西永慈郎 Nishinaga Jiro

研究者番号	90454058
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2024年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 2015年度 – 2016年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 太陽光発電研究センター, 研究員 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 太陽光発電研究センター, 研究員 2014年度: 早稲田大学, 理工学術院, 准教授 2013年度: 早稲田大学, 付置研究所, 准教授 … もっと見る 2012年度 – 2013年度: 早稲田大学, 高等研究所, 准教授 2010年度 – 2011年度: 早稲田大学, 高等研究所, 助教 2008年度 – 2009年度: 早稲田大学, 理工学術院, 助教 2008年度: 早稲田大学, 理工学術院, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 小区分30010:結晶工学関連研究代表者以外電子・電気材料工学 / 小区分15020:素粒子、原子核、宇宙線および宇宙物理に関連する実験 / ナノ材料工学
キーワード	研究代表者 MBE / 太陽電池 / 結晶成長 / 量子ドット / GaAs / フラーレン / 低温成長 / 多元系化合物半導体 / 有機・無機半導体ヘテロ界面 / MEE … もっと見る / 量子井戸 / I-III-VI2族化合物半導体 / III-V族化合物半導体 / 量子デバイス / 低温結晶成長 / ヘテロ界面 / 分子線エピタキシー / 光デバイス / 電子デバイス / 深い準位 / 光スイッチ / HEMT / 化合物半導体 / 有機半導体 / 電子トラップ / 有機・無機ヘテロ界面 / 有機半導体デバイス / ナノ表面界面 / 薄膜・量子材料 / 電気・電子材料 / RHEED … もっと見る研究代表者以外半導体 / フラーレン / 重イオンビーム / 素粒子実験 / 放射線耐性 / CIGS半導体 / 半導体検出器 / 表面・界面 / ナノチューブ / シリコン空隙 / 半導体物性 / 表面・界面物性 / ナノチューブ・フラーレン / ナノ材料 / ナノ炭素物質 / ナノ界面物性 / カーボンナノチューブ / ナノ界面 / ヘテロ構造 / 結晶評価 / エピタキシャル成長 / 界面 / 表面 / 作成・評価技術 / 薄膜・量子構造 / Si/SiO2 / 解放電圧 / AlGaAs/GaAs / 励起子吸収 / タンデム太陽電池 / 超格子 / スパッタリング / Si/SiO2超格子 / AlGaAs/GaAs超格子 / 超格子太陽電池 / 分子線エピタキシー / 励起子吸収効果 / 温度安定性 / 太陽電池 / 希薄磁性半導体 / ナノチャネル / 選択エピタキシャル成長 / 高周波デバイス / 巨大磁気抵抗 / バリスティック / MEE / MBE / 弾道電子デバイス / 半導体ナノ構造 / III-V族化合物半導体 / マイグレーション・エンハンストエピタキシー(MEE) / 分子線エピタキシー(MBE) 隠す

新奇量子系実現のための多元化合物ヘテロ界面の結晶成長研究代表者
- 研究代表者
  
  西永慈郎
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
放射線損傷からの回復機構を持つCIGS半導体粒子検出器の創出
- 研究代表者
  
  外川学
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分15020:素粒子、原子核、宇宙線および宇宙物理に関連する実験
- 研究機関
  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構
多元系半導体ヘテロ構造の界面急峻性の制御研究代表者
- 研究代表者
  
  西永慈郎
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
ナノ炭素物質と無機半導体からなる複合構造におけるナノ界面物性の解明
- 研究代表者
  
  岡田晋
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  ナノ材料工学
- 研究機関
  筑波大学
有機・無機半導体ヘテロ界面を利用した高密度メモリの実現研究代表者
- 研究代表者
  
  西永慈郎
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
   早稲田大学
高温で安定な太陽電池開発の研究
- 研究代表者
  
  堀越佳治
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  早稲田大学
有機・無機半導体ヘテロ接合の結晶成長と電子構造モデル化研究代表者
- 研究代表者
  
  西永慈郎
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  早稲田大学
フラーレン・GaAsヘテロ構造の結晶成長とその応用研究代表者
- 研究代表者
  
  西永慈郎
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  早稲田大学
半導体一次元量子構造を用いた高速デバイスの開発
- 研究代表者
  
  堀越佳治
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  早稲田大学

[図書] Crystal Growth: Theory, Mechanism, and Morphology2012
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 総ページ数
  27
- 出版者
  Nova Science Publishers
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[図書] Molecular beam epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Jiro Nishinaga
- 総ページ数
  19
- 出版者
  Growth and characterization of fullerene/GaAs interfaces and C60 doped GaAs and AlGaAs layers
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[図書] Molecular Beam Epitaxy: From Quantum Wells to Quantum Dots, From Research to Mass Production2012
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 出版者
  Elsevier
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[図書] Molecular Beam Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 総ページ数
  20
- 出版者
  Elsevier
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[図書] Growth and characterization of fullerene/GaAs interfaces and C_<60> doped GaAs and AlGaAs layers, Molecular Beam Epitaxy: From Quantum Wells to Quantum Dots, From Research to Mass Production (Editor: M. Henini)2012
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[図書] Growth and characterization of fullerene/GaAs interfaces and C_<60> doped GaAs layers, Crystal Growth: Theory, Mechanism, and Morphology (Editors: N. A. Mancuso and J. P. Isaac)2012
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga and Y. Horikoshi
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[図書] Growth and characterization of fullerene/GaAs interfaces and C <60> doped GaAs layers, Crystal Growth : Theory, Mechanism, and Morphology (Editors : N.A.Mancuso and J.P.Isaac)2011
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, Y.Horikoshi
- 出版者
  Nova Science Publishers (printing)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[図書] Crystal Growth : Theory, Mechanism, and Morphology2011
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, Y.Horikoshi
- 総ページ数
  30
- 出版者
  Nova Science Publishers
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[図書] Progress in Fullerene Research2007
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, Y.Horikoshi
- 総ページ数
  21
- 出版者
  Nova Science Publishers
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[図書] "Epitaxial growth of undoped and multivalent impurity-doped C60 films by molecular beam epitaxy", Progress in Fullerene Research2007
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga and Y. Horikoshi(分担執筆)
- 出版者
  Nova Science Publishers
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[雑誌論文] Comparison of polycrystalline and epitaxial Cu(In, Ga)Se2 solar cells with conversion efficiencies of more than 21%2024
- 著者名/発表者名
  Nishinaga Jiro、Kamikawa Yukiko、Sugaya Takeyoshi、Ishizuka Shogo
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials and Solar Cells
  
  巻: 269 ページ: 112791-112791
- DOI
  10.1016/j.solmat.2024.112791
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[雑誌論文] Degradation of vertical GaN diodes during proton and xenon-ion irradiation2023
- 著者名/発表者名
  Okumura Hironori、Ogawara Yohei、Togawa Manabu、Miyahara Masaya、Isobe Tadaaki、Itabashi Kosuke、Nishinaga Jiro、Imura Masataka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: 6 ページ: 064001-064001
- DOI
  10.35848/1347-4065/acddb4
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K25887
[雑誌論文] On the Origin of Tail States and Open Circuit Voltage Losses in Cu(In,Ga)Se22023
- 著者名/発表者名
  Ramirez Omar、Nishinaga Jiro、Dingwell Felix、Wang Taowen、Prot Aubin、Wolter Max Hilaire、Ranjan Vibha、Siebentritt Susanne
- 雑誌名
  
  Solar RRL
  
  巻: 7 号: 13 ページ: 2300054-2300054
- DOI
  10.1002/solr.202300054
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[雑誌論文] Annealing effects on Cu(In,Ga)Se2 solar cells irradiated by high-fluence proton beam2023
- 著者名/発表者名
  Nishinaga Jiro、Togawa Manabu、Miyahara Masaya、Itabashi Kosuke、Okumura Hironori、Imura Masataka、Kamikawa Yukiko、Ishizuka Shogo
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SK ページ: SK1014-SK1014
- DOI
  10.35848/1347-4065/acc53b
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18635, KAKENHI-PROJECT-20K05354, KAKENHI-PROJECT-23K25887
[雑誌論文] 分子線エピタキシー法によるIII-V、I-III-VI族化合物半導体の結晶成長2022
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 雑誌名
  
  真空ジャーナル
  
  巻: 181 ページ: 13-17
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[雑誌論文] Effects of alkali-metal incorporation into epitaxial Cu(In,Ga)Se2 solar cells prepared by molecular beam epitaxy2022
- 著者名/発表者名
  Nishinaga Jiro、Ishizuka Shogo
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 741 ページ: 139034-139034
- DOI
  10.1016/j.tsf.2021.139034
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[雑誌論文] Cu(In,Ga)Se2太陽電池の放射線耐性2022
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、外川学、宮原正也
- 雑誌名
  
  応用物理学会結晶工学分科会第156回研究会テキスト
  
  巻: 156 ページ: 42-49
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[雑誌論文] Impacts of KF Post-Deposition Treatment on the Band Alignment of Epitaxial Cu(In,Ga)Se2 Heterojunctions2022
- 著者名/発表者名
  Nagai Takehiko、Nishinaga Jiro、Tampo Hitoshi、Kim Shinho、Hirayama Kazuhiro、Matsunobe Tatsuo、Chen Guanzhong、Ide Yuya、Ishizuka Shogo、Shibata Hajime、Niki Shigeru、Terada Norio
- 雑誌名
  
  ACS Applied Materials & Interfaces
  
  巻: 14 号: 14 ページ: 16780-16790
- DOI
  10.1021/acsami.1c21193
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[雑誌論文] Optoelectronic Inactivity of Dislocations in Cu(In,Ga)Se2 Thin Films2021
- 著者名/発表者名
  Abou-Ras Daniel、Nikolaeva Aleksandra、Krause Maximilian、Korte Lars、Stange Helena、Mainz Roland、Simsek Sanli Ekin、van Aken Peter A.、Sugaya Takeyoshi、Nishinaga Jiro
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi Rapid Research Letters
  
  巻: 15 号: 7 ページ: 2100042-2100042
- DOI
  10.1002/pssr.202100042
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[雑誌論文] Efficient Narrow Band Gap Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells with Flat Surface2020
- 著者名/発表者名
  Kamikawa Yukiko、Nishinaga Jiro、Shibata Hajime、Ishizuka Shogo
- 雑誌名
  
  ACS Applied Materials & Interfaces
  
  巻: 12 号: 40 ページ: 45485-45492
- DOI
  10.1021/acsami.0c11203
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[雑誌論文] A comparative study of the effects of light and heavy alkali-halide postdeposition treatment on CuGaSe2 and Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells2020
- 著者名/発表者名
  S. Ishizuka, N. Taguchi, J. Nishinaga, Y. Kamikawa, H. Shibata
- 雑誌名
  
  Solar Energy
  
  巻: 211 ページ: 1092-1101
- DOI
  10.1016/j.solener.2020.10.048
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05282, KAKENHI-PROJECT-20K05354
[雑誌論文] Crystalline Characterisitics of Epitaxial Cu(In,Ga)Se2 Layers on GaAs (001) Substrates2020
- 著者名/発表者名
  Nishinaga Jiro、Sugaya Takeyoshi
- 雑誌名
  
  Proceedings of 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
  
  巻: 2020 ページ: 2251-2257
- DOI
  10.1109/pvsc45281.2020.9300962
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[雑誌論文] Degradation mechanism of CIGS solar cells induced by exposure to air2016
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, Y. Kamikawa, T. Koida, H. Shibata, and S. Niki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[雑誌論文] High absorption efficiency of AlGaAs/GaAs superlattice solar cells2015
- 著者名/発表者名
  Jiro Nishinaga, Atsushi Kawaharazuka and Yoshiji. Horikoshi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 54
- NAID
  210000145127
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[雑誌論文] High absorption efficiency of AlGaAs/GaAs superlattice solar cells2015
- 著者名/発表者名
  Jiro Nishinaga, Atsushi Kawaharazuka and Yoshiji Horikoshi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 5 ページ: 052301-052301
- DOI
  10.7567/jjap.54.052301
- NAID
  210000145127
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420298, KAKENHI-PROJECT-25420299
[雑誌論文] Recombination current in AlGaAs/GaAs superlattice solar-cells grown by molecular beam epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  A. Kawaharazuka, J. Nishinaga, Y. Horikoshi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: in press ページ: 326-329
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2015.03.047
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420298, KAKENHI-PROJECT-25420299
[雑誌論文] Optical properties of AlxGa1-xAs/GaAs superlattice solar cells2015
- 著者名/発表者名
  40.Makoto Kuramoto, Hiroyuki Urabe, Tomohiro Nakano, Atsushi Kawaharazuka, Jiro Nishinaga, Toshiki Makimoto and Yoshiji Horikoshi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: in print ページ: 22770-22770
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[雑誌論文] Optical properties of AlxGa1−xAs/GaAs superlattice solar cells2015
- 著者名/発表者名
  Makoto Kuramoto, Hiroyuki Urabe, Tomohiro Nakano, Atsushi Kawaharazuka, Jiro Nishinaga, Toshiki Makimoto, Yoshiji Horikoshi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: in press ページ: 333-336
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2015.03.024
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420298, KAKENHI-PROJECT-25420299
[雑誌論文] Selective area growth of InAs nanostructures on faceted GaAs microstructure by migration enhanced epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  M. Zander, J. Nishinaga, and Y. Horikoshi
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 378 ページ: 480-484
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.12.089
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163, KAKENHI-PROJECT-23760293, KAKENHI-PROJECT-25420299
[雑誌論文] Crystalline and electrical characteristics of C60 uniformly doped GaAs layers2013
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga and Y. Horikoshi
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 378 ページ: 81-84
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.12.044
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163, KAKENHI-PROJECT-23760293, KAKENHI-PROJECT-25420299
[雑誌論文] Controlled nucleation and optical properties of InAs quantum dots grown on faceted GaAs microstructures2013
- 著者名/発表者名
  M. Zander, J. Nishinaga, H. Gotoh, and Y. Horikoshi
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi
  
  巻: C 10, 号: 11 ページ: 1500-1504
- DOI
  10.1002/pssc.201300274
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163, KAKENHI-PROJECT-25420299
[雑誌論文] High Absorption Efficiency Superlattice Solar Cells by Excitons2013
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, A. Kawaharazuka, K. Onomitsu, and Y. Horikoshi
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 52
  
  巻: 52 号: 11R ページ: 112302-112302
- DOI
  10.7567/jjap.52.112302
- NAID
  40019883484
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163, KAKENHI-PROJECT-25420298, KAKENHI-PROJECT-25420299
[雑誌論文] Electrical properties of C_<60> and Si codoped GaAs layers2012
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga and Y. Horikoshi
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B
  
  巻: 30 号: 2
- DOI
  10.1116/1.3678205
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[雑誌論文] Excitonic absorption on AlGaAs/GaAs superlattice solar cells2012
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, A.Kawaharazuka, K.Onomitsu, K.H.Ploog, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  Physica Status solidi C
  
  巻: 9 号: 2 ページ: 330-333
- DOI
  10.1002/pssc.201100276
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760233, KAKENHI-PROJECT-23760293
[雑誌論文] Area selective epitaxy of InAs on GaAs(001) and GaAs(111) A by migration enhanced epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  M.Zander, J.Nishinaga, K.Iga, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth
  
  巻: (in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] Effect of excitons in AlGaAs/GaAs superlattice solar cells2011
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, A.Kawaharazuka, K.Onomitsu, K.H.Ploog, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: (in press)
- NAID
  40018812632
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] Effect of excitons on the absorption in the solar-cell with AlGaAs/GaAs superlattice grown by molecular beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  A.Kawaharazuka, K.Onomitsu, J.Nishinaga, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth
  
  巻: (in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] Growth of CuGaSe2 Layers on Closely Lattice-Matched GaAs Substrates by Migration-Enhanced Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  M.FUJITA, A.KAWAHARAZUKA, J.NISHINAGA, K.H.PLOOG, Y.HORIKOSHI
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50 号: 12R ページ: 125502-125502
- DOI
  10.1143/jjap.50.125502
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760233, KAKENHI-PROJECT-23360163
[雑誌論文] Growth and characterization of C60/GaAs interfaces and C60 doped GaAs2011
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth
  
  巻: (in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] Growth and characterization of C60/GaAs interfaces and C60 doped GaAs2011
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth
  
  巻: 323 号: 1 ページ: 135-139
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.11.068
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163, KAKENHI-PROJECT-23760293
[雑誌論文] Effect of excitons in AlGaAs/GaAs superlattice solar cells2011
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, A.Kawaharazuka, K.Onomitsu, K.H.Ploog, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50 号: 5R ページ: 052302-052302
- DOI
  10.1143/jjap.50.052302
- NAID
  40018812632
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760233, KAKENHI-PROJECT-23360163, KAKENHI-PROJECT-23760293
[雑誌論文] Excitonic absorption on AlGaAs/GaAs superlattice solar cells2011
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, A.Kawaharazuka, K.Onomitsu, K.H.Ploog, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  Physica Status solidi
  
  巻: C9(2) ページ: 330-333
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[雑誌論文] Electrical properties of C60 delta-doped CaAs and AlGaAs layers grown by MBE2010
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, T.Hayashi, K.Hishida, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  Physica Status solidi C (in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] Electrical properties of C60 delta-doped GaAs and AlGaAs layers grown by MBE2010
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, T.Hayashi, K.Hishida, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  Physica Status solidi C
  
  巻: 7 ページ: 2486-2489
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] Electrical properties of C <60> delta-doped GaAs and AlGaAs layers grown by MBE2010
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, T.Hayashi, K.Hishida, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  Physica Status solidi C 7
  
  ページ: 2486-2489
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] Structural properties of C60-multivalent metal composite layers grown by molecular beam epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol.B (in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] GaAs基板上フラーレンC60の結晶成長とC60 doped GaAsの電気的特性2010
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、堀越佳治
- 雑誌名
  
  表面科学
  
  巻: 31 ページ: 632-636
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] Structural properties of C <60> multivalent metal composite layers grown by molecular beam epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol.B 28
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] GaAs基板上フラーレンC <60>の結晶成長とC <60> doped GaAsの電気的特性2010
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、堀越佳治
- 雑誌名
  
  表面科学 31
  
  ページ: 632-636
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] Structural properties of C60-multivalent metal composite layers grown by molecular beamepitaxy2010
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol.B
  
  巻: 28
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] RHEED intensity oscillation of C60 layer epitaxial growth2009
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, A. Kawaharazuka, Y. Honikoshi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (in press)
- NAID
  120001351265
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] Crystallne and electrical characteristics of C60-doped GaAs films2009
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, T. Takada, T. Hayashi, Y. Horikoshi
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 311
  
  ページ: 2232-2235
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[雑誌論文] RHEED intensity oscillation of C60 layer epitaxial growth2009
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 311
  
  ページ: 2227-2231
- NAID
  120001351265
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[雑誌論文] Investigation of C60 Epitaxial Growth Mechanism on GaAs Substrates2009
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
- NAID
  120001351264
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] Investigation of C60 Epitaxial Growth Mechanism on GaAs Substrates2009
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 48
- NAID
  120001351264
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[雑誌論文] Crystalline and electrical characteristics of C60?doped GaAs films2009
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, T. Takada, T. Hayashi, Y. Horikoshi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (in press)
- NAID
  120001351266
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] RHEED intensity oscillations of C60 growth on GaAs substrates2008
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, A. Kawaharazuka, Y. Honkoshi
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 255
  
  ページ: 682684-682684
- NAID
  120001351263
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[雑誌論文] RHEED intensity oscillations of C60 growth on GaAs substrates2008
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci. 255
  
  ページ: 682-684
- NAID
  120001351263
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[雑誌論文] Characteristics of multvalent impurity doped C60 films grown by MBE2007
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 301-302
  
  ページ: 687-691
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[雑誌論文] Nanoscale selective area epitaxy of C60 crystals on GaAs by molecular beam epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, T.Aihara, T.Toda, F.Matsutani, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B. Vol. 24(3)
  
  ページ: 1587-1590
- NAID
  120001351262
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[雑誌論文] Mechanical and optical characteristics of Al-doped C60 films2005
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, T.Aihara, H.Yamagata, Y.Horikoshi
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 278
  
  ページ: 633-637
- NAID
  120001351261
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[産業財産権] 太陽電池の製造方法2015
- 発明者名
  西永慈郎、柴田肇、仁木栄
- 権利者名
  西永慈郎、柴田肇、仁木栄
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2015-056603
- 出願年月日
  2015-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[産業財産権] 太陽電池2013
- 発明者名
  小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
- 権利者名
  小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
- 出願年月日
  2013-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[産業財産権] 太陽電池2013
- 発明者名
  小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
- 権利者名
  小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[産業財産権] 太陽電池2013
- 発明者名
  堀越佳治、河原塚篤、西永慈郎、山口浩司、小野満恒二
- 権利者名
  堀越佳治、河原塚篤、西永慈郎、山口浩司、小野満恒二
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[産業財産権] 太陽電池2013
- 発明者名
  小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
- 権利者名
  小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
- 出願年月日
  2013-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[産業財産権] 太陽電池2013
- 発明者名
  小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
- 権利者名
  小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[産業財産権] CIS-CGS 太陽電池2013
- 発明者名
  堀越佳治、河原塚篤、西永慈郎、山口浩司、小野満恒二
- 権利者名
  堀越佳治、河原塚篤、西永慈郎、山口浩司、小野満恒二
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-03-25
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[産業財産権] 太陽電池2012
- 発明者名
  堀越佳治、河原塚篤、西永慈郎、山口浩司、小野満恒二
- 権利者名
  堀越佳治、河原塚篤、西永慈郎、山口浩司、小野満恒二
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2012-07-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[学会発表] 高Ga組成Cu(In,Ga)Se2太陽電池の結晶成長2024
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、上川由紀子、Daniel Abou-ras、石塚尚吾
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] High radiation tolerance of 10um thick Cu(In,Ga)Se2 diodes2023
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、外川学、石塚尚吾
- 学会等名
  第42回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] The role of grain boundaries and dislocations in various solar-cell materials on the corresponding device performance2023
- 著者名/発表者名
  Daniel Abou-ras, Sinju Thomas, Dan Wargulski, Jiro Nishinaga
- 学会等名
  Horizons symposium: Electronic & Energy materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] Widegap Cu(In,Ga)Se2 エピタキシャル成長に関する考察2023
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第52回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] Microstructure-property relationships in epitaxial Cu(In,Ga)Se2 solar cell absorbers2023
- 著者名/発表者名
  Daniel Abou-ras, Jiro Nishinaga, Ulrike Bloeck, Henrik Prell, Sinju Thomas, Michael Tovar, Dan R. Wargulski, Harvey Guthrey, Pat Trimby, Aimo Winkelmann, Yukiko Kamikawa, Takeyoshi Sugaya, Shogo Ishizuka
- 学会等名
  IEEE PVSC 50th
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] Cu(In,Ga)Se2 detectors with high radiation tolerance2023
- 著者名/発表者名
  Jiro Nishinaga
- 学会等名
  The 25th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] Chalcogenide semiconductor detector with high radiation tolerance2022
- 著者名/発表者名
  Jiro Nishinaga
- 学会等名
  Physics in LHC and Beyond, Matsue (Japan)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] Radiation tolerance of Cu(In,Ga)Se2 solar cells irradiated by proton beam2022
- 著者名/発表者名
  Jiro Nishinaga, Manabu Togawa, Shogo Ishizuka,
- 学会等名
  PVSEC-33, Nagoya (Japan)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] Cu(In,Ga)Se2太陽電池の放射線耐性2022
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第156回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] Effects of alkali-metal doping on epitaxial Cu(In,Ga)Se2 solar cells2021
- 著者名/発表者名
  Jiro Nishinaga, Shogo Ishizuka
- 学会等名
  E-MRS 2021 Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] 多元系化合物半導体ヘテロ界面の結晶成長2020
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第49回日本結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] Epitaxial Cu(In,Ga)Se2太陽電池のアルカリ金属添加効果2020
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、石塚尚吾
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] 多元系化合物半導体ヘテロ構造の結晶成長2020
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] Crystalline and electrical properties of epitaxial Cu(In,Ga)Se2 layers on GaAs substrates2020
- 著者名/発表者名
  Jiro Nishinaga, Takeyoshi Sugaya
- 学会等名
  2020 IEEE PVSE-47
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] Ag添加によるCu(In,Ga)Se2太陽電池の高効率化2020
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、石塚尚吾、上川由紀子、鯉田崇、柴田肇
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] High efficiency epitaxial CIGS solar cells grown on p-type GaAs substrates2020
- 著者名/発表者名
  Jiro Nishinaga, Takeyoshi Sugaya
- 学会等名
  Virtual Chalcogenide PV Conference 2020
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05354
[学会発表] 大気下におけるCIGS太陽電池の効率劣化の解析2016
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、上川由紀子、柴田肇、仁木栄
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜のCdS層製膜前における表面処理の効果2016
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、反保衆志、酒井紀行、加藤拓也、杉本広紀、柴田肇、仁木栄
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] Influence on recombination process of CIGS solar cells induced by air exposure2015
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, Y. Kamikawa, H. Shibata, and S. Niki
- 学会等名
  25th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC)
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2015-11-15
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] CIGS太陽電池の劣化機構の解析2015
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、上川由紀子、崔誠佑、柴田肇、仁木栄
- 学会等名
  第12回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
- 発表場所
  ホテル華の湯、郡山
- 年月日
  2015-05-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] Influence on carrier recombination of Cu(In,Ga)Se2 solar cells induced by device processing2015
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG) 2015
- 発表場所
  Hong Kong
- 年月日
  2015-12-14
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] 高温時における超格子太陽電池の吸収係数2015
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、河原塚篤、堀越佳治
- 学会等名
  第3４回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2015-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] C60 doped GaAsダイオードの容量電圧特性2014
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第６１回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] フラーレン添加GaAsダイオードの接合容量について2013
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第７４回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] Crystalline and electrical characteristics of C60 doped GaAs layers2013
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  第３２回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  滋賀
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[学会発表] Excitonic absorption on AlGaAs/GaAs superlattice solar cells2013
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  40th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] Excitonic absorption on AlGaAs/GaAs superlattice solar cells2013
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  40th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe, JapanMay
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[学会発表] Electrical properties of fullerene doped GaAs pin diodes grown by MBE2013
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] Excitonic absorption on AlGaAs/GaAs superlattice solar cells2013
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  2013 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, Massachusetts, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] Excitonic absorption on AlGaAs/GaAs superlattice solar cells2013
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  40th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] フラーレン添加GaAs pinダイオードの電気的特性2013
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第６０回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] Electrical properties of fullerene doped GaAs pin diodes grown by MBE2013
- 著者名/発表者名
  . J. Nishinaga
- 学会等名
  Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[学会発表] Electrical properties of fullerene doped GaAs pin diodes grown by MBE2013
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
- 発表場所
  The Westin Resort & Spa, Cancun, Mexico
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246010
[学会発表] Crystalline and electrical properties of fullerene doped GaAs pin diodes2013
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] Electrical properties of fullerene doped GaAs pin diodes grown by MBE2013
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] Excitonic absorption on AlGaAs/GaAs superlattice solar cells2013
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  30th North American Molecular Beam Epitaxy Conference
- 発表場所
  Banff, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[学会発表] Electronic band structures of fullerene / GaAs heterointerfaces and their applications2013
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  2013 Energy Materials Nanotechnology Meeting
- 発表場所
  Houston, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] Crystalline and electrical characteristics of C60 doped GaAs layers2013
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第３２回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] Excitonic absorption on AlGaAs / GaAs superlattice solar cells2013
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  30th North American Molecular Beam Epitaxy Conference
- 発表場所
  Banff, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] GaAsの低温MBE成長について2012
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  結晶成長の数理第７回研究会
- 発表場所
  学習院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] フラーレン添加GaAs薄膜の結晶学的特性2012
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第43回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
- 発表場所
  東北大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] フラーレン添加GaAs薄膜の光学的特性2012
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第７３回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] フラーレン添加GaAs薄膜の電気的特性2012
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、堀越佳治
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] Crystal Growth of fullerene/GaAs interfaces and their applications2012
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  2012 Energy Materials Nanotechnology Meeting
- 発表場所
  Orlando, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] Crystal growth and structural characteristics of fullerene / GaAs interfaces2012
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
- 発表場所
  Orlando, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] フラーレン・GaAsヘテロ構造の結晶成長と物性評価2012
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第１回結晶工学未来塾
- 発表場所
  学習院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] Crystal growth and structural characteristics of fullerene2012
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  GaAs interfaces, Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
- 発表場所
  Orlando, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] フラーレン添加GaAs薄膜の電気的特性2012
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第５９回応用物理学関係連合講演会(招待講演)
- 発表場所
  早稲田大学、東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] Electrical characteristics of C60 doped GaAs layers grown by MEE2012
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Nara, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] Electrical characteristics of C60, Si codoped GaAs layers grown by MEE2012
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第３１回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] Electrical characteristics of C_<60> doped GaAs layers grown by MEE2012
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga and Y. Horikoshi
- 学会等名
  17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Nara, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] Electrical properties of C60 and Si codoped GaAs layers2011
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, Y.Horikoshi
- 学会等名
  28th North American Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  San Diego, USA
- 年月日
  2011-08-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[学会発表] C60, Si codoped GaAsの光電流スペクトル2011
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、堀越佳治
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] Excitonic Effect on the Semiconductor Solar-Cells with AlGaAs/GaAs Superlattices2011
- 著者名/発表者名
  A.Kawaharazuka, J.Nishinaga, Y.Horikoshil
- 学会等名
  21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- 年月日
  2011-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[学会発表] Excitonic absorption on AlGaAs/GaAs superlattice solar cells2011
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, A.Kawaharazuka, K.Onomitsu, K.H.Ploog, Y.Horikoshi
- 学会等名
  38th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2011-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[学会発表] Excitonic absorption on AlGaAs / GaAs superlattice solar cells2011
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  38th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Berlin, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] AlGaAs/GaAs超格子太陽電池における励起子吸収2011
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、河原塚篤、小野満恒二、クラウスプローク、堀越佳治
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] AlGaAs/GaAs超格子太陽電池の吸収効率の評価(31pH-12)2011
- 著者名/発表者名
  河原塚篤、西永慈郎、堀越佳治
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[学会発表] 励起子吸収を利用したAlGaAs/GaAs超格子太陽電池(31pH-11)2011
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、河原塚篤、小野満恒二、クラウスプローク、堀越佳治
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[学会発表] C60, Si codoped GaAs薄膜の結晶学的・電気的特性2011
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第７２回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学、山形
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] 選択成長したInAs微細構造とGaAs(001)、(111)A基板の界面特性2011
- 著者名/発表者名
  マレーネツァンダー、西永慈郎、堀越佳治
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] Electrical properties of C60 and Si codoped GaAs layers2011
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第３０回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖、滋賀県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] Electrical properties of C60 and Si codoped GaAs layers2011
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  28th North American Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] Structural properties of InAs-basad nanostructures on GaAs(001) and GaAs(111) A grown by area selective epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  M.Zander, J.Nishinaga, K.Iga, Y.Horikoshi
- 学会等名
  38th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2011-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[学会発表] Electrical properties of C60 delta-doped GaAs, AlGaAs layers2011
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  Villa Conference on Interactions among Nanostructures(招待講演)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760293
[学会発表] 太陽電池における励起子吸収について2010
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、菱田清、小野満恒二、堀越佳治
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] C60 -doped GaAs, AlGaAsのトラップ準位2010
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、堀越佳治
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催年末講演会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2010-12-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] Electrical properties of C60 delta-doped GaAs layers grown by MBE2010
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、堀越佳治
- 学会等名
  第29回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  修善寺、静岡県
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] Migration-enhanced epitaxyによるGaAs(001)上のInAs選択成長2010
- 著者名/発表者名
  マレーネツァンダー、西永慈郎、堀越佳治
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] Growth and characterization of C <60>/GaA sinterfaces and C <60> doped GaAs2010
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Invited)
- 発表場所
  Berlin, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] Growth and characterization of C60/GaAs interfaces and C60 doped GaAs2010
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Berlin, Germany(招待講演)
- 年月日
  2010-08-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] C60 delta-doped Be-GaAsの電気的特性2010
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、菱田清、堀越佳治
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] Area-selective epitaxy of InAs by migration enhanced epitaxy (MEE)2010
- 著者名/発表者名
  M.Zander, J.Nishinaga, Y.Horikoshi
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2010-08-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] C60・Ge複合体薄膜を用いた有機薄膜太陽電池2010
- 著者名/発表者名
  林剛史、西永慈郎、菱田清、堀越佳治
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] C60 doped GaAs, AlGaAsのトラップ準位2010
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、堀越佳治
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] GaAs(111)A基板上InAs薄膜成長のヒロック形成抑制2010
- 著者名/発表者名
  伊賀一貴、西永慈郎、マレーネツァンダー、堀越佳治
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] AiGaAs/GaAs超格子構造太陽電池における励起子吸収の効果2010
- 著者名/発表者名
  河原塚篤、小野満恒二、西永慈郎、堀越佳治
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] 学生実験「太陽電池の光照射強度依存性」2009
- 著者名/発表者名
  竹内登志男, 佐藤道夫, 西永慈郎, 河原塚篤, 堀越佳治
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[学会発表] Electrical properties of C <60>δ-doped GaAs layers grown by MBE2009
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, T.Hayashi, K.Hishida, Y.Horikoshi
- 学会等名
  36th International Symposium on Compound Semiconductor
- 発表場所
  Santa Barbara, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] AlGaAs中へのフラーレンC60添加による電子トラップセンターの解析2009
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、林剛史、菱田清、堀越佳治
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] 透過電子顕微鏡による多価金属・フラーレン複合体の構造解析2009
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学、日本
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] Electrical properties of C60-delta-doped GaAs layers grown by MBE2009
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, T.Hayashi, K.Hishida, Y.Horikoshi
- 学会等名
  36th International Symposiun on Compound Semiconductor
- 発表場所
  Santa Barbara, USA
- 年月日
  2009-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] GaAs結晶中へのC60ドーピングによる電子トラッピング効果2009
- 著者名/発表者名
  西永慈郎, 林剛史, 菱田清, 堀越佳治
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[学会発表] 透過電子顕微鏡による多価金属・フラーレン複合体の構造解析2009
- 著者名/発表者名
  西永慈郎, 杉本敬哉, 堀越佳治
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[学会発表] GaAs基板上フラーレンC60の核形成2009
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、堀越佳治
- 学会等名
  計算機センター特別研究プロジェクト「結晶成長の数理」第4回研究会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2009-12-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] GaAs結晶中へのC60ドーピングによる電子トラッピング効果2009
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学、日本
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] Structural propert ies of C60-multivalent matal composite layers grown by MBE2009
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, T.Hayashi, K.Nishida, Y.Horikoshi
- 学会等名
  26th North American Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Princeton, USA
- 年月日
  2009-08-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] 多価金属・フラーレン複合体を用いた有機薄膜太陽電池2009
- 著者名/発表者名
  林剛史、西永慈郎、菱田清、堀越佳治
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] Structural properties of C <60>-multivalent metal composite layers grown by MBE2009
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaga, T.Hayashi, K.Hishida, Y.Horikoshi
- 学会等名
  26th North American Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Princeton, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] RHEED強度振動によるGaAs(001)基板上C60結晶成長の解析2008
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[学会発表] RHEED intensity oscillation of C60 growth on GaAs substrates2008
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
- 学会等名
  15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[学会発表] GaAs高指数面基板上C60結晶薄膜のX線回折測定2008
- 著者名/発表者名
  西永慈郎, 林剛史, 河原塚篤, 堀越佳治
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[学会発表] C60-doped GaAs薄膜の成長と結晶学的特性2008
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[学会発表] Crystalline and electrical characteristics of C60?doped GaAs films2008
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  Crystalline and electrical characteristics of C60?doped GaAs films
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2008-08-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] GaAs高指数面基板上C60結晶薄膜のX線回折測定2008
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学、日本
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] RHEED intensity oscillation of C60 growth on GaAs substrates2008
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  15th International Conference on Molecular Beam Epitaxv
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2008-08-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760203
[学会発表] Crystalline and electrical characteristics of C60-doped GaAs films2008
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, T. Takada, T. Hayashi, Y. Horikoshi
- 学会等名
  15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[学会発表] RHEED intensity oscillations of C60 growth2007
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Brazil
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17206031
[学会発表] Electrical characteristics of C60 doped HEMT structures
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, Y. Horikoshi
- 学会等名
  18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Flagstaff, USA
- 年月日
  2014-09-07 – 2014-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] Excitonic absorption on AlGaAs/GaAs superlattice solar cells
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  Materials Challenges in Alternative & Renewable Energy 2015
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2015-02-24 – 2015-02-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] Optical Properties of AlGaAs/GaAs superlattice solar cells
- 著者名/発表者名
  M. Kuramoto, H. Urabe, T. Nakano, A. Kawaharazuka, J. Nishinaga, T. Makimoto, and Y. Horikoshi
- 学会等名
  18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Flagstaff, USA
- 年月日
  2014-09-07 – 2014-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] フラーレン添加GaAs pinダイオードの電気的特性
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[学会発表] High-absorption-efficiency superlattice solar cells by excitons
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, A. Kawaharazuka, and Y. Horikoshi
- 学会等名
  Grand Renewable Energy 2014
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2014-07-27 – 2014-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] Excitonic absorption on AlGaAs/GaAs superlattice solar cells
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga
- 学会等名
  Materials Challenges in Alternative & Renewable Energy 2015
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2015-02-24 – 2015-02-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246010
[学会発表] ナノカーボン・GaAsヘテロ界面の結晶成長と基礎物性
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第44回結晶成長国内会議
- 発表場所
  学習院大学、日本
- 年月日
  2014-11-06 – 2014-11-08
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] Recombination current in AlGaAs/GaAs superlattice solar cells grown by molecular beam epitaxy
- 著者名/発表者名
  A. Kawaharazuka, J. Nishinaga, and Y. Horikoshi
- 学会等名
  18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy,
- 発表場所
  Flagstaff, USA
- 年月日
  2014-09-07 – 2014-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] AlxGa1-xAs/GaAs超格子太陽電池における障壁層厚さの効果
- 著者名/発表者名
  20.倉本真，浦部宏之，中野朋洋，河原塚篤，西永慈郎，牧本俊樹，堀越佳治
- 学会等名
  第７５回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360163
[学会発表] Electrical characteristics of C60 doped HEMT structures
- 著者名/発表者名
  西永慈郎、堀越佳治
- 学会等名
  第33回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  修善寺、日本
- 年月日
  2014-07-09 – 2014-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] I-V curves of superlattice solar cells at high temperatures
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaga, A. Kawaharazuka, and Y. Horikoshi
- 学会等名
  6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2014-11-23 – 2014-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420299
[学会発表] ナノカーボン・GaAsヘテロ界面の結晶成長と基礎物性
- 著者名/発表者名
  西永慈郎
- 学会等名
  第44回結晶成長国内会議
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2014-11-06 – 2014-11-08
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246010

1. 堀越佳治 (60287985)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 72件
2. 河原塚篤 (40329082)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 21件
3. 大泊巌 (30063720)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 三浦道子 (70291482)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 品田賢宏 (30329099)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 松田一成 (40311435)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 藤田実樹 (60386729)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 岡田晋 (70302388)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 小野満恒二 (30350466)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 山本貴博 (30408695)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 外川学 (50455359)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
12. 石塚尚吾

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

西永 慈郎 Nishinaga Jiro

研究課題

研究成果

共同研究者

新奇量子系実現のための多元化合物ヘテロ界面の結晶成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

放射線損傷からの回復機構を持つCIGS半導体粒子検出器の創出

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

多元系半導体ヘテロ構造の界面急峻性の制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノ炭素物質と無機半導体からなる複合構造におけるナノ界面物性の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

有機・無機半導体ヘテロ界面を利用した高密度メモリの実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高温で安定な太陽電池開発の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

有機・無機半導体ヘテロ接合の結晶成長と電子構造モデル化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

フラーレン・GaAsヘテロ構造の結晶成長とその応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体一次元量子構造を用いた高速デバイスの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Crystal Growth: Theory, Mechanism, and Morphology2012

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] Molecular beam epitaxy2012

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] Molecular Beam Epitaxy: From Quantum Wells to Quantum Dots, From Research to Mass Production2012

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] Molecular Beam Epitaxy2012

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] Growth and characterization of fullerene/GaAs interfaces and C_<60> doped GaAs and AlGaAs layers, Molecular Beam Epitaxy: From Quantum Wells to Quantum Dots, From Research to Mass Production (Editor: M. Henini)2012

著者名/発表者名

データソース

西永慈郎 Nishinaga Jiro