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Yokoyama Haruki  横山 春喜

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Researcher Number 20583701
Other IDs
Affiliation (Current) 2026: 滋賀県立大学, 産学連携センター, 特任教授
Affiliation (based on the past Project Information) *help 2020 – 2023: 鈴鹿工業高等専門学校, 電気電子工学科, 教授
2017 – 2019: 鈴鹿工業高等専門学校, その他部局等, 教授
Review Section/Research Field
Principal Investigator
Basic Section 18040:Machine elements and tribology-related / Crystal engineering
Keywords
Principal Investigator
熱処理 / 相転移 / マグネトロンスパッタ / 二酸化バナジウム / 構造相転移 / マイクロアクチュエータ / エピタキシャル / 結晶工学 / 半導体物性 / 電子・電気材料 … More / キャリア濃度 / ホール効果 / イオン化エネルギー / p型 / 拡散 / 移動度 / アクセプタ準位 / p型 / Si / ドーピング / GaAsSb Less
  • Research Projects

    (2 results)
  • Research Products

    (6 results)
  •  Development of a new high-performance microactuator with a structural phase transition controlled by voltagePrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      Yokoyama Haruki
    • Project Period (FY)
      2020 – 2023
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Review Section
      Basic Section 18040:Machine elements and tribology-related
    • Research Institution
      Suzuka National College of Technology
  •  Study on acceptor level and thermal stability of Si-doped p-type GaAsSbPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      Yokoyama Haruki
    • Project Period (FY)
      2017 – 2019
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      Crystal engineering
    • Research Institution
      Suzuka National College of Technology

All 2020 2019 2018

All Journal Article Presentation

  • [Journal Article] スパッタリング法により作製したスパッタリング法により作製した酸化バナジウム薄膜の電気的・光学的特性に及ぼす熱処理効果2020

    • Author(s)
      伊藤 滉悟, 横山 春喜
    • Journal Title

      教育工学論文集

      Volume: 43 Pages: 55-57

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20K04252
  • [Journal Article] Siドープp型GaAsSbの正孔散乱機構解析2018

    • Author(s)
      森 友希、横山 春喜
    • Journal Title

      教育工学論文集

      Volume: 41 Pages: 42-44

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K05046
  • [Presentation] スパッタリング法により作製した酸化バナジウム薄膜の電気的・光学的特性評価2020

    • Author(s)
      伊藤 滉悟, 上嶋 悠, 介浦村 匠, 横山 春喜
    • Organizer
      第168回教育工学研究会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20K04252
  • [Presentation] GaAsSb結晶中のSiアクセプタ準位評価2019

    • Author(s)
      杉田 有哉、田中 滉士、和泉 志男、横山 春喜
    • Organizer
      平成31年電気学会全国大会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K05046
  • [Presentation] Siドープp型GaAsSbの正孔散乱機構解析2018

    • Author(s)
      森 友希、横山 春喜
    • Organizer
      第163回教育工学研究会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K05046
  • [Presentation] Si ドープp 型GaAsSb 層のホール効果測定2018

    • Author(s)
      和泉志男,横山春喜,杉田有哉
    • Organizer
      平成30年電気・電子・情報関係学会 東海支部連合大会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K05046

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