三浦喜直 Miura Yoshinao

研究者番号	90828287
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2022年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連
キーワード	研究代表者絶縁化 / 外周構造 / 高耐圧化 / GaNパワーデバイス / 硼素 / イオン注入 / 硼素イオン注入 / 電界緩和 / 終端構造 / 高耐圧 / 縦型パワーデバイス / 窒化ガリウム

硼素イオン注入による絶縁性GaN結晶層を用いた超低損失パワー素子の高破壊耐量化研究代表者
- 研究代表者
  
  三浦喜直
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所

すべて 2023 2022 2021

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Wafer-scale Fabrication of Vertical GaN p-n Diodes with Graded JTE Structures Using Multiple-zone Boron Implantation2022
- 著者名/発表者名
  Miura Yoshinao、Hirai Hirohisa、Nakajima Akira、Harada Shinsuke
- 雑誌名
  
  Proc. of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
  
  巻: 2022 ページ: 329-332
- DOI
  10.1109/ispsd49238.2022.9813654
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04590
[雑誌論文] Wafer-scale Fabrication of Vertical GaN p-n Diodes with Graded JTE Structures Using Multiple-zone Boron Implantation2022
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Miura, Hirohisa Hirai, Akira Nakajima, and Shinsuke Harada
- 雑誌名
  
  Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC’（ISPSD））
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04590
[雑誌論文] A New JTE Technique for Vertical GaN Power Devices by Conductivity Control Using Boron Implantation into p-Type Layer2022
- 著者名/発表者名
  Miura Yoshinao、Hirai Hirohisa、Nakajima Akira、Harada Shinsuke
- 雑誌名
  
  Proc. of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
  
  巻: 2021 ページ: 343-346
- DOI
  10.23919/ispsd50666.2021.9452219
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04590
[雑誌論文] A New JTE Technique for Vertical GaN Power Devices by Conductivity Control Using Boron Implantation into p-Type Layer2021
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Miura, Hirohisa Hirai, Akira Nakajima, and Shinsuke Harada
- 雑誌名
  
  Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC’（ISPSD））
  
  巻: - ページ: 354-357
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04590
[産業財産権] 半導体装置および半導体装置の製造方法2023
- 発明者名
  三浦喜直、中島昭、沈旭強、平井悠久、原田信介
- 権利者名
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2023-515445
- 出願年月日
  2023
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04590
[産業財産権] 半導体装置および半導体装置の製造方法2022
- 発明者名
  三浦喜直、中島昭、沈旭強、平井悠久、原田信介
- 権利者名
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2022
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04590
[産業財産権] 半導体装置および半導体装置の製造方法2021
- 発明者名
  三浦喜直　中島昭　沈旭強　平井悠久　原田信介
- 権利者名
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2021-072595
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04590
[学会発表] A New JTE Technique for Vertical GaN Power Devices by Conductivity Control Using Boron Implantation into p-Type Layer2022
- 著者名/発表者名
  Y. Miura, H. Hirai, A. Nakajima, and S. Harada
- 学会等名
  ISPSD2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04590
[学会発表] 硼素イオン注入による伝導度制御p型GaNエピ層を用いた縦型素子用JTE構造の設計2022
- 著者名/発表者名
  三浦喜直、平井悠久、中島昭、原田信介
- 学会等名
  第9回先進パワー半導体分科会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04590
[学会発表] Wafer-scale Fabrication of Vertical GaN p-n Diodes with Graded JTE Structures Using Multiple-zone Boron Implantation2022
- 著者名/発表者名
  Y. Miura, H. Hirai, A. Nakajima, and S. Harada
- 学会等名
  ISPSD2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04590
[学会発表] Wafer-scale Fabrication of Vertical GaN p-n Diodes with Graded JTE Structures Using Multiple-zone Boron Implantation2022
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Miura, Hirohisa Hirai, Akira Nakajima, and Shinsuke Harada
- 学会等名
  Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC’（ISPSD）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04590
[学会発表] A New JTE Technique for Vertical GaN Power Devices by Conductivity Control Using Boron Implantation into p-Type Layer2021
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Miura, Hirohisa Hirai, Akira Nakajima, and Shinsuke Harada
- 学会等名
  Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC’（ISPSD）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04590

1. 沈旭強 (50272381)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
2. 中島昭 (60450657)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件

三浦 喜直 Miura Yoshinao

研究課題

研究成果

共同研究者

硼素イオン注入による絶縁性GaN結晶層を用いた超低損失パワー素子の高破壊耐量化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Wafer-scale Fabrication of Vertical GaN p-n Diodes with Graded JTE Structures Using Multiple-zone Boron Implantation2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Wafer-scale Fabrication of Vertical GaN p-n Diodes with Graded JTE Structures Using Multiple-zone Boron Implantation2022

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] A New JTE Technique for Vertical GaN Power Devices by Conductivity Control Using Boron Implantation into p-Type Layer2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] A New JTE Technique for Vertical GaN Power Devices by Conductivity Control Using Boron Implantation into p-Type Layer2021

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[産業財産権] 半導体装置および半導体装置の製造方法2023

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体装置および半導体装置の製造方法2022

発明者名

権利者名

産業財産権種類

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体装置および半導体装置の製造方法2021

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[学会発表] A New JTE Technique for Vertical GaN Power Devices by Conductivity Control Using Boron Implantation into p-Type Layer2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 硼素イオン注入による伝導度制御p型GaNエピ層を用いた縦型素子用JTE構造の設計2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Wafer-scale Fabrication of Vertical GaN p-n Diodes with Graded JTE Structures Using Multiple-zone Boron Implantation2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Wafer-scale Fabrication of Vertical GaN p-n Diodes with Graded JTE Structures Using Multiple-zone Boron Implantation2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] A New JTE Technique for Vertical GaN Power Devices by Conductivity Control Using Boron Implantation into p-Type Layer2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

三浦喜直 Miura Yoshinao