス / 結晶工学 / シリコンフォトニクス / 表面・界面物性 / 光電子融合デバイス / Ⅳ族混晶半導体 / 界面反応 / 界面物性 / 量子ビーム / 光源技術 / X線 / 画像回復計算 / 超解像 / イメージング / Ｘ線 / 格子歪み / メタルナノドット / 不揮発性メモリ / ナノ粒子 / 自己組織化 / バックゲートトランジスタ / 選択成長 / シリコンゲルマニウム / 急速昇温加熱 / 液相エピタキシャル成長 / Ge on insulator 隠す

熱酸化反応の精密制御による理想SiO2/SiC界面の実現研究代表者
- 研究代表者
  
  細井卓治
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  関西学院大学
GeSn赤外センシングプラットフォームの創出研究代表者
- 研究代表者
  
  細井卓治
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  関西学院大学
   大阪大学
埋め込みX線ターゲットを用いた超解像X線撮像法の実証
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  量子ビーム科学
- 研究機関
  大阪大学
ビーム励起界面反応によるSiC-MOS界面欠陥の崩壊と選択修復
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
局所液相エピタキシャル成長によるGeSnワイヤの形成とその光電子デバイス応用
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
ビーム励起界面反応によるSiCパワーデバイスへテロ界面改質技術
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
相界面反応制御技術を基軸とした混晶材料の設計と新機能発現
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
チャネルラストプロセスによる歪み制御縦型Ｇｅトランジスタの作製と電気特性評価
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
ショットキー接合型ＳｉＣプラズモニックトランジスタの創製研究代表者
- 研究代表者
  
  細井卓治
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
局所選択液相エピタキシャル成長によるGOI構造の作製と電気特性評価
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
二重接合自己組織化金属ナノ粒子単電子フラッシュメモリの開発
- 研究代表者
  
  是津信行
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  大阪大学
レーザーアニールによる選択的局所GOI構造作製技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  細井卓治
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪大学

すべて 2023 2022 2021 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Fabrication and Luminescence Characterization of Ge Wires with Uniaxial Tensile Strains Applied using Internal Stresses in Deposited Metal Thin Films2023
- 著者名/発表者名
  Shimura Takayoshi、Tanaka Shogo、Hosoi Takuji、Watanabe Heiji
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials
  
  巻: －号: 8 ページ: 5053-5058
- DOI
  10.1007/s11664-023-10309-w
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02620, KAKENHI-PROJECT-23K22798
[雑誌論文] Controllability of luminescence wavelength from GeSn wires fabricated by laser-induced local liquid phase crystallization on quartz substrates2023
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, R. Yamaguchi, N. Tabuchi, M. Kondoh, M. Kuniyoshi, T. Hosoi, T. Kobayashi and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SC ページ: SC1083-SC1083
- DOI
  10.35848/1347-4065/acb9a2
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04880, KAKENHI-PROJECT-20H02620, KAKENHI-PROJECT-23K22798
[雑誌論文] Lightly doped n-type tensile-strained single-crystalline GeSn-on-insulator structures formed by lateral liquid-phase crystallization2018
- 著者名/発表者名
  H. Oka, T. Tomita, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 1 ページ: 011304-011304
- DOI
  10.7567/apex.11.011304
- NAID
  210000136058
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028, KAKENHI-PROJECT-15H03975, KAKENHI-PROJECT-16J00819
[雑誌論文] Fabrication of tensile-strained single-crystalline GeSn on transparent substrate by nucleation-controlled liquid-phase crystallization2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, T. Amamoto, M. Koyama, Y. Imai, S. Kimura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 110 号: 3 ページ: 032104-032104
- DOI
  10.1063/1.4974473
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028, KAKENHI-PROJECT-15H03975, KAKENHI-PROJECT-16J00819
[雑誌論文] Cathodoluminescence study of SiO2/4H-SiC structures treated with high-temperature post-oxidation annealing2016
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, Y. Fukushima, K. Yamamoto, M. Aketa, H. Asahara, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 858 ページ: 445-448
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.858.445
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359, KAKENHI-PROJECT-15K13951
[雑誌論文] Insights into thermal diffusion of germanium and oxygen atoms in HfO2/GeO2/Ge gate stacks and their suppressed reaction with atomically thin AlOx interlayers2015
- 著者名/発表者名
  S. Ogawa, R. Asahara, Y. Minoura, H. Sako, N. Kawasaki, I. Yamada, T. Miyamoto, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 118 号: 23 ページ: 23704-23704
- DOI
  10.1063/1.4937573
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Fabrication of High-quality Ge-on-insulator Structures by Lateral Liquid Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, Y. Suzuki, M. Matsue, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 69 号: 5 ページ: 305-311
- DOI
  10.1149/06905.0305ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[雑誌論文] Cathodoluminescence study of radiative interface defects in thermally grown SiO2/4H-SiC(0001) structures2015
- 著者名/発表者名
  Y. Fukushima, A. Chanthaphan, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106 号: 26 ページ: 261604-261604
- DOI
  10.1063/1.4923470
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13951, KAKENHI-PROJECT-14F04359
[雑誌論文] Schottky source/drain germanium-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with self-aligned NiGe/Ge junction and aggressively scaled high-k gate stack2015
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Minoura, R. Asahara, H. Oka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 107 号: 25 ページ: 252104-252104
- DOI
  10.1063/1.4938397
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Enhancement of photoluminescence from n-type tensile-strained GeSn wires on an insulator fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, M. Matsue, K. Tominaga, K. Kajimura, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 107 号: 22 ページ: 221109-221109
- DOI
  10.1063/1.4936992
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028, KAKENHI-PROJECT-15H03975
[雑誌論文] Comprehensive Study and Design of Scaled Metal/High-k/Ge Gate Stacks with Ultrathin Aluminum Oxide Interlayers2015
- 著者名/発表者名
  Ryohei Asahara, Iori Hideshima, Hiroshi Oka, Yuya Minoura, Shingo Ogawa, Akitaka, Yoshigoe, Yuden Teraoka, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106 号: 23 ページ: 233503-233503
- DOI
  10.1063/1.4922447
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420289, KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Strain-induced direct band gap shrinkage in local Ge-on-insulator structures fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  M. Matsue, Y. Yasutake, S. Fukatsu, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 104 号: 3 ページ: 31106-31106
- DOI
  10.1063/1.4862890
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22681012, KAKENHI-PROJECT-24360120, KAKENHI-PROJECT-25246021, KAKENHI-PROJECT-25246028, KAKENHI-PROJECT-25600014
[雑誌論文] Degradation of SiO2/SiC Interface Properties due to Mobile Ions Intrinsically Generated by High-Temperature Hydrogen Annealing2014
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 541-541
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.541
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359, KAKENHI-PROJECT-24686008
[雑誌論文] Ge diffusion and bonding state change in metal/high-k/Ge gate stacks and its impact on electrical properties2014
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, I. Hideshima, R. Tanaka, Y. Minoura, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 109 ページ: 137-141
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Understanding and engineering of NiGe/Ge junction formed by phosphorous ion implantation after germanidation2014
- 著者名/発表者名
  H. Oka, Y. Minoura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 105 号: 6 ページ: 062107-062107
- DOI
  10.1063/1.4893152
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Mobility characterization of Ge-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with striped Ge channels fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Suzuki, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 105 号: 17 ページ: 173502-173502
- DOI
  10.1063/1.4900442
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120, KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Retarded oxide growth on 4H-SiC(0001) substrates due to sacrificial oxidation2014
- 著者名/発表者名
  細井　卓治、上西　悠介、中野　佑紀、中村　孝、志村　考功、渡部　平司
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 562-565
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.562
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[雑誌論文] Improved bias-temperature instability characteristics in SiC metal-oxide-semiconductor devices with aluminum oxynitride dielectrics2014
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 12 ページ: 122105-122105
- DOI
  10.1063/1.4870047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359, KAKENHI-PROJECT-24686008
[雑誌論文] Insights into ultraviolet-induced electrical degradation of thermally grown SiO2/4H-SiC(0001) interface2014
- 著者名/発表者名
  D. Ikeguchi, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 1 ページ: 12107-12107
- DOI
  10.1063/1.4860987
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[雑誌論文] Design and control of Ge-based metal-oxide-semiconductor interfaces for high-mobility field-effect transistors with ultrathin oxynitride gate dielectrics2013
- 著者名/発表者名
  Y. Minoura, A. Kasuya, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 103 号: 3 ページ: 33502-33502
- DOI
  10.1063/1.4813829
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Novel Approach for Improving Interface Quality of 4H-SiC MOS Devices with UV Irradiation and Subsequent Thermal Annealing2013
- 著者名/発表者名
  渡部平司
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 740-742 ページ: 741-744
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.741
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008, KAKENHI-PROJECT-25630124
[雑誌論文] Dielectric Properties of Thermally Grown S102 0n 4H-SiC (0001) Substrates2013
- 著者名/発表者名
  細井卓治
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 740-742 ページ: 605-608
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.605
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[雑誌論文] Fabrication of Fully Relaxed SiGe Layers with High Ge Concentration on Silicon-on-Insulator Wafers by Rapid Melt Growth2010
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, S. Ogiwara, C. Yoshimoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 3 ページ: 066502-066502
- DOI
  10.1143/apex.2.066502
- NAID
  10027441491
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[雑誌論文] Fabrication of Fully Relaxed SiGe Layers with High Ge Concentration on Silicon-on-Insulator Wafers by Rapid Melt Growth2010
- 著者名/発表者名
  T.Shimura, T.Hosoi, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10027441491
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760009
[雑誌論文] Fabrication of Fully Relaxed SiGe Layers with High Ge Concentration on Silicon-on-Insulator Wafers by Rapid Melt Growth2010
- 著者名/発表者名
  Takayoshi Shimura, Shimpei Ogiwara, Chiaki Yoshimoto, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express Vol.3
- NAID
  10027441491
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760009
[雑誌論文] Fabrication of Local Ge-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy : Effect of Controlling Interface Energy between Ge and Insulators on Lateral Epitaxial Growth2009
- 著者名/発表者名
  T. Hashimoto, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 2 号: 10 ページ: 105501-105501
- DOI
  10.1143/apex.3.105501
- NAID
  10025086916
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[雑誌論文] Fabrication of Local Ge-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy : Effect of Controlling Interface Energy between Ge and Insulators on Lateral Epitaxial Growth2009
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Hashimoto, Chiaki Yoshimoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express Vol.2
- NAID
  10025086916
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760009
[産業財産権] 単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板2012
- 発明者名
  志村考功、渡部平司、細井卓治
- 権利者名
  大阪大学
- 産業財産権番号
  2012-042746
- 出願年月日
  2012-02-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[産業財産権] 半導体記録素子製造方法2009
- 発明者名
  是津信行、細井卓治、山村和也
- 権利者名
  大阪大学
- 産業財産権番号
  2009-178350
- 出願年月日
  2009-07-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21651069
[学会発表] 局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn細線の受光・発光特性2022
- 著者名/発表者名
  志村考功, 細井卓治, 小林拓真, 渡部平司
- 学会等名
  レーザー学会学術講演会第42回年次大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02620
[学会発表] Fabrication and Luminescence Characterization of Uniaxial Tensile-strained Ge Wires using Internal Stress in Metal Thin Films2022
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, S. Tanaka, H. Watanabe, T. Hosoi
- 学会等名
  The 19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02620
[学会発表] Fabrication of Tensile-strained Single-crystalline GeSn Wires on Amorphous Quartz Substrates by Local Liquid-phase Crystallization2022
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, H. Oka, T. Hosoi, Y. Imai, S. Kimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02620
[学会発表] Controllability of Luminescence Wavelength from GeSn Wires Fabricated by Laser Zone Melting on Quartz Substrates2022
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, R. Yamaguchi, N. Tabuchi, M. Kondo, M. Kuniyoshi, T. Hosoi, T. Kobayashi, H. Watanabe
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02620
[学会発表] 光吸収層を有する石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化2022
- 著者名/発表者名
  田淵直人, 山口凌雅, 近藤雅斗, 國吉望月, 細井卓治, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第27回研究会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02620
[学会発表] 石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における光吸収層の検討2021
- 著者名/発表者名
  田淵直人, 國吉望月, 細井卓治, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02620
[学会発表] レーザー溶融結晶化による石英基板上単結晶GeSn作製技術の高度化2021
- 著者名/発表者名
  國吉望月, 田淵直人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02620
[学会発表] レーザー溶融結晶化による石英基板上引張歪み単結晶GeSnアレイの作製2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 黒木伸一郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] レーザー溶融結晶化による石英基板上引張歪み単結晶GeSnアレイの作製2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 黒木伸一郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 裏面照射型近赤外イメージセンサーに向けた基板上単結晶GeSnフォトダイオードアレイの開発2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 井上慶太郎, Thi Thuy Nguyen, 黒木伸一郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  映像情報メディア学会情報センシング研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の低温発光特性と共振器の形成2018
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 井上慶太郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第23回研究会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] 裏面照射型石英基板上GeSnフォトダイオードの近赤外受光特性評価2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] High-mobility TFT and enhanced luminescence utilizing ucleation-controlled GeSn growth on transparent substrate for monolithic optoelectronic2018
- 著者名/発表者名
  H. Oka, M. Koyama, T. Tomita, T. Amamoto, K. Tominaga, S. Tanaka, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  関西コロキアム電子デバイスワークショップ
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 石英基板上単結晶GeSn層形成と光電子デバイス応用2018
- 著者名/発表者名
  細井卓治, 岡博史, 井上慶太郎, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の低温発光特性と共振器の形成2018
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 井上慶太郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 裏面照射型石英基板上GeSnフォトダイオードの近赤外受光特性評価2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 石英基板上単結晶GeSn層形成と光電子デバイス応用2018
- 著者名/発表者名
  細井卓治, 岡博史, 井上慶太郎, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第23回研究会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Single-Crystalline GeSn Formation on Transparent Substrate and its Optoelectronic Applications2017
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi
- 学会等名
  The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長による高濃度Sbドープ単結晶Ge細線の作製と光学特性評価2017
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 小山真広, 田中章吾, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  応用物理学会　薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」
- 発表場所
  東レ研修センター, 静岡県三島市
- 年月日
  2017-01-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Single-crystalline GeSn formation on transparent substrate and its optoelectronic applications2017
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi
- 学会等名
  The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長により作製したSb ドープ単結晶GeSn n チャネルTFT2017
- 著者名/発表者名
  岡博史, 冨田崇史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第64回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長によって作製した引張歪み高濃度n 型Ge 細線の光学特性評価2017
- 著者名/発表者名
  冨田崇史，岡博史，小山真広，田中章吾，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2017年春季第64回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] 横方向液相成長により作製したSb ドープ単結晶GeSn n チャネルTFT2017
- 著者名/発表者名
  岡博史, 冨田崇史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  2017年春季第64回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] 透明基板上単結晶GeSn n+/p接合フォトダイオードの作製と評価2017
- 著者名/発表者名
  岡　博史、井上慶太、冨田崇史、和田裕希、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] シードレス液相成長による単結晶GeSn超薄膜形成と電気特性評価2017
- 著者名/発表者名
  小山真広, 岡博史, 田中章吾, 冨田崇史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  応用物理学会　薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」
- 発表場所
  東レ研修センター, 静岡県三島市
- 年月日
  2017-01-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 透明基板上単結晶GeSn n+/p接合フォトダイオードの作製と評価2017
- 著者名/発表者名
  岡博史、井上慶太、冨田崇史、和田裕希、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Back-side Illuminated GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate Fabricated by Laser-induced Liquid-phase Crystallization for Monolithically-integrated NIR Imager Chip2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, K. Inoue, T. T. Nguyen, S. Kuroki, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  63rd IEEE International Electron Devices Meeting (2017 IEDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Enhancement-mode n-channel TFT and room-temperature near-infrared emission based on n+/p junction in single-crystalline GeSn on transparent substrate2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, M. Koyama, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe
- 学会等名
  Symposium on VLSI Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Back-side illuminated GeSn photodiode array on quartz substrate fabricated by laser-induced liquid-phase crystallization for monolithically-integrated NIR imager chip2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, K. Inoue, T. T. Nguyen, S. Kuroki, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (2017 IEDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Enhancement-Mode N-Channel TFT and Room-Temperature Near-Infrared Emission Based on n+/p Junction in Single-Crystalline GeSn on Transparent Substrate2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, M. Koyama, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe
- 学会等名
  2017 Symposium on VLSI Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] High-mobility GeSn p-MOSFETs on Transparent Substrate Utilizing Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization2016
- 著者名/発表者名
  H. Oka, T. Amamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Honolulu, HI, USA
- 年月日
  2016-06-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] マイクロフォーカスX線源と振幅格子を用いたX線位相イメージングの検討2016
- 著者名/発表者名
  細野凌, 森本直樹, 伊藤康浩, 山崎周, 佐野壱成, 土岐貴弘, 佐野哲, 細井卓治, 渡部平司, 志村考功
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13408
[学会発表] High-mobility TFT and Enhanced Luminescence Utilizing Nucleation-controlled GeSn Growth on Transparent substrate for Monolithic Optoelectronic Integration2016
- 著者名/発表者名
  H. Oka, M. Koyama, T. Tomita, T. Amamoto, K. Tominaga, S. Tanaka, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting
- 発表場所
  San Francisco
- 年月日
  2016-12-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Photoluminescence from n-type tensile-strained Ge and GeSn wires on an insulator fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, M. Matsue, K. Tominaga, K. Kajimuira, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, HI, USA
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] SbドープアモルファスGeの局所溶融横方向液相エピタキシャル成長によるn型Ge細線の作製と評価2016
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 小山真広, 田中章吾, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第77回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ, 新潟県新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Photoluminescence from n-type tensile-strained Ge and GeSn wires on an insulator fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, M. Matsue, K. Tominaga, K. Kajimuira, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, Hawaii
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] SbドープアモルファスGeの局所溶融横方向液相エピタキシャル成長によるn型Ge細線の作製と評価2016
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 小山真広, 田中章吾, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  2016年秋季第77回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] 光電子集積回路に向けたGeデバイス技術2015
- 著者名/発表者名
  細井卓治
- 学会等名
  応用物理学会関西支部　支部セミナー「フォトニック信号処理セミナー」
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2015-03-11
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Cathodoluminescence study of SiO2/4H-SiC structures treated with high-temperature post-oxidation annealing2015
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, Y. Fukushima, K. Yamamoto, M. Aketa, H. Asahara, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Giardini Naxos, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13951
[学会発表] Fabrication of High-quality Ge-on-insulator Structures by Lateral Liquid Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, Y. Suzuki, M. Matsue, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 228th ECS Meeting
- 発表場所
  Phoenix, Arizona, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Fabrication of High-quality Ge-on-insulator Structures by Lateral Liquid Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, Y. Suzuki, M. Matsue, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 228th ECS Meeting
- 発表場所
  Phoenix, Arizona, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Schottky barrier height modulation at NiGe/Ge interface by phosphorous ion implantation and its application to Ge-based CMOS devices2015
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, H. Oka, Y. Minoura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 15th International Workshop on Junction Technology
- 発表場所
  Kyoto University Kihada Hall (Uji Campus), Kyoto
- 年月日
  2015-06-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Engineering of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation after Germanidation for Metal S/D Ge CMOS Technology2015
- 著者名/発表者名
  H. Oka, Y. Minoura, R. Asahara, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  第15回関西コロキアム電子デバイスワークショップ
- 発表場所
  大阪府大阪市
- 年月日
  2015-12-15
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長法による石英基板上単結晶GeSn細線の作製と光学特性評価2015
- 著者名/発表者名
  天本隆史, 冨永幸平, 田中章吾, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第76回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長によって作製したGeSn-on-insulator構造のバンドギャップ変調評価2014
- 著者名/発表者名
  4.冨永幸平，松江将博，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計2014
- 著者名/発表者名
  淺原亮平, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2014-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長法により作製したn型Ge-on-insulator層の直接遷移発光の増強2014
- 著者名/発表者名
  梶村恵子，松江将博，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長法によりY2O3層上に形成した局所GOI層の電気特性評価2014
- 著者名/発表者名
  梶村恵子，松江将博，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相成長法で作製した局所GeSn-on-insulator層の優先結晶方位2014
- 著者名/発表者名
  3.冨永幸平，松江将博，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長によって作製したGeワイヤのフォトルミネッセンス測定によるバンドギャップ変調評価2014
- 著者名/発表者名
  梶村恵子, 松江将博, 安武裕輔, 深津晋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第１９回研究会）
- 発表場所
  静岡県熱海市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] High-k/Ge Gate Stack with an EOT of 0.56 nm by Controlling Interface Reaction Using Ultrathin AlOx Interlayer2013
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, I. Hideshima, R. Tanaka, Y. Minoura, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlington, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Effective Hole Mobility of GOI MOSFET Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxiay2013
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Suzuki, H. Nishikawa, M. Matsue, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Phosphorous Ion Implantation into NiGe Layer for Ohmic Contact Formation on n-Ge2013
- 著者名/発表者名
  Y. Minoura, T. Hosoi, J. Matsugaki, S. Kuroki, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Effective Hole Mobility of GOI MOSFET Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxiay2013
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Suzuki, H. Nishikawa, M. Matsue, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2013),
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] Enhanced direct bandgap photoluminescence from local Ge-on-insulator structures fabricated by lateral liquid-phase epitaxy - Material and strain engineering toward CMOS compatible group-IV photonics -2013
- 著者名/発表者名
  M. Matsue, Y. Yasutake, S. Fukatsu, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlington, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Enhanced direct bandgap photoluminescence from local Ge-on-insulator structures fabricated by lateral liquid-phase epitaxy -Material and strain engineering toward CMOS compatible group-IV photonics-2013
- 著者名/発表者名
  M. Matsue, Y. Yasutake, S. Fukatsu, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 発表場所
  Arlington, VA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] Ge diffusion and bonding state change in metal/high-k/Ge gate stacks and its impact on electrical properties2013
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, I. Hideshima, R. Tanaka, Y. Minoura, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 18th Conference of Insulating Films on Semiconductors
- 発表場所
  Cracow, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長によって作製したGOI構造のフォトルミネッセンス測定2013
- 著者名/発表者名
  松江将博，安武裕輔，深津晋，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2013年秋季第74回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  京都府田辺市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 犠牲酸化処理が熱酸化Si02/4H-S iC(0001)構造に及ぼす影響2013
- 著者名/発表者名
  細井卓治
- 学会等名
  第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] Mobile Ions Generated in Thermal Sio_2 on SiC by Hydrogen Passivation and Its Impact on Interface Property2012
- 著者名/発表者名
  細井卓治
- 学会等名
  43rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  サンディエゴ(米国)
- 年月日
  2012-12-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した単結晶GOI構造の電気特性評価2012
- 著者名/発表者名
  鈴木雄一朗, 荻原伸平, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第17回研究会)
- 発表場所
  静岡県三島市
- 年月日
  2012-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱処理によるGe1-xSnx層の低温エピタキシャル成長2012
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 片岡伸文, 鈴木雄一朗, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱処理によるGe_<1-x>Sn_x層の低温エピタキシャル成長2012
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 片岡伸文, 鈴木雄一朗, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京都新宿区
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 鈴木雄一朗, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第16回ゲートスタック研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] High-mobility Ge-on-insulator p-channel MOSFETs fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Y. Suzuki, S. Ogiwara, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  42nd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conf.
- 発表場所
  Arlington, VA, USA
- 年月日
  2011-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] High-mobility Ge-on-insulator p-channel MOSFETs fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Y.Suzuki, S.Ogiwara, T.Hosoi, T.Shimura, H.Watanabe
- 学会等名
  42nd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2011-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した局所GOI構造の電気特性評価2011
- 著者名/発表者名
  鈴木雄一朗, 荻原伸平, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第72回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  山形県山形市
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  荻原伸平、鈴木雄一朗、吉本千秋、細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-第16回研究会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2011-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760009
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  荻原伸平、細井卓治, 他4名
- 学会等名
  ゲートスタック研究会第16回研究集会
- 発表場所
  東京工業大学(東京都目黒区)
- 年月日
  2011-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760009
[学会発表] High-quality Single-crystal SiGe Layers on Insulator Formed by Rapid Melt Growth2011
- 著者名/発表者名
  S. Ogiwara, Y. Suzuki, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai Osaka. Japan
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2011-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] High-Quality Single-Crystalline Ge-on-Insulator P-Channel MOSFETs Formed by Lateral Liquid-Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  T.Suzuki, S.Ogiwara, T.Hosoi, T.Shimura, H.Watanabe
- 学会等名
  Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2011-11-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した局所GOI構造の電気特性評価2011
- 著者名/発表者名
  鈴木雄一朗, 荻原伸平, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第72回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  山形市
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] High-quality Single-crystal SiGe Layers on Insulator Formed by Rapid Melt Growth2011
- 著者名/発表者名
  S.Ogiwara, Y.Suzuki, C.Yoshimoto, T.Hosoi, T.Shimura, H.Watanabe
- 学会等名
  2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2011-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Fabrication of High-quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method2011
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, C.Yoshimoto, T.Hashimoto, S.Ogiwara, Y.Suzuki, T.Hosoi, T.Shimura
- 学会等名
  Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2011-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Fabrication of High-Quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method2011
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, C. Yoshimoto, T. Hashimoto, S. Ogiwara, T. Hosoi, and T. Shimura
- 学会等名
  The 19th Int. Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Device
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2011-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製2010
- 著者名/発表者名
  荻原伸平、吉本千秋、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760009
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法により作製したSGOI構造のGe濃度のアニール温度依存性2010
- 著者名/発表者名
  荻原伸平、鈴木雄一朗、吉本千秋、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760009
[学会発表] 自律型自己組織化液体ナノプロセスの開発2010
- 著者名/発表者名
  是津信行, 松浦晋, 渡邊暁, 細井卓治, 山村和也
- 学会等名
  2010年度精密工学会秋季大会学術講演会
- 発表場所
  名古屋,日本
- 年月日
  2010-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21651069
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法により作製したSGOI構造のGe濃度のアニール温度依存性2010
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 発表場所
  長崎市、長崎
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法により作製したSGOI構造のGe濃度のアニール温度依存性2010
- 著者名/発表者名
  荻原伸平、細井卓治, 他4名
- 学会等名
  第71回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県長崎市)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760009
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製2010
- 著者名/発表者名
  荻原伸平、細井卓治, 他3名
- 学会等名
  第71回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県長崎市)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760009
[学会発表] Fabrication of Shape Controlled Metal Nanodot Arrays by Autonomous Liquid-phase Nanoscale Processing as well as Their Charge Injection2010
- 著者名/発表者名
  N.Zettsu, S.Matsuura, A.Watanabe, K.Yamamura T.Hosoi, H.Watanabe
- 学会等名
  Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Osaka, JAPAN
- 年月日
  2010-11-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21651069
[学会発表] 自律型液体ナノプロセスを用いたメタルナノドットの高密度集積化と高機能性フローティングナノドットメモリの開発2010
- 著者名/発表者名
  松浦晋, 渡辺暁, 細井卓治, 渡部平司, 山村和也, 是津信行
- 学会等名
  2010年秋季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎,日本
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21651069
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製2010
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 発表場所
  長崎市、長崎
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Autonomous liquid-phase nanoscale processing for the large-area fabrication of nanoparticle-based parallel device arrays2010
- 著者名/発表者名
  N.Zettsu, S.Matsuura, A.Watanabe, K.Yamamura, T.Hosoi, H.Watanabe
- 学会等名
  2010 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2010-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21651069
[学会発表] Fabrication of Non-volatile Au Nanoparticle Memory by Precisely Controlled Colloidal Self-Assembly2009
- 著者名/発表者名
  S.Saito, S.Matsuura, T.Hosoi, H.Watanabe, N.Zettsu
- 学会等名
  第19回日本MRS学術シンポジウム
- 発表場所
  横浜市開港記念会館、横浜市
- 年月日
  2009-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21651069
[学会発表] Fabrication of Single-Crystal Local Germanium-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Hashimoto, Chiaki Yoshimoto, Takuji Hosoi
- 学会等名
  2009 Material Research Society Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA.
- 年月日
  2009-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760009
[学会発表] 液体ナノプロセスによる金属ナノドットアレイ作製技術の開発2009
- 著者名/発表者名
  斉藤正太, 細井卓治, 渡部平司, 是津信行
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21651069
[学会発表] Fabrication of Single-Crystal Local Germanium-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T. Hashimoto, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  MRS fall meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2009-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Non-volatile Au Nanoparticle Memory Applications Enabled by Preciously Controlled Colloidal Self-assembly2009
- 著者名/発表者名
  S.Uchida, S.Saitoh, T.Hosoi, H.Watanabe, N.Zettsu
- 学会等名
  2009 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  Hynes Convention Center, San Francisco, CA, USA
- 年月日
  2009-04-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21651069
[学会発表] Fabrication of Ge Nano-Wires on Insulators Using Lateral Liquid-Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Chiaki Yoshimoto, Tatsuya Hashimoto, Takuji Hosoi
- 学会等名
  5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
- 発表場所
  Osaka University, JAPAN.
- 年月日
  2009-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760009
[学会発表] Non-volatile memory applications in a 12nm-sized Au nanoparticle array fabricated by precisely controlled colloidal self-assembly2009
- 著者名/発表者名
  S.Saito, T.Hosoi, H.Watanabe, N.Zettsu
- 学会等名
  Second International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Nakanoshima center, Osaka
- 年月日
  2009-11-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21651069
[学会発表] 先進パワーデバイスにおける新規ゲート絶縁膜開発
- 著者名/発表者名
  渡部平司, 細井卓治
- 学会等名
  第62回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[学会発表] Fabrication of GeSn-on-insulator Structure by Utilizing Lateral Liquid-Phase Epitaxy
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- 年月日
  2014-12-10 – 2014-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] Fabrication of GeSn-on-insulator Structure by Utilizing Lateral Liquid-Phase Epitaxy
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- 年月日
  2014-12-10 – 2014-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] カソードルミネッセンス法による熱酸化SiO2/SiC界面欠陥の検出
- 著者名/発表者名
  福島悠太、アランフルカン、樋口直樹、チャンタパンアタウット、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  愛知県産業労働センターウインクあいち（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2014-11-19 – 2014-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[学会発表] NOアニールを施したSiC MOSデバイスのフラットバンド電圧安定性
- 著者名/発表者名
  勝義仁, 細井卓治, 南園悠一郎, 木本恒暢, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第62回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長によって作製した絶縁体上GeSnワイヤのフォトルミネッセンス測定によるバンドギャップ変調技術
- 著者名/発表者名
  天本隆史, 冨永幸平, 梶村恵子, 松江将博, 細井卓治, 志村孝功, 渡部平司
- 学会等名
  応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会」
- 発表場所
  東レ研修センター, 静岡県三島市
- 年月日
  2015-01-29 – 2015-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 急速加熱処理により作製したGeSn-on-quartz構造のフォトルミネッセンス測定
- 著者名/発表者名
  天本隆史, 冨永幸平, 梶村恵子, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第62回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Understanding of Bias-Temperature Instability due to Mobile Ions in SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices
- 著者名/発表者名
  チャンタパンアタウット, 中野佑紀, 中村孝, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第２０回研究会)
- 発表場所
  東レ研修センター、三島市
- 年月日
  2015-01-29 – 2015-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] カソードルミネッセンス法による熱酸化SiO2/SiC界面欠陥の検出
- 著者名/発表者名
  福島悠太, チャンタパンアタウット, 永井大介, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第62回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[学会発表] Synchrotron radiation photoemission spectroscopy study of SiO2/4H-SiC(0001) interfaces with NO annealing
- 著者名/発表者名
  細井卓治, 南園悠一郎, 木本恒暢, 吉越章隆, 寺岡有殿, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  10th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2014)
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-21 – 2014-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長法により形成したGeSn-on-insulator層の電気特性評価
- 著者名/発表者名
  梶村恵子，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Schottky Barrier Height Reduction of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation for Metal Source/Drain Ge CMOS Devices
- 著者名/発表者名
  H. Oka, Y. Minoura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto
- 年月日
  2014-06-19 – 2014-06-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 4H-SiC(0001)面の熱酸化における酸化種と酸化速度の関係
- 著者名/発表者名
  永井大介, 福島悠太, 勝義仁, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  愛知県産業労働センター、名古屋市
- 年月日
  2014-11-19 – 2014-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] Diffusivity of Mobile Ions Inherent to Thermal SiO2/SiC Structures in Deposited SiO2 Gate Dielectrics
- 著者名/発表者名
  チャンタパン　アタウット、中野佑紀、中村孝、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  第74回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長法により形成したGeSn-on-insulator層の電気特性評価
- 著者名/発表者名
  梶村恵子，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相成長法で作製したSi基板上GeSn細線の初期結晶方位とその安定性
- 著者名/発表者名
  冨永幸平，梶村恵子，天本隆史，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 急速加熱処理により作製したGeSn-on-quartz構造のフォトルミネッセンス測定
- 著者名/発表者名
  天本隆史, 冨永幸平, 梶村恵子, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第62回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相成長法で作製したSi基板上GeSn細線の初期結晶方位とその安定性
- 著者名/発表者名
  冨永幸平，梶村恵子，天本隆史，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] Sub-1-nm EOT Schottky Source/Drain Germanium CMOS Technology with Low-temperature Self-aligned NiGe/Ge Junctions
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Minoura, R. Asahara, H. Oka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Honolulu, HI, USA
- 年月日
  2014-06-08 – 2014-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 4H-SiC(0001)面のウェット酸化における水分子の役割
- 著者名/発表者名
  永井大介, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学、札幌市
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] Electrical and physical properties of SiO2 gate dielectrics grown on 4H-SiC
- 著者名/発表者名
  細井　卓治、上西　悠介、チャンタパン　アタウット、池口　大輔、中野　佑紀、中村　孝、志村　考功、渡部　平司
- 学会等名
  The 8th international conference on advanced materials upon the proven concept and continues the tradition of its seven predecessors (THERMEC2013)
- 発表場所
  Las Vegas, NV, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] カソードルミネッセンス法による熱酸化 SiO2 /SiC 構造の評価
- 著者名/発表者名
  福島悠太，Furkan Alan，樋口直樹，Atthawut Chanthaphan，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[学会発表] AlON/SiO2積層ゲート絶縁膜によるSiC MOSデバイスのBTI特性改善
- 著者名/発表者名
  チャンタパン　アタウット、中野佑紀、中村孝、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] Engineering of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation after Germanidation for Metal S/D Ge CMOS Technology
- 著者名/発表者名
  H. Oka, Y. Minoura, R. Asahara, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- 年月日
  2014-12-10 – 2014-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028

1. 渡部平司 (90379115)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 108件
2. 志村考功 (90252600)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
3. 是津信行 (10432519)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
4. 安武裕輔

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
5. 志村孝功

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 102件
6. CHANTHAPHAN Atthawut

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 9件
7. 國吉望月

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
8. 吉越章隆

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
9. 寺岡有殿

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

細井 卓治 Hosoi Takuji

細井 卓冶 HOSOI Takuji

細井 卓司 HOSOI Takuji

研究課題

研究成果

共同研究者

熱酸化反応の精密制御による理想SiO2/SiC界面の実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

GeSn赤外センシングプラットフォームの創出研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ショットキー接合型ＳｉＣプラズモニックトランジスタの創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

レーザーアニールによる選択的局所GOI構造作製技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Fabrication and Luminescence Characterization of Ge Wires with Uniaxial Tensile Strains Applied using Internal Stresses in Deposited Metal Thin Films2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Controllability of luminescence wavelength from GeSn wires fabricated by laser-induced local liquid phase crystallization on quartz substrates2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

細井卓治 Hosoi Takuji

細井卓冶 HOSOI Takuji

細井卓司 HOSOI Takuji