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WAKABAYASHI Hitoshi  若林 整

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Researcher Number 80700153
Other IDs
Affiliation *help 2016 – 2018 : 東京工業大学, 工学院, 教授
2013 – 2015 : 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授
Review Section/Research Field
Principal Investigator
Electron device/Electronic equipment / Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
Except Principal Investigator
Science and Engineering
Keywords
Principal Investigator
二硫化モリブデン / 遷移金属ダイカルコゲナイド / MISFET / 半導体 / 3次元成長 / ドーピング / 3D構造 / 自己発熱効果 / 2D FET / ナノワイヤ … More / 電子デバイス・集積回路 / 第一原理計算 / 核形成 / 2次元層状半導体膜 / スパッタ法 / 2次元成長 / FinFET / MoS2 / スパッタ / 2次元層状半導体 … More
Except Principal Investigator
半導体 / 光電子ホログラフィー / 半導体物性 / ボロン / シリコン(Si) / ヒ素(As) / 硫化モリブデン / 二硫化モリブデン / 原子ホログラフィー / シリコン / 活性サイト / 電子状態 / 半導体デバイス / 不純物 / 砒素 / 光電子回折 / 不純物ドーピング / 半導体の不純物 / 層状物質 / 電気・電子材料 / 二硫化モリブデン(MoS2) Less
  • Research Projects

    (4results)
  • Research Products

    (86results)
  • Co-Researchers

    (11People)
  •  Self-Heating-Effect-Free p/n-Stacked-NW/Bulk-FinFETs and 6T-SRAMPrincipal InvestigatorOngoing

    • Principal Investigator
      若林 整
    • Project Period (FY)
      2018 – 2020
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Review Section
      Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
    • Research Institution
      Tokyo Institute of Technology
  •  Challenge to fabricate 3D structure of atomically thin TMDC film for future 2D-MISFETPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      若林 整
    • Project Period (FY)
      2016 – 2017
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • Research Field
      Electron device/Electronic equipment
    • Research Institution
      Tokyo Institute of Technology
  •  半導体中不純物の3D構造制御と低損失・高効率デバイスの開発Ongoing

    • Principal Investigator
      筒井 一生
    • Project Period (FY)
      2014 – 2018
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)
    • Review Section
      Science and Engineering
    • Research Institution
      Tokyo Institute of Technology
  •  Basic research of high-mobility transistor with layered MoS2 channelPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      WAKABAYASHI Hitoshi
    • Project Period (FY)
      2013 – 2014
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Research Activity start-up
    • Research Field
      Electron device/Electronic equipment
    • Research Institution
      Tokyo Institute of Technology

All 2018 2017 2016 2015 2014 Other

All Journal Article Presentation

  • [Journal Article] Low-Carrier-Density Sputtered MoS2 Film by Vapor-Phase Sulfurization2018

    • Author(s)
      Matsuura Kentaro、Ohashi Takumi、Muneta Iriya、Ishihara Seiya、Kakushima Kuniyuki、Tsutsui Kazuo、Ogura Atsushi、Wakabayashi Hitoshi
    • Journal Title

      Journal of Electronic Materials

      Volume : - Pages : 1-5

    • DOI
      10.1007/s11664-018-6191-z
    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014, KAKENHI-PROJECT-16J11377
  • [Journal Article] Individual Atomic Imaging of Multiple Dopant Sites in As-Doped Si Using Spectro-Photoelectron Holography2017

    • Author(s)
      Tsutsui Kazuo、Matsushita Tomohiro、Natori Kotaro、Muro Takayuki、Morikawa Yoshitada、Hoshii Takuya、Kakushima Kuniyuki、Wakabayashi Hitoshi、Hayashi Kouichi、Matsui Fumihiko、Kinoshita Toyohiko
    • Journal Title

      Nano Lett.

      Volume : 17 Pages : 7533-7538

    • DOI
      10.1021/acs.nanolett.7b03467
    • Peer Reviewed / Open Access / Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105007, KAKENHI-PLANNED-26105013, KAKENHI-PLANNED-26105014, KAKENHI-PROJECT-15KK0167
  • [Journal Article] Quantitative relationship between sputter-deposited-MoS2 properties and underlying-SiO2 surface roughness2017

    • Author(s)
      Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kentaro Matsuura, Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, and Hitoshi Wakabayashi
    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume : 10 Pages : 0412021-0412024

    • DOI
      10.7567/apex.10.041202
    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16J11377, KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Journal Article] Quantitative analysis of sputter-deposited MoS2 properties on SiO2 substrate roughness2017

    • Author(s)
      Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kentaro Matsuura, Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, and Hitoshi Wakabayashi
    • Journal Title

      Applied Physics Express (APEX)

      Volume : 10

    • Acknowledgement Compliant
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Journal Article] High-Mobility and Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Introducing Residual Sulfur during Low-Temperature in 3%-H2 Annealing for 3D-ICs2017

    • Author(s)
      Jun’ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume : 55

    • Acknowledgement Compliant
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Journal Article] La2O3 gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT2016

    • Author(s)
      J. Chen, T. Kawanago, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, D. Nohata, H. Nohira, K. Kakushima
    • Journal Title

      Microelectronics Reliability

      Volume : 60 Pages : 16-19

    • DOI
      10.1016/j.microrel.2016.02.004
    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Journal Article] Dependence of ohmic contact properties on AlGaN layer thickness for AlGaN/GaN high electron mobility transistors2016

    • Author(s)
      Y. Takei, K. Tsutsui, W. Saito, K. Kakushima, H. Wakabayashi, H. Iwai
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume : 55-4

    • DOI
      10.7567/jjap.55.040306
    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
    • Data Source
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Journal Article] Reduction of Contact Resistance on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers2015

    • Author(s)
      Y. Takei, M. Kamiya, K. Tsutsui, W. Saito, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka, H. Iwai
    • Journal Title

      Physica Status Solidi A

      Volume : -

    • DOI
      10.1002/pssa.201431645
    • Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014, KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [Journal Article] Multi-layered MoS2 film formed by high-temperature sputtering for enhancement-mode nMOSFETs2015

    • Author(s)
      Takumi Ohashi, Kohei Suda, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Shimpei Yamaguchi, Kentaro Matsuura, Kuniyuki Kakushima, Nobuyuki Sugii, Akira Nishiyama, Yoshinori Kataoka, Kenji Natori, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura and Hitoshi Wakabayashi
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume : 54

    • DOI
      10.7567/jjap.54.04dn08
    • Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25889022, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Journal Article] Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures2014

    • Author(s)
      Y. Takei, M. Okamoto, W. Saito, K. Tsutsui, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka H. Iwai
    • Journal Title

      ECS Transactions

      Volume : 61 Pages : 265-270

    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS2成膜2018

    • Author(s)
      大橋匠、坂本拓朗、松浦賢太朗、清水淳一、外山真矢人、石原聖也、日比野祐介、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] MoS2膜のスパッタ合成とトランジスタ応用2018

    • Author(s)
      若林整
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] 絶縁膜を通した硫黄粉末アニールによるスパッタMoS2膜の結晶性改善2018

    • Author(s)
      濱田昌也、松浦賢太郎、谷川晴紀、大橋匠、角嶋邦之、筒井一生、若林整
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] スパッタの低パワー化によるMoS2薄膜のキャリヤ濃度低減2018

    • Author(s)
      坂本拓朗、大橋匠、松 賢太朗、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Analyses of 3D Atomic Arrangements of Impurity Atoms Doped in Silicon by Spectro-Photoelectron Holography Technique2018

    • Author(s)
      Kazuo Tsutsui, Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Yoshitada Morikawa, Kotaro Natori, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kouichi Hayashi, Fumihiko Matsui, and Toyohiko Kinoshita
    • Organizer
      18th Int. Workshop on Junction Technology (IWJT2018)
    • Int'l Joint Research / Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] スパッタ成膜MoS2の酸化により形成される酸化Moの評価2018

    • Author(s)
      小林進大、武田さくら、米田允俊、大門寛、若林整
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] 2D Materialsで広がる世界2018

    • Author(s)
      若林整
    • Organizer
      日本学術振興会シリコン超集積システム第165委員会
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS2 Thin Channel Passivated by Al2O3 Film and TiN Top Gate2018

    • Author(s)
      Kentaro Matsuura, Jun’ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, and Hitoshi Wakabayashi
    • Organizer
      2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] スパッタの低パワー化によるMoS2薄膜のキャリヤ濃度低減2018

    • Author(s)
      坂本 拓朗、大橋 匠、松浦 賢太朗、宗田 伊理也、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16K14247
  • [Presentation] IoT社会を拓く集積回路向けデバイス技術2018

    • Author(s)
      若林整
    • Organizer
      芝浦工業大学第5回グリーンイノベーションシンポジウム 日の丸半導体ルネサンス ― IoT・パワエレが切り拓く新時代―
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16K14247
  • [Presentation] IEDM 2017参加報告2018

    • Author(s)
      若林整
    • Organizer
      応用物理学会シリコンテクノロジー分科会SDRJ委員会More Moore (MM) WG 第3回会議
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16K14247
  • [Presentation] MoS2 膜のスパッタ合成とトランジスタ応用2018

    • Author(s)
      若林整
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16K14247
  • [Presentation] ACTIVE-PERFORMANCE BENCHMARK FOR ADVANCED 3D-CMOS DEVICES2018

    • Author(s)
      Hitoshi Wakabayashi
    • Organizer
      CSTIC 2018, Symposium I: Device Engineering And Memory Technology
    • Int'l Joint Research / Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16K14247
  • [Presentation] Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS2成膜2018

    • Author(s)
      大橋 匠、坂本 拓朗、松浦 賢太朗、清水 淳一、外山 真矢人、石原 聖也、日比野 祐介、宗田 伊理也、角嶋 邦之、筒井 一生、小椋 厚志、若林 整
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16K14247
  • [Presentation] 2D Materialsで広がる世界2018

    • Author(s)
      若林整
    • Organizer
      日本学術振興会シリコン超集積システム第165委員会
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16K14247
  • [Presentation] スパッタリング法で堆積したMoS2薄膜へのコンタクト抵抗と熱処理依存性2017

    • Author(s)
      外山 真矢人、大橋 匠、松浦 賢太朗、清水 淳一、宗田 伊理也、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整
    • Organizer
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜(横浜市)
    • Year and Date
      2017-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] TiN/Ti Ohmic Contact for Sputtered-MoS2 Film using Forming-Gas Annealing2017

    • Author(s)
      M. Toyama, T. Ohashi, K. Matsuura, J. Shimizu, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, and H. Wakabayashi
    • Organizer
      Advanced Metallization Conference 2017
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] MoS2ターゲット高温スパッタ法のロングスロー化によるMoS2膜結晶性向上2017

    • Author(s)
      坂本拓朗、大橋匠、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] スパッタ堆積MoS2膜の下地材料依存性2017

    • Author(s)
      大橋匠、宗田伊理也、石原聖也、日比野祐介、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] スパッタMoS2膜上ALD-Al2O3膜の成長過程観察2017

    • Author(s)
      谷川晴紀、大橋匠、松浦賢太朗、清水淳一、外山真矢人、早川直希、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] IoT向けスパッタMoS2チャネルMOSFETの研究2017

    • Author(s)
      若林整
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Si結晶中にドープされたAsの異なる原子配列構造と深さ分布2017

    • Author(s)
      小川達博、名取鼓太郎、星井拓也、仲武昌史、渡辺義夫、角嶋邦之、若林整、筒井一生
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] AlGaN/GaN HEMT構造におけるドット形凹凸AlGaN層形成によるコンタクト抵抗低減の検討2017

    • Author(s)
      渡部拓巳、久永真之祐、星井拓也、角嶋邦之、若林整、岩井洋、筒井一生
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] MoS2ターゲット高温スパッタ法のロングスロー化によるMoS2膜結晶性向上2017

    • Author(s)
      坂本 拓朗、大橋 匠、宗田 伊理也、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16K14247
  • [Presentation] スパッタMoS2膜のMISFET応用2017

    • Author(s)
      若林整
    • Organizer
      グラフェンコンソーシアム第14回研究講演会
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Resistivity Reduction of Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film using Fluorine Gas2017

    • Author(s)
      Yasunori Okada, Shimpei Yamaguchi, Takumi Ohashi,Iriya Muneta, Kuniyuki Kasushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
    • Organizer
      The 17th International Workshop on Junction Technology 2017
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Atomic scale analyses of As doped in Si by soft X-ray photoelectron spectroscopy and spectro-photoelectron holography2017

    • Author(s)
      Kotaro Natori, Tatsuhiro Ogawa, Takuya Hoshii, Tomohiro Matsushia, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Yoshitada Morikawa, Kuniyuki Kakushima, Fumihiko Matsui, Kouichi Hayashi, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui
    • Organizer
      11th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’17
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] スパッタ堆積MoS2膜の下地材料依存性2017

    • Author(s)
      大橋 匠、宗田 伊理也、石原 聖也、日比野 祐介、角嶋 邦之、筒井 一生、小椋 厚志、若林 整
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16K14247
  • [Presentation] スパッタ MoS2 膜の MISFET 応用2017

    • Author(s)
      若林整
    • Organizer
      グラフェンコンソーシアム第14回研究講演会
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16K14247
  • [Presentation] IoT向けスパッタMoS2チャネルMOSFETの研究2017

    • Author(s)
      若林整
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16K14247
  • [Presentation] Transmission electron microscopy structural analysis of sputtered MoS2 for 3D-LSI2017

    • Author(s)
      Yuuta Suzuki, Jun'ichi Shimizu, Iriya Muneta, Masahiro Nagao, Hitoshi Wakabayashi, and Nobuyuki Ikarashi
    • Organizer
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16K14247
  • [Presentation] Sputtered TMDC 2D Materials and their Electrical Properties2017

    • Author(s)
      Hitoshi Wakabayashi
    • Organizer
      21st International Symposium on Chemical-Mechanical Planarization
    • Int'l Joint Research / Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16K14247
  • [Presentation] Crystallinity Improvement using Migration-Enhancement Methods for Sputtered-MoS2 Films2017

    • Author(s)
      Shin Hirano, Jun’ichi Shimizu, Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
    • Organizer
      Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM) 2017, P-28
    • Place of Presentation
      富山国際会議場
    • Year and Date
      2017-03-01
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16K14247
  • [Presentation] SiにドープされたAsの光電子ホログラフィー評価と電気的活性化との関係2017

    • Author(s)
      名取 鼓太郎、筒井 一生、松下 智裕、室 隆桂之、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、林 好一、松井 文彦、森川 良忠、下村 勝、木下 豊彦
    • Organizer
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜(横浜市)
    • Year and Date
      2017-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] トンネル電極を形成したスパッタMoS2膜における電流の障壁膜厚依存性2017

    • Author(s)
      早川 直希、宗田 伊理也、大橋 匠、松浦 賢太朗、清水 淳一、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整
    • Organizer
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜(横浜市)
    • Year and Date
      2017-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Crystallinity Improvement using Migration Enhancement Method for Sputtered-MoS2 Film2017

    • Author(s)
      Shin Hirano, Jun’ichi Shimizu, Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
    • Organizer
      Electron Devices Technoogy and Manufuctureing Conference (EDTM2017)
    • Place of Presentation
      富山国際会議場(富山市)
    • Year and Date
      2017-02-28
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Low-carrier density sputtered-MoS2 film by H2S annealing for normally-off accumulation-mode FET2017

    • Author(s)
      Jun’ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Ikarashi and Hitoshi Wakabayashi
    • Organizer
      Electron Devices Technoogy and Manufuctureing Conference (EDTM2017)
    • Place of Presentation
      富山国際会議場(富山市)
    • Year and Date
      2017-02-28
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] nMOSFET応用に向けた窒化ハフニウムの硫化による二硫化ハフニウム膜の作製2017

    • Author(s)
      篠原 健朗、宗田 伊理也、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整
    • Organizer
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜(横浜市)
    • Year and Date
      2017-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Sulfurization in Sulfur Vapor for Sputtered-MoS2 Film2016

    • Author(s)
      K. Matsuura, T. Ohashi, I. Muneta S. Ishihara, N. Sawamoto, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura and H. Wakabayashi
    • Organizer
      47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2016)
    • Place of Presentation
      San Diego, USA
    • Year and Date
      2016-12-07
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] S/Mo比増加によるMoS2膜の低キャリア濃度化2016

    • Author(s)
      大橋 匠、松浦 賢太朗、石原 聖也、日比野 祐介、澤本 直美、角嶋 邦之、筒井 一生、小椋 厚志、若林 整
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      2016-03-19
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果のメカニズム解明2016

    • Author(s)
      武井 優典、下田 智裕、高橋 昌靖、筒井 一生、齋藤 渉、角嶋 邦之、若林 整、岩井 洋
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      2016-03-19
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] スパッタMoS2膜のフォーミングガス雰囲気ポストアニーリングによる電気特性向上2016

    • Author(s)
      清水 淳一、大橋 匠、松浦 賢太朗、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      2016-03-19
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] IoTのセンサ~通信~ビッグデータ処理過程を支えるデバイス・周辺技術2016

    • Author(s)
      若林 整
    • Organizer
      日本学術振興会 半導体界面制御技術 第154委員会 第8回講習会
    • Place of Presentation
      東京大学(東京)
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] MoS2のデバイス応用2016

    • Author(s)
      若林 整
    • Organizer
      物性研究所短期研究会「原子層上の活性サイトで発現する局所機能物性」
    • Place of Presentation
      東京大学物性研究所(柏市)
    • Year and Date
      2016-12-20
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] 光電子ホログラフィーによる Si 中ドーパントサイトの研究2016

    • Author(s)
      筒井 一生, 松下 智裕, 名取 鼓太郎, 室 隆桂之, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 林 好一, 松井 文彦, 木下 豊彦
    • Organizer
      第10回物性科学領域横断研究会
    • Place of Presentation
      神戸大学(神戸市)
    • Year and Date
      2016-12-09
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] デバイス高性能化に向けたSi中ドーパントサイトの研究2016

    • Author(s)
      筒井 一生, 松下 智裕, 名取 鼓太郎, 室 隆桂之, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 林 好一, 松井 文彦, 木下 豊彦
    • Organizer
      物性研究所短期研究会「原子層上の活性サイトで発現する局所機能物性」
    • Place of Presentation
      東京大学物性研究所(柏市)
    • Year and Date
      2016-12-20
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] CMOS-Device Benchmark and Sputtered MoS2 Film for Monolithic Transistor2016

    • Author(s)
      H. Wakabayashi
    • Organizer
      20th International Symposium on Chemical-Mechanical Planarization
    • Place of Presentation
      Lake Placid, NY, USA
    • Year and Date
      2016-08-07
    • Int'l Joint Research / Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] High-Mobility and Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Low-Temperature Forming- Gas Annealing for 3D-IC2016

    • Author(s)
      J. Shimizu, T. Ohashi, K. Matsuura, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi
    • Organizer
      2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2016)
    • Place of Presentation
      つくば国際会議場(つくば市)
    • Year and Date
      2016-09-26
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] SiにドープされたAsの光電子ホログラフィーによる評価2016

    • Author(s)
      名取 鼓太郎、筒井 一生、松下 智裕、室 隆桂之、木下 豊彦、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、松井 文彦、下村 勝
    • Organizer
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ(新潟市)
    • Year and Date
      2016-09-13
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成2016

    • Author(s)
      大橋匠、松浦賢太朗、石原聖也、日比野裕介、澤本直美、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
    • Organizer
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会
    • Place of Presentation
      キャンパス・イノベーションセンター(東京)
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果の凹凸構造サイズ依存性2015

    • Author(s)
      下田 智裕、武井 優典、筒井 一生、齋藤 渉、角嶋 邦之、若林 整、岩井 洋
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋
    • Year and Date
      2015-09-13
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Lowering Contact Resistances on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers: Effects of Configuration and Size of Lateral Patterns2015

    • Author(s)
      Yusuke Takei, Tomohiro Shimoda, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai
    • Organizer
      2015 MRS Fall Meeting
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      2015-11-29
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] 硫黄粉末アニールの減圧化によるスパッタMoS2薄膜の結晶性向上2015

    • Author(s)
      松浦 賢太朗、大橋 匠、石原 聖也、澤本 直美、日比野 祐介、須田 耕平、角嶋 邦之、筒井 一生、小椋 厚志、若林 整
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋
    • Year and Date
      2015-09-13
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Advanced CMOS Device Technologies Discussed Also with Transition-Metal Di-Chalcogenide (TMDC) Channel2015

    • Author(s)
      H. Wakabayashi
    • Organizer
      228th the Electrochemical Society (ECS) meeting 2015
    • Place of Presentation
      Phoenix, USA
    • Year and Date
      2015-10-11
    • Int'l Joint Research / Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Two dimensional material device technologies2015

    • Author(s)
      H. Wakabayashi
    • Organizer
      IEEE EDS Mini-Colloquium: WIMNACT 45
    • Place of Presentation
      東京工業大学(神奈川県)
    • Year and Date
      2015-02-19
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Two dimensional material device technologies2015

    • Author(s)
      H. Wakabayashi
    • Organizer
      IEEE EDS Mini-Colloquium: WIMNACT 45
    • Place of Presentation
      東京工業大学
    • Year and Date
      2015-02-19
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25889022
  • [Presentation] Advanced Scaling and Wiring Technology2014

    • Author(s)
      H. Wakabayashi
    • Organizer
      ADMETA Plus 2014
    • Place of Presentation
      東京大学
    • Year and Date
      2014-10-22
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25889022
  • [Presentation] Advanced-CMOS Device Benchmarks and following Transition-Metal Dichalcogenides (TMDs) for 2D FETs2014

    • Author(s)
      H. Wakabayashi
    • Organizer
      QNERC Workshop on Nano Devices and Materials
    • Place of Presentation
      (東京都)
    • Year and Date
      2014-11-04
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Progress and Benchmarking of CMOS-Device Technologie2014

    • Author(s)
      H. Wakabayashi
    • Organizer
      International Conference on Electronics Packaging
    • Place of Presentation
      富山国際会議場
    • Year and Date
      2014-04-24
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25889022
  • [Presentation] Multi-Layered MoS2 Thin Film Formed by High- Temperature Sputtering for Enhancement-Mode nMOSFETs2014

    • Author(s)
      T. Ohashi, H. Wakabayashi, et. al.
    • Organizer
      Solid State Device and Materials, 2014
    • Place of Presentation
      エポカルつくば
    • Year and Date
      2014-09-11
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25889022
  • [Presentation] Sputtered MoS2 Film for Future High-Performance Nanoelectronic Devices2014

    • Author(s)
      T. Ohashi, Hitoshi Wakabayashi, et. al
    • Organizer
      Thailand-Japan International Academic Conference
    • Place of Presentation
      東京大学
    • Year and Date
      2014-11-22
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25889022
  • [Presentation] Advanced-CMOS Device Benchmarks and following Transition-Metal Dichalcogenides (TMDs) for 2D FETs2014

    • Author(s)
      H. Wakabayashi
    • Organizer
      QNERC Workshop on Nano Devices and Materials
    • Place of Presentation
      東京工業大学
    • Year and Date
      2014-11-04
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25889022
  • [Presentation] Progress and Benchmarking of CMOS-Device Technologies2014

    • Author(s)
      Hitoshi Wakabayashi
    • Organizer
      International Conference on Electronics Packaging 2014
    • Place of Presentation
      富山
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25889022
  • [Presentation] Dependence of Ti/C Ratio on Ohmic contact with TiC electrode for AlGaN/GaN structure

    • Author(s)
      M. Okamoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, K. Natori, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, W. Saito
    • Organizer
      IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA 2014)
    • Place of Presentation
      Knoxville, Tennessee, USA
    • Year and Date
      2014-10-13 – 2014-10-15
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] 硬X線光電子分光を用いた金属/AlGaN/GaN のバンド構造の解析

    • Author(s)
      大賀一樹,陳江寧,川那子高暢,角嶋邦之,野平博司,片岡好則,西山彰,杉井信之,若林整,筒井一生,名取研二,岩井洋
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学(北海道)
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] 高温スパッタリング法によるMoS2膜の形成と電気特性

    • Author(s)
      松浦賢太朗,大橋匠,山口晋平,須田耕平,石原聖也,澤本直美,角嶋邦之,杉井信之,西山彰,片岡好則,名取研二,筒井一生,岩井洋,小椋厚志,若林整
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学(北海道)
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] 高温スパッタリング法におけるMoS2薄膜化と電気特性

    • Author(s)
      大橋匠,山口晋平,松浦賢太朗,須田耕平,石原聖也,澤本直美,角嶋邦之,杉井信之,西山彰,片岡好則,名取研二,筒井一生,岩井洋,小椋厚志,若林整
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学(北海道)
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] 大面積MoS2膜形成に向けたMoの硫化プロセスの検討

    • Author(s)
      松浦 賢太朗、大橋 匠、山口 晋平、須田 耕平、石原 聖也、澤本 直美、角嶋 邦之、杉井 信之、西山 彰、片岡 好則、名取 研二、筒井 一生、岩井 洋、小椋 厚志、若林 整
    • Organizer
      第62回応用物理学会春期学術講演会
    • Place of Presentation
      東海大学(神奈川県)
    • Year and Date
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] スパッタ堆積MoS2膜の下地平坦化による電気特性向上

    • Author(s)
      大橋 匠、山口 晋平、松浦 賢太朗、須田 耕平、石原 聖也、澤本 直美、角嶋 邦之、杉井 信之、西山 彰、片岡 好則、名取 研二、筒井 一生、岩井 洋、小椋 厚志、若林 整
    • Organizer
      第62回応用物理学会春期学術講演会
    • Place of Presentation
      東海大学(神奈川県)
    • Year and Date
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] 金属ゲート電極材料のAlGaN/GaN HEMT のリーク電流への影響

    • Author(s)
      大賀 一樹、川那子 高暢、角嶋 邦之、片岡 好則、西山 彰、杉井 信之、若林 整、筒井 一生、名取 研二、岩井 洋
    • Organizer
      第62回応用物理学会春期学術講演会
    • Place of Presentation
      東海大学(神奈川県)
    • Year and Date
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのノンアロイコンタクトにおけるコンタクト抵抗のAlGaN層厚依存性による抵抗成分分析

    • Author(s)
      武井優典,岡本真里,シン マン,萱沼玲,下田智裕,三井陽平,齋藤渉,筒井一生,角嶋邦之,若林整,片岡好則,岩井洋
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学(北海道)
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] AlGaN/GaN HEMT 構造のAlGaN層内部の電子トラップ解析

    • Author(s)
      馬場 俊之、永久 雄一、川那子 高暢、角嶋 邦之、片岡 好則、西山 彰、杉井 信之、若林 整、筒井 一生、名取 研二、岩井 洋
    • Organizer
      第62回応用物理学会春期学術講演会
    • Place of Presentation
      東海大学(神奈川県)
    • Year and Date
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] AlGaN/GaN HEMT構造への凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗の低減

    • Author(s)
      武井 優典、下田 智裕、筒井 一生、齋藤 渉、角嶋 邦之、若林 整、片岡 好則、岩井 洋
    • Organizer
      第62回応用物理学会春期学術講演会
    • Place of Presentation
      東海大学(神奈川県)
    • Year and Date
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Advanced Scaling and Wiring Technology

    • Author(s)
      H. Wakabayashi
    • Organizer
      Advanced Metallization Conference (ADMETA Plus 2014)
    • Place of Presentation
      東京大学(東京都)
    • Year and Date
      2014-10-22 – 2014-10-24
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Multi-Layered MoS2 Thin Film Formed by High- Temperature Sputtering for Enhancement-Mode nMOSFETs

    • Author(s)
      T. Ohashi, K. Suda, S. Ishihara, N. Sawamoto, S. Yamaguchi, K. Matsuura, K. Kakushima, N. Sugii, A. Nishiyama, Y. Kataoka, K. Natori, K. Tsutsui, H. Iwai, A. Ogura and H. Wakabayashi
    • Organizer
      Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
    • Place of Presentation
      つくば国際会議場(茨城県)
    • Year and Date
      2014-09-08 – 2014-09-11
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [Presentation] Low-resistive Contact Formation on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers

    • Author(s)
      Kazuo Tsutsui, Masayuki Kamiya, Yusuke Takei, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka, and Hiroshi Iwai
    • Organizer
      The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
    • Place of Presentation
      Wroclaw, Poland
    • Year and Date
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • 1.  筒井 一生 (60188589)
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  • 2.  武田 さくら (30314537)
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  • 3.  角嶋 邦之 (50401568)
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  • 4.  宗田 伊理也 (90750018)
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  • 5.  若林 裕助
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  • 6.  木下 豊彦
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  • 7.  林 好一
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  • 8.  森川 良忠
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  • 9.  松下 智裕
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  • 10.  松井 文彦
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  • 11.  室 隆桂之
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