平間一行ヒラマカズユキ

Researcher Number	50434329
Other IDs
Affiliation (Current)	2022: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 多元マテリアル創造科学研究部, 主任研究員
Affiliation (based on the past Project Information) *help	2014 – 2016: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 研究主任 2013: 日本電信電話株式会社ＮＴＴ物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 研究主任 2007: 早稲田大, 理工学術院, 助手 2006: 早稲田大学, 理工学術院, 助手
Review Section/Research Field	Principal Investigator Electron device/Electronic equipment Except Principal Investigator Crystal engineering
Keywords	Principal Investigator 電子デバイス・集積回路 / 微細プロセス技術 / マイクロ波・ミリ波 Except Principal Investigator 結晶成長 / 半導体物性 / 窒化物半導体 / 発光デバイス / 紫外

Research on AlN-based heterostructure growth and UV light-emitting devices
- Principal Investigator
  
  Taniyasu Yoshitaka
- Project Period (FY)
  2013 – 2016
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- Research Field
  
  Crystal engineering
- Research Institution
  NTT Basic Research Laboratories
収束ビームによる高濃度イオン注入プロセスを利用した新構造ダイヤモンドFETの作製Principal Investigator
- Principal Investigator
  
  平間一行
- Project Period (FY)
  2007
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- Research Field
  
  Electron device/Electronic equipment
- Research Institution
  Waseda University
ダイヤモンドトランジスタの実用化に向けた熱的安定性とデバイス特性の改善Principal Investigator
- Principal Investigator
  
  平間一行
- Project Period (FY)
  2006 – 2007
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
- Research Field
  
  Electron device/Electronic equipment
- Research Institution
  Waseda University

All 2016 2015 2014 2013

All Journal Article Presentation Patent

[Journal Article] 窒化物半導体/ダイヤモンドヘテロ構造の成長とその応用2016
- Author(s)
  平間一行, 谷保芳孝, 嘉数誠, 山本秀樹, 熊倉一英
- Journal Title
  
  NEW DIAMOND
  
  Volume: 122 Pages: 2-9
- Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[Journal Article] イオンビームアシストMBE法による立方晶BN(c-BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016
- Author(s)
  平間一行、谷保芳孝、山本秀樹、熊倉一英
- Journal Title
  
  応用物理
  
  Volume: 85 Pages: 306-310
- NAID
  130007715307
- Acknowledgement Compliant
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[Patent] 発光素子2015
- Inventor(s)
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹
- Industrial Property Rights Holder
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹
- Industrial Property Rights Type
  特許
- Industrial Property Number
  2015-032976
- Filing Date
  2015-02-23
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[Presentation] 立方晶窒化ホウ素(c -BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016
- Author(s)
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹, 熊倉一英
- Organizer
  日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会・第98回研究会
- Place of Presentation
  主婦会館プラザエフ（東京都千代田区）
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[Presentation] イオンビームアシストMBE法による準安定相窒化ホウ素(c-BN)薄膜の成長2016
- Author(s)
  平間一行, 谷保芳孝,山本秀樹, 熊倉一英
- Organizer
  東京大学生産技術研究所光電子融合研究センター公開シンポジウム
- Place of Presentation
  東京大学（東京都目黒区）
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[Presentation] c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長における基板へのバイアス電圧印加の効果2016
- Author(s)
  平間一行、谷保芳孝、山本秀樹、熊倉一英
- Organizer
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- Place of Presentation
  東京工業大学（東京都・目黒区）
- Year and Date
  2016-03-20
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[Presentation] c-BN(001)薄膜の結晶性に及ぼすイオン照射の影響2016
- Author(s)
  平間一行, 谷保芳孝,山本秀樹, 熊倉一英
- Organizer
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- Place of Presentation
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[Presentation] 立方晶窒化ホウ素(c-BN)薄膜のMBE成長におけるイオン照射の効果2015
- Author(s)
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹
- Organizer
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- Place of Presentation
  東海大学
- Year and Date
  2015-03-11
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[Presentation] 準安定相窒化ホウ素(立方晶BN)薄膜のイオンビームアシストMBE成長2015
- Author(s)
  平間一行、谷保芳孝、狩元慎一、山本秀樹、熊倉一英
- Organizer
  第45回結晶成長国内会議（NCCG-45）
- Place of Presentation
  北海道大学（北海道・札幌市）
- Year and Date
  2015-10-19
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[Presentation] ダイヤモンド/立方晶窒化ホウ素(c-BN)薄膜ヘテロ構造成長2015
- Author(s)
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹
- Organizer
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- Place of Presentation
  東海大学
- Year and Date
  2015-03-11
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[Presentation] 単結晶c-BN薄膜の内部応力に及ぼすイオン照射の影響2015
- Author(s)
  平間一行、谷保芳孝、狩元慎一、山本秀樹、熊倉一英
- Organizer
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- Place of Presentation
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- Year and Date
  2015-09-15
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[Presentation] イオンビームアシストMBEによる立方晶BN(111)薄膜の高品質化2014
- Author(s)
  平間一行、谷保芳孝、狩元慎一、山本秀樹
- Organizer
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- Place of Presentation
  北海道大学
- Year and Date
  2014-09-18
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[Presentation] 単結晶立方晶窒化ホウ素(c-BN)のイオンビームアシストMBE成長機構2014
- Author(s)
  平間一行、谷保芳孝、狩元慎一、山本秀樹
- Organizer
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- Place of Presentation
  青山学院大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[Presentation] AlN系ヘテロ構造のエピタキシャル成長と深紫外LED応用2013
- Author(s)
  谷保芳孝、Ryan Banal、平間一行、山本秀樹
- Organizer
  日本結晶成長学会結晶成長国内会議
- Place of Presentation
  長野市諸生涯学習センター
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[Presentation] 立方晶窒化ホウ素(cBN)のイオンビームアシストMBE成長2013
- Author(s)
  平間一行, 狩元慎一, Krockenberger Yoshiharu, 谷保芳孝, 山本秀樹
- Organizer
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- Place of Presentation
  同志社大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25246022

1. Taniyasu Yoshitaka (20393738)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 14 results
2. 熊倉一英 (00393736)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 8 results
3. 山本秀樹 (70393733)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 14 results

平間 一行 ヒラマ カズユキ

Research Projects

Research Products

Co-Researchers

Research on AlN-based heterostructure growth and UV light-emitting devices

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

収束ビームによる高濃度イオン注入プロセスを利用した新構造ダイヤモンドFETの作製Principal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

ダイヤモンドトランジスタの実用化に向けた熱的安定性とデバイス特性の改善Principal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

[Journal Article] 窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ構造の成長とその応用2016

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] イオンビームアシストMBE法による立方晶BN(c-BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016

Author(s)

Journal Title

NAID

Data Source

[Patent] 発光素子2015

Inventor(s)

Industrial Property Rights Holder

Industrial Property Rights Type

Industrial Property Number

Filing Date

Data Source

[Presentation] 立方晶窒化ホウ素(c -BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Data Source

[Presentation] イオンビームアシストMBE法による準安定相窒化ホウ素(c-BN)薄膜の成長2016

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Data Source

[Presentation] c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長における基板へのバイアス電圧印加の効果2016

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Year and Date

Data Source

[Presentation] c-BN(001)薄膜の結晶性に及ぼすイオン照射の影響2016

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Data Source

[Presentation] 立方晶窒化ホウ素(c-BN)薄膜のMBE成長におけるイオン照射の効果2015

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Year and Date

Data Source

[Presentation] 準安定相窒化ホウ素(立方晶BN)薄膜のイオンビームアシストMBE成長2015

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Year and Date

Data Source

[Presentation] ダイヤモンド/立方晶窒化ホウ素(c-BN)薄膜ヘテロ構造成長2015

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Year and Date

Data Source

[Presentation] 単結晶c-BN薄膜の内部応力に及ぼすイオン照射の影響2015

Author(s)

Organizer

平間一行ヒラマカズユキ

[Journal Article] 窒化物半導体/ダイヤモンドヘテロ構造の成長とその応用2016