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Mutsukura Nobuyuki  六倉 信喜

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Mutsukura Nobuki  六倉 信喜

MUTSUKURA Nobuki  六倉 信喜

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Researcher Number 30166227
Other IDs
Affiliation (Current) 2025: 東京電機大学, 工学部, 研究員
Affiliation (based on the past Project Information) *help 2019 – 2021: 東京電機大学, 工学部, 教授
1994 – 1995: 東京電機大学, 工学部, 助教授
1988: Tokyo Denki University, Associate Professor, 工学部, 助教授
1987: 東京電機大学, 工学部, 講師
Review Section/Research Field
Principal Investigator
Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related / Applied materials science/Crystal engineering
Except Principal Investigator
Applied materials
Keywords
Principal Investigator
高温成長 / エピタキシャル成長 / スパッタリング法 / GaN系半導体 / Hard Carbon Film / Rf Plasma / Plasma CVD / Diamond Film / 高周波プラズマCVD / ダイヤモンド膜 … More / 硬質炭素膜 / 高周波プラズマ / プラズマCVD / ダイヤモンド薄膜 … More
Except Principal Investigator
Monitoring of Plasma / Radio Frequency Glow Discharge Plasma / ラングミュアープローブ / 平均電子エネルギーTe / 電子密度ne / プラズマ発光強度分布 / イオンシース / プラズマプロセシング / 高周波プラズマのモニタリング / プラズマの分布 / プラズマの分析 / プラズマのモニタリング / 高周波プラズマ Less
  • Research Projects

    (3 results)
  • Research Products

    (9 results)
  • Co-Researchers

    (1 People)
  •  High-temperature sputter epitaxy of GaN-based single-crystalline layers and its device applicationPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      Mutsukura Nobuki
    • Project Period (FY)
      2019 – 2021
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Review Section
      Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
    • Research Institution
      Tokyo Denki University
  •  Synthesis of Diamond Film at Low Temperature and Its AppricationsPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      MUTSUKURA Nobuki
    • Project Period (FY)
      1994 – 1995
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      Applied materials science/Crystal engineering
    • Research Institution
      Tokyo Denki University
  •  Study on Monitoring of Radio Frequency Glow Discharge Plasma

    • Principal Investigator
      MACHI Yoshio
    • Project Period (FY)
      1987 – 1988
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      Applied materials
    • Research Institution
      Tokyo Denki University

All 2022 2021 2020 2019

All Presentation

  • [Presentation] UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長メカニズム (Ⅱ)2022

    • Author(s)
      齋藤 元希、吉田 圭佑、篠田 宏之、六倉 信喜
    • Organizer
      2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K05276
  • [Presentation] UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長メカニズム2021

    • Author(s)
      齋藤 元希、吉田 圭佑、篠田 宏之、六倉 信喜
    • Organizer
      2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K05276
  • [Presentation] GaN層の表面汚染に関する検討(Ⅳ)2020

    • Author(s)
      水野 愛、福田 直樹、岩元 正紀、長田 拓也、篠田 宏之、六倉 信喜
    • Organizer
      2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K05276
  • [Presentation] UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長2020

    • Author(s)
      福田 直樹、岩元 正紀、長田 拓也、水野 愛、安藤 毅、篠田 宏之、六倉 信喜
    • Organizer
      2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K05276
  • [Presentation] GaN層の表面汚染に関する検討(Ⅲ)2020

    • Author(s)
      水野 愛、福田 直樹、岩元 正紀、長田 拓也、篠田 宏之、六倉 信喜
    • Organizer
      2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K05276
  • [Presentation] UHVスパッタエピタキシー法によるAlN層の成長(Ⅰ)2019

    • Author(s)
      長田 拓也、岩元 正紀、福田 直樹、水野 愛、安藤 毅、篠田 宏之、六倉 信喜
    • Organizer
      2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K05276
  • [Presentation] Surface Contamination with Si and O Impurities for GaN Single-Crystalline Layers Grown by Ultra-High-Vacuum Sputter Epitaxy2019

    • Author(s)
      Ai Mizuno, Hiroyuki Shinoda and Nobuki Mutsukura
    • Organizer
      16th International Symposium on Semiconductor Cleaning Science and Technology (SCST 16)
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K05276
  • [Presentation] UHVスパッタエピタキシー法によるAlN層の成長(Ⅲ)2019

    • Author(s)
      福田 直樹、長田 拓也、岩元 正紀、水野 愛、安藤 毅、篠田 宏之、六倉 信喜
    • Organizer
      2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K05276
  • [Presentation] UHVスパッタエピタキシー法によるAlN層の成長(Ⅱ)2019

    • Author(s)
      岩元 正紀、長田 拓也、福田 直樹、水野 愛、安藤 毅、篠田 宏之、六倉 信喜
    • Organizer
      2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K05276
  • 1.  MACHI Yoshio (20057219)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results

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