| Affiliation (based on the past Project Information) *help |
2012 – 2014: 兵庫県立大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2013: 兵庫県立大学, 大学院工学研究科, 教授
2010 – 2012: 兵庫県立大学, 大学院・工学研究科, 教授
2006: University of Hyogo, Graduate School of Engineering, Professor, 大学院工学研究科, 助教
2006: 兵庫県立大学, 大学院工学研究科, 教授
… More
2005: 兵庫県立大学, 大学院・工学研究科, 教授
2004: 兵庫県立大学, 工学研究科, 助教授
2002 – 2003: Himeji Inst. Tech., Grad. School of Eng.., Assoc. Prof., 工学研究科, 助教授
2000 – 2003: 姫路工業大学, 工学部, 助教授
1995 – 1998: Himeji Inst.of Tech.Faculty of Engineering, Associate Professor, 工学部, 助教授
1989 – 1994: 京都大学, 工学部, 助手
1986: Faculty of Engineering, Kyoto University, Research Associate, 工学部, 助手
Less
|
| Keywords |
- Principal Investigator
-
MOCVD法 / MOCVD / 強誘電体 / PZT薄膜 / 圧電応答顕微鏡 / Pb(Zr,Ti)O_3 / grain boundary / grain size / グレインバウンダリ / グレインサイズ
… More
/ サイズ効果 / 強誘電体薄膜 / SIMS / Pb(Zr,Ti)O_3薄膜 / PZT thin film / O_3 / 強誘電体メモリ / ナノワイヤ / ナノロッド / 二段階成長法 / Ir薄膜 / 低温成長 / 強誘電性 / ナノ構造 / 極薄膜 / Synchrotron X-Ray Diffraction / Phase Transition Temperature / Critical Thickness / Piezoresponse Force Microscopy / PbTiO_3 Nanoislands / PbTiO_3 Ultrathin Films / Size Effect / 自己集合化 / 強誘電体ナノ構造 / 強誘電体極薄膜 / 放射光X線回折 / 相転移温度 / 臨界膜厚 / PbTiO_3ナノアイランド / PbTiO_3極薄膜 / ferroelectric thin film memory / three-dimensional capacitor / ferroelectric capacitor / Ir thin film step coverage / low temperature growth / 段差被膜性 / Pb(Zr, Ti)O_3(PZT)薄膜 / NOCVD法 / PZTキャパシタ / Ir系電極 / 強誘電体薄膜メモリ / 立体構造キャパシタ / 強誘電体キャパシタ / 段差被覆性 / 低音成長 / ultra thin PZT films / polarization reversal process / piezoresponse / ferroelectricity / Pb(Zr,Ti)O_3(PZT) thin films / 原子層ステップ / エピタキシャル単結晶PZT薄膜 / 初期成長過程 / PbTiO_3初期核 / グレインサイズの制御 / 強誘電体PZT薄膜 / エピタキシャルPZT薄膜 / グレインサイズ制御 / Pb(Zr, Ti)O_3(PZT) / PZT極薄膜 / 分極反転機構 / 圧電応答 / Pb(Zr, Ti)O_3薄膜 / film thickness / Pb(Zr, Ti)O_3 thin film / size effect / memory / ferroelectric thin film / メモリデバイス / 薄膜 / 膜厚 / メモリ / interface state / C-V mesurment / DLTS / barrier / Pb (Zr, Ti) O_3 thin films / MOCVD method / IrO_2 ceramics target / 界面 / 分極反転特性 / IrO_2 / Ir / メモリ素子 / 全反射X線回折法 / Pb (Zr, Ti) O_3薄膜 / RFスパッタ法 / Ir電極 / 界面準位 / C-V測定 / DLTS法 / バリア層 / IrO_2セラミックターゲット / characteristic control / NO_2 / perovskite / film composition / ferroelectric film / Photo-MOCVD / トリエチルn-ペントキシ鉛 / 二段階成長 / バッファ層 / リーク特性 / 光MOCVD / 疲労特性 / オゾン / リ-ク電流 / メモリ特性 / 光励起MOCVD法 / PLZT薄膜 / No_2 / 絶縁破壊電圧 / ソ-ク電流 / 光奨起MOCVD法 / DZT薄膜 / チタン酸ジルコン酸鉛 / 酸化亜鉛 / 強誘電体ナノキャパシタ / 立体構造メモリ / 1次元構造 / 有機金属気相成長法 / 超高集積強誘電体メモリ / ナノキャパシタ / ナノチューブ / Pb(Zr, Ti)O_3 / 一次元構造 / PbTiO_3 / ZnOナノロッド / 一次元ナノ構造 / 圧電振動発電デバイス / 選択成長 / PZT / PbTiO3 / ZnO / 電子材料 / 電気 / 圧電振動応答 / 成長機構 / 島状核 / 立体構造PZTキャパシタ / Stranski-Krastanov成長 / Volmer-Waber成長 / 三次元キャパシタ / 高品質強誘電体薄膜 / エピタキシャル成長 / 自己集合
… More
- Except Principal Investigator
-
MOCVD / PZT / PZT薄膜 / 比誘電率 / ペロブスカイト / MOCVD法 / 強誘電体薄膜 / Ir electrode / MFS型デバイス / MFSデバイス / PLZT / 薄膜 / PZT thin film / メモリデバイス / 絶縁破壊電圧 / オゾン / 四ホウ酸リチウム / 強誘電体 / サイズ効果 / 自発分極 / スイッチング特性 / 抗電界 / 残留分極 / D-Eヒステリシス / 誘電正接 / チタン酸ジルコン酸鉛 / チタン酸鉛 / 光励起プロセス / Hetero-Epitaxial / Tungsten-Bronze / SAW / Pyroelectric Devices / PT / タングステンブロンズ / エピタキシャル / 赤外検出器 / 焦電郊果 / スパッタ法 / Coupling / Temperature Coefficient of Delay / Bulk Acoustic Wave / Surface Acoustic Wave / Lithium Tetraborate / 結合係数 / 機械的品質係数 / 表面波共振子 / 零温度係数 / 表面波デバィス / バルク波振動子 / チョクラルスキー / TiO_2 thin film / PFM observations / MFS device / A1_2O_3 thin film / MFIS structure / Ferroelectric gate FET / 強誘電性のAFM観察 / TiO_2薄膜 / PFM観察 / Al_2O_3薄膜 / MFIS構造 / 強誘電体ゲートFET / space charge / size effect / source purity / Pb (Zr_2Ti) O_3 / FeRAM / ferroelectric thin film / ドメインピニングモデル / 熱刺激電流法 / リ-ク電流特性 / 分極反転疲労特性 / 高集積化、大面積成長 / Pb(Zr,Ti)O_3 / 強誘電体不揮発性RAM / 空間電荷 / 原料純度 / Ir系電極 / 高速大面積成長 / Pb(Zr, Ti)O_3 / 強誘電体不揮発性メモリー / PZT thin films / Semiconductor interface / Ferroelectric thin films / MFS-Device / Ir / Ir電極 / 半導体界面 / fatigue / memory device / uniformity / thin film / large area growth / 成長速度 / 組成分布 / 膜厚分布 / 均一膜 / PLZT薄膜 / 均一成長 / 面内均一性 / 疲労 / 均一性 / 大面積成長 / ferroelectric super lattice / in-situ observation / TRXD / AFM / ultrathin film / ferroelectric superlattice / 二酸化窒素 / 光励起MOCVD法 / Pb系超格子薄膜 / 強誘電体超格子 / その場観察 / エネルギー分散型全反射X線回折法 / 原子間力顕微鏡 / 超薄膜 / Pb系強誘電体超格子薄膜 / reversed domain / switching time / PbTiO_3 buffer layr / two step growth process / breakdown voltage / O_3 / Photo-MOCVD / 光励起CVD / Pb(Zr,Ti)0_3薄膜 / ドメイン / スイッチング速度 / バッファ層 / リーク特性 / 光MOCVD / BaTiO_3 / LiNbO_3 / Photo refractive effect / Surface acoustic wave / Zero TCD / Czochralski method / Li_2B_4O_7 / Single crystal / 表面弾性波フィルタ- / 擬似弾性表面波 / チョクラルスキ-法 / 光連想メモリ / 位相共役波 / TSSG法 / 光誘起屈折率効果 / チタン酸バリウム / ニオブ酸リチウム / SAWフィルタ / 擬似表面波 / 表面波伝搬特性 / チョクラルスキー法 / 単結晶 / switching characteristics / ferroelectric hysteresis curve / perovskite / functoinal ceramic thin film / lead zirconate titanate / lead titanate / zinc oxide / photo-MOCVD / 光機能素子 / ペロブスカイト単一相 / 圧電体 / 光ド-ピング / 表面光化学反応 / 分極反転電荷密度 / ペロブスカイト相 / 光MO(V+)法 / 分極反転 / 強誘電性ヒステリシス / 機能性セラミック薄膜 / 酸化亜鉛 / 光MOCVD法 / サイズ依存性 / 基板拘束 / SPM / 走査型プローブ顕微鏡 / 圧電定数 / ナノ強誘電体 / BiFeO_3 / 価数制御 / 組成制御 / リーク電流 / 絶縁性 / ビスマスフェライト / ペロブスカイト酸化物トラシジスタ / 成長初期過程 / 新強誘電体探索 / 化学溶液プロセス / 濃度相境界 / モルフォトロピック相境界 / 低温プロセッシング / 2次相転移点 / 低温プロセス / マルテンサイト型合金 / ケミカルプロセッシング / MFIS-FET / 強誘電体・半導体接合 / 走査型非線形誘電率顕微鏡 / MFIS(MFS)構造 / ケミカル・プロセッシング / ドメイン構造観察 / リラクサ強誘電体 / MIFS-FET / 希土類ドープ / シュミレーション / 電気的相互作用 / エピタクシャル / 凝集構造 / 有機分子 / 走査型トンネル顕微鏡 / ペロブスカイト構造 / Pb(Zr,Ti)O_3薄膜 / DーEヒステリシスカ-ブ
Less
|
|---|
