Nakamura Seiji 中村成志

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NAKAMURA Seiji 中村成志

中村成志ナカムラセイジ

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Researcher Number	70336519
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Affiliation (Current)	2025: 東京都立大学, システムデザイン研究科, 准教授
Affiliation (based on the past Project Information) *help	2014 – 2016: 首都大学東京, 理工学研究科, 准教授 2011: 首都大学東京, 大学院・理工学研究科, 准教授 2009 – 2011: Tokyo Metropolitan University, 理工学研究科, 准教授 2005: 首都大学東京, 都市教養学部理工学系, 助手 2004: 東京都立大学, 工学研究科, 助手 2001 – 2002: 東京都立大学, 工学研究科, 助手
Review Section/Research Field	Principal Investigator Crystal engineering / Applied physics, general Except Principal Investigator Applied materials science/Crystal engineering / Applied materials science/Crystal engineering
Keywords	Principal Investigator Ⅲ族窒化物半導体 / プラズマダメージ / バイアスアニール / III族窒化物半導体 / プラズマ照射誘起欠陥 / 表面・界面物性 / 先端機能デバイス / 水素 / センサー Except Principal Investigator GaN … More / 窒化ガリウム / impurity levels / schottky diode / III-nitride semiconductors / photocapacitance spectroscopy / isothermal capacitance transient spectroscopy / YB / PPC / ICTS / PHCAP / DLTS / ショットキーダイトード / 不純物準位 / ショットキーダイオード / III族窒化物半導体 / 光容量分光法 / 等温過渡容量分光法 / 分子線エピタキシ / 不純物ドーピング / 窒素ガリウム / 光電効果 Less

Generation and migration of plasma-induced defects in III-nitride semiconductorsPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  NAKAMURA Seiji
- Project Period (FY)
  2014 – 2016
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Crystal engineering
- Research Institution
  Tokyo Metropolitan University
Study on advanced hydrogen sensors based on field effect transistor structurePrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  NAKAMURA Seiji
- Project Period (FY)
  2009 – 2011
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- Research Field
  
  Applied physics, general
- Research Institution
  Tokyo Metropolitan University
エピタキシャル成長層での光電効果を利用した不純物ドーピング制御の試み
- Principal Investigator
  
  OKUMURA Tsugunori
- Project Period (FY)
  2004 – 2005
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Exploratory Research
- Research Field
  
  Applied materials science/Crystal engineering
- Research Institution
  Tokyo Metropolitan University
Characterization of impurity levels in III-Nitrid semiconductors
- Principal Investigator
  
  OKUMURA Tsugunori
- Project Period (FY)
  2001 – 2002
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Applied materials science/Crystal engineering
- Research Institution
  Tokyo Metropolitan University

All 2017 2016 2015 2014 2012 2011 2010 2009 2005

All Journal Article Presentation

[Journal Article] Effects of plasma-induced defects on electrical characteristics of AlGaN/GaN heterostructure before and after low-temperature annealing2014
- Author(s)
  Takuma Takimoto, Koji Takeshita, Seiji Nakamura, Tsugunori Okumura
- Journal Title
  
  Thin Solid Films
  
  Volume: 557 Pages: 212-215
- DOI
  10.1016/j.tsf.2013.10.086
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560011, KAKENHI-PROJECT-26390056
[Journal Article] Detection of ppm-order hydrogen gas by Pd/AlGaN/GaN high electron mobility transistor-based sensors2009
- Author(s)
  S. Nakamura, N. Takahashi and T. Okumura
- Journal Title
  
  Physica status solidi
  
  Volume: Vol.6 Pages: 1053-1055
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Journal Article] Detection of ppm-order hydrogen gas by Pd/AlGaN/GaN high electron mobility transistor-based sensors2009
- Author(s)
  S.Nakamura, N.Takahashi, T.Okumura
- Journal Title
  
  Physica status solidi c 6
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Journal Article] Change of electrical properties in N-GaN exposed to hydrogen plasma2005
- Author(s)
  M.Suda, S.Nakamura, M.Suhara, T.Okumura
- Journal Title
  
  Extended Abstracts of the 24th Electronic Materials Symposium
  
  Pages: 155-156
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16656013
[Journal Article] 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価2005
- Author(s)
  須田将之, 中村成志, 須原理彦, 奥村次徳
- Journal Title
  
  電子情報通信学会技術研究報告 Vol.105・No.434, 435
  
  Pages: 43-46
- NAID
  110004018303
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16656013
[Presentation] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動解析(2)2017
- Author(s)
  井上凌兵，若杉勇作，中村成志，奥村次徳
- Organizer
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- Place of Presentation
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- Year and Date
  2017-03-14
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26390056
[Presentation] フォトキャパシタンス測定によるGaN中のプラズマ照射誘起欠陥の評価2016
- Author(s)
  折茂力都，大西健太，中村成志，奥村次徳
- Organizer
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- Place of Presentation
  東京工業大学
- Year and Date
  2016-03-19
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26390056
[Presentation] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動解析2016
- Author(s)
  若杉勇作，中村成志，奥村次徳
- Organizer
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- Place of Presentation
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- Year and Date
  2016-09-13
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26390056
[Presentation] n型およびp型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥挙動2016
- Author(s)
  古賀祐介，井上凌兵，中村成志，奥村次徳
- Organizer
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- Place of Presentation
  東京工業大学
- Year and Date
  2016-03-19
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26390056
[Presentation] 光照射下におけるn型GaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動の温度依存性2015
- Author(s)
  折茂力都，横山大樹，中村成志，奥村次徳
- Organizer
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- Place of Presentation
  東海大学湘南キャンパス
- Year and Date
  2015-03-11
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26390056
[Presentation] 伝導型の違いからみたGaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解明2015
- Author(s)
  古賀祐介，中村成志，奥村次徳
- Organizer
  電子情報通信学会研究会(2015年11月ED研究会)
- Place of Presentation
  大阪市立大学
- Year and Date
  2015-11-26
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26390056
[Presentation] プラズマ照射により不活性化されたn型GaN中ドナーの再活性化メカニズムの検討2014
- Author(s)
  横山大樹，中村成志，奥村次徳
- Organizer
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- Place of Presentation
  北海道大学札幌キャンパス
- Year and Date
  2014-09-18
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-26390056
[Presentation] Pd/AlGaN/GaNガスセンサの検知特性の温度依存性2012
- Author(s)
  渡辺晶史,中村成志,奥村次徳
- Organizer
  第59回応用物理学会関係連合講演会
- Place of Presentation
  早稲田大学早稲田キャンパス
- Year and Date
  2012-03-16
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Presentation] 光容量分光法によるn型GaN中の極深準位評価2012
- Author(s)
  吉田朗子,中村成志,奥村次徳
- Organizer
  第59回応用物理学会関係連合講演会
- Place of Presentation
  早稲田大学早稲田キャンパス
- Year and Date
  2012-03-18
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Presentation] Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ型水素ガスセンサの応答メカニズム2011
- Author(s)
  瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
- Organizer
  電気学会全国大会
- Place of Presentation
  大阪大学豊中キャンパス
- Year and Date
  2011-03-16
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Presentation] Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ型水素ガスセンサの応答メカニズム2011
- Author(s)
  瀧本拓真, 中村成志, 奥村次徳
- Organizer
  電気学会全国大会
- Place of Presentation
  大阪大学豊中キャンパス
- Year and Date
  2011-03-16
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Presentation] Pd/n-GaN接触の電気特性に及ぼす湿度の影響2011
- Author(s)
  北村翼,中村成志,奥村次徳
- Organizer
  電気学会全国大会
- Place of Presentation
  大阪大学豊中キャンパス
- Year and Date
  2011-03-16
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Presentation] Pd/n-GaN接触の電気特性に及ぼす湿度の影響2011
- Author(s)
  北村翼, 中村成志, 奥村次徳
- Organizer
  電気学会全国大会
- Place of Presentation
  大阪大学豊中キャンパス
- Year and Date
  2011-03-16
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Presentation] Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ構造センサの水素応答メカニズム2010
- Author(s)
  瀧本拓真, 中村成志, 奥村次徳
- Organizer
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- Place of Presentation
  九州工業大学若松キャンパス
- Year and Date
  2010-09-13
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Presentation] Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ構造センサの水素応答メカニズム2010
- Author(s)
  瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
- Organizer
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- Place of Presentation
  九州工業大学若松キャンパス
- Year and Date
  2010-09-13
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Presentation] Kelvin-probe characterization of hydrogen-sensitive palladium/nitride semiconductors contacts2009
- Author(s)
  S. Nakamura, T. Ohsono, N. Takahashi, T. Okumura
- Organizer
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- Place of Presentation
  ICC Jeju(Korea)
- Year and Date
  2009-10-19
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Presentation] Pd-窒化物半導体接触を利用した水素ガスセンサの検知メカニズムの検討2009
- Author(s)
  大園智章,中村成志,高橋紀行,奥村次徳
- Organizer
  電気学会センサ・マイクロマシン部門総合研究会
- Place of Presentation
  東京工科大学八王子キャンパス
- Year and Date
  2009-07-24
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Presentation] 高温動作Pd/AlGaN/GaN構造水素ガスセンサの検知特性評価2009
- Author(s)
  中村成志, 大園智章, 高橋紀行, 奥村次徳
- Organizer
  電気学会センサ・マイクロマシン部門総合研究会
- Place of Presentation
  東京工科大学八王子キャンパス(東京都)
- Year and Date
  2009-07-24
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Presentation] 高温動作Pd/AlGaN/GaN構造水素ガスセンサの検知特性評価2009
- Author(s)
  中村成志,大園智章,高橋紀行,奥村次徳
- Organizer
  電気学会センサ・マイクロマシン部門総合研究会
- Place of Presentation
  東京工科大学八王子キャンパス
- Year and Date
  2009-07-24
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Presentation] Kelvin-probe characterization of hydrogen-sensitive palladium/nitride semiconductors contacts2009
- Author(s)
  S.Nakamura, T.Ohsono, N.Takahashi, T.Okumura
- Organizer
  8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
- Place of Presentation
  ICC Jeju (Korea)
- Year and Date
  2009-10-19
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[Presentation] Pd-窒化物半導体接触を利用した水素ガスセンサの検知メカニズムの検討2009
- Author(s)
  大園智章, 中村成志, 高橋紀行, 奥村次徳
- Organizer
  電気学会センサ・マイクロマシン部門総合研究会
- Place of Presentation
  東京工科大学八王子キャンパス(東京都)
- Year and Date
  2009-07-24
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21760052

1. OKUMURA Tsugunori (00117699)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 3 results
2. SUHARA Michihiko (80251635)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results

Nakamura Seiji 中村 成志

NAKAMURA Seiji 中村 成志

中村 成志 ナカムラ セイジ

Research Projects

Research Products

Co-Researchers

Generation and migration of plasma-induced defects in III-nitride semiconductorsPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Study on advanced hydrogen sensors based on field effect transistor structurePrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

エピタキシャル成長層での光電効果を利用した不純物ドーピング制御の試み

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Characterization of impurity levels in III-Nitrid semiconductors

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

[Journal Article] Effects of plasma-induced defects on electrical characteristics of AlGaN/GaN heterostructure before and after low-temperature annealing2014

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] Detection of ppm-order hydrogen gas by Pd/AlGaN/GaN high electron mobility transistor-based sensors2009

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] Detection of ppm-order hydrogen gas by Pd/AlGaN/GaN high electron mobility transistor-based sensors2009

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] Change of electrical properties in N-GaN exposed to hydrogen plasma2005

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価2005

Author(s)

Journal Title

NAID

Data Source

[Presentation] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動解析(2)2017

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Year and Date

Data Source

[Presentation] フォトキャパシタンス測定によるGaN中のプラズマ照射誘起欠陥の評価2016

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Year and Date

Data Source

[Presentation] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動解析2016

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Year and Date

Data Source

[Presentation] n型およびp型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥挙動2016

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Year and Date

Data Source

[Presentation] 光照射下におけるn型GaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動の温度依存性2015

Author(s)

Organizer

Place of Presentation

Nakamura Seiji 中村成志

NAKAMURA Seiji 中村成志

中村成志ナカムラセイジ