荒井昌和 arai masakazu

研究者番号	90522003
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 宮崎大学, 工学部, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度 – 2024年度: 宮崎大学, 工学部, 准教授
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・電子機器研究代表者以外小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
キーワード	研究代表者結晶成長 / 半導体レーザ / 半導体 / レーザ / 中赤外 / 光センシング / シリコンフォトニクス / 受光素子 / 光半導体デバイス / 有機金属気相成長 / センシング / 中赤外波長 / 電子デバイス … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る横方向結晶成長 / トンネルFE / 横方向成長 / バイポーラトランジスタ / 化合物半導体 / ナノシート / 低消費電力 / ラテラルHBT / トンネルFET / ヘテロ構造 / バンド構造 / 超格子 / 中赤外線 / InAs/GaSb / MOVPE / PLスペクトル / 発光遷移図 / 発光の温度-励起強度ダイアグラム / エネルギーバンド計算 / 励起光強度依存性 / フォトルミネッセンス / バンド計算 / MOVPE法 / 中赤外光源 / 超格子構造隠す

格子緩和層とType-II型ヘテロ材料を用いた半導体レーザによる高温動作限界の打破研究代表者
- 研究代表者
  
  荒井昌和
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  宮崎大学
有機金属気相成長法によって作製した新規広帯域中赤外発光する量子構造の開発
- 研究代表者
  
  前田幸治
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  宮崎大学
化合物半導体横方向ヘテロ接合の創成とその電子デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京工業大学
中赤外波長帯シリコンフォトニクスのためのIII-V族、IV族一括成長技術の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  荒井昌和
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  宮崎大学
光センシング用半導体素子の適用波長域を拡大させる新規材料と転位制御の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  荒井昌和
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  宮崎大学
超広波長帯域光源実現のためのメタモルフィック材料集積の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  荒井昌和
- 研究期間 (年度)
  2015
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  宮崎大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Metal Organic Vapor‐Phase Epitaxy Growth of Multilayer Stacked InAsSb/InAsP Superlattices on GaAs and InAs Substrate2024
- 著者名/発表者名
  Hombu Koki、Hikita Kenshiro、Fujisawa Takeshi、Maeda Koji、Arai Masakazu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: - 号: 13
- DOI
  10.1002/pssa.202300824
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04245
[雑誌論文] GaAsSb/InGaAs tunnel FETs using thick SiO<sub>2</sub> mask for regrowth2024
- 著者名/発表者名
  Fan Jiawei、Xu Ruifeng、Arai Masakazu、Miyamoto Yasuyuki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 3 ページ: 03SP75-03SP75
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad27be
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01384
[雑誌論文] MOVPE法で作製したGaSb層厚を変化させたInAs/GaSb超格子の中赤外発光過程2022
- 著者名/発表者名
  前田幸治, 大濱寛士, 岩切優人, 荒井昌和, 藤澤剛
- 雑誌名
  
  宮崎大学工学部紀要
  
  巻: 51 ページ: 35-40
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04245
[雑誌論文] Microscopic gain analysis of modulation-doped GeSn/SiGeSn quantum wells: epitaxial design toward high-temperature lasing2019
- 著者名/発表者名
  Fujisawa T.、Arai M.、Saitoh K.
- 雑誌名
  
  Optics Express
  
  巻: 27 号: 3 ページ: 2457-2457
- DOI
  10.1364/oe.27.002457
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[雑誌論文] GaAsSb layer thickness dependence of arsenic incorporation on InAs/GaAsSb superlattice on InAs substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy for mid-infrared device2018
- 著者名/発表者名
  Arai Masakazu、Takahashi Kakeru、Yamagata Yuya、Inoue Yuki、Wakaki Ryosuke、Maeda Koji
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 8S2 ページ: 08PD05-08PD05
- DOI
  10.7567/jjap.57.08pd05
- NAID
  210000149469
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06305
[雑誌論文] 中赤外発光受光素子用III-V(Sb)系材料の結晶成長と評価2017
- 著者名/発表者名
  荒井昌和，高橋翔, 井上裕貴, 藤原由生,吉元圭太，山形勇也，西岡賢祐,前田幸治
- 雑誌名
  
  レーザー研究
  
  巻: 45 ページ: 768-772
- NAID
  130007957357
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06305
[産業財産権] 発光素子2022
- 発明者名
  前田幸治、荒井昌和、藤澤剛
- 権利者名
  前田幸治、荒井昌和、藤澤剛
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2022-134276
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04245
[学会発表] Optical Transition Energy of InAs/GaSb Type-II Superlattice Investigated by Using Photoluminescence and Photoreflectance Spectroscopy2024
- 著者名/発表者名
  Yatabe T., Taketa N., Arai M., Maeda K., Ikari T., Fukuyama A.
- 学会等名
  28th Microoptics Conference, MOC 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04245
[学会発表] MOVPE法で作製した格子整合系 InAs/GaAsSb超格子の中赤外発光の温度依存性2023
- 著者名/発表者名
  小佐治大輔、荒井昌和、藤澤剛、前田幸治
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04245
[学会発表] MOVPE法で作製した格子整合 InAs/GaAsSb超格子の中赤外領域における発光の励起強度依存性2023
- 著者名/発表者名
  前田幸治、藤澤剛、荒井昌和
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04245
[学会発表] GaAsSb/InGaAs tunnel FETs using thick SiO2 mask for regrowt2023
- 著者名/発表者名
  R. Xu, J. Fan, M. Arai, Y. Miyamoto
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01384
[学会発表] InGaSb層を導入したGaAs基板上InAsSbの結晶性評価2022
- 著者名/発表者名
  本部好記，中川翔太，岩切優人，前田幸治，荒井昌和
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] Wide Wavelength Range Emission from InAs/GaSb Type-II Superlattice Grown by MOVPE2022
- 著者名/発表者名
  Masakazu Arai, Yuto Iwakiri, Takeshi Fujisawa, and Koji Maeda
- 学会等名
  28th International Semicondutor Laser Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04245
[学会発表] GaAs基板上メタモルフィックInAsSbへの熱アニールによる結晶性への影響評価2022
- 著者名/発表者名
  中川翔太，本部好記，岩切優人，前田幸治，荒井昌和
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] Temperature Dependence of Mid-infrared Emission Process of InAs/GaSb Superlattices Grown by MOVPE2022
- 著者名/発表者名
  Masakazu ARAI, Koji MAEDA, Yuto IWAKIRI and Takeshi FUJISAWA
- 学会等名
  CLEO-PR 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04245
[学会発表] MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子の中赤外領域における広域発光2022
- 著者名/発表者名
  岩切優人, 荒井昌和 , 藤澤剛 , 前田幸治
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04245
[学会発表] MOVPE法によりGaAs基板上に成長したZnドープInAs膜のラマン分光法による評価2021
- 著者名/発表者名
  平田康史，中川翔太，荒井昌和，前田幸治
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] GaAs基板上InAs成長層の表面ラフネスへのZnドープの影響調査2021
- 著者名/発表者名
  中川翔太，今村優希, 大濱寛士, 前田幸治, 荒井昌和
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] GaAs基板上InAs成長層の表面ラフネスへのZnドープの影響調査2021
- 著者名/発表者名
  中川翔太，今村優希, 大濱寛士, 前田幸治, 荒井昌和
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] GaAs/InAs/GaAsヘテロ構造の電気特性、中赤外受光感度特性評価2021
- 著者名/発表者名
  荒井昌和、中川翔太、前田幸治
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] Zn Doping Effect on Surface Morphology of Metamorphic InAs on GaAs Grown by MOVPE2021
- 著者名/発表者名
  Shota Nakagawa,Yuki Imamura,Yasushi Hirata, Koji Maeda and Masakazu Arai
- 学会等名
  Micro Optics Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] SIMS、XRD を用いた InAs/GaSb 超格子中の As 濃度推定2020
- 著者名/発表者名
  今村優希、中川翔太、大濱寛士、前田幸治、荒井昌和
- 学会等名
  応用物理学会九州支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] MOVPE 法で作製したInAs/GaSb 超格子の中赤外PL スペクトルの励起強度依存性2020
- 著者名/発表者名
  大濱寛士、前田幸治、荒井昌和、藤澤剛、今村優希、荒井昌和
- 学会等名
  応用物理学会九州支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] Optimization of gas flow sequence for mid-infrared range Sb-based superlattice using MOCVD2019
- 著者名/発表者名
  Masakazu Arai,Yuki Imamura,Koji Maeda
- 学会等名
  EMN Meeting on Epitaxy 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] Growth Temperature and Sb Flow Dependence of Surface Morphology of Metamorphic InAs(Sb)on GaAs substrate Grown by MOVPE2019
- 著者名/発表者名
  Yuki Imamura,Miki Shoiriki,Koji Maeda,Masakazu Arai
- 学会等名
  CSW2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] InAs/GaSb超格子のV族混晶化の成長中断時間による制御2019
- 著者名/発表者名
  今村優希，大濱寛仁,前田幸治,荒井昌和
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] MOVPE growth and evaluation of mid-infrared range superlattice2019
- 著者名/発表者名
  Masakazu Arai,Yuki Imamura,Takeshi Fujisawa,Koji Maeda
- 学会等名
  Asia Pacific Society for Materials Research 2019 annual meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] 2段階バッファ層を用いたメタモルフィックIｎAs/GaSb超格子の作製と評価2019
- 著者名/発表者名
  今村優希, 大濱寛士, 前田幸治, 藤澤剛, 荒井昌和
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] Growth and PL Measurement of Metamorphic InAs and InAs/GaSb Superlattice using MOVPE for Mid-Infrared Photonic Devices2019
- 著者名/発表者名
  Yuki Imamura,Miki Shoiriki,Tomohito Ohama,Koji Maeda,Masakazu Arai
- 学会等名
  OECC2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04515
[学会発表] MOVPE Growth of AlGaInP Distributed Bragg Reflector on GaAs (311)B for Resonant Cavity Photovoltaic Receiver for Laser Light2018
- 著者名/発表者名
  Masakazu Arai, Shinnosuke Tsuboyama, Kensuke Hiwada, Masaya Kamikado, Ryosuke Wakaki, and Koji Maeda
- 学会等名
  19th Internatinal Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06305
[学会発表] Metalorganic Precursors Dependence of Impurity Concentration in AlGaAsSb and Optical Characteristics of InAs/GaAsSb Superlattice2018
- 著者名/発表者名
  Kakeru Takahashi, Yuya Yamagata, Yuki Fujiwara, Koji Maeda, Masakazu Arai
- 学会等名
  19th Internatinal Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06305
[学会発表] Layer Thickness Dependence of Lattice Mismatch and Emission Wavelength on MOVPE Grown InAs/GaSb Superlattice for Mid-infrared Photonic Devices2018
- 著者名/発表者名
  Masakazu Arai, Yuya Yamagata, Ryosuke Wakaki
- 学会等名
  23rd Micro Optics Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06305
[学会発表] Sn Concentration and Surface Morphology of GeSn Layer on GaAs (311)B Substrate Grown by MOVPE2018
- 著者名/発表者名
  Yuki Fujiwara, Kakeru Takahashi, Takaeshi Fujisawa, Koji Maeda, and Masakazu Arai
- 学会等名
  19th Internatinal Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06305
[学会発表] Wavelength Range Extension by Chirped and Nitrogen Incorporated InGaAs(N) Quantum Wells for Super Luminescent Diode2017
- 著者名/発表者名
  Yuga Imamura, Keita Yoshimoto, Masakazu Arai
- 学会等名
  CLEO Pacific Rim 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06305
[学会発表] MOVPE法によるInAs基板上AlGaAsSb成長におけるAl材料依存性2017
- 著者名/発表者名
  山形　勇也、吉元　圭太、今村　優雅、荒井　昌和
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06305
[学会発表] Design and Growth of Metamorphic Sb-based materials on GaAs substrate for Mid-Infrared Photonic Devices2017
- 著者名/発表者名
  Keita Yoshimoto, Yuya Yamagata,Yuga Imamura and Masakazu Arai
- 学会等名
  CLEO Pacific Rim 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06305
[学会発表] MOVPE法を用いたInAs基板上InAsSb量子井戸の歪補償障壁層検討2017
- 著者名/発表者名
  吉元　圭太、山形　勇也、荒井　昌和
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06305
[学会発表] Emission Spectrum Evaluation of 0.8 - 1.1 µm Range Chirped Multiple Quantum Wells for Optical Sensing2017
- 著者名/発表者名
  Masaya Kamikado, Yuga Imamura and Masakazu Arai
- 学会等名
  Micro Optics Conference 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06305
[学会発表] MOVPE Growth of Lattice Matched InAs/GaAsSb Superlattice on InAs Substrate for Mid-Infrared Sensing Devices2017
- 著者名/発表者名
  Kakeru Takahashi, Yuki Fujiwara, Yuya Yamagata, Keita Yoshimoto, Yuki Inoue, Ryosuke Wakaki, Koji Maeda, Masakazu Arai
- 学会等名
  Micro Optics Conference 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06305
[学会発表] 中赤外帯域InAsSb量子井戸成長における障壁層材料依存性2016
- 著者名/発表者名
  吉元　圭太、今村　優雅、荒井　昌和
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06305
[学会発表] メタモルフィック成長を用いた中赤外帯域type-Ⅰ型レーザの構造検討2016
- 著者名/発表者名
  吉元圭太、今村優雅、荒井昌和
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H06513
[学会発表] 光センシング用SLDの利得波長帯域を拡大するInGaAs, InGaAsN 量子井戸の複合構造の検討2016
- 著者名/発表者名
  今村優雅、神門雅也、荒井昌和
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06305
[学会発表] 光ガスセンシング用中赤外半導体レーザ、ＬＥＤ、受光素子のための格子歪緩和による波長域拡大の検討2016
- 著者名/発表者名
  吉元　圭太，西岡　賢祐，荒井　昌和
- 学会等名
  レーザー学会
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2016-01-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H06513
[学会発表] ３～５μm 帯GaAs基板上InAsSbのMOVPE成長2016
- 著者名/発表者名
  今村優雅、吉元圭太、荒井昌和
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H06513

1. 前田幸治 (50219268)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 14件
2. 藤澤剛 (70557660)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 7件
3. 宮本恭幸 (40209953)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
4. 福田浩一 (00586282)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 菅原聡 (40282842)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 後藤高寛 (70827914)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

荒井 昌和 arai masakazu

研究課題

研究成果

共同研究者

格子緩和層とType-II型ヘテロ材料を用いた半導体レーザによる高温動作限界の打破研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

有機金属気相成長法によって作製した新規広帯域 中赤外発光する量子構造の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

化合物半導体横方向ヘテロ接合の創成とその電子デバイスへの応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

中赤外波長帯シリコンフォトニクスのためのIII-V族、IV族一括成長技術の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

光センシング用半導体素子の適用波長域を拡大させる新規材料と転位制御の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超広波長帯域光源実現のためのメタモルフィック材料集積の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Metal Organic Vapor‐Phase Epitaxy Growth of Multilayer Stacked InAsSb/InAsP Superlattices on GaAs and InAs Substrate2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] GaAsSb/InGaAs tunnel FETs using thick SiO<sub>2</sub> mask for regrowth2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] MOVPE法で作製したGaSb層厚を変化させたInAs/GaSb超格子の中赤外発光過程2022

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Microscopic gain analysis of modulation-doped GeSn/SiGeSn quantum wells: epitaxial design toward high-temperature lasing2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] GaAsSb layer thickness dependence of arsenic incorporation on InAs/GaAsSb superlattice on InAs substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy for mid-infrared device2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] 中赤外発光受光素子用III-V(Sb)系材料の結晶成長と評価2017

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[産業財産権] 発光素子2022

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[学会発表] Optical Transition Energy of InAs/GaSb Type-II Superlattice Investigated by Using Photoluminescence and Photoreflectance Spectroscopy2024

著者名/発表者名

学会等名

荒井昌和 arai masakazu

有機金属気相成長法によって作製した新規広帯域中赤外発光する量子構造の開発

[学会発表] MOVPE法で作製した格子整合 InAs/GaAsSb超格子の中赤外領域における発光の励起強度依存性2023

[学会発表] GaAs基板上メタモルフィックInAsSbへの熱アニールによる結晶性への影響評価2022

[学会発表] MOVPE法によりGaAs基板上に成長したZnドープInAs膜のラマン分光法による評価2021

[学会発表] GaAs/InAs/GaAsヘテロ構造の電気特性、中赤外受光感度特性評価2021