谷川智之 TANIKAWA TOMOYUKI

研究者番号	90633537
その他のID	https://orcid.org/0000-0003-0148-9701
所属 (現在)	2024年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2024年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 2019年度 – 2021年度: 大阪大学, 工学研究科, 准教授 2016年度 – 2018年度: 東北大学, 金属材料研究所, 講師 2014年度 – 2015年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者理工系 / 小区分30010:結晶工学関連 / 中区分26:材料工学およびその関連分野 / 電子・電気材料工学研究代表者以外結晶工学 / 小区分30020:光工学および光量子科学関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 応用物理工学およびその関連分野
キーワード	研究代表者シリコンカーバイド / 窒化ガリウム / GaN / 転位 / 多光子顕微鏡 / 窒化物半導体 / 多光子励起フォトルミネッセンス / 三次元イメージング / 分極 / InGaN … もっと見る / 有機金属気相成長 / 分極電界 / 変調分光 / 積層欠陥 / 次世代半導体 / Ga2O3 / ダイヤモンド / 酸化ガリウム / 結晶欠陥 / ワイドギャップ半導体 / 欠陥 / 特異構造 / フォトルミネッセンス / 半導体 / ハイパーラマン散乱 / ラマン散乱 / X線逆格子マッピング / N極性 / トランジスタ / 有機金属気相成長法 / 高電子移動度トランジスタ / 発光ダイオード / 極性・分極 … もっと見る研究代表者以外窒化物半導体 / GaN / 第二高調波発生 / 非線形光学 / 光量子コンピュータ / 光子対発生 / 単一モードレーザ / モノリシック光集積デバイス / ナノ領域電荷ダイナミクス / FT-IR分光 / 2光子励起と深さ方向分析 / 半導体工程検査技術 / テラヘルツ放射顕微鏡 / テラヘルツ放射分光 / 貫通転位 / 点欠陥 / 多光子顕微鏡 / 全方位フォトルミネセンス / 窒化ガリウム / モノリシック共振器 / モノリシック集積 / 量子光学 / ワイドギャップ半導体 / 微小共振器 / モノリシック / 波長変換素子 / ヘテロ構造 / N極性 / 有機金属気相成長法 / 高電子移動度トランジスタ / HEMT / 分極効果 / 有機金属気相成長 / 極性 / パルスレーザー堆積 / 光導波路 / 反応性スパッタリング / パルスレーザ堆積 / 酸化ジルコニウム / 窒化アルミニウム隠す

局所場における光テラヘルツ波変換モデルリングと半導体分析応用
- 研究代表者
  
  斗内政吉
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
光量子コンピューティング用窒化物半導体モノリシック光集積デバイスに関する研究
- 研究代表者
  
  上向井正裕
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30020:光工学および光量子科学関連
- 研究機関
  大阪大学
多光子励起過程を用いた次世代半導体材料の新しい深部イメージング研究代表者
- 研究代表者
  
  谷川智之
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  大阪大学
ハイパーラマン散乱による貫通転位の深部イメージング研究代表者
- 研究代表者
  
  谷川智之
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分26:材料工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察研究代表者
- 研究代表者
  
  谷川智之
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  大阪大学
半導体単結晶中の貫通転位と点欠陥とを透視する絶対定量評価装置の開発
- 研究代表者
  
  小島一信
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2019
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  東北大学
分極効果の能動的作用による窒化物半導体の伝導制御研究代表者
- 研究代表者
  
  谷川智之
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2018
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
モノリシック共振器型ワイドギャップ半導体波長変換素子の開発
- 研究代表者
  
  片山竜二
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2018
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 研究分野
  
  応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
窒素極性窒化物半導体による二次元電子ガス発生構造の成長技術
- 研究代表者
  
  松岡隆志
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  東北大学
窒化物半導体デバイスに印加される分極電界の観測と制御研究代表者
- 研究代表者
  
  谷川智之
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
光源集積型波長変換による深紫外レーザの超小型化に関する研究
- 研究代表者
  
  片山竜二
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
   東北大学

すべて 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Polarity Inversion of GaN via AlN Oxidation Interlayer Using Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2023
- 著者名/発表者名
  Murata Tomotaka、Ikeda Kazuhisa、Yamasaki Jun、Uemukai Masahiro、Tanikawa Tomoyuki、Katayama Ryuji
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 260 号: 8 ページ: 2200583-2200583
- DOI
  10.1002/pssb.202200583
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02631, KAKENHI-PROJECT-20H02640
[雑誌論文] Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks2023
- 著者名/発表者名
  Nishikawa Tomoka、Goto Ken、Murakami Hisashi、Kumagai Yoshinao、Uemukai Masahiro、Tanikawa Tomoyuki、Katayama Ryuji
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SF ページ: SF1015-SF1015
- DOI
  10.35848/1347-4065/acc18e
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[雑誌論文] Identification of Burgers vectors of threading dislocations in freestanding GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping2021
- 著者名/発表者名
  Tsukakoshi Mayuko、Tanikawa Tomoyuki、Yamada Takumi、Imanishi Masayuki、Mori Yusuke、Uemukai Masahiro、Katayama Ryuji
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 5 ページ: 055504-055504
- DOI
  10.35848/1882-0786/abf31b
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532, KAKENHI-PROJECT-19K22043, KAKENHI-PROJECT-20H02640
[雑誌論文] Nondestructive characterization of threading dislocations in graded buffer layers of inverted metamorphic solar cells by two-photon excitation spectroscopy2021
- 著者名/発表者名
  Ogura Akio、Tanikawa Tomoyuki、Takamoto Tatsuya、Oshima Ryuji、Sugaya Takeyoshi、Imaizumi Mitsuru
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 11 ページ: 111002-111002
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac2d10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[雑誌論文] Emission color modulation of InGaN/GaN multiple quantum wells by selective area metalorganic vapor phase epitaxy on hexagonal windows2021
- 著者名/発表者名
  Shin Yoshida,Kanako Shojiki,Hideto Miyake,Masahiro Uemukai,Tomoyuki Tanikawa,Ryuji Katayama
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: 3 ページ: 030904-030904
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac55e5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15025, KAKENHI-PROJECT-20H02640, KAKENHI-PROJECT-22K14612
[雑誌論文] Nondestructive characterization of GaN by multiphoton-excitation photoluminescence mapping2021
- 著者名/発表者名
  Tanikawa Tomoyuki、Tsukakoshi Mayuko、Uemukai Masahiro、Katayama Ryuji
- 雑誌名
  
  Proceedings Volume 11686, Gallium Nitride Materials and Devices XVI
  
  巻: 116861Z ページ: 58-58
- DOI
  10.1117/12.2584794
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[雑誌論文] Multiphoton Microscopy2020
- 著者名/発表者名
  Tanikawa Tomoyuki
- 雑誌名
  
  Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
  
  巻: - ページ: 1-22
- DOI
  10.1063/9780735422698_007
- ISBN
  9780735422704, 9780735422698, 9780735422728, 9780735422711
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532, KAKENHI-PROJECT-20H02640, KAKENHI-PROJECT-19K22043
[雑誌論文] Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation Photoluminescence2019
- 著者名/発表者名
  Ogura Akio, Tanikawa Tomoyuki, Takamoto Tatsuya, Oshima Ryuji, Suzuki Hidetoshi, Imaizumi Mitsuru, Sugaya Takeyoshi
- 雑誌名
  
  2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
  
  巻: - ページ: 0273-0276
- DOI
  10.1109/pvsc40753.2019.8981390
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532, KAKENHI-PROJECT-20H02640
[雑誌論文] Growth of GaN and improvement of lattice curvature using symmetric hexagonal SiO2 patterns in HVPE growth2019
- 著者名/発表者名
  Fujimoto Satoru、Itakura Hideyuki、Tanikawa Tomoyuki、Okada Narihito、Tadatomo Kazuyuki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SC1049-SC1049
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab1125
- NAID
  210000156181
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043, KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[雑誌論文] 多光子励起フォトルミネッセンスを用いたGaN結晶中の転位の非破壊・三次元観察2019
- 著者名/発表者名
  Tanikawa Tomoyuki
- 雑誌名
  
  まてりあ
  
  巻: 58 号: 3 ページ: 144-149
- DOI
  10.2320/materia.58.144
- NAID
  130007606778
- ISSN
  1340-2625, 1884-5843
- 年月日
  2019-03-01
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325, KAKENHI-PROJECT-16K18074
[雑誌論文] 有機金属気相成長法によるN極性窒化物半導体の成長技術2018
- 著者名/発表者名
  谷川智之、プラスラットスックキャッティウット、木村健司、窪谷茂幸、松岡隆志
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 45 号: 1 ページ: n/a
- DOI
  10.19009/jjacg.3-45-1-01
- NAID
  130006727544
- ISSN
  0385-6275, 2187-8366
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325, KAKENHI-PROJECT-16K18074
[雑誌論文] N-polar GaN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor formed on sapphire substrate with minimal step bunching2018
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 1 ページ: 015503-015503
- DOI
  10.7567/apex.11.015503
- NAID
  210000136090
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074, KAKENHI-PUBLICLY-17H05325, KAKENHI-PROJECT-16H03857, KAKENHI-PROJECT-16H04341
[雑誌論文] 非弾性散乱電子による厚いGaN結晶中の貫通転位の観察2018
- 著者名/発表者名
  Kiguchi Takanori、Shiraishi Takahisa、Konno Toyohiko J.、Tanikawa Tomoyuki
- 雑誌名
  
  まてりあ
  
  巻: 57 号: 12 ページ: 615-615
- DOI
  10.2320/materia.57.615
- NAID
  130007538920
- ISSN
  1340-2625, 1884-5843
- 年月日
  2018-12-01
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325, KAKENHI-PUBLICLY-17H05327, KAKENHI-PROJECT-16K18074
[雑誌論文] Three-dimensional imaging of threading dislocations in GaN crystals using two-photon-excitation photoluminescence2018
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Mukai, T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 3 ページ: 031004-031004
- DOI
  10.7567/apex.11.031004
- NAID
  210000136118
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074, KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[雑誌論文] Control of impurity concentration in N-polar (000-1) GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka
- 雑誌名
  
  Physics Status Solidi B
  
  巻: 254 号: 8
- DOI
  10.1002/pssb.201600751
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325, KAKENHI-PROJECT-16H03857
[雑誌論文] Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations2017
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Ryuji Katayama, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10 号: 8 ページ: 082101-082101
- DOI
  10.7567/apex.10.082101
- NAID
  210000135940
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325, KAKENHI-PROJECT-17H01063, KAKENHI-PROJECT-17K19078, KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
[雑誌論文] Absolute Technique for Measuring Internal Electric Fields in InGaN/GaN Light-Emitting Diodes by Electroreflectance Applicable to All Crystal Orientations2017
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Katayama, S. Kuboya, T. Matsuoka, Y.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10
- NAID
  210000135940
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[雑誌論文] Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 (5S) 号: 5S ページ: 05FE01-05FE01
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fe01
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[雑誌論文] Nanometer scale fabrication and optical response of InGaN/GaN quantum disks2016
- 著者名/発表者名
  Yi-Chun Lai, Akio Higo, Takayuki Kiba, Cedric Thomas, Shula Chen, Chang Yong Lee, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kanako Shojiki, Junichi Takayama, Ichiro Yamashita, Akihiro Murayama, Gou-Chung Chi, Peichen Yu, Seiji Samukawa
- 雑誌名
  
  Nanotechnology
  
  巻: 27 号: 42 ページ: 425401-425401
- DOI
  10.1088/0957-4484/27/42/425401
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06359, KAKENHI-PROJECT-26600082
[雑誌論文] Large Stokes-like shift in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes2016
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, K. Shojiki, S .Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 (5S) 号: 5S ページ: 05FJ03-05FJ03
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fj03
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082, KAKENHI-PROJECT-13J10877, KAKENHI-PROJECT-16K18074
[雑誌論文] Homogeneity improvement of N-polar InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut-angle toward a-sapphire plane2016
- 著者名/発表者名
  Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Tomoyuki Tanikawa, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Ryohei Nonoda, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 (5S) 号: 5S ページ: 05FA09-05FA09
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fa09
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[雑誌論文] Ga‐polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter‐scale wide terraces2016
- 著者名/発表者名
  Takuya Iwabuchi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: －号: 9 ページ: 1600754-1600754
- DOI
  10.1002/pssa.201600754
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[雑誌論文] Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 (5S) 号: 5S ページ: 05FA04-05FA04
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fa04
- NAID
  210000146483
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[雑誌論文] MOVPE growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructure on small off-cut substrate for flat interface2016
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016
  
  巻: - ページ: 1-2
- DOI
  10.1109/iciprm.2016.7528837
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[雑誌論文] Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, J.H.Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya,T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 106 (22) 号: 22
- DOI
  10.1063/1.4922131
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082, KAKENHI-PROJECT-13J10877
[雑誌論文] Red to blue wavelength emission of N-polar (000-1) InGaN light-emitting diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, T. Tanikawa, J.H.Choi, S. Kuboya,T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 8 (6) 号: 6 ページ: 061005-061005
- DOI
  10.7567/apex.8.061005
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082, KAKENHI-PROJECT-13J10877
[学会発表] 多光子励起過程を利用したβ-Ga2O3の時間分解フォトルミネッセンス分光2023
- 著者名/発表者名
  西河巴賀，谷川智之，本田啓人，後藤健，村上尚，熊谷義直，田中敦之，本田善央，天野浩，上向井正裕，片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] 光ニードル顕微鏡法を用いたGaN結晶内転位の3次元可視化における球面収差補正と空間分解能の評価2023
- 著者名/発表者名
  三浦祐樹，小澤祐市，谷川智之，上杉祐貴，佐藤俊一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] DCパルススパッタリング法によるGaNの選択成長2023
- 著者名/発表者名
  長谷川大輔，本田達也，上山智，高橋伸明，三浦仁嗣，上向井正裕，谷川智之，片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks2022
- 著者名/発表者名
  T. Nishikawa, M. Tsukakoshi, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
- 学会等名
  The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Three-dimensional characterization of threading dislocations in heteroepitaxial diamond substrate using multiphoton-excitation photoluminescence2022
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, R. Katayama, S. Ohmagari
- 学会等名
  32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] EFG成長 (010)β-Ga2O3結晶中のナノパイプの三次元形状2022
- 著者名/発表者名
  西河巴賀、塚越真悠子、後藤健、村上尚、熊谷義直、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] 3D Imaging of β-Ga2O3 Crystal Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence2022
- 著者名/発表者名
  T. Nishikawa, M. Tsukakoshi, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
- 学会等名
  2022 MRS Spring Meeting & Exhibit
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] GaN縦型pnダイオード中の特異なフォトルミネッセンス発光2022
- 著者名/発表者名
  谷川智之、塚越真悠子、宇佐美茂佳、今西正幸、森勇介、川崎晟也、田中敦之、本田善央、天野浩、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Identification of Burgers vectors of threading dislocations in HVPE-Grown GaN using Multiphoton-Excitation Photoluminescence2022
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, Y. Ishii, M. Tsukakoshi, R. Terada, M. Adachi, M. Uemukai, R. Katayama
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] a面GaN/c面GaNの表面活性化接合に向けた表面平坦化プロセス2022
- 著者名/発表者名
  安田悠馬、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
- 学会等名
  第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Fabrication of GaN transverse quasi phase matching photon pair generation device using MOVPE-based epitaxial polarity inversion technology2022
- 著者名/発表者名
  K. Ikeda, T. Murata, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama
- 学会等名
  第41回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] MOVPEエピタキシャル極性反転技術を用いたGaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスの作製2022
- 著者名/発表者名
  池田和久、村田知駿、市川修平、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] "Polarity inversion of GaN via AlN oxidation interlayer using metalorganic vapor phase epitaxy"2022
- 著者名/発表者名
  T. Murata, K. Ikeda, J. Yamasaki, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Polarity inversion of GaN films by metalorganic vapor epitaxy using an AlN interlayer2022
- 著者名/発表者名
  Tomoyuki Tanikawa
- 学会等名
  The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/ The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] ヘテロエピタキシャル成長ダイヤモンド基板中の貫通転位の伝搬挙動2022
- 著者名/発表者名
  谷川智之、大曲新矢、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Correlation Between MPPL and Raman Mapping Images of GaN for Nondestructive Identification of Threading Dislocations2021
- 著者名/発表者名
  M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama
- 学会等名
  第40回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Core structure of threading dislocations in GaN2021
- 著者名/発表者名
  T. Kiguchi , Y. Kodama, Y. Hayasaka, T. Tanikawa, and T. J. Konno
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] 多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察2021
- 著者名/発表者名
  谷川智之
- 学会等名
  2021年2月24日新学術領域研究特異構造の結晶科学オンライン成果報告・連絡会（Zoom）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] 多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶のナノパイプ観察2021
- 著者名/発表者名
  西河巴賀、塚越真悠子、後藤健、村上尚、熊谷義直、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
- 学会等名
  第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Nondestructive characterization of GaN by multiphoton-excitation photoluminescence mapping2021
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, M. Tsukakoshi, M. Uemukai, R. Katayama
- 学会等名
  SPIE Photonics West: Conference 11686 -Gallium Nitride Materials and Devices XVI-
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] Classification of threading dislocations in HVPE-grown n-type GaN substrates by multiphoton-excitation photoluminescence imaging2021
- 著者名/発表者名
  M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] サファイア基板上N極性GaN薄膜の有機金属気相成長法における平坦化条件の探索2021
- 著者名/発表者名
  池田和久，村田知駿，上向井正裕，谷川智之，片山竜二
- 学会等名
  第50回結晶成長国内会議（JCCG-50）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] 多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶の三次元イメージング2021
- 著者名/発表者名
  西河巴賀、塚越真悠子、後藤健、村上尚、熊谷義直、谷川智之、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] 多光子励起過程を利用した次世代半導体材料の欠陥評価技術2021
- 著者名/発表者名
  谷川智之
- 学会等名
  日本学術振興会第R032委員会第2回研究会「R032委員会キックオフ研究会：結晶作製Ⅱ」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] 多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察2021
- 著者名/発表者名
  谷川智之
- 学会等名
  2021年2月24日新学術領域研究特異構造の結晶科学オンライン成果報告・連絡会（Zoom）
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] Correlation between etch pit size and threading dislocation propagation habit in GaN substrate observed by multiphoton-excitation photoluminescence2021
- 著者名/発表者名
  M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama
- 学会等名
  8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA2020)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043
[学会発表] 有機金属気相成長法を用いたGaNエピタキシャル極性反転技術の開発2021
- 著者名/発表者名
  村田知駿、谷川智之、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Nondestructive characterization of GaN by multiphoton-excitation photoluminescence mapping2021
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, M. Tsukakoshi, M. Uemukai, R. Katayama
- 学会等名
  SPIE Photonics West: Conference 11686 -Gallium Nitride Materials and Devices XVI-
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043
[学会発表] フルカラーInGaN多重量子井戸の作製に向けた接合可能な非極性GaN平坦膜の成長2021
- 著者名/発表者名
  安田悠馬、谷川智之、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Nondestructive Characterization of Dislocations Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence2021
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, A. Ogura, M. Uemukai, and R. Katayama
- 学会等名
  SemiconNano2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] 多光子顕微鏡による化合物半導体の欠陥解析2021
- 著者名/発表者名
  谷川智之
- 学会等名
  日本学術振興会第R026委員会第7回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] GaN結晶中の貫通転位の非破壊分類に向けた多光子励起PLマッピング像とラマンマッピング像の相関解析2021
- 著者名/発表者名
  谷川智之、足立真理子、寺田陸斗、塚越真悠子、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] 窒化物半導体の波長変換デバイス応用2021
- 著者名/発表者名
  谷川智之
- 学会等名
  応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] GaN結晶中の貫通転位の非破壊分類に向けた多光子励起PLマッピング像とラマンマッピング像の相関解析2021
- 著者名/発表者名
  谷川智之、足立真理子、寺田陸斗、塚越真悠子、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043
[学会発表] 気相拡散効果を利用したマルチカラーInGaN多重量子井戸の有機金属気相選択成長2021
- 著者名/発表者名
  吉田新，正直花奈子，三宅秀人，谷川智之，上向井正裕，片山竜二
- 学会等名
  第50回結晶成長国内会議（JCCG-50）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Core structure of threading dislocations in GaN2021
- 著者名/発表者名
  T. Kiguchi , Y. Kodama, Y. Hayasaka, T. Tanikawa, and T. J. Konno
- 学会等名
  "The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)"
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043
[学会発表] Nondestructive characterization of GaN by multiphoton-excitation photoluminescence mapping2021
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, M. Tsukakoshi, M. Uemukai, R. Katayama
- 学会等名
  SPIE Photonics West: Conference 11686 -Gallium Nitride Materials and Devices XVI-
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] GaN結晶中の貫通転位の非破壊分類に向けた多光子励起PLマッピング像とラマンマッピング像の相関解析2021
- 著者名/発表者名
  谷川智之、足立真理子、寺田陸斗、塚越真悠子、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] "Classification of threading dislocations in HVPE-grown n-type GaN substrates by multiphoton-excitation photoluminescence imaging"2021
- 著者名/発表者名
  M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] Fabrication of GaN Polarity Inverted Structure via Ultrathin AlN Oxidation Interlayer using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2021
- 著者名/発表者名
  T. Murata, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama
- 学会等名
  第40回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Core structure of threading dislocations in GaN2021
- 著者名/発表者名
  T. Kiguchi , Y. Kodama, Y. Hayasaka, T. Tanikawa, and T. J. Konno
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] 多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察2021
- 著者名/発表者名
  谷川智之
- 学会等名
  2021年2月24日新学術領域研究特異構造の結晶科学オンライン成果報告・連絡会（Zoom）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043
[学会発表] Comparative study of dislocation classification in HVPE-grown GaN by etch pit method and multiphoton-excitation photoluminescence imaging2020
- 著者名/発表者名
  M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama
- 学会等名
  第39回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Correlation between etch pit size and threading dislocation propagation habit in GaN substrate observed by multiphoton-excitation photoluminescence2020
- 著者名/発表者名
  M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama
- 学会等名
  8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA2020)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] 多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶中貫通転位の観察と分類2020
- 著者名/発表者名
  塚越真悠子、谷川智之、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043
[学会発表] GaN縦型p-nダイオードにおける2光子吸収光電流の測定2020
- 著者名/発表者名
  川崎晟也、安藤悠人、田中敦之、塚越真悠子、谷川智之、出来真斗、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] Correlation between etch pit size and threading dislocation propagation habit in GaN substrate observed by multiphoton-excitation photoluminescence2020
- 著者名/発表者名
  M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama
- 学会等名
  8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] "多光子励起フォトルミネッセンス測定における集光スポットサイズを考慮した GaN結晶中の貫通転位の判別"2020
- 著者名/発表者名
  塚越真悠子、谷川智之、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] 多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶の貫通転位の観察と分類 (2)2020
- 著者名/発表者名
  塚越真悠子、谷川智之、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043
[学会発表] Comparative study of dislocation classification in HVPE-grown GaN by etch pit method and multiphoton-excitation photoluminescence imaging2020
- 著者名/発表者名
  M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama
- 学会等名
  第39回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] 多光子励起PL三次元測定によるGaN基板中の転位の判別2020
- 著者名/発表者名
  谷川智之、塚越真悠子、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第118回研究会「最先端評価技術を用いたワイドギャップ半導体結晶中の転位評価」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043
[学会発表] 多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶の貫通転位の観察と分類 (2)2020
- 著者名/発表者名
  塚越真悠子、谷川智之、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Comparative study of dislocation classification in HVPE-grown GaN by etch pit method and multiphoton-excitation photoluminescence imaging2020
- 著者名/発表者名
  M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama
- 学会等名
  第39回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043
[学会発表] 多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶の貫通転位の観察と分類 (2)2020
- 著者名/発表者名
  塚越真悠子、谷川智之、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] 多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶中貫通転位の観察と分類2020
- 著者名/発表者名
  塚越真悠子、谷川智之、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] 多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶中貫通転位の観察と分類2020
- 著者名/発表者名
  塚越真悠子、谷川智之、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] Correlation between etch pit size and threading dislocation propagation habit in GaN substrate observed by multiphoton-excitation photoluminescence2020
- 著者名/発表者名
  M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama
- 学会等名
  8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043
[学会発表] 多光子励起フォトルミネッセンス測定における集光スポットサイズを考慮した GaN結晶中の貫通転位の判別2020
- 著者名/発表者名
  塚越真悠子、谷川智之、上向井正裕、片山竜二
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640
[学会発表] Nondestructive defect characterization of widegap semiconductors using multiphotonexcitation photoluminescence2019
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama
- 学会等名
  9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043
[学会発表] Multiphoton-Excitation Photoluminescence: Novel Nondestructive Deffect Characterization Technology2019
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, T. Matsuoka
- 学会等名
  19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19) and the 19th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-19)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2)2019
- 著者名/発表者名
  小島一信，谷川智之，粕谷拓生，秩父重英，田中敦之，本田善央，天野浩，上向井正裕，片山竜二
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] 多光子顕微鏡によるGaN結晶中の転位伝搬評価2019
- 著者名/発表者名
  谷川智之, 松岡隆志
- 学会等名
  第145委員会，第161委員会　合同研究会「窒化物半導体における欠陥低減技術の進展と評価技術の最前線」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation Photoluminescence2019
- 著者名/発表者名
  A. Ogura, T. Tanikawa, T. Takamoto, R. Oshima, H. Suzuki, M. Imaizumi, T. Sugaya
- 学会等名
  46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 46)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光（２）2019
- 著者名/発表者名
  小島一信，谷川智之，粕谷拓生，上向井正裕，片山竜二，田中敦之，本田善央，天野浩，秩父重英
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19028
[学会発表] Three-dimensional imaging of threading dislocations in GaN crystals using two-photon excitation photoluminescence2019
- 著者名/発表者名
  谷川智之、大西一生、加納聖也、向井孝志、松岡隆志
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] Three-dimensional imaging of threading dislocations in GaN crystals using two-photon excitation photoluminescence2019
- 著者名/発表者名
  谷川智之、大西一生、加納聖也、向井孝志、松岡隆志
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043
[学会発表] Multiphoton-Excitation Photoluminescence: Novel Nondestructive Deffect Characterization Technology2019
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, T. Matsuoka
- 学会等名
  19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19) and the 19th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-19)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043
[学会発表] 多光子顕微鏡によるGaN結晶中の転位伝搬評価2019
- 著者名/発表者名
  谷川智之, 松岡隆志
- 学会等名
  第145委員会，第161委員会　合同研究会「窒化物半導体における欠陥低減技術の進展と評価技術の最前線」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22043
[学会発表] 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光（１）2019
- 著者名/発表者名
  谷川智之，小島一信，粕谷拓生，秩父重英，田中敦之，本田善央，天野浩，上向井正裕，片山竜二
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19028
[学会発表] Nondestructive defect characterization of widegap semiconductors using multiphotonexcitation photoluminescence2019
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama
- 学会等名
  9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(1)2019
- 著者名/発表者名
  谷川智之，小島一信，粕谷拓生，秩父重英，田中敦之，本田善央，天野浩，上向井正裕，片山竜二
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04532
[学会発表] Defect structure analysis of N-polar InGaN/GaN quantum-well structure2018
- 著者名/発表者名
  T. Kiguchi, Y. Kodama, T. Shiraishi, T. J. Konno, and T. Tanikawa
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN2018
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, T. Fujita, K. Kojima, S. F. Chichibu, and T. Matsuoka
- 学会等名
  The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19028
[学会発表] MOVPEによる窒素極性窒化物半導体成長2018
- 著者名/発表者名
  松岡隆志，谷川智之，窪谷茂幸
- 学会等名
  第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響2018
- 著者名/発表者名
  谷川智之，小島一信，秩父重英，松岡隆志
- 学会等名
  2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19028
[学会発表] Reverse-bias-induced virtual gate phenomenon in N-polar GaN HEMTs2018
- 著者名/発表者名
  T. Suemitsu，Kiattiwut Prasertsuk，T. Tanikawa，T. Kimura，S. Kuboya，and T. Matsuoka
- 学会等名
  2018 MRS Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[学会発表] 窒素極性GaN MIS-HEMTにおける逆バイアスアニールの効果2018
- 著者名/発表者名
  末光哲也，Prasertsuk Kiattiwut，谷川智之，木村健司，窪谷茂幸，松岡隆志
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[学会発表] MOVPE窒素極性成長による窒化物半導体の新展開2018
- 著者名/発表者名
  松岡隆志，窪谷茂幸，谷川智之，加納聖也
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] MOVPE窒素極性成長による窒化物半導体の新展開2018
- 著者名/発表者名
  松岡隆志，窪谷茂幸，谷川智之，加納聖也
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[学会発表] Defect structure analysis of N-polar InGaN/GaN quantum-well structure2018
- 著者名/発表者名
  T. Kiguchi, Y. Kodama, T. Shiraishi, T. J. Konno, and T. Tanikawa
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[学会発表] Reverse-Bias-Induced Virtual Gate Phenomenon in N-Polar GaN HEMTs2018
- 著者名/発表者名
  T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, and T. Matsuoka
- 学会等名
  2018 MRS Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] N極性InGaN/GaN量子井戸構造における構造の不均一性2018
- 著者名/発表者名
  木口賢紀，白石貴久，兒玉裕美子，今野豊彦，谷川智之
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[学会発表] Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs2018
- 著者名/発表者名
  T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[学会発表] Growth of Indium-Including Nitride Semiconductors2018
- 著者名/発表者名
  T. Matsuoka，S. Kuboya，and T. Tanikawa
- 学会等名
  The 19th International Conference on Metalogranic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[学会発表] Reverse Bias Annealing Effects in N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs2018
- 著者名/発表者名
  T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week (CSW) 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] 窒素極性GaN MIS-HEMTにおける逆バイアスアニールの効果2018
- 著者名/発表者名
  末光哲也, K. Prasertsuk, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 松岡隆志
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] Growth of Indium-Including Nitride Semiconductors2018
- 著者名/発表者名
  T. Matsuoka，S. Kuboya，and T. Tanikawa
- 学会等名
  The 19th International Conference on Metalogranic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] MOVPEによる窒素極性窒化物半導体成長2018
- 著者名/発表者名
  松岡隆志，谷川智之，窪谷茂幸
- 学会等名
  第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[学会発表] Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN2018
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa，T. Fujita，K. Kojima，S. F. Chichibu，and T. Matsuoka
- 学会等名
  The 19th International Conference on Metalogranic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] Evaluation of deep levels in N-polar GaN epitaxial layers by photo-current DLTS: An approach to reveal the self-compensation effect of Mg doping in p-type GaN2018
- 著者名/発表者名
  H. Okamoto, H. Suzuki, R. Nonoda, and T. Tanikawa
- 学会等名
  4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[学会発表] InGaN/GaNヘテロ構造のRF-MBE成長における格子緩和過程のその場観察：格子極性の影響2018
- 著者名/発表者名
  谷川智之，山口智広，藤川誠司，佐々木拓生，高橋正光，松岡隆志
- 学会等名
  第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs2018
- 著者名/発表者名
  T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] InGaN/GaNヘテロ構造のRF-MBE成長における格子緩和過程のその場観察：格子極性の影響2018
- 著者名/発表者名
  谷川智之，山口智広，藤川誠司，佐々木拓生，高橋正光，松岡隆志
- 学会等名
  第47回結晶成長国内会議 (JCCG-47）
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[学会発表] High-temperature carrier dynamics responsible for a non-radiative process in InGaN nanodisks fabricated by top-down nanotechnology2018
- 著者名/発表者名
  Y. Chen，T. Kiba，J. Takayama，A. Higo，T. Tanikawa，S. Samukawa，and A. Murayama
- 学会等名
  12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials (EXCON 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[学会発表] MOVPEによる窒素極性窒化物半導体成長2018
- 著者名/発表者名
  松岡隆志, 谷川智之, 窪谷茂幸
- 学会等名
  第47回結晶成長国内会議
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] N極性InGaN/GaN量子井戸構造における構造の不均一性2018
- 著者名/発表者名
  木口賢紀，白石貴久，兒玉裕美子，今野豊彦，谷川智之
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] Evaluation of deep levels in N-polar GaN epitaxial layers by photo-current DLTS: An approach to reveal the self-compensation effect of Mg doping in p-type GaN2018
- 著者名/発表者名
  H. Okamoto, H. Suzuki, R. Nonoda, and T. Tanikawa
- 学会等名
  4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN2018
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa，T. Fujita，K. Kojima，S. F. Chichibu，and T. Matsuoka
- 学会等名
  The 19th International Conference on Metalogranic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[学会発表] Reverse-bias-induced virtual gate phenomenon in N-polar GaN HEMTs2018
- 著者名/発表者名
  T. Suemitsu，Kiattiwut Prasertsuk，T. Tanikawa，T. Kimura，S. Kuboya，and T. Matsuoka
- 学会等名
  2018 MRS Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] High-temperature carrier dynamics responsible for a non-radiative process in InGaN nanodisks fabricated by top-down nanotechnology2018
- 著者名/発表者名
  Y. Chen，T. Kiba，J. Takayama，A. Higo，T. Tanikawa，S. Samukawa，and A. Murayama
- 学会等名
  12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials (EXCON 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] 窒素極性GaN MIS-HEMTにおける逆バイアスアニールの効果2018
- 著者名/発表者名
  末光哲也，Prasertsuk Kiattiwut，谷川智之，木村健司，窪谷茂幸，松岡隆志
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on sapphire substrates with small off-cut for flat interface by MOVPE2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimuram T. Suemitsu, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] Reduction of gate leakage current in N-polar GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, A. Miura, S. Kuboya, T. Suemitsu, and T. Matsuoka
- 学会等名
  2017 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for Materials Integration Center and Materials Science Center
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] N極性GaN HEMTsにおけるMIS構造導入によるリーク電流の低減2017
- 著者名/発表者名
  プラスラットスックキャッティウット、三浦輝紀、田中真二、谷川智之、木村健司、窪谷茂幸、末光哲也、松岡隆志
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜，横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] N-polar GaN MIS-HEMTs on Small Off-cut Sapphire Substrate for Flat Interface2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会平成29年度特別事業企画委員会100回記念特別公開シンポジウム　『ワイドギャップ半導体の基盤技術と将来展望』～パワー半導体を中心として～
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on sapphire substrates with small off-cut for flat interface by MOVPE2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimuram T. Suemitsu, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] Threshold Voltage Engineering of Recessed MIS-Gate N-polar GaN HEMTs2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[学会発表] MOVPE Growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN Inverted HEMT Structures and Their Electrical Properties2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, A. Miura, S. Kuboya, T. Suemitsu, and T. Matsuoka
- 学会等名
  3rd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductor (IDGN-3)
- 発表場所
  東北大学金属材料研究所
- 年月日
  2017-01-16
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] 有機金属気相成長法によるN極性InGaNチャンネルHEMT構造の作製2017
- 著者名/発表者名
  田中真二，プラスラットスック・キャッティウット，木村健司，谷川智之，末光哲也，松岡隆志
- 学会等名
  第134回東北大学金属材料研究所講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on sapphire substrates with small off-cut for flat interface by MOVPE2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimuram T. Suemitsu, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05325
[学会発表] Threshold Voltage Engineering of Recessed MIS-Gate N-polar GaN HEMTs2017
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] Control of Impurity Concentration of Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, S. Kuboya and T. Matsuoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] Improvement of Emission Wavelength Homogeneity in N-polar (000-1) InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] N 極性 n 型 GaN 上 Ni ショットキーダイオード特性の蒸着法依存性2016
- 著者名/発表者名
  寺島勝哉, 野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 松岡隆志, 鈴木秀明, 岡本浩
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ，新潟
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface2016
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2016
- 発表場所
  富山国際会議場
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18074
[学会発表] Influence of Growth Conditions on Transport Properties in Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, K. Prasertsuk, A. Miura, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications（LEDIA’16)
- 発表場所
  パシフィコ横浜，横浜
- 年月日
  2016-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] MOVPE Growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface2016
- 著者名/発表者名
  K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2016
- 発表場所
  富山国際会議場, 富山
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03857
[学会発表] 横型疑似位相整合AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生素子の設計2015
- 著者名/発表者名
  三谷悠貴，片山竜二，劉陳燁，正直花奈子，谷川智之，窪谷茂幸，松岡隆志
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会第7回窒化物半導体研究会
- 発表場所
  東北大学片平さくらホール、宮城県仙台市
- 年月日
  2015-05-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] Polarity control of MOVPE-grown GaN on AlN/GaN templates2015
- 著者名/発表者名
  J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会第7回窒化物半導体研究会
- 発表場所
  東北大学片平さくらホール、宮城県仙台市
- 年月日
  2015-05-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] Polarity-controlled MOVPE growth of GaN on PLD-AlN templates2015
- 著者名/発表者名
  J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
- 学会等名
  The 34th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖、滋賀県守山市
- 年月日
  2015-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] Polarity control of MOVPE-grown GaN on AlN/GaN templates
- 著者名/発表者名
  J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第7回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東北大学片平さくらホール（宮城県仙台市）
- 年月日
  2015-05-07 – 2015-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] Investigation of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by m-line Spectroscopy
- 著者名/発表者名
  N. Yoshinogawa, R. Katayama, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya and T. Matsuoka
- 学会等名
  The 33rd Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  La-Foret Shuzenji, Shizuoka, Japan
- 年月日
  2014-07-09 – 2014-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] MOVPE Growth of GaN onto PLD-Grown AlN Interlayer on GaN Templates
- 著者名/発表者名
  J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA ’15)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
- 年月日
  2015-04-22 – 2015-04-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] 横型擬似位相整合AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生素子の設計
- 著者名/発表者名
  三谷悠貴, 片山竜二, 劉陳燁, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第7回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東北大学片平さくらホール（宮城県仙台市）
- 年月日
  2015-05-07 – 2015-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] Accurate Determination of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by Spectroscopic m-line Technique
- 著者名/発表者名
  R. Katayama, N. Yoshinogawa, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya and T. Matsuoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
- 発表場所
  Wrocław Congress Center, Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] Design of the Transverse Quasi-Phase Matched AlN Waveguides for Deep-UV Second Harmonic Generation
- 著者名/発表者名
  Y. Mitani, R. Katayama, J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya and T. Matsuoka
- 学会等名
  The 34th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  La-Foret Biwako, Shiga, Japan
- 年月日
  2015-07-15 – 2015-07-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082

1. 片山竜二 (40343115)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 17件
2. 松岡隆志 (40393730)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 30件
3. 上向井正裕 (80362672)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
4. 小島一信 (30534250)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
5. 横山弘之 (60344727)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 窪谷茂幸 (70583615)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
7. 花田貴 (80211481)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 川原村敏幸 (00512021)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 斗内政吉 (40207593)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 芹田和則 (00748014)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 木村真一 (10252800)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 寒川誠二

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
13. 村山明宏

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
14. 正直花奈子

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

谷川 智之 TANIKAWA TOMOYUKI

研究課題

研究成果

共同研究者

局所場における光テラヘルツ波変換モデルリングと半導体分析応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

光量子コンピューティング用窒化物半導体モノリシック光集積デバイスに関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

多光子励起過程を用いた次世代半導体材料の新しい深部イメージング研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ハイパーラマン散乱による貫通転位の深部イメージング研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

半導体単結晶中の貫通転位と点欠陥とを透視する絶対定量評価装置の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

分極効果の能動的作用による窒化物半導体の伝導制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

モノリシック共振器型ワイドギャップ半導体波長変換素子の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒素極性窒化物半導体による二次元電子ガス発生構造の成長技術

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物半導体デバイスに印加される分極電界の観測と制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

光源集積型波長変換による深紫外レーザの超小型化に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Polarity Inversion of GaN via AlN Oxidation Interlayer Using Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

谷川智之 TANIKAWA TOMOYUKI