Matsukawa Takashi 松川貴

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松川貴マツカワタカシ

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Researcher Number	70287986
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Affiliation (Current)	2025: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長
Affiliation (based on the past Project Information) *help	2015 – 2016: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究グループ長 2014: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 上級主任研究員 1997: 早稲田大学, 理工学部, 助手
Review Section/Research Field	Principal Investigator Electron device/Electronic equipment Except Principal Investigator Electronic materials/Electric materials
Keywords	Principal Investigator 半導体超微細化 / 先端機能デバイス / FinFET / テラヘルツ波 Except Principal Investigator Nano structure / Surface modification / Focused ion beam / Semiconductor / Dopant / Impurity atom … More / Single ion implantation / Quantum doping / MOS界面準位 / 活性化 / ゆらぎ / 異方性エッチング / SIMOX基板 / ドーパント個数制御 / 不純物揺らぎ / 2次電子検出 / 単一イオン抽出 / ナノ構造 / 表面改質 / 集束イオンビーム / 半導体 / ドーパント / 不純物 / シングルイオン注入法 / 量子化イオン照射法 Less

CMOS FinFET technologies toward low-cost terahertz generation for safe and secure societyPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  Matsukawa Takashi
- Project Period (FY)
  2014 – 2016
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- Research Field
  
  Electron device/Electronic equipment
- Research Institution
  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Fabrication of semiconductor nano-scale structures and control of its electrical characteristics by means of quantum doping
- Principal Investigator
  
  OHDOMARI Iwao
- Project Period (FY)
  1997 – 1999
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Waseda University

All 2017 2016 2015 2014

All Journal Article Presentation

[Journal Article] Impact of residual defects caused by extension ion implantation in FinFETs on parasitic resistance and its fluctuation2017
- Author(s)
  T. Matsukawa, Y. Liu, T. Mori, Y. Morita, S. Otsuka, S. O’uchi, H. Fuketa, S. Migita, and M. Masahara
- Journal Title
  
  Solid-State Electronics
  
  Volume: 132 Pages: 103-108
- DOI
  10.1016/j.sse.2017.03.014
- Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[Journal Article] 先端CMOSトランジスタにおけるフリッカノイズ対策2015
- Author(s)
  松川貴、柳永勛、福田浩一、大内真一、昌原明植
- Journal Title
  
  月刊EMC
  
  Volume: 印刷中
- Acknowledgement Compliant
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[Journal Article] Impact of granular work function variation in a gate electrodeon low-frequency noise for fin field-effect transistors2015
- Author(s)
  T. Matsukawa, K. Fukuda, Y.X. Liu, J. Tsukada, H. Yamauchi, K. Endo, Y. Ishikawa, S. O’uchi, S. Migita, Y. Morita, W. Mizubayashi, H. Ota, and M. Masahara
- Journal Title
  
  Applied Physics Express
  
  Volume: 8 Issue: 4 Pages: 044201-044201
- DOI
  10.7567/apex.8.044201
- Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[Journal Article] 先端CMOSトランジスタにおけるフリッカノイズ対策2015
- Author(s)
  松川　貴、柳　永勛、福田浩一、大内真一、昌原明植
- Journal Title
  
  月刊EMC
  
  Volume: 28巻11号 Pages: 208-213
- Acknowledgement Compliant
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[Journal Article] 非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善2015
- Author(s)
  松川貴、福田浩一、柳永勛、塚田順一、山内洋美、石川由紀、遠藤和彦、大内真一、右田真司、水林亘、森田行則、太田裕之、昌原明植
- Journal Title
  
  シリコンテクノロジー
  
  Volume: 177 Pages: 42-45
- Acknowledgement Compliant
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[Journal Article] Scaling breakthrough for analog/digital circuits by suppressing variability and low-frequency noise for FinFETs by amorphous metal gate technology2014
- Author(s)
  T. Matsukawa, K. Fukuda, Y.X. Liu, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, K. Endo, S. O’uchi, S. Migita, W. Mizubayashi, Y. Morita, H. O ta, and M. Masahara
- Journal Title
  
  Technical Digest of 2014 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
  
  Volume: - Pages: 299-312
- DOI
  10.1109/iedm.2014.7047035
- NAID
  110010010022
- Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[Presentation] FinFET寄生抵抗ばらつきの解析：エクステンションドーピング条件の影響2016
- Author(s)
  松川貴，森貴洋，森田行則，大塚慎太郎, 柳永勛，大内真一，更田裕司，右田真司，昌原明植
- Organizer
  2016年応用物理学会秋期学術講演会
- Place of Presentation
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- Year and Date
  2016-09-13
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[Presentation] FinFETにおける特性ばらつきと低周波ノイズの抑制技術2015
- Author(s)
  松川貴、福田浩一、柳永勛、塚田順一、山内洋美、石川由紀、遠藤和彦、大内真一、右田真司、水林亘、森田行則、太田裕之、昌原明植
- Organizer
  応用物理学会春期学術講演会
- Place of Presentation
  東海大学湘南キャンパス（神奈川県）
- Year and Date
  2015-03-11
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[Presentation] 非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善2015
- Author(s)
  松川貴、福田浩一、柳永勛、塚田順一、山内洋美、石川由紀、遠藤和彦、大内真一、右田真司、水林亘、森田行則、太田裕之、昌原明植
- Organizer
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
- Place of Presentation
  機械振興会館（東京都）
- Year and Date
  2015-01-27
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[Presentation] CMOS FinFETによる低コストテラヘルツ波発生器の検討2014
- Author(s)
  松川貴、柳原昌志、柳永勛、大野守史、田所宏文、昌原明植
- Organizer
  応用物理学会秋期学術講演会
- Place of Presentation
  北海道大学（北海道）
- Year and Date
  2014-09-19
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[Presentation] Scaling breakthrough for analog/digital circuits by suppressing variability and low-frequency noise for FinFETs by amorphous metal gate technology2014
- Author(s)
  T. Matsukawa, K. Fukuda, Y.X. Liu, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, K. Endo, S. O’uchi, S. Migita, W. Mizubayashi, Y. Morita, H. Ota, and M. Masahara
- Organizer
  2014 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
- Place of Presentation
  Hilton San Francisco Union Square (San Francisco, USA)
- Year and Date
  2014-12-16
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[Presentation] 金属ゲートの仕事関数ばらつきによるFinFETのDIBLばらつきの解析2014
- Author(s)
  松川貴、福田浩一、柳永勛、遠藤和彦、塚田順一、山内洋美、石川由紀、大内真一、右田真司、水林亘、森田行則、太田裕之、昌原明植
- Organizer
  応用物理学会秋期学術講演会
- Place of Presentation
  北海道大学（北海道）
- Year and Date
  2014-09-18
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26289113

1. OHDOMARI Iwao (30063720)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
2. HARA. Ken-ichi (40298162)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
3. 柳永勲 (90312610)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 12 results
4. 昌原明植 (50357993)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 12 results
5. TOYOSHIMA Yoshiaki

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results

Matsukawa Takashi 松川 貴

松川 貴 マツカワ タカシ

Research Projects

Research Products

Co-Researchers

CMOS FinFET technologies toward low-cost terahertz generation for safe and secure societyPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Fabrication of semiconductor nano-scale structures and control of its electrical characteristics by means of quantum doping

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

[Journal Article] Impact of residual defects caused by extension ion implantation in FinFETs on parasitic resistance and its fluctuation2017

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] 先端CMOSトランジスタにおけるフリッカノイズ対策2015

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] Impact of granular work function variation in a gate electrodeon low-frequency noise for fin field-effect transistors2015

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] 先端CMOSトランジスタにおけるフリッカノイズ対策2015

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] 非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善2015

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] Scaling breakthrough for analog/digital circuits by suppressing variability and low-frequency noise for FinFETs by amorphous metal gate technology2014

Author(s)

Journal Title

DOI

NAID

Data Source

[Presentation] FinFET寄生抵抗ばらつきの解析：エクステンションドーピング条件の影響2016

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Year and Date

Data Source

[Presentation] FinFETにおける特性ばらつきと低周波ノイズの抑制技術2015

Author(s)

Organizer

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Year and Date

Data Source

[Presentation] 非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善2015

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Year and Date

Data Source

[Presentation] CMOS FinFETによる低コストテラヘルツ波発生器の検討2014

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Year and Date

Data Source

[Presentation] Scaling breakthrough for analog/digital circuits by suppressing variability and low-frequency noise for FinFETs by amorphous metal gate technology2014

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Year and Date

Data Source

[Presentation] 金属ゲートの仕事関数ばらつきによるFinFETのDIBLばらつきの解析2014

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Year and Date

Matsukawa Takashi 松川貴

松川貴マツカワタカシ