宗田伊理也 Muneta Iriya

研究者番号	90750018
その他のID	https://orcid.org/0000-0001-7620-4948
所属 (現在)	2025年度: 東京科学大学, 工学院, 助教
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2024年度: 東京工業大学, 工学院, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連研究代表者以外小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
キーワード	研究代表者スピントロ二クス / 2次元層状物質 / 半導体 / 遷移金属カルコゲナイド / スピントロニクス / 4d強磁性体 / ファンデアワールス強磁性体 / 層状半導体 / バレートロニクス / 強磁性半導体 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見るナノワイヤ / MISFET / 半導体 / P/n vertical integration / Multi-input NOR / Self-heating effect / p/n vertical integration / Nanowire / 自己発熱効果 / FinFET / Nano-wire 隠す

二次元層状半導体MoS2の4d軌道エッジ強磁性の電気的制御研究代表者
- 研究代表者
  
  宗田伊理也
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東京工業大学
遷移金属カルコゲナイド二次元層状多結晶の強磁性とその応用研究代表者
- 研究代表者
  
  宗田伊理也
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東京工業大学
自己発熱効果フリー超高集積p/n積層NW/FinFETと6T-SRAM
- 研究代表者
  
  若林整
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京工業大学
二次元層状物質を用いたドーピングフリー強磁性半導体の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  宗田伊理也
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東京工業大学

すべて 2023 2022 2020 2019 2018

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Ferromagnetism modulation by ultralow current in a two-dimensional polycrystalline molybdenum disulphide atomic layered structure2022
- 著者名/発表者名
  Iriya Muneta; Takanori Shirokura; Pham Nam Hai; Kuniyuki Kakushima; Kazuo Tsutsui; Hitoshi Wakabayashi
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 12 号: 1 ページ: 17199-17199
- DOI
  10.1038/s41598-022-22113-3
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14193
[雑誌論文] Self-heating-aware cell design for p/n-vertically-integrated nanowire on FinFET beyond 3 nm technology node2020
- 著者名/発表者名
  Tomohiko Yamagishi, Atsushi Hori, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SG ページ: SGGA09-SGGA09
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab6d83
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[雑誌論文] Relaxation of Self-Heating-Effect for Stacked-Nanowire FET and p/n-Stacked 6T-SRAM Layout2019
- 著者名/発表者名
  Eisuke Anju, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
- 雑誌名
  
  IEEE, Journal of Electron Device Society
  
  巻: 6 ページ: 1239-1245
- DOI
  10.1109/jeds.2018.2882406
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[雑誌論文] Strong edge-induced ferromagnetism in sputtered MoS2 film treated by post-annealing2019
- 著者名/発表者名
  Shirokura Takanori、Muneta Iriya、Kakushima Kuniyuki、Tsutsui Kazuo、Wakabayashi Hitoshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 115 号: 19 ページ: 192404-192404
- DOI
  10.1063/1.5118913
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13785
[学会発表] MoS2極薄膜における磁化特性の層数依存性2023
- 著者名/発表者名
  岡村俊吾, 宗田伊理也, 白倉孝典, 若林整
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14193
[学会発表] Ferromagnetism and current control of magnetoresistance in two-dimensional polycrystalline MoS22022
- 著者名/発表者名
  宗田伊理也, 白倉孝典, PHAM NAM HAI, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整
- 学会等名
  第63回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14193
[学会発表] 強磁性を示す二次元多結晶層状物質MoS2における非対称線形磁気抵抗2022
- 著者名/発表者名
  宗田伊理也, 白倉孝典, ファムナムハイ, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14193
[学会発表] 二次元多結晶二硫化モリブデン原子層状膜における超低電流強磁性変調2022
- 著者名/発表者名
  宗田伊理也
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14193
[学会発表] Self-Heating-Aware Cell Design for Multi-Stacked Circuits with p/n-Vertically-Integrated Nanowires on FinFET2019
- 著者名/発表者名
  T. Yamagishi, A. Hori, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, and H. Wakabayashi
- 学会等名
  N-1-02, pp. 557-558, Solid State Devices and Materials, Japan Society of Applied Physics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[学会発表] 横型p/n積層ナノワイヤによるNORとNANDセルの省面積設計2019
- 著者名/発表者名
  山岸朋彦、堀敦、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会、18a-B11-4
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[学会発表] Edge induced ferromagnetism in sputtered MoS2 film controlled by annealing2019
- 著者名/発表者名
  Takanori Shirokura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  The 80th JSAP Autumn meeting
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13785
[学会発表] Ferromagnetic tunnel devices with two-dimensional layered material MoS22019
- 著者名/発表者名
  Iriya Muneta, Naoki Hayakawa, Takanori Shirokura, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13785
[学会発表] Magnetic Force Microscopy Image Measured on MoS2 Thin Film Sputtered on CaF2 (111) Substrate2018
- 著者名/発表者名
  I. Muneta, Danial B. Z., N. Hayakawa, K. Kakushima, K. Tsutsui and H. Wakabayashi
- 学会等名
  10th International School and Conference on Physics and Applications of Spin Phenomena in Solids
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13785
[学会発表] スパッタMoS2薄膜における磁気特性の成膜温度依存性2018
- 著者名/発表者名
  白倉孝典，宗田伊理也，角嶋邦之，筒井一生，若林整
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13785

1. 若林整 (80700153)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件

宗田 伊理也 Muneta Iriya

研究課題

研究成果

共同研究者

二次元層状半導体MoS2の4d軌道エッジ強磁性の電気的制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

遷移金属カルコゲナイド二次元層状多結晶の強磁性とその応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

自己発熱効果フリー超高集積p/n積層NW/FinFETと6T-SRAM

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

二次元層状物質を用いたドーピングフリー強磁性半導体の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Ferromagnetism modulation by ultralow current in a two-dimensional polycrystalline molybdenum disulphide atomic layered structure2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Self-heating-aware cell design for p/n-vertically-integrated nanowire on FinFET beyond 3 nm technology node2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Relaxation of Self-Heating-Effect for Stacked-Nanowire FET and p/n-Stacked 6T-SRAM Layout2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Strong edge-induced ferromagnetism in sputtered MoS2 film treated by post-annealing2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] MoS2極薄膜における磁化特性の層数依存性2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Ferromagnetism and current control of magnetoresistance in two-dimensional polycrystalline MoS22022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 強磁性を示す二次元多結晶層状物質MoS2における非対称線形磁気抵抗2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 二次元多結晶二硫化モリブデン原子層状膜における超低電流強磁性変調2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Self-Heating-Aware Cell Design for Multi-Stacked Circuits with p/n-Vertically-Integrated Nanowires on FinFET2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 横型p/n積層ナノワイヤによるNORとNANDセルの省面積設計2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Edge induced ferromagnetism in sputtered MoS2 film controlled by annealing2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Ferromagnetic tunnel devices with two-dimensional layered material MoS22019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

宗田伊理也 Muneta Iriya