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HIRAI HIROHISA  平井 悠久

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平井 悠久  ヒライ ヒロヒサ

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Researcher Number 10828122
Other IDs
Affiliation (Current) 2025: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員
Affiliation (based on the past Project Information) *help 2021 – 2023: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究員
Review Section/Research Field
Principal Investigator
Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Except Principal Investigator
Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Keywords
Principal Investigator
MOS / 省エネ / トランジスタ / パワーエレクトロニクス / 窒化ガリウム / 電気特性 / エッチング / 界面 / 結晶 / パワーデバイス / 半導体 … More
Except Principal Investigator
… More MOSFET / 原子的平坦化 / 原子的平坦面 / 原子的平坦界面 / チャネル移動度 / 電界効果トランジスタ / シリコンカーバイド / プロセスインテグレーション / 移動度 / 散乱 / パワーデバイス / MOS界面 / SiC Less
  • Research Projects

    (2 results)
  • Research Products

    (5 results)
  • Co-Researchers

    (2 People)
  •  Development of lightly-tilted crystal face trench MOS channels toward the realization of ultra-low resistance GaN power devicesPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      平井 悠久
    • Project Period (FY)
      2022 – 2024
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
    • Review Section
      Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
    • Research Institution
      National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
  •  Investigation of the dominant scattering origins in the SiC-MOS interface and reduction of channel resistance through their suppression

    • Principal Investigator
      Sometani Mitsuru
    • Project Period (FY)
      2021 – 2023
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Review Section
      Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
    • Research Institution
      National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

All 2023 2022 2021

All Presentation Patent

  • [Patent] 窒化ガリウム積層構造体、窒化ガリウム積層構造体の製造方法2023

    • Inventor(s)
      平井悠久、三浦喜直、中島昭、原田信介
    • Industrial Property Rights Holder
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2023-149425
    • Filing Date
      2023
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22K14294
  • [Presentation] 垂直から微傾斜したGaN結晶面のウェットエッチによる作製とMOS評価2023

    • Author(s)
      平井悠久、三浦喜直、中島昭、岡本光央、原田信介
    • Organizer
      進パワー半導体分科会第10回講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22K14294
  • [Presentation] 微傾斜トレンチ構造に適するGaN結晶面上のMOS特性2023

    • Author(s)
      平井悠久、三浦喜直、中島昭、原田信介
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22K14294
  • [Presentation] Impact of oxidation process on electron scattering and roughness at 4H-SiC non-polar MOS interfaces2022

    • Author(s)
      M. Sometani, H. Hirai, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada
    • Organizer
      19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21K04166
  • [Presentation] 4H-SiC非極性面上のMOS界面散乱に対する酸化プロセスの影響2021

    • Author(s)
      染谷満、平井悠久、岡本光央、畠山哲夫、原田信介
    • Organizer
      先進パワー半導体分科会第8回講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21K04166
  • 1.  Sometani Mitsuru (60783644)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 2 results
  • 2.  升本 恵子 (60635324)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results

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