竹内 和歌奈  Takeuchi Wakana

ECS Journal of Solid State Science and Technology

巻: 5 ページ: 3082-3086

Thin Solid Films

巻: 602 ページ: 7-12

Jpn. J. Appl. Phys

210000145039

Appl. Phys. Lett.

巻: 107 号: 2 ページ: 022103-022103

10.1063/1.4926507

ECS Solid State Letters

巻: 4 号: 8 ページ: 59-61

10.1149/2.0041508ssl

信学技報 IEICE Technical Report

巻: 115 ページ: 63-68

特別研究会rゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回研究報告会)

ページ: 131-134

Thin Solid Films

巻: VOL. 30 ページ: 192-196

10.1016/j.tsf.2014.01.031

Thin Solid Films

巻: VOL. 30 ページ: 282-287

10.1016/j.tsf.2013.10.084

特別研究会「ゲートスタック研究会―材料. プロセス・評価の物理―」(第19回研究報告会)

ページ: 37-40

特別研究会「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回研究報告会)

ページ: 13-16

Advanced Materials Research

巻: VOL. 896 ページ: 245-248

10.4028/www.scientific.net/amr.896.241

Thin Solid Films

巻: 30 ページ: 276-281

10.1016/j.tsf.2013.10.088

信学技報

巻: 114 ページ: 113-118

Solid State Electronics

巻: 83 ページ: 56-60

10.1016/j.sse.2013.01.029

Journal of Physics : Conference Series

巻: 417 ページ: 012001-012001

10.1088/1742-6596/417/1/012001

Solid-State Electron

巻: 83 ページ: 82-86

10.1016/j.sse.2013.01.040

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）

ページ: 39-42

Appl. Phys. Lett.

巻: VOL. 103 号: 3 ページ: 33511-33511

10.1063/1.4815925

ECS Trans.

巻: VOL. 58 号: 9 ページ: 301-308

10.1149/05809.0301ecst

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）

ページ: 39-42

Appl. Phys. Lett

巻: 103 号: 8 ページ: 82114-82114

10.1063/1.4819127

Jpn. J. Appl. Phys.

巻: 52 号: 4S ページ: 04CA08-04CA08

10.7567/jjap.52.04ca08

Jpn. J. Appl. Phys.

巻: 52 号: 1S ページ: 01AC04-01AC04

10.7567/jjap.52.01ac04

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）

ページ: 39-42

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第17回研究会）

巻: なし ページ: 125-128

Thin Solid Films

巻: 520 号: 8 ページ: 3206-3210

10.1016/j.tsf.2011.10.084

信学技報

巻: 112 ページ: 37-42

110009588302

Jpn. J. Appl. Phys.

巻: 51 号: 1S ページ: 01AJ01-01AJ01

10.1143/jjap.51.01aj01

210000071710

Thin Solid Films

巻: 520 号: 8 ページ: 3201-3205

10.1016/j.tsf.2011.10.153

ECS Trans.

巻: 50 ページ: 897-902

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第17回研究会）

巻: なし ページ: 129-132

信学技報

巻: 112 ページ: 27-32

Japanese Journal of Applied Physics

巻: 50 号: 4S ページ: 04DA17-04DA17

10.1143/jjap.50.04da17

210000070253

Microelectron. Eng.

巻: 88 号: 4 ページ: 342-346

10.1016/j.mee.2010.10.025

Solid-State Electronics

巻: 60 ページ: 46-52

Microelectron.Eng.

巻: 88 ページ: 342-346

Appl. Phys. Lett.

巻: 98 号: 19

10.1063/1.3589992

特別研究会研究報告ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)

ページ: 51-54

Solid-State Electronics

巻: 60 号: 1 ページ: 53-57

10.1016/j.sse.2011.01.022

特別研究会研究報告ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)

ページ: 99-102

ECS Trans

巻: 41 号: 7 ページ: 231-238

10.1149/1.3633303

Solid-State Electronics

巻: 60 ページ: 84-88

特別研究会研究報告ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)

ページ: 123-126

Microelectron.Eng.

巻: 88 ページ: 605-609

Solid-State Electronics

巻: 60 ページ: 53-57

Solid-State Electronics

巻: 60 号: 1 ページ: 46-52

10.1016/j.sse.2011.01.025

Microelectron. Eng.

巻: 88 号: 5 ページ: 605-609

10.1016/j.mee.2010.08.014

Jpn.J.Appl.Phys.

巻: 50

210000070244

Japanese Journal of Applied Physics

巻: 50 号: 10S ページ: 10PE02-10PE02

10.1143/jjap.50.10pe02

210000071422

特別研究会研究報告ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)

ページ: 55-58

Jpn. J. Appl. Phys.

巻: 50 号: 4S ページ: 04DA08-04DA08

10.1143/jjap.50.04da08

210000070244

Solid-State Electronics

巻: 60 号: 1 ページ: 84-88

10.1016/j.sse.2011.01.023

Jpn.J.Appl.Phys.

巻: 50

210000070253

Physical Status Solidi A 207

ページ: 139-143

Physical Status Solidi A Vol.207

ページ: 139-143

Journal of Applied Physics 106

Journal of Applied Physics Vol.106

Applied Physics Letter 92

Journal of Vacuum Science & Technology B Vol.26

ページ: 1294-1300

Appl.Phys.Lett. Vol.92