佐々木拓生 Sasaki Takuo

研究者番号	90586190
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 関西光量子科学研究所放射光科学研究センター, 上席研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 関西光量子科学研究所放射光科学研究センター, 上席研究員 2023年度 – 2024年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 関西光量子科学研究所放射光科学研究センター, 主幹研究員 2021年度 – 2022年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 関西光科学研究所放射光科学研究センター, 主幹研究員 2019年度 – 2020年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 関西光科学研究所放射光科学研究センター, 主幹研究員(定常) 2016年度 – 2018年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 関西光科学研究所放射光科学研究センター, 主任研究員(定常) … もっと見る 2015年度: 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門量子ビーム応用研究センター, 研究員 2015年度: 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門量子ビーム応用研究センター, 研究員 2014年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門量子ビーム応用研究センター, 任期付研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連 / 薄膜・表面界面物性 / ナノ材料工学研究代表者以外小区分30010:結晶工学関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
キーワード	研究代表者 X線回折 / 分子線エピタキシー / 放射光 / 窒化物半導体 / 放射光X線 / コヒーレントX線 / 結晶成長 / その場観察 / Ｘ線回折 / 窒化ガリウム … もっと見る / その場X線回折 / グラフェン / 窒化物 / MBE成長 / 放射光利用 / MBE / Ｘ線 / 格子欠陥 / 転位 / ナノ構造 / コアシェル / III-V族半導体 / インジウムガリウム砒素 / その場測定 / 放射光X線回折 / ナノワイヤ … もっと見る研究代表者以外ナノコラム / 薄膜 / 量子構造 / 赤色発光 / InGaN / 電子顕微鏡 / ScAlMgO4 / 分子線エピタキシー / 窒化物半導体 / 極性制御 / CMOS / GaN / 窒化アルミニウム / ワイドギャップ半導体 / 極性反転 / 2次元正孔ガス / 2次元電子ガス / 窒化ガリウム / 分子線エピタキシー（MBE） / 赤色LED / X線その場観察 / MBE / ヘテロ界面 / ヘテロエピタキシャル成長 / In系窒化物半導体隠す

実空間結晶成長その場X線観察技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  佐々木拓生
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究
- 研究代表者
  
  荒木努
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  立命館大学
赤色発光素子応用に資するInGaNマトリクスの構造制御
- 研究代表者
  
  山口智広
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  工学院大学
結晶のヘテロ極性制御を利用したGaN CMOSモノリシック集積回路化技術の開発
- 研究代表者
  
  林侑介
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2025
- 研究種目
  
  国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B))
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
In系窒化物半導体ヘテロエピタキシャル成長におけるヘテロ界面制御技術の構築
- 研究代表者
  
  山口智広
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  工学院大学
グラフェンを利用した窒化物自立基板の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  佐々木拓生
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
放射光マイクロビームによる単一転位伝搬追跡手法の確立と窒化物半導体への展開研究代表者
- 研究代表者
  
  佐々木拓生
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
放射光X線によるヘテロ構造ナノワイヤの格子ひずみ解析と界面特性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  佐々木拓生
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  ナノ材料工学
- 研究機関
  国立研究開発法人日本原子力研究開発機構

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Real-time observation of liquid-gallium ordering on epitaxially-grown GaN(0001) by X-ray scattering measurements2024
- 著者名/発表者名
  Sasaki Takuo、Iwata Takuya、Sugitani Kanya、Takahasi Masamitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 2 ページ: 020901-020901
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad1f08
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KK0055
[雑誌論文] Temperature dependence of liquid-gallium ordering on the surface of epitaxially grown GaN2024
- 著者名/発表者名
  Sasaki Takuo、Iwata Takuya、Sugitani Kanya、Kawamura Takahiro、Akiyama Toru、Takahasi Masamitu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 17 号: 2 ページ: 025502-025502
- DOI
  10.35848/1882-0786/ad237b
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KK0055
[雑誌論文] In-situ X-ray diffraction analysis of GaN growth on graphene-covered amorphous substrates2020
- 著者名/発表者名
  Fuke Seiya、Sasaki Takuo、Takahasi Masamitu、Hibino Hiroki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 7 ページ: 070902-070902
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab9760
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[雑誌論文] In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping Measurements in the RF-MBE Growth of GaInN on GaN and InN2019
- 著者名/発表者名
  Yamaguchi Tomohiro、Sasaki Takuo、Fujikawa Seiji、Takahasi Masamitu、Araki Tsutomu、Onuma Takeyoshi、Honda Tohru、Nanishi Yasushi
- 雑誌名
  
  Crystals
  
  巻: 9 号: 12 ページ: 631-631
- DOI
  10.3390/cryst9120631
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298, KAKENHI-PROJECT-19H00874, KAKENHI-PROJECT-17H02778
[雑誌論文] Real-time structural analysis of InGaAs/InAs/GaAs(1 1 1)A interfaces by in situ synchrotron X-ray reciprocal space mapping2019
- 著者名/発表者名
  Takuo Sasaki and Masamitu Takahasi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 512 ページ: 33-36
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.02.007
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02778, KAKENHI-PROJECT-16K17522
[雑誌論文] 放射光その場X線逆格子マッピングによる化合物半導体の結晶成長ダイナミクス2018
- 著者名/発表者名
  佐々木　拓生, 高橋　正光
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 87 ページ: 409-415
- NAID
  130007715777
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17522
[雑誌論文] その場X線回折による窒化物半導体薄膜の結晶成長観察2017
- 著者名/発表者名
  佐々木　拓生, 高橋　正光
- 雑誌名
  
  SPring-8/SACLA利用者情報
  
  巻: 22 ページ: 306-309
- オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17522
[雑誌論文] Nitride-MBE system for in situ synchrotron X-ray measurements2016
- 著者名/発表者名
  Takuo Sasaki, Fumitaro Ishikawa, Tomohiro Yamaguchi, and Masamitu Takahasi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FB05-05FB05
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fb05
- NAID
  210000146496
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790020, KAKENHI-PROJECT-16K17522
[雑誌論文] In situ X-ray diffraction study on the influence of growth conditions on polytypes in gold-catalyzed GaAs nanowires2016
- 著者名/発表者名
  Masamitu Takahasi, Miwa Kozu, and Takuo Sasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790020
[雑誌論文] Mechanisms Determining the Structure of Gold-Catalyzed GaAs Nanowires Studied by in Situ X-ray Diffraction2015
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi, M. Kozu, T. Sasaki, W. Hu
- 雑誌名
  
  Crystal Growth & Design
  
  巻: 15 号: 10 ページ: 4979-4985
- DOI
  10.1021/acs.cgd.5b00915
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054, KAKENHI-PROJECT-26790020
[雑誌論文] その場放射光X線回折によるIII-Vエピ成長のひずみ解析2015
- 著者名/発表者名
  佐々木拓生、高橋正光
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 15 ページ: 210-217
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790020
[産業財産権] データ取得装置、データ補正装置、データ補正方法、プログラム及び記録媒体2022
- 発明者名
  佐々木拓生、高橋正光
- 権利者名
  佐々木拓生、高橋正光
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] その場XRD-RSMを用いたGaN上GaInN Buffer層挿入GaInN RF-MBE成長における格子緩和過程観察2023
- 著者名/発表者名
  竹内丈、佐々木拓生、横山晴香、尾沼猛儀、本田徹、山口智広、名西やすし
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05348
[学会発表] CVD法を用いたサファイア基板上h-BNの合成制御2022
- 著者名/発表者名
  原田哲匡、八木龍斗、川合良知、佐々木拓生、日比野浩樹
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] その場XRD-RSM を用いたRF-MBE GaInNヘテロエピタキシャル成長における緩和過程観察2022
- 著者名/発表者名
  竹内丈、佐々木拓生、藤川誠司、横山晴香、尾沼猛儀、本田徹、山口智広、名西やすし
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05348
[学会発表] Structural analysis in epitaxial growth of GaInN by RF-MBE using XRD-RSM2022
- 著者名/発表者名
  J. Takeuchi, T. Sasaki, H. Yokoyama, T. Onuma, T. Honda, T. Yamaguchi
- 学会等名
  The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05348
[学会発表] Impact of Ga1-xInxN underlayer for growth of Ga1-yInyN/Ga1-xInxN MQW structure2022
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, K. Tahara, J. Yamada, T. Sasaki, H. Yokoyama, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi, and K. Kishino
- 学会等名
  The 9th Advanced Functional Materials & Devices (AFMD) & The 4th Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05348
[学会発表] RF-MBE成長赤色発光MQWにおけるGaInN下地層挿入の効果2022
- 著者名/発表者名
  山口智広、山田純平、富樫理恵、田原開悟、赤川広海、佐々木拓生、村上尚、尾沼猛儀、本田徹、名西やすし、岸野克巳
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05348
[学会発表] c面サファイア上に成長させたグラフェン上におけるGaNリモートエピタキシーのその場XRD解析2022
- 著者名/発表者名
  福家聖也、佐々木拓生、川合良知、日比野浩樹
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] III-Nitride growth dynamics studied by in situ X-ray diffraction2021
- 著者名/発表者名
  Takuo Sasaki and Masamitu Takahasi
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] In situ XRD RSM measurements in MBE growth of GaInN film with low-temperature GaInN buffer layer2021
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, T. Sasaki, T. Kiguchi, S. Ohno, H. Hirukawa, R. Yoshida, T. Onuma, T. Honda, M. Takahasi, T. Araki, Y. Nanishi
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05348
[学会発表] Study on DERI growth of InGaN/InN heterostructures using in situ XRD RSM measurements2021
- 著者名/発表者名
  T. Araki, N. Goto, H. Tachibana, A. Fukuda, S. Kayamoto, R. Nakamura, K. Matsushima, R. Moriya, S. Yabuta, S. Mouri, T. Sasaki, M. Takahashi, T. Yamaguchi
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05348
[学会発表] グラフェンを用いたGaNリモートエピタキシーのその場XRD解析2021
- 著者名/発表者名
  福家聖也、佐々木拓生、川合　良知、日比野浩樹
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] グラフェン/SiC基板上GaN成長におけるAlNバッファ層の影響2021
- 著者名/発表者名
  福家聖也、佐々木拓生、川合良知、日比野浩樹
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] In-situ X-ray diffraction analysis of GaN growth on epitaxial graphene with AlN buffer layer2021
- 著者名/発表者名
  S. Fuke, T. Sasaki, Y. Kawai and H. Hibino
- 学会等名
  The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS9)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] In situ synchrotron X-ray diffraction during III-Nitride semiconductor growth2021
- 著者名/発表者名
  Takuo Sasaki and Masamitu Takahasi
- 学会等名
  SemiconNano2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] GaN上GaInN膜成長初期のSi層挿入数に対する格子緩和過程の変化2021
- 著者名/発表者名
  横山晴香、山口智広、佐々木拓生、大野颯一朗、木口賢紀、比留川大輝、藤川誠司、高橋正光、尾沼猛儀、本田徹
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] In situ XRD RSM measurements in MBE growth of GaInN film with low-temperature GaInN buffer layer2021
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Yamaguchi, Takuo Sasaki, Takanori Kiguchi, Soichiro Ohno, Hiroki Hirukawa, Ryosuke Yoshida, Takeyoshi Onuma, Tohru Honda, Masamitu Takahasi, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] GaN上GaInN膜成長初期のSi層挿入数に対する格子緩和過程の変化2021
- 著者名/発表者名
  横山晴香、山口智広、佐々木拓生、大野颯一朗、木口賢紀、比留川大輝、藤川誠司、高橋正光、尾沼猛儀、本田徹
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05348
[学会発表] AlNバッファ層を用いたグラフェン/SiC基板上におけるGaN成長2021
- 著者名/発表者名
  福家聖也、佐々木拓生、川合良知、日比野浩樹
- 学会等名
  応用物理学会関西支部2021年度第２回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] 二次元物質上でのGaN成長のその場観察2020
- 著者名/発表者名
  日比野浩樹、福家聖也、佐々木拓生
- 学会等名
  JAEA物質科学センターシンポジウム2020
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] 放射光による結晶成長のオペランド計測と「次世代」の方向性2020
- 著者名/発表者名
  佐々木　拓生
- 学会等名
  科学技術未来戦略ワークショップ
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] 放射光X線散乱による窒化物薄膜成長表面のその場構造解析2020
- 著者名/発表者名
  佐々木　拓生、高橋　正光
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] GaInN/GaN成長時の格子緩和に対するSiアンチサーファクタントの効果2020
- 著者名/発表者名
  横山晴香、山口智広、佐々木拓生、大野颯一朗、木口賢紀、比留川大輝、藤川誠司、高橋正光、尾沼猛儀、本田徹
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05348
[学会発表] ヘテロエピ薄膜成長の放射光その場 X 線逆格子マッピング2020
- 著者名/発表者名
  佐々木　拓生、高橋　正光
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] グラフェン上GaN成長へのAlNバッファ層の影響2020
- 著者名/発表者名
  福家聖也、佐々木拓生、牧野竜市、日比野浩樹
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] GaInN/GaN成長時の格子緩和過程に対するSiアンチサーファクタント効果2020
- 著者名/発表者名
  横山晴香、山口智広、佐々木拓生、大野颯一朗、木口賢紀、比留川大輝、藤川誠司、高橋正光、尾沼猛儀、本田徹
- 学会等名
  第81回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] サファイア上GaN成長に対する単層二硫化モリブデンバッファ層の影響2019
- 著者名/発表者名
  小松直人、高橋正光、佐々木拓生、高田匡平、牧野竜市、日比野浩樹
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298
[学会発表] N極性GaN上の液体Ga層のその場X線構造解析2019
- 著者名/発表者名
  佐々木　拓生, 高橋　正光
- 学会等名
  第６６回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17522
[学会発表] GaN表面上Ga吸着層の秩序構造2018
- 著者名/発表者名
  佐々木　拓生, 岩田　卓也, 高橋　正光
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17522
[学会発表] GaN表面上Ga吸着層の構造解析2018
- 著者名/発表者名
  佐々木　拓生, 岩田　卓也, 高橋　正光
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17522
[学会発表] MBE成長GaNナノワイヤにおけるイエロールミネッセンスの抑制2018
- 著者名/発表者名
  上杉　智洋, 佐々木　拓生, 高橋　正光
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17522
[学会発表] GaN表面上Ga吸着層の構造解析2018
- 著者名/発表者名
  佐々木　拓生, 岩田　卓也, 高橋　正光
- 学会等名
  第１０回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17522
[学会発表] 窒化物半導体成長のその場X線回折測定2018
- 著者名/発表者名
  高橋　正光, 佐々木　拓生, 山口　智広
- 学会等名
  第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17522
[学会発表] Real-time structural analysis of InGaAs/InAs/GaAs(111)A interfaces by in situ synchrotron X-ray reciprocal space mapping2018
- 著者名/発表者名
  佐々木　拓生, 高橋　正光
- 学会等名
  The 20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17522
[学会発表] GaN表面のX線CTR散乱測定2018
- 著者名/発表者名
  佐々木　拓生, 岩田　卓也, 高橋　正光
- 学会等名
  第31回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17522
[学会発表] Ga-bilayer/GaN表面の X線CTR散乱測定2017
- 著者名/発表者名
  佐々木　拓生, 高橋　正光
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17522
[学会発表] 窒化ガリウム結晶成長表面のCTR散乱測定2017
- 著者名/発表者名
  佐々木　拓生, 高橋　正光
- 学会等名
  第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17522
[学会発表] GaN 上およびInN 上GaInN 成長における成長初期過程の観察2017
- 著者名/発表者名
  山口智広, 佐々木　拓生, 高橋　正光, 尾沼猛儀, 本田徹, 荒木努, 名西やすし
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17522
[学会発表] Strain Relaxation Analysis Using In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in RF-MBE Growth of GaInN2016
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahasi, T. Honda, T. Onuma, Y. Nanishi
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  Nagoya Congress Center
- 年月日
  2016-08-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17522
[学会発表] その場放射光X線回折によるMBE成長窒化物半導体のひずみ緩和観測2016
- 著者名/発表者名
  佐々木拓生、出来亮太、石川史太郎、山口智広、高橋正光
- 学会等名
  第63回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790020
[学会発表] 窒化物半導体結晶成長の放射光その場X線回折2016
- 著者名/発表者名
  佐々木拓生、高橋正光
- 学会等名
  第29回日本放射光学会
- 発表場所
  東京大学柏の葉キャンパス駅前サテライト（千葉県柏市）
- 年月日
  2016-01-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790020
[学会発表] In situ studies of strain evolution iIn molecular beam epitaxial growth of GaN using synchrotron X-ray diffraction2015
- 著者名/発表者名
  Takuo Sasaki and Masamitu Takahasi
- 学会等名
  第34回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖（滋賀県守山市）
- 年月日
  2015-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790020
[学会発表] In situ synchrotron X-ray diffraction during GaN/SiC(0001) heteroepitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Takuo Sasaki, Ryota Deki and Masamitu Takahasi
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長国際会議（ISGN-6)
- 発表場所
  アクトシティ浜松（静岡県浜松市）
- 年月日
  2015-09-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790020
[学会発表] 窒化物半導体結晶成長の放射光その場X線回折2015
- 著者名/発表者名
  佐々木拓生、高橋正光
- 学会等名
  第７回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東北大学片平キャンパス（宮城県仙台市）
- 年月日
  2015-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790020
[学会発表] Au触媒GaAsナノワイヤの構造多形メカニズム2015
- 著者名/発表者名
  佐々木拓生、出来亮太、高橋正光
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790020
[学会発表] X線小角散乱によるナノワイヤ成長中のAu触媒形状観測2014
- 著者名/発表者名
  佐々木拓生、出来亮太、高橋正光
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（札幌市北区）
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790020

1. 山口智広 (50454517)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 13件
2. 日比野浩樹 (60393740)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
3. 村上尚 (90401455)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
4. 林侑介 (00800484)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 上杉謙次郎 (40867305)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 宮本恭幸 (40209953)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 三宅秀人 (70209881)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 荒木努 (20312126)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 藤井高志 (60571685)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 出浦桃子 (90609299)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 富樫理恵 (50444112)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 高橋正光

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件

佐々木 拓生 Sasaki Takuo

研究課題

研究成果

共同研究者

実空間結晶成長その場X線観察技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

赤色発光素子応用に資するInGaNマトリクスの構造制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

結晶のヘテロ極性制御を利用したGaN CMOSモノリシック集積回路化技術の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

In系窒化物半導体ヘテロエピタキシャル成長におけるヘテロ界面制御技術の構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

グラフェンを利用した窒化物自立基板の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

放射光マイクロビームによる単一転位伝搬追跡手法の確立と窒化物半導体への展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

放射光X線によるヘテロ構造ナノワイヤの格子ひずみ解析と界面特性制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Real-time observation of liquid-gallium ordering on epitaxially-grown GaN(0001) by X-ray scattering measurements2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Temperature dependence of liquid-gallium ordering on the surface of epitaxially grown GaN2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] In-situ X-ray diffraction analysis of GaN growth on graphene-covered amorphous substrates2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping Measurements in the RF-MBE Growth of GaInN on GaN and InN2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Real-time structural analysis of InGaAs/InAs/GaAs(1 1 1)A interfaces by in situ synchrotron X-ray reciprocal space mapping2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 放射光その場X線逆格子マッピングによる化合物半導体の結晶成長ダイナミクス2018

著者名/発表者名

雑誌名

佐々木拓生 Sasaki Takuo