上野耕平 UENO KOHEI

研究者番号	90741223
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助教
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助教 2019年度 – 2021年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連
キーワード	研究代表者トランジスタ / 窒化アルミニウム / スパッタリング / パワーデバイス / 結晶成長 / ダイオード / ドーピング / 高電子移動度トランジスタ / 電子デバイス / 半導体

非平衡プラズマ結晶成長技術による超高耐圧窒化アルミニウム系半導体電子素子の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  上野耕平
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  東京大学
窒化アルミニウム系超高耐圧半導体素子作製のための基盤技術開発研究代表者
- 研究代表者
  
  上野耕平
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  東京大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Pulsed sputtering selective epitaxial formation of highly degenerate n-type GaN ohmic contacts for GaN HEMT applications2024
- 著者名/発表者名
  Maeda Ryota、Ueno Kohei、Fujioka Hiroshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 17 号: 1 ページ: 011006-011006
- DOI
  10.35848/1882-0786/ad16ae
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[雑誌論文] Temperature‐Dependent Characteristics of AlN/Al0.5Ga0.5N High Electron Mobility Transistors with Highly Degenerate n‐Type GaN Regrown Ohmic Contacts2024
- 著者名/発表者名
  Maeda Ryota、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Fujioka Hiroshi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: ー号: 21
- DOI
  10.1002/pssa.202300848
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[雑誌論文] Hole Conduction Mechanism in In-Mg-Codoped GaN Prepared via Pulsed Sputtering Deposition2024
- 著者名/発表者名
  Aiko Naito, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: ー号: 9
- DOI
  10.1002/pssa.202300806
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[雑誌論文] Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering2023
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Tomoya Okuda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 17 号: 1 ページ: 011002-011002
- DOI
  10.35848/1882-0786/ad120b
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094, KAKENHI-PROJECT-23K26557
[雑誌論文] Preparation of degenerate n-type AlxGa1-xN (0<x<0.81) with record low resistivity by pulsed sputtering deposition2023
- 著者名/発表者名
  Nishikawa Yuto、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Fujioka Hiroshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 122 号: 23 ページ: 232102-232102
- DOI
  10.1063/5.0144418
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[雑誌論文] Mid-infrared thermal radiation resonating with longitudinal-optical like phonon from n++-doped GaN semi-insulating GaN grating structure2023
- 著者名/発表者名
  Lin Bojin、Aye Hnin Lai Lai、Ueno Kohei、Fujioka Hiroshi、Miyake Hideto、Ishitani Yoshihiro
- 雑誌名
  
  Journal of Physics D: Applied Physics
  
  巻: 57 号: 3 ページ: 035102-035102
- DOI
  10.1088/1361-6463/ad015e
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[雑誌論文] AlN/Al<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>N HEMTs with heavily Si-doped degenerate GaN contacts prepared via pulsed sputtering2022
- 著者名/発表者名
  Maeda Ryota、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Fujioka Hiroshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 15 号: 3 ページ: 031002-031002
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac4fcf
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[雑誌論文] Reduction of Twin Boundary in NbN Films Grown on Annealed AlN2022
- 著者名/発表者名
  Kihira Shunya、Kobayashi Atsushi、Ueno Kohei、Fujioka Hiroshi
- 雑誌名
  
  Crystal Growth & Design
  
  巻: 22 号: 3 ページ: 1720-1723
- DOI
  10.1021/acs.cgd.1c01287
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PROJECT-21H01827
[雑誌論文] Heavily Si-doped pulsed sputtering deposited GaN for tunneling junction contacts in UV-A light emitting diodes2021
- 著者名/発表者名
  Fudetani Taiga、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Fujioka Hiroshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 118 号: 7 ページ: 072101-072101
- DOI
  10.1063/5.0040500
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Vertical p-type GaN Schottky barrier diodes with nearly ideal thermionic emission characteristics2021
- 著者名/発表者名
  Ueno Kohei、Shibahara Keita、Kobayashi Atsushi、Fujioka Hiroshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 118 号: 2 ページ: 022102-022102
- DOI
  10.1063/5.0036093
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Ultrathin rock-salt type NbN films grown on atomically flat AlN/sapphire substrates2021
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Atsushi、Ueno Kohei、Fujioka Hiroshi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 572 ページ: 126269-126269
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2021.126269
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PROJECT-21H01827
[雑誌論文] High Electron Mobility AlN on Sapphire (0001) with a Low Dislocation Density Prepared via Sputtering and High‐Temperature Annealing2021
- 著者名/発表者名
  Sakurai Yuya、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Uesugi Kenjiro、Miyake Hideto、Fujioka Hiroshi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: 218 号: 16 ページ: 2100074-2100074
- DOI
  10.1002/pssa.202100074
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[雑誌論文] Combined infrared reflectance and Raman spectroscopy analysis of Si-doping limit of GaN2020
- 著者名/発表者名
  Ma Bei、Tang Mingchuan、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Morita Ken、Fujioka Hiroshi、Ishitani Yoshihiro
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 号: 19 ページ: 192103-192103
- DOI
  10.1063/5.0023112
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414, KAKENHI-PLANNED-16H06425
[雑誌論文] Coherent epitaxial growth of superconducting NbN ultrathin films on AlN by sputtering2020
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 6 ページ: 061006-061006
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab916e
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Autonomous growth of NbN nanostructures on atomically flat AlN surfaces2020
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 号: 23 ページ: 231601-231601
- DOI
  10.1063/5.0031604
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Growth of InN ultrathin films on AlN for the application to field-effect transistors2020
- 著者名/発表者名
  Jeong Dayeon, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 10 号: 12 ページ: 125221-125221
- DOI
  10.1063/5.0035203
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Optical characteristics of highly conductive n-type GaN prepared by pulsed sputtering deposition2019
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno、Taiga Fudetani、Atsushi Kobayashi、Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 9 号: 1 ページ: 20242-20242
- DOI
  10.1038/s41598-019-56306-0
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Characteristics of unintentionally doped and lightly Si-doped GaN prepared via pulsed sputtering2019
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno、Atsushi Kobayashi、Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 9 号: 7 ページ: 075123-075123
- DOI
  10.1063/1.5103185
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] AlN/InAlN thin-film transistors fabricated on glass substrates at room temperature2019
- 著者名/発表者名
  Kyohei Nakamura、Atsushi Kobayashi、Kohei Ueno、Jitsuo Ohta、Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 9 号: 1 ページ: 6254-6254
- DOI
  10.1038/s41598-019-42822-6
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] スパッタ法によるAl-rich AlGaNマルチチャネルダイオードの作製2024
- 著者名/発表者名
  小坂鷹生, 前田亮太, 上野耕平, 藤岡洋
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] パルススパッタ堆積法によるグラフェン/4H-SiC基板上の窒化物薄膜成長2024
- 著者名/発表者名
  全民宰, 上野耕平, 潘テン, 竹本圭佑, 江森健太, 藤岡洋
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] Characteristics of group III-nitride films prepared by pulsed sputtering2024
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno
- 学会等名
  SPIE OPTO
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] [第45回論文奨励賞受賞記念講演] スパッタ法により作製した縮退GaN再成長コンタクトを有するAlN/AlGaN HEMT2024
- 著者名/発表者名
  前田亮太, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] スパッタ法によるAl共添加高濃度n型GaN薄膜の作製と評価2024
- 著者名/発表者名
  千葉優太, 内藤愛子, 上野耕平, 藤岡洋
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] Longitudinal optical (LO) and LO-like phonon resonant mid-infrared radiation emission and absorption by surface micro-structures on III-nitrides2024
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Ishitani, Bojin Lin, Hnin Lai Lai Aye, Daiki Yoshikawa, Hideto Miyake, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  SPIE OPTO
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] スパッタ法による高Al組成AlGaNへの高濃度Geドーピング2024
- 著者名/発表者名
  内藤愛子, 上野耕平, 藤岡洋
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] Fabrication of AlN/AlGaN/AlN multi-channel structures with sputtering-regrown highly degenerate n+-GaN ohmic contacts2023
- 著者名/発表者名
  Takao Kozaka, Ryota Maeda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] Selectively regrown heavily Si-doped degenerate GaN contact to AlN/AlGaN HEMTs prepared via pulsed sputtering2023
- 著者名/発表者名
  Ryota Maeda, Takao Kozaka, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] スパッタ法を用いて作製した高濃度Ge添加n型GaN薄膜の光学特性評価2023
- 著者名/発表者名
  内藤愛子, 上野耕平, 藤岡洋
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] スパッタ法によるGe添加AlGaN薄膜の成長と評価2023
- 著者名/発表者名
  内藤愛子, 上野耕平, 藤岡洋
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] スパッタ法により作製したAlN/Al0.6Ga0.4N/AlN HEMTの耐圧特性評価2023
- 著者名/発表者名
  前田亮太, 小坂鷹生, 上野耕平, 藤岡洋
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] スパッタ法により形成したn型縮退GaNトンネル接合コンタクトLEDの低電圧動作2023
- 著者名/発表者名
  Hwang Jeongeui, 上野耕平, 藤岡洋
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] Preparation of heavily Ge-doped GaN and AlGaN by pulsed sputtering2023
- 著者名/発表者名
  Aiko Naito, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] AlN/AlGaNマルチチャネル構造ショットキーバリアダイオード2023
- 著者名/発表者名
  小坂鷹生, 前田亮太, 上野耕平, 藤岡洋
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] Structural Properties of Epitaxial ScAlN Films Grown by Sputtering: Experimental and Machine Learning Approaches2023
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] Growth and characterization of highly Si-doped AlxGa1-xN (0 < x ≦ 0.81) films prepared via pulsed sputtering deposition2023
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno, Yuto Nishikawa, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26557
[学会発表] スパッタ法によるN極性GaN薄膜のn型伝導性制御と素子応用2022
- 著者名/発表者名
  増田裕介, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] スパッタ再成長高濃度縮退n+-GaNオーミックコンタクトAlN/AlxGa1-xN HEMTの特性評価2022
- 著者名/発表者名
  前田亮太, 西川祐人, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] スパッタ法による高濃度縮退 n 型 AlGaN 薄膜の成長と評価2022
- 著者名/発表者名
  西川祐人, 前田亮太, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] NbNを利用したAl極性AlN上へのN極性AlNエピタキシャル成長2022
- 著者名/発表者名
  紀平俊矢, 小林篤, 上野耕平, 藤岡洋
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] AlN/Al0.5Ga0.5N ヘテロ界面へのスパッタ再成長高濃度縮退n+-GaNオーミックコンタクトの形成2022
- 著者名/発表者名
  前田亮太, 西川祐人, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] 表面処理を施したAlN上に成長させたNbNの結晶方位解析2021
- 著者名/発表者名
  紀平俊矢、小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] 高SiドープGaN薄膜の断面ラマン分光測定2021
- 著者名/発表者名
  馬ベイ, 湯明川, 森田健, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋, 石谷善博
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] 表面平坦化処理を施したAlN上へのNbNエピタキシャル成長2021
- 著者名/発表者名
  紀平俊矢, 前田亮太, 小林篤, 上野耕平, 藤岡洋
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] AlN原子ステップを利用したNbNナノ構造の自己組織化2021
- 著者名/発表者名
  小林篤, 上野耕平, 藤岡洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] トンネル接合を用いたモノリシック多色 LED の作製と評価2021
- 著者名/発表者名
  森川創一朗、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] スパッタ法による窒化物半導体への不純物ドーピングとデバイス応用2021
- 著者名/発表者名
  上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
- 学会等名
  第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] スパッタ法によるn+-GaN再成長コンタクトAlN/AlGaN HEMTの作製2021
- 著者名/発表者名
  前田亮太, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] GaN(0001)上金属窒化物エピタキシャルショットキー接合の形成2021
- 著者名/発表者名
  安東依里奈, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] コヒーレントAlN/AlGaNヘテロ構造の作製とトランジスタ応用2021
- 著者名/発表者名
  前田亮太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] パルススパッタ堆積法によるSn添加GaN薄膜成長2021
- 著者名/発表者名
  西川祐人, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] 非平衡状態を利用した窒化物結晶の合成と応用2021
- 著者名/発表者名
  藤岡洋、上野耕平、小林篤
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] 縦型p型GaN SBD構造を用いたショットキー障壁高さの評価2021
- 著者名/発表者名
  青山航平、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] AlN 上にコヒーレント成長したNbN 極薄膜の超伝導特性2020
- 著者名/発表者名
  小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] トンネル接合を用いた低濃度p型GaN縦型SBD構造の作製2020
- 著者名/発表者名
  柴原啓太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] スパッタ法によるAlN上NbN極薄膜のエピタキシャル成長2020
- 著者名/発表者名
  小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] スパッタ法による窒化物半導体への不純物添加制御とデバイス2020
- 著者名/発表者名
  上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第49回結晶成長学会国内会議
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] 縦型p型GaN SBDを用いたショットキー障壁高さの評価2020
- 著者名/発表者名
  柴原啓太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] 低濃度p型GaN縦型ショットキーバリアダイオード構造の作製と評価2020
- 著者名/発表者名
  上野耕平,柴原啓太,小林篤,藤岡洋
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] AlGaN系透明結晶の欠陥と電気特性の制御2020
- 著者名/発表者名
  藤岡洋、上野耕平、小林篤
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] Growth of ultrathin InN films on Al-polar AlN and its application to field-effect transistors2020
- 著者名/発表者名
  ジョンダヨン、小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] スパッタ法によるGaNへの不純物添加と素子応用2020
- 著者名/発表者名
  上野耕平、森川創一朗、柴原啓太、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] Structural and Electrical Properties of AlN Films Prepared on Sapphire Substrates with Sputtering Technique2019
- 著者名/発表者名
  Sakurai Yuya, Ueno Kohei, Uesugi Kenjiro, Miyake Hideto, Fujioka Hiroshi
- 学会等名
  7th Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA’19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] 高濃度Si添加半極性面GaN(20-21)薄膜の作製と評価2019
- 著者名/発表者名
  森川創一朗、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] Ⅳ族結晶配向層を用いたガラス基板上への窒化物半導体成長2019
- 著者名/発表者名
  小林篤、中野はるか、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] Characteristics of GaN Tunnel Junction Contacts for LEDs Prepared by Pulsed Sputtering2019
- 著者名/発表者名
  Fudetani Taiga, Ueno Kohei, Kobayashi Atsushi, Fujioka Hiroshi
- 学会等名
  7th Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA’19)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292
[学会発表] スパッタ・エピによる半極性面緑色InGaN LED上へのトンネル接合コンタクトの形成2019
- 著者名/発表者名
  上野耕平、森川創一朗、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292

1. 本田善央

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
2. 小林篤

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 9件
3. 前田拓也

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

上野 耕平 UENO KOHEI

研究課題

研究成果

共同研究者

非平衡プラズマ結晶成長技術による超高耐圧窒化アルミニウム系半導体電子素子の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化アルミニウム系超高耐圧半導体素子作製のための基盤技術開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Pulsed sputtering selective epitaxial formation of highly degenerate n-type GaN ohmic contacts for GaN HEMT applications2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Temperature‐Dependent Characteristics of AlN/Al0.5Ga0.5N High Electron Mobility Transistors with Highly Degenerate n‐Type GaN Regrown Ohmic Contacts2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Hole Conduction Mechanism in In-Mg-Codoped GaN Prepared via Pulsed Sputtering Deposition2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Preparation of degenerate n-type AlxGa1-xN (0<x<0.81) with record low resistivity by pulsed sputtering deposition2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Mid-infrared thermal radiation resonating with longitudinal-optical like phonon from n++-doped GaN semi-insulating GaN grating structure2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] AlN/Al<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>N HEMTs with heavily Si-doped degenerate GaN contacts prepared via pulsed sputtering2022

著者名/発表者名

雑誌名

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データソース

[雑誌論文] Reduction of Twin Boundary in NbN Films Grown on Annealed AlN2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Heavily Si-doped pulsed sputtering deposited GaN for tunneling junction contacts in UV-A light emitting diodes2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Vertical p-type GaN Schottky barrier diodes with nearly ideal thermionic emission characteristics2021

著者名/発表者名

雑誌名

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データソース

[雑誌論文] Ultrathin rock-salt type NbN films grown on atomically flat AlN/sapphire substrates2021

著者名/発表者名

雑誌名

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データソース

[雑誌論文] High Electron Mobility AlN on Sapphire (0001) with a Low Dislocation Density Prepared via Sputtering and High‐Temperature Annealing2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Combined infrared reflectance and Raman spectroscopy analysis of Si-doping limit of GaN2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

上野耕平 UENO KOHEI