安達正芳 Adachi Masayoshi

研究者番号	90598913
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東北大学, 多元物質科学研究所, 講師
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2023年度: 東北大学, 多元物質科学研究所, 講師 2012年度 – 2021年度: 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 学術変革領域研究区分(Ⅱ) / 小区分30010:結晶工学関連 / 応用物理工学およびその関連分野 / 結晶工学 / 金属生産工学研究代表者以外中区分26:材料工学およびその関連分野
キーワード	研究代表者窒化アルミニウム / 結晶成長 / 液相成長 / 気相成長 / エピタキシャル成長 / Ga-Alフラックス / バルクAlN単結晶 / 高温融体物性 / ガスジェット浮遊法 / 電磁浮遊法 … もっと見る / 非接触浮遊法 / 融体物性 / バルク結晶 / 液相成長法 / 電子・電気材料 / 蒸発 / 金属生産工学 / 結晶工学 / 融液熱物性 / 窒化アルニミウム / 結晶育成 … もっと見る研究代表者以外計算計測融合 / ガス浮遊 / 浮遊測定法 / 表面張力 / 溶融金属 / 高温熱物性 / ガス浮遊法 / 数値流体力学 / 熱物性計測 / ガスジェット浮遊法隠す

バルクAlN結晶の低温気相成長法の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  安達正芳
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  東北大学
計算計測融合アプローチに基づく高温高反応性溶融体の熱物性測定の新展開
- 研究代表者
  
  阿部圭晃
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2023
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分26:材料工学およびその関連分野
- 研究機関
  東北大学
非接触浮遊法を用いた広温度範囲での高精度融液熱物性測定研究代表者
- 研究代表者
  
  安達正芳
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2023
- 研究種目
  
  学術変革領域研究(A)
- 審査区分
  
  学術変革領域研究区分(Ⅱ)
- 研究機関
  東北大学
Ni-Al合金融液を用いた新規AlNバルク単結晶作製技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  安達正芳
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  東北大学
Ga-Al融液からのAl蒸発を用いたシンプルなAlN気相成長法の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  安達正芳
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 研究分野
  
  応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  東北大学
Gaを用いたAlNの独自液相成長法の技術開発と融液ダイナミクスからの技術向上研究代表者
- 研究代表者
  
  安達正芳
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2017
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  東北大学
新規液相成長法による単結晶窒化アルミニウムの作製と成長機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  安達正芳
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2013
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  金属生産工学
- 研究機関
  東北大学

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すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Temperature dependence of crystal growth behavior of AlN on Ni-Al using electromagnetic levitation and computer vision technique2023
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi , Sonoko Hamaya , Daisuke Morikawa , Benjamin G. Pierce , Ahmad M. Karimi , Yuji Yamagata , Kenji Tsuda , Roger H. French , Hiroyuki Fukuyama
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 153 ページ: 107167-107167
- DOI
  10.1016/j.mssp.2022.107167
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02633
[雑誌論文] Synthesis of AlN single crystal by solution growth method using type 430 ferritic stainless steel flux2023
- 著者名/発表者名
  Li Sen、Adachi Masayoshi、Ohtsuka Makoto、Fukuyama Hiroyuki
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 13 号: 8
- DOI
  10.1063/5.0161962
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04609, KAKENHI-PROJECT-20H02633
[雑誌論文] In situ observations of the dissolution of an AlN film into liquid Al using a high-temperature microscope2022
- 著者名/発表者名
  Adachi Masayoshi、Fujiwara Keigo、Sekiya Ryuta、Kobatake Hidekazu、Ohtsuka Makoto、Fukuyama Hiroyuki
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 142 ページ: 106469-106469
- DOI
  10.1016/j.mssp.2022.106469
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02633
[雑誌論文] Composition Dependence of Normal Spectral Emissivity of Liquid Ni–Al Alloys2021
- 著者名/発表者名
  Adachi Masayoshi、Yamagata Yuji、Watanabe Manabu、Hamaya Sonoko、Ohtsuka Makoto、Fukuyama Hiroyuki
- 雑誌名
  
  ＩＳＩＪ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
  
  巻: 61 号: 3 ページ: 684-689
- DOI
  10.2355/isijinternational.ISIJINT-2020-233
- NAID
  130007999454
- ISSN
  0915-1559, 1347-5460
- 年月日
  2021-03-15
- 言語
  英語
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02633
[雑誌論文] In‐situ observation of AlN formation from Ni‐Al solution using an electromagnetic levitation technique2020
- 著者名/発表者名
  Adachi Masayoshi、Hamaya Sonoko、Yamagata Yuji、Loach Andrew J.、Fada Justin S.、Wilson Laura G.、French Roger H.、Carter Jennifer L. W.、Fukuyama Hiroyuki
- 雑誌名
  
  Journal of the American Ceramic Society
  
  巻: 103 号: 4 ページ: 2389-2398
- DOI
  10.1111/jace.16960
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K19067
[雑誌論文] Non-Polar a-Plane AlN Growth on Nitrided r-Plane Sapphire by Ga-Al Liquid-Phase Epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Adachi Masayoshi、Fukuyama Hiroyuki
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B
  
  巻: 印刷中号: 5
- DOI
  10.1002/pssb.201700478
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[雑誌論文] Effects of Growth Conditions on AlN Layer Grown by Ga-Al Liquid Phase Epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Masaoyshi Adachi, Ryuta Sekiya, Hiroyuki Fukuyama
- 雑誌名
  
  MATERIALS TRANSACTIONS
  
  巻: 58 号: 3 ページ: 509-512
- DOI
  10.2320/matertrans.M2016413
- NAID
  130005397732
- ISSN
  1345-9678, 1347-5320
- 言語
  英語
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[雑誌論文] Polarity inversion and growth mechanism of AlN layer grown on nitrided sapphire substrate using Ga-Al liquid-phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Mari Takasugi, Masashi Sugiyama, Junji Iida, Akikazu Tanaka, and Hiroyuki Fukuyama
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B
  
  巻: 252 号: 4 ページ: 743-747
- DOI
  10.1002/pssb.201451426
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[雑誌論文] Ga-Alフラックスを用いたAlNの液相エピタキシャル成長2014
- 著者名/発表者名
  福山博之，安達正芳
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 41 ページ: 124-130
- NAID
  130003388700
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[雑誌論文] High-quality AlN layer homoepitaxially grown on nitrided a-plane sapphire2013
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Kenji Tsuda, Masashi Sugiyama, Junji Iida, Akikazu Tanaka, and Hiroyuki Fukuyama
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 6 号: 9 ページ: 91001-3
- DOI
  10.7567/apex.6.091001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611, KAKENHI-PROJECT-25630272
[雑誌論文] Analysis of the Dislocation and polarity in an AlN layer grown using Ga-Al flux2012
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Mari Takasugi, Daisuke Morikawa, Kenji Tsuda, Akikazu Tanaka, Hiroyuki Fukuyama
- 雑誌名
  
  Applied Physics express
  
  巻: vol.5 号: 10 ページ: 101001-3
- DOI
  10.1143/apex.5.101001
- NAID
  40019455578
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[産業財産権] 窒化アルミニウム結晶の製造方法2013
- 発明者名
  大保安宏,杉山正史,飯田潤二,福山博之,安達正芳
- 産業財産権番号
  2013-111290
- 出願年月日
  2013-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[産業財産権] 窒化アルミニウム結晶の製造方法2013
- 発明者名
  福山博之,安達正芳,飯田潤二,杉山正史,大保安宏
- 産業財産権番号
  2013-261161
- 出願年月日
  2013-12-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[産業財産権] 窒化アルミニウム結晶の製造方法2013
- 発明者名
  福山博之,安達正芳,飯田潤二,杉山正史,大保安宏
- 産業財産権番号
  2013-156766
- 出願年月日
  2013-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] 溶融Fe-Cr-Ni合金を用いた溶液成長法におけるAlN結晶の成長形態に及ぼす温度の影響2024
- 著者名/発表者名
  新野田剛, 安達正芳, 大塚誠, 福山博之
- 学会等名
  日本金属学会2024年春期(第174回)講演大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02633
[学会発表] 溶融Fe-Cr-Ni合金を用いた溶液成長法によるAlN結晶成長に及ぼす冷却速度の影響2024
- 著者名/発表者名
  大塚誠, 新野田剛, 安達正芳, 福山博之
- 学会等名
  日本金属学会2024年春期(第174回)講演大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02633
[学会発表] 電磁浮遊法を用いたTi-Nb合金融液の垂直分光放射率測定2023
- 著者名/発表者名
  安達正芳, 小笠原遼, 大塚誠, 福山博之
- 学会等名
  日本金属学会2024年春期(第174回)講演大会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22H05271
[学会発表] Density and surface tension measurement of Ti-Nb melts using electromagnetic levitation technique2023
- 著者名/発表者名
  Ryo Ogasawara, Masayoshi Adachi, Makoto Ohtsuka, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  22nd European Conference on Thermophysical Properties (ECPT2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22H05271
[学会発表] Solution Growth of AlN single crystal in Fe-Cr flux2023
- 著者名/発表者名
  李森, 安達正芳, 大塚誠, 福山博之
- 学会等名
  日本金属学会2023年秋期(第173回)講演大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02633
[学会発表] 静磁場印加電磁浮遊法によるTi-Nb合金融体の密度測定2023
- 著者名/発表者名
  小笠原遼, 安達正芳, 大塚誠, 福山博之
- 学会等名
  日本金属学会2023年春期(第172回)講演大会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22H05271
[学会発表] Thermophysical property measurement of Ti-Nb melts using electromagnetic levitation technique2023
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Ryo Ogasawara, Makoto Ohtsuka, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  Creation of Materials by Super-Thermal Field (CMSTF2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22H05271
[学会発表] Surface tension measurement of Cu2S-FeS melts by aerodynamic and electromagnetic levitation techniques2023
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Ryoya Masaoka, Masahito Watanabe, Makoto Ohtsuka, Jun-ichi Takahashi, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  ECPT2023: 22nd European Conference on Thermophysical Properties
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18898
[学会発表] Ni-Alフラックス法によるAlNの結晶成長挙動に及ぼす坩堝材の影響2023
- 著者名/発表者名
  朴珉秀, 大塚誠, 安達正芳, 福山博之
- 学会等名
  日本金属学会2023年春期(第172回)講演大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02633
[学会発表] Synthesis of AlN Single Crystal by Solution Growth Method in SUS430 Flux2023
- 著者名/発表者名
  李森, 福山博之, 大塚誠, 安達正芳
- 学会等名
  日本金属学会2023年春期(第172回)講演大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02633
[学会発表] 電磁浮遊法によるTi-Nb合金融体の表面張力測定2023
- 著者名/発表者名
  小笠原遼, 安達正芳, 大塚誠, 福山博之
- 学会等名
  日本金属学会2023年秋期(第173回)講演大会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22H05271
[学会発表] 溶融Fe-Cr-Ni合金におけるAlN溶解度積の熱力学的検討2023
- 著者名/発表者名
  新野田剛, 安達正芳, 大塚誠, 福山博之
- 学会等名
  日本金属学会2023年秋期(第173回)講演大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02633
[学会発表] Fabrication of AlN Single Crystal by Solution Growth Method using Ferritic Stainless Steel Flux2023
- 著者名/発表者名
  Sen LI, Masayoshi Adachi, Makoto Ohtsuka, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  The 14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02633
[学会発表] Analysis of oscillation behavior of droplet in aerodynamic levitation2023
- 著者名/発表者名
  Shingo Ishihara, Yoshiaki Abe, Masayoshi Adachi
- 学会等名
  ECPT2023: 22nd European Conference on Thermophysical Properties
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18898
[学会発表] Fe-Al 融液を原料とした針状 AlN 単結晶の気相成長における温度の影響2023
- 著者名/発表者名
  飴井千晃, 福山博之, 大塚誠, 安達正芳, 得地悠希
- 学会等名
  日本金属学会2023年秋期(第173回)講演大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17884
[学会発表] Surface tension and viscosity measurement of molten materials using aerodynamic levitation technique2023
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Masahito Watanabe, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  International Conference on Materials Science and Engineering (Materials Oceania 2023)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18898
[学会発表] Development of a correction method for surface tension measured by aerodynamic levitation2022
- 著者名/発表者名
  Shingo Ishihara, Yoshiaki Abe, Masayoshi Adachi, Junya Kano
- 学会等名
  the 13th Asian Thermophysical Properties Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18898
[学会発表] Surface tension measurement of copper matte melts using an aerodynamic levitation technique2022
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Masahito Watanabe, Makoto Ohtsuka, Jun-ichi Takahashi, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  the 13th Asian Thermophysical Properties Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18898
[学会発表] 高温高反応性溶融金属の熱物性測定に向けたガス浮遊法の数値解析2022
- 著者名/発表者名
  阿部圭晃，石原真吾，安達正芳
- 学会等名
  日本機械学会年会講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18898
[学会発表] Growth Behavior of AlN on AlN/Sapphire Substrates by Solution Growth Using Molten Ni-Al Alloy2022
- 著者名/発表者名
  Minsoo PARK, Makoto OHTSUKA, Masayoshi ADACHI, Hiroyuki FUKUYAMA
- 学会等名
  日本金属学会2022年秋期(第171回)講演大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02633
[学会発表] Effects of surface temperature on stability of aerodynamic levitation technique2022
- 著者名/発表者名
  Yoshiaki Abe, Masayoshi Adachi, Shingo Ishihara
- 学会等名
  the 13th Asian Thermophysical Properties Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18898
[学会発表] AlN Growth Behavior on Ni-Al Liquid Solution2019
- 著者名/発表者名
  M. Adachi, S. Sonoko, A. Kanbara, L.G. Wilson, B.G. Pierce, A.M. Karimi, R.H. French, J.L.W. Carter, H. Fukuyama
- 学会等名
  4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD4)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K19067
[学会発表] Compositiondependence of normal spectral emissivity of liquid Ni-Al alloys measured by electromagnetic levitation technique2019
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Yuji Yamagata, Makoto Ohtsuka, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  The 12th Interntional Workshop on Subsecond Thermophysics (IWSSTP-2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K19067
[学会発表] 電磁浮遊法を用いた溶融Ni-AlからのAlN生成とその観察2018
- 著者名/発表者名
  安達正芳，浜谷苑子，山片裕司，大塚誠，福山博之
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] In-Situ observation of liquid phase epitaxial growth of an AlN layer by optical microscopy2018
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Keigo Fujiwara, Hidekazu Kobatake, Makoto Ohtsuka, and Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  Twentieth Symposium on Thermophysical Properties
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K19067
[学会発表] 静磁場印加電磁浮遊法を用いた溶融Ni-Al合金からのAlN生成挙動観察2017
- 著者名/発表者名
  浜谷苑子，佐藤明香輪，安達正芳，福山博之
- 学会等名
  日本金属学会春季講演大会
- 発表場所
  首都大学東京（東京都，八王子市）
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] 静磁場印加電磁浮遊法を用いた溶融Ni-Al合金からのAlN生成挙動観察2017
- 著者名/発表者名
  浜谷苑子，佐藤明香輪，安達正芳，福山博之
- 学会等名
  日本金属学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] a-plane AlN layer fabricated by Ga-Al liquid phase epitaxy on nitrided r-plane sapphire substrate with off-cut angle2017
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] In-situ observation of AlN formation from Ni-Al melts2017
- 著者名/発表者名
  Sonoko Hamaya, Akari Sato, Masayoshi Adachi, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] AlN Crystal Growth Using Vaporized Al from Ga-Al flux with Nitrogen Injection2017
- 著者名/発表者名
  Keigo Takahashi, Masayoshi Adachi, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K19067
[学会発表] Ga-Al融液を用いたAlN結晶気相成長法における炉内圧力が結晶成長に及ぼす影響2017
- 著者名/発表者名
  高橋慧伍，安達正芳，福山博之
- 学会等名
  日本金属学会春季講演大会
- 発表場所
  首都大学東京（東京都，八王子市）
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Ga-Al融液を用いたAlN結晶気相成長法における炉内圧力が結晶成長に及ぼす影響2017
- 著者名/発表者名
  高橋慧伍，安達正芳，福山博之
- 学会等名
  日本金属学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K19067
[学会発表] Liquid phase epitaxial growth of AlN layer on nitrided sapphire templates using Ga-Al solution2017
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  3rd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  東北大学（宮城県，仙台市）
- 年月日
  2017-01-16
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Ga-Al液相法によるr面サファイア上へのa面AlN膜作製2016
- 著者名/発表者名
  安達正芳，福山博之
- 学会等名
  応用物理学会　秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県，新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Surface nitridation of r-plane sapphire substrate and Ga-Al solution growth of AlN on the substrate2016
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県，名古屋市）
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Ni-Al系溶融合金からのAlN生成挙動のその場観察2016
- 著者名/発表者名
  浜谷苑子，佐藤明香輪，安達正芳，福山博之
- 学会等名
  日本金属学会秋季講演大会
- 発表場所
  大阪大学（大阪府，豊中市）
- 年月日
  2016-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] r面サファイアの窒化によるa面AlN薄膜の形成とGa-Al液相法によるその厚膜化2016
- 著者名/発表者名
  安達正芳，福山博之
- 学会等名
  日本結晶成長学会　ナノ構造エピタキシャル成長分科会　第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学（京都府，京都市）
- 年月日
  2016-05-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Ga-Al融液を原料とする減圧下でのAlN気相成長2016
- 著者名/発表者名
  高橋慧伍，安達正芳，福山博之
- 学会等名
  日本金属学会秋季講演大会
- 発表場所
  大阪大学（大阪府，豊中市）
- 年月日
  2016-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Fabrication of a-plane AlN on r-plane sapphire substrate by sapphire nitridation and Ga-Al liquid phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
- 発表場所
  Orlando, Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Ga-Al 液相法を用いた窒化サファイア基板上へのAlN成長と極性反転2016
- 著者名/発表者名
  安達正芳
- 学会等名
  日本鉄鋼協会　H27年度高温プロセス部会若手フォーラム研究会
- 発表場所
  東京都市大学（東京都，世田谷区）
- 年月日
  2016-02-12
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Nitrogen Solubility Measurement of Ga-Al Melts by a Chemical Equilibrium Method2016
- 著者名/発表者名
  Zaka Ruhma, 安達正芳，小畠秀和，福山博之
- 学会等名
  日本金属学会秋季講演大会
- 発表場所
  大阪大学（大阪府，豊中市）
- 年月日
  2016-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Ga-Alを用いたAlN液相成長における成長条件と成長速度2015
- 著者名/発表者名
  安達正芳，関谷竜太
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県，名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Wettability measurement of nitrided sapphire substrate by Ga-Al solution using a sessile drop method2015
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Kosuke Yasutake, Noritaka Saito, Kunihiko Nakashima, and Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  19th Symposium on Thermophysical Properties
- 発表場所
  Boulder, CO（USA）
- 年月日
  2015-06-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Effects of growth temperature and solution composition on AlN layer grown by Ga-Al liquid phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Ryuta Sekiya, and Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
- 発表場所
  アクトシティ浜松（静岡県，浜松市）
- 年月日
  2015-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Effect of misorientation angles of a-plane sapphire substrates on crystal quality and surface morphorogy of AlN film grown by nitridation method2015
- 著者名/発表者名
  Zaka Ruhma, Makoto Ohtsuka, Masayoshi Adachi, and Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会　2015年春季講演大会　第7回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東北大学（宮城県，仙台市）
- 年月日
  2015-05-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Ga-Al液相成長法により成長したAlNの極性反転構造2015
- 著者名/発表者名
  安達正芳，福山博之
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会　2015年春季講演大会　第7回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東北大学（宮城県，仙台市）
- 年月日
  2015-05-07
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Al極性AlN膜基板上への低酸素分圧下におけるAlN膜液相成長2014
- 著者名/発表者名
  関谷竜太，安達正芳，大塚誠，福山博之
- 学会等名
  日本金属学会　2014年春季講演大会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] 固液界面制御による単結晶AlN膜の結晶成長2014
- 著者名/発表者名
  福山博之,安達正芳
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2014-03-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Al極性AlN膜基板上への低酸素分圧下におけるAlN膜液相成長2014
- 著者名/発表者名
  関谷竜太,安達正芳,大塚誠,福山博之
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2014-03-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Al液相法を用いた窒化サファイア基板上AlN膜成長2014
- 著者名/発表者名
  安達正芳，福山博之，杉山正史，飯田潤二
- 学会等名
  日本鉄鋼協会　第167回春季講演大会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Al液相法を用いた窒化サファイア基板上AlN膜成長2014
- 著者名/発表者名
  安達正芳,福山博之,杉山正史,飯田潤二
- 学会等名
  日本鉄鋼協会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2014-03-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] 固液界面制御による単結晶AlN膜の結晶成長2014
- 著者名/発表者名
  福山博之，安達正芳
- 学会等名
  日本金属学会　2014春季講演大会
- 発表場所
  東京
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Liquid phase epitaxial growth of AlN on nitrided sapphire substrate using Ga-Al solution2013
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Mari Takasugi, Masashi Sugiyama, Junji Iida, Akikazu Tanaka, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  2013JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2013-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Al液相成長法により成長したAlNの極性と成長メカニズム2013
- 著者名/発表者名
  安達正芳,高杉茉里,杉山正史,飯田潤二,田中明和,福山博之
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会
- 発表場所
  大阪
- 年月日
  2013-06-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Alを用いたAlNの液相成長における結晶極性と成長機構2013
- 著者名/発表者名
  安達正芳，杉山正史，飯田潤二，田中明和，福山博之
- 学会等名
  日本結晶成長学会　結晶成長国内会議
- 発表場所
  長野
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Al solution growth of high-quality AlN on nitrided a-plane sapphire2013
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Kenji Tsuda, Masashi Sugiyama, Junji Iida, Akikazu Tanaka, and Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  The Sixth Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2013)
- 発表場所
  Tamsui, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Alを用いたAlNの液相成長における結晶極性と成長機構2013
- 著者名/発表者名
  安達正芳,杉山正史,飯田潤二,田中明和,福山博之
- 学会等名
  日本結晶成長学会
- 発表場所
  長野
- 年月日
  2013-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Al液相法により成長したAlN膜の極性反転構造2013
- 著者名/発表者名
  安達正芳,津田健治,渡邊郁磨,杉山正史,飯田潤二,田中明和,福山博之
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] 大気中熱処理によるa面サファイア基板の表面性状の変化と表面窒化に及ぼす影響2013
- 著者名/発表者名
  関谷竜太，安達正芳，大塚誠，福山博之
- 学会等名
  日本金属学会　2013秋季講演大会
- 発表場所
  金沢
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Liquid phase epitaxial growth of AlN on nitirded sapphire substrate using Ga-Al solution2013
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Masashi Sugiyama, Junji Iida, Akikazu Tanaka, and Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Alフラックスを用いたAlNの液相エピタキシャル成長法の開発2013
- 著者名/発表者名
  安達正芳，福山博之，杉山正史，飯田潤二，田中明和
- 学会等名
  日本金属学会　2013秋季講演大会
- 発表場所
  金沢
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Al solution growth of high-quality AlN on nitrided a-plane sapphire2013
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Kenji Tsuda, Masashi Sugiyama, Junji Iida, Akikazu Tanaka, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  The Sixth Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  台湾,淡水
- 年月日
  2013-05-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Al液相法により成長したAlN膜の極性反転構造2013
- 著者名/発表者名
  安達正芳，津田健治，渡邊郁磨，杉山正史，飯田潤二，田中明和，福山博之
- 学会等名
  2013年春季　第60回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Polarity inversion and growth mechanism of AlN layer grown on nitrided sapphire using Ga-Al flux2013
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi,Mari Takasugi,Masashi Sugiyama, Junji Iida, Akikazu Tanaka, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  10th International Conference on Nitrided Semiconductors
- 発表場所
  アメリカ,ワシントンDC
- 年月日
  2013-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Growth of high quality AlN layer and its polarity control by LPE using Ga-Al flux2013
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Fukuyama, Masayoshi Adachi, Mari Takasugi, Masashi Sugiyama, Junji Iida, Akikazu Tanaka
- 学会等名
  Photonics West-OPTO
- 発表場所
  アメリカ,サンフランシスコ
- 年月日
  2013-02-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Growth of high quality AlN layer and its polarity control by LPE using Ga-Al flux2013
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Fukuyama, Masayoshi Adachi, Mari Takasugi, Masashi Sugiyama, Junji Iida, and Akikazu Tanaka
- 学会等名
  Photonics West-OPTO
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Polarity inversion and growth mechanism of AlN layer grown on nitrided sapphire using Ga-Al flux2013
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Mari Takasugi, Masashi Sugiyama, Junji Iida, Akikazu Tanaka, and Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington, DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] 大気中熱処理によるa面サファイア基板の表面性状の変化と表面窒化に及ぼす影響2013
- 著者名/発表者名
  関谷竜太,安達正芳,大塚誠,福山博之
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  金沢
- 年月日
  2013-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Alフラックスを用いたAlNの液相エピタキシャル成長法の開発2013
- 著者名/発表者名
  安達正芳,福山博之,杉山正史,飯田潤二,田中明和
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  金沢
- 年月日
  2013-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Al液相成長法により成長したAlNの極性と成長メカニズム2013
- 著者名/発表者名
  安達正芳，高杉茉里，杉山正史，飯田潤二，田中明和，福山博之
- 学会等名
  日本結晶成長学会　ナノ構造・エピタキシャル成長分科会　2013春季講演会
- 発表場所
  大阪
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Alフラックスを用いた窒化a面サファイア基板上への高品質AlN成長2012
- 著者名/発表者名
  安達正芳,杉山正史,田中明和,福山博之
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  愛媛
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] High quality AlN layer homoepitaxially grown on nitrided a-plane sapphire using Ga-Al flux2012
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Masashi Sugiyama, Akikazu Tanaka, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2012-10-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] High quality AlN layer homoepitaxially grown on nitrided a-plane sapphire using Ga-Al flux2012
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Masashi Sugiyama, Akikazu Tanaka, and Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductor (IWN)
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Al液相成長法を用いたAlN成長における酸素分圧の影響2012
- 著者名/発表者名
  高杉茉里，安達正芳，杉山正史，田中明和，福山博之
- 学会等名
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Influence of oxygen partial pressure on the growth of aluminum nitride layer using Ga-Al flux2012
- 著者名/発表者名
  Mari Takasugi, Masayoshi Adachi, Masashi Sugiyama, Akikazu Tanaka, and Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductor (IWN)
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Effect of oxygen partial pressure on the growth of single-crystalline aluminum nitride layer using liquid phase epitaxy technique2012
- 著者名/発表者名
  Mari Takasugi, Masayoshi Adachi, Masashi Sugiyama, Akikazu Tanaka, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  サンクトペテルブルグ,ロシア
- 年月日
  2012-07-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Annealing effect for unification of in-plane domain in AlN layers grown from Ga-Al flux2012
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Masashi Sugiyama, Akikazu Tanaka, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  サンクトペテルブルグ,ロシア
- 年月日
  2012-07-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Effect of oxygen partial pressure on the growth of single-crystalline aluminum nitride layer using liquid phase epitaxy technique2012
- 著者名/発表者名
  Mari Takasugi, Masayoshi Adachi, Masashi Sugiyama, Akikazu Tanaka, and Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  International Symposium On Growth of III-Nitrides (ISGN)
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Al液相成長法を用いたAlN成長における酸素分圧の影響2012
- 著者名/発表者名
  高杉茉里,安達正芳,杉山正史,田中明和,福山博之
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  愛媛
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Annealing effect for unification of in-plane domain in AlN layers grown from Ga-Al flux2012
- 著者名/発表者名
  Masayoshi Adachi, Masashi Sugiyama, Akikazu Tanaka, and Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  International Symposium On Growth of III-Nitrides (ISGN)
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Influence of oxygen partial pressure on the growth of aluminum nitride layer using Ga-Al flux2012
- 著者名/発表者名
  Mari Takasugi, Masayoshi Adachi, Masashi Sugiyama, Akikazu Tanaka, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2012-10-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Alフラックスを用いた窒化a面サファイア基板上への高品質AlN成長2012
- 著者名/発表者名
  安達正芳，杉山正史，田中明和，福山博之
- 学会等名
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760611
[学会発表] Ga-Alフラックスを用いた液相成長法による低酸素分圧下でのAl極性AlN膜の作製
- 著者名/発表者名
  関谷竜太，安達正芳，大塚誠，杉山正史，飯田潤二，福山博之
- 学会等名
  応用物理学会　第75回秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Ga-Alフラックスを用いたAlN液相成長における炭素添加の影響
- 著者名/発表者名
  安達正芳，関谷竜太，杉山正史，飯田潤二，福山博之
- 学会等名
  応用物理学会　第75回秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Ga-Alフラックス法を用いた窒化サファイア基板上AlN膜成長
- 著者名/発表者名
  安達正芳，福山博之
- 学会等名
  ナノマクロ物質・デバイス・システム創製アライアンス　第2回若手研究交流会
- 発表場所
  大阪
- 年月日
  2014-11-26 – 2014-11-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Ga-Alフラックスを用いたAlN液相成長におけるフラックス組成の影響
- 著者名/発表者名
  関谷竜太，安達正芳，大塚誠，杉山正史，飯田潤二，福山博之
- 学会等名
  日本結晶成長学会　ナノ構造エピタキシャル成長分科会　2014窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2014-07-25 – 2014-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] 静滴法を用いた窒化サファイア基板のGa-Al融液に対する濡れ角測定
- 著者名/発表者名
  安達正芳，安武晃佑，齊藤敬高，中島邦彦，杉山正史，飯田潤二，福山博之
- 学会等名
  応用物理学会　第62回春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] 窒化サファイア基板上Alスパッタ膜の高温窒化挙動のその場観察
- 著者名/発表者名
  藤原圭吾，安達正芳，大塚誠，福山博之
- 学会等名
  日本金属学会 2014年秋季講演大会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2014-09-24 – 2014-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Ga-Alを用いたAlN液相成長における酸素取り込みと極性反転
- 著者名/発表者名
  安達正芳，杉山正史，飯田潤二，福山博之
- 学会等名
  結晶成長学会　第44回結晶成長国内会議
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2014-11-06 – 2014-11-08
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013
[学会発表] Growth model of AlN layer on nitrided sapphire substrate by liquid phase epitaxy using Ga-Al solution
- 著者名/発表者名
  Ryuta Sekiya, Mari Takasugi, Masayoshi Adachi, Makoto Ohtsuka, Masashi Sugiyama, Junji Iida, Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
- 発表場所
  Wrockawm, Poland
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26706013

1. 阿部圭晃 (40785010)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
2. 石原真吾 (40760301)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
3. 大塚誠

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
4. 福山博之

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

安達 正芳 Adachi Masayoshi

研究課題

研究成果

共同研究者

バルクAlN結晶の低温気相成長法の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

計算計測融合アプローチに基づく高温高反応性溶融体の熱物性測定の新展開

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

非接触浮遊法を用いた広温度範囲での高精度融液熱物性測定研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Ni-Al合金融液を用いた新規AlNバルク単結晶作製技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Ga-Al融液からのAl蒸発を用いたシンプルなAlN気相成長法の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Gaを用いたAlNの独自液相成長法の技術開発と融液ダイナミクスからの技術向上研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新規液相成長法による単結晶窒化アルミニウムの作製と成長機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Temperature dependence of crystal growth behavior of AlN on Ni-Al using electromagnetic levitation and computer vision technique2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Synthesis of AlN single crystal by solution growth method using type 430 ferritic stainless steel flux2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] In situ observations of the dissolution of an AlN film into liquid Al using a high-temperature microscope2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Composition Dependence of Normal Spectral Emissivity of Liquid Ni–Al Alloys2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

ISSN

年月日

言語

データソース

[雑誌論文] In‐situ observation of AlN formation from Ni‐Al solution using an electromagnetic levitation technique2020

著者名/発表者名

雑誌名

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[雑誌論文] Non-Polar a-Plane AlN Growth on Nitrided r-Plane Sapphire by Ga-Al Liquid-Phase Epitaxy2018

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安達正芳 Adachi Masayoshi