陳君 Chen Jun

研究者番号	90537739
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2020年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主任研究員 2018年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究員 2015年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス拠点, MANA研究員 2015年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA研究員 2014年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス拠点, MANA研究員 2010年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学研究代表者以外無機材料・物性
キーワード	研究代表者 Dislocation / SrTiO3 / Oxygen / Oxygen vacancies / oxygen vacancy / cathodoluminescence / Cathodoluminescence / Oxygen vacancy / 酸素空孔 / 転位 … もっと見る / チタン酸ストロンチウム / カソードルミネッセンス / Dislocations / Nb doping / TEM / EBIC / Resistive switching … もっと見る研究代表者以外界面特性 / トンネル電流 / 抵抗スイッチング / ショットキー接合 / チタン酸ストロンチウム隠す

Cathodoluminescence study of oxygen vacancy in SrTiO3研究代表者
- 研究代表者
  
  陳君
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
電子線誘起電流法によってSrTiO3結晶中の転位の電気特性評価研究代表者
- 研究代表者
  
  陳君
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
強電界下でのペロブスカイト酸化物中の欠陥の緩和挙動の解明
- 研究代表者
  
  李建永
- 研究期間 (年度)
  2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構

すべて 2020 2019 2018 2016 2015 2010 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Electron-Beam-Induced Current and Cathodoluminescence Study of Dislocations in SrTiO32020
- 著者名/発表者名
  Yi Wei、Chen Jun、Sekiguchi Takashi
- 雑誌名
  
  Crystals
  
  巻: 10 号: 9 ページ: 736-736
- DOI
  10.3390/cryst10090736
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04248
[雑誌論文] Wafer-scale analysis of GaN substrate wafer by imaging cathodoluminescence2019
- 著者名/発表者名
  Wei Yi, Jun Chen, Seiji Higuchi, Takashi Sekiguchi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 5 ページ: 051005-051005
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab0db8
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04248
[雑誌論文] Oxygen vacancy migration along dislocations in SrTiO3 studied by cathodoluminescence2019
- 著者名/発表者名
  Wang Peng、Yi Wei、Chen Jun、Ito Shun、Cui Can、Sekiguchi Takashi
- 雑誌名
  
  Journal of Physics D: Applied Physics
  
  巻: 52 号: 47 ページ: 475103-475103
- DOI
  10.1088/1361-6463/ab3b3e
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04248
[雑誌論文] Investigation of dislocations in Nb-doped SrTiO3 by electron-beam-induced current and transmission electron microscopy2015
- 著者名/発表者名
  J. Chen, T. Sekiguchi, J. Y. Li, S. Ito, W. Yi, A. Ogura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106 号: 10
- DOI
  10.1063/1.4915298
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820120
[学会発表] Cathodoluminescence study of oxygen vacancy migration along dislocation in SrTiO32020
- 著者名/発表者名
  Jun Chen, Wei Yi, Peng Wang, Shun Ito, Takashi Sekiguchi
- 学会等名
  2020年　第67回応用物理学会春季学術講演会 (開催中止)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04248
[学会発表] Cathodoluminescence Characterization of GaN-based Materials: From Wafer-scale Mapping to Nano-scale 3D analysis2019
- 著者名/発表者名
  Jun Chen, Wei Yi, Takashi Kimura, Takashi Sekiguchi
- 学会等名
  8th International Symposium on Practical Surface Analysis (PSA19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04248
[学会発表] Applications of EBIC in semiconductor research2018
- 著者名/発表者名
  Jun Chen, Takashi Sekiguchi
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Microstructure and Properties of Materials, Hangzhou, China, May27-28
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04248
[学会発表] Application and prospect of electron-beam-induced current technique: from defect characterization to device diagnosis2018
- 著者名/発表者名
  Jun Chen
- 学会等名
  The 19th International Microscope Congress, Sydney, Australia, Sep. 9-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04248
[学会発表] SrTiO3 抵抗スイッチング挙動とNbドーピングの関係2016
- 著者名/発表者名
  陳君, 李建永, 伊藤俊, 羅顕佳, 関口隆史
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス,東京,日本
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820120
[学会発表] Investigation of dislocations in different Nb-doped (100) SrTiO3 single crystals and their impacts on resistance switching2015
- 著者名/発表者名
  Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Jianyong Li, and Shun Ito
- 学会等名
  The 16th DRIP conference
- 発表場所
  Worldhotel grand dushulake, Suzhou, China
- 年月日
  2015-09-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820120
[学会発表] The transition of resistance switching mode in SrTiO3 by Nb doping2015
- 著者名/発表者名
  Jun Chen and Takashi Sekiguchi
- 学会等名
  The 25th Annual Meeting of MRS-J
- 発表場所
  Yokohama Port Opening Plaza,Yokohama, Japan
- 年月日
  2015-12-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820120
[学会発表] Characterization of Pt/SrTiO3 : Nb junction showing resistance switching behavior2010
- 著者名/発表者名
  Li JianYong, CHEN Jun, OKUSHI Hideyo, SAKAGUCHI Isao, SEKIGUCHI Takashi, HANEDA Hajime, OHASHI Naoki
- 学会等名
  7th Asian Meeting on Electroceramics (AMEC-7)
- 発表場所
  サイシュウ島(韓国)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560677
[学会発表] Characterization of Pt/SrTiO3 : Nb junctions by electron beam induced current2010
- 著者名/発表者名
  Li JianYong, CHEN Jun, OHASHI Naoki, OKUSHI Hideyo, SAKAGUCHI Isao, SEKIGUCHI Takashi, HANEDA Hajime
- 学会等名
  3rd International Congress on Ceramics
- 発表場所
  大阪国際会議場(大阪府)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560677
[学会発表] 電子ビーム誘起電流によるPt/SrTi1-xNbxO3接合の抵抗スイッチング特性評価2010
- 著者名/発表者名
  李建永, 大橋直樹i, 陳君, 大串秀世, 関口隆史i, 羽田肇e
- 学会等名
  応用物理学会講演会2010年(平成22年)秋季講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560677
[学会発表] SrTiO3電気抵抗スイッチングに関する転位の影響
- 著者名/発表者名
  陳君、李建永、伊藤俊、関口隆史
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス,神奈川県平塚市,日本
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820120
[学会発表] Title 電子線誘起電流法によるSrTiO3結晶中の転位の電気特性評価
- 著者名/発表者名
  陳君、李建永、Wei Yi、小椋厚志、関口隆史
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス,札幌,日本
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820120
[学会発表] Electron-beam-induced current study of dislocation related defects in (111) SrTiO3 single crystals
- 著者名/発表者名
  J. Chen, J. Y. Li, T. Sekiguchi
- 学会等名
  The 12th BIAMS Conference
- 発表場所
  NAMIKI site, NIMS,Tsukuba,Japan
- 年月日
  2014-06-22 – 2014-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26820120

1. 李建永 (50537173)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件

陳 君 Chen Jun

研究課題

研究成果

共同研究者

Cathodoluminescence study of oxygen vacancy in SrTiO3研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

電子線誘起電流法によってSrTiO3結晶中の転位の電気特性評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強電界下でのペロブスカイト酸化物中の欠陥の緩和挙動の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Electron-Beam-Induced Current and Cathodoluminescence Study of Dislocations in SrTiO32020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Wafer-scale analysis of GaN substrate wafer by imaging cathodoluminescence2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Oxygen vacancy migration along dislocations in SrTiO3 studied by cathodoluminescence2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Investigation of dislocations in Nb-doped SrTiO3 by electron-beam-induced current and transmission electron microscopy2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] Cathodoluminescence study of oxygen vacancy migration along dislocation in SrTiO32020

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Cathodoluminescence Characterization of GaN-based Materials: From Wafer-scale Mapping to Nano-scale 3D analysis2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Applications of EBIC in semiconductor research2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Application and prospect of electron-beam-induced current technique: from defect characterization to device diagnosis2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] SrTiO3 抵抗スイッチング挙動とNbドーピングの関係2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Investigation of dislocations in different Nb-doped (100) SrTiO3 single crystals and their impacts on resistance switching2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] The transition of resistance switching mode in SrTiO3 by Nb doping2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Characterization of Pt/SrTiO3 : Nb junction showing resistance switching behavior2010

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

陳君 Chen Jun