• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

松村 亮  Matsumura Ryo

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90806358
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2023年度 – 2024年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主任研究員
2020年度 – 2022年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 研究員
2017年度 – 2018年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 研究員
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21050:電気電子材料工学関連 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
キーワード
研究代表者
結晶成長 / 半導体 / ゲルマニウム / ナノワイヤ / 光デバイス / ゲルマニウムスズ / 光学デバイス / 電子デバイス / Siナノワイヤ / スズ … もっと見る / シリコン / 疑似単結晶薄膜 / 金属誘起層交換成長 / 疑似単結晶テンプレート / VLS法 / 金属触媒成長 / 太陽電池 / 薄膜 / 半導体ナノワイヤ … もっと見る
研究代表者以外
トランジスタ / ゲルマニウム / シリコン / ナノワイヤ 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 研究成果

    (43件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  光電融合LSIへ向けた絶縁膜上におけるGe系光学材料の結晶成長と光電デバイス応用研究代表者

    • 研究代表者
      松村 亮
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2025
    • 研究種目
      若手研究
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人物質・材料研究機構
  •  Si-Ge系ヘテロ接合ナノワイヤによる縦型ナノワイヤHEMTデバイスの開発

    • 研究代表者
      深田 直樹
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
    • 研究機関
      国立研究開発法人物質・材料研究機構
  •  GeSn/Ge縦型ヘテロ接合ナノワイヤの実現と次世代トランジスタへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      松村 亮
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      若手研究
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人物質・材料研究機構
  •  絶縁基板上におけるボトムアップ型Siナノワイヤ成長技術の創製研究代表者

    • 研究代表者
      松村 亮
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2018
    • 研究種目
      研究活動スタート支援
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      国立研究開発法人物質・材料研究機構

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2018

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Highly strained and heavily doped germanium thin films by non-equilibrium high-speed CW laser annealing for optoelectronic applications2023

    • 著者名/発表者名
      Saputro Rahmat Hadi、Maeda Tatsuro、Matsumura Ryo、Fukata Naoki
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 162 ページ: 107516-107516

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2023.107516

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796, KAKENHI-PROJECT-23K13370, KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [雑誌論文] Synthesis of Large-Area GeS Thin Films with the Assistance of Pre-deposited Amorphous Nanostructured GeS Films: Implications for Electronic and Optoelectronic Applications2023

    • 著者名/発表者名
      Zhang Qinqiang、Matsumura Ryo、Fukata Naoki
    • 雑誌名

      ACS Applied Nano Materials

      巻: xxxx 号: 8 ページ: 6920-6928

    • DOI

      10.1021/acsanm.3c00669

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796, KAKENHI-PROJECT-21K20393, KAKENHI-PROJECT-23K13370, KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [雑誌論文] Crystallization Of Tensile Strained n-Type Ge By Continuous Wave Laser Annealing2022

    • 著者名/発表者名
      Saputro Rahmat Hadi、Matsumura Ryo、Fukata Naoki
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 108 号: 5 ページ: 79-82

    • DOI

      10.1149/10805.0079ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642, KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [雑誌論文] Direct Detection of Free H2 Outgassing in Blisters Formed in Al2O3 Atomic Layers Deposited on Si and Methods of Its Prevention2022

    • 著者名/発表者名
      Matsumura Ryo、Fukata Naoki
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials and Interfaces

      巻: 14 号: 1 ページ: 1472-1477

    • DOI

      10.1021/acsami.1c20660

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [雑誌論文] Formation of Free Hydrogen Gas By Annealing ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si Stacked Structure2022

    • 著者名/発表者名
      Matsumura Ryo、Fukata Naoki
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 108 号: 5 ページ: 57-61

    • DOI

      10.1149/10805.0057ecst

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642, KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [雑誌論文] Sb 添加Ge 縦型pn ダイオードの電気特性に及ぼす基板加熱堆積の効果2021

    • 著者名/発表者名
      ラハマト ハディ サプトロ, 松村 亮, 深田 直樹
    • 雑誌名

      電子デバイス界面テクノロジー研究会材料・プロセス・デバイス特性の物理プロシーディング集

      巻: - ページ: 133-136

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [雑誌論文] Dopant Redistribution in High-Temperature-Grown Sb-Doped Ge Epitaxial Films2021

    • 著者名/発表者名
      Saputro Rahmat Hadi、Matsumura Ryo、Fukata Naoki
    • 雑誌名

      Crystal Growth and Design

      巻: 21 号: 11 ページ: 6523-6528

    • DOI

      10.1021/acs.cgd.1c00966

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642, KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [雑誌論文] Growth of SiGe thin films with uniform and non-uniform Si concentration profiles on insulating substrates by high-speed continuous wave laser annealing2021

    • 著者名/発表者名
      Matsumura Ryo、Ishii Satoshi、Fukata Naoki
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 134 ページ: 106024-106024

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2021.106024

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642, KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of Highly Sb-Doped Ge on p-Ge (100) for Vertical Transistor Applications2021

    • 著者名/発表者名
      Saputro Rahmat Hadi、Matsumura Ryo、Fukata Naoki
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 102 号: 2 ページ: 147-150

    • DOI

      10.1149/10202.0147ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642, KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [雑誌論文] Growth of High Sn Concentration Germanium-Tin Films on Insulators by Microsecond Laser Annealing2021

    • 著者名/発表者名
      Matsumura Ryo、Fukata Naoki
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 102 号: 2 ページ: 141-146

    • DOI

      10.1149/10202.0141ecst

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [雑誌論文] Growth of High Sn Concentration Germanium-Tin Films on Insulators by Microsecond Laser Annealing2021

    • 著者名/発表者名
      Matsumura Ryo、Fukata Naoki
    • 雑誌名

      ECS Meeting Abstracts

      巻: MA2021-01 号: 30 ページ: 1016-1016

    • DOI

      10.1149/ma2021-01301016mtgabs

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [雑誌論文] 高速CWレーザーアニール法を用いたGeおよびGeSn材料の結晶成長2021

    • 著者名/発表者名
      松村 亮, 深田 直樹
    • 雑誌名

      電子デバイス界面テクノロジー研究会材料・プロセス・デバイス特性の物理プロシーディング集

      巻: - ページ: 63-66

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [雑誌論文] Self-organized〈1 0 0〉direction growth of germanium film on insulator obtained by high speed continuous wave laser annealing2021

    • 著者名/発表者名
      Matsumura Ryo、Fukata Naoki
    • 雑誌名

      Materials Letters

      巻: 288 ページ: 129328-129328

    • DOI

      10.1016/j.matlet.2021.129328

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642, KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [雑誌論文] Growth of Tensile Strained Poly Germanium Thin Film on Glass Substrates by High Speed Continuous Wave Laser Annealing, and its Application to Germanium-Tin2020

    • 著者名/発表者名
      Matsumura Ryo、Fukata Naoki
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 9 号: 6 ページ: 063002-063002

    • DOI

      10.1149/2162-8777/aba4f1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [学会発表] Synthesis of Large-Area GeS Thin Films Using Vapor Transport Method2024

    • 著者名/発表者名
      張 秦強,松村 亮,深田 直樹
    • 学会等名
      春季第71回応用物理学関係連合講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [学会発表] Temperature Dependence of GeS Crystallization by Using a Vapor Transport Method2023

    • 著者名/発表者名
      Qinqiang ZHANG, Ryo MATSUMURA, Naoki FUKATA
    • 学会等名
      2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [学会発表] High-Speed Continuous Wave Laser Annealing: Non-equilibrium growth of Highly-Strained Germanium-Based Materials2023

    • 著者名/発表者名
      MATSUMURA, Ryo, SAPUTRO, Rahmat Hadi, FUKATA, Naoki
    • 学会等名
      MRM2023/IUMRS-ICA2023. 2023
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K13370
  • [学会発表] Temperature dependence of GeS crystallization by vapor transport method2023

    • 著者名/発表者名
      Qinqiang Zhang, Ryo Matsumura and Naoki Fukata
    • 学会等名
      春季第70回応用物理学関係連合講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [学会発表] Optical Property Enhancement through Alloying in High-Speed CWLA-Grown n-type Ge-based Materials2023

    • 著者名/発表者名
      Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Tatsuro Maeda, and Naoki Fukata
    • 学会等名
      2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [学会発表] Temperature Dependence of GeS Crystallization by Using a Vapor Transport Method2023

    • 著者名/発表者名
      張秦強, 松村 亮,深田 直樹
    • 学会等名
      秋季第84回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [学会発表] CWレーザーアニールによる高歪みn型Geのバンド構造解析2023

    • 著者名/発表者名
      ラハマトハディ サプトロ,松村 亮,前田 辰郎,深田 直樹
    • 学会等名
      春季第70回応用物理学関係連合講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [学会発表] Compressive Strain Dependence on the Photoluminescence of Epitaxial Ge1-xSnx Grown on Ge(100)2023

    • 著者名/発表者名
      Rahmat Hadi Saputro, Tatsuro Maeda , Ryo Matsumura , and Naoki Fukata
    • 学会等名
      2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [学会発表] Growth speed dependence on growth feature of n-Ge thin films fabricated by high-speed CW laser annealing2023

    • 著者名/発表者名
      Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Tatsuro Maeda, and Naoki Fukata
    • 学会等名
      EM-NANO 2023
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [学会発表] Effect of amorphous GeS on the morphology of crystallized GeS by vapor transport method2023

    • 著者名/発表者名
      ZHANG, Qinqiang, MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki
    • 学会等名
      2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K13370
  • [学会発表] 高速 CW レーザアニル によ る n型 Si0.1Ge0.9薄膜の結晶成長2023

    • 著者名/発表者名
      ラハマトハディサプトロ,松村 亮,前田 辰郎, 深田 直樹
    • 学会等名
      秋季第84回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [学会発表] Growth of Germanium-based crystals on insulating substrates by non-equilibrium approach.2023

    • 著者名/発表者名
      MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki.
    • 学会等名
      EM-NANO2023
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K13370
  • [学会発表] Compressive Strain Dependence on the Photoluminescence of Epitaxial Ge1-xSnx Grown on Ge(100)2023

    • 著者名/発表者名
      SAPUTRO, Rahmat Hadi, 前田辰郎, MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki.
    • 学会等名
      2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K13370
  • [学会発表] Crystallization of n-type Si0.1Ge0.9 thin films by high-speed CW laser annealing.2023

    • 著者名/発表者名
      SAPUTRO, Rahmat Hadi, MATSUMURA, Ryo, 前田辰郎, FUKATA, Naoki
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K13370
  • [学会発表] Formation of Free Hydrogen Gas by Annealing ALD-Al2O3/Si stacked structure2022

    • 著者名/発表者名
      Ryo Matsumura and Naoki Fukata
    • 学会等名
      The 241st ECS Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [学会発表] Optical properties of highly strained n-Ge films grown by CW laser annealing2022

    • 著者名/発表者名
      R Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata
    • 学会等名
      応用物理学会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [学会発表] Realization of Highly-Strained n-type Ge-on-Insulator by CW Laser Annealing2022

    • 著者名/発表者名
      R Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata
    • 学会等名
      SSDM
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [学会発表] Crystallization of Tensile Strained n-Type Ge By Continuous Wave Laser Annealing2022

    • 著者名/発表者名
      Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura and Naoki Fukata
    • 学会等名
      The 241st ECS Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Highly Sb-Doped Ge on p-Ge (100) for Vertical Transistor Formation2021

    • 著者名/発表者名
      Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata
    • 学会等名
      The 239sh ECS Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [学会発表] Sb添加Ge縦型pnダイオードの電気特性に及ぼす基板加熱堆積の効果2021

    • 著者名/発表者名
      サプトロ ラハマト ハディ, 松村 亮, 深田 直樹
    • 学会等名
      第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [学会発表] 高速CWレーザーアニール法を用いたGeおよびGeSn材料の結晶成&#11985;2021

    • 著者名/発表者名
      松村 亮, 深田 直樹
    • 学会等名
      電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第26回研究会)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Highly Sb-Doped Ge on p-Ge (100) for Vertical Transistor Formation2021

    • 著者名/発表者名
      Saputro Rahmat Hadi, MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki
    • 学会等名
      239th ECS Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [学会発表] Sb添加Ge縦型pnダイオードの電気特性に及ぼす基板加熱堆積の効果. 第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理2021

    • 著者名/発表者名
      サプトロ ラハマト ハディ, 松村 亮, 深田 直樹
    • 学会等名
      電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第26回研究会)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [学会発表] Growth of high Sn concentration Germanium-tin films on insulators by microsecond laser annealing2021

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, N. Fukata
    • 学会等名
      The 239sh ECS Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04642
  • [学会発表] Growth of high Sn concentration Germanium-tin films on insulators by microsecond laser annealing2021

    • 著者名/発表者名
      MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki
    • 学会等名
      239th ECS Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [学会発表] 高速CWレーザーアニール法を用いたGeおよびGeSn材料の結晶成長2021

    • 著者名/発表者名
      松村 亮, 深田 直樹
    • 学会等名
      電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第26回研究会)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K14796
  • [学会発表] Single domain poly-Si film on insulating substrate by limited region aluminum induced layer exchange growth2018

    • 著者名/発表者名
      松村亮 王云帆 JEVASUWANWipakorn 深田直樹
    • 学会等名
      EMRS2018Fall Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H07351
  • [学会発表] Growth of Au/Sn-catalyzed Ge 1-x Sn x nanowires with high Sn content (~5 at.%)2018

    • 著者名/発表者名
      孫永烈 松村亮 JEVASUWANWipakorn 深田直樹
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H07351
  • [学会発表] The Structural Controlled SiNWs by Wet and Dry Etching Processes for Photovoltaic Applications2018

    • 著者名/発表者名
      JEVASUWANWipakorn CHENJunyi SUBRAMANIThiyagu PRADELKen Kei Shinotsuka Yoshihisa Hatta 武井俊朗 松村亮 深田直樹
    • 学会等名
      EMRS2018Fall Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H07351
  • 1.  深田 直樹 (90302207)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 20件
  • 2.  J. Wipakorn (40748216)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  宮崎 剛 (50354147)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  本久 順一 (60212263)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  冨岡 克広 (60519411)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

URL: 

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi