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USAMI Akira  宇佐美 晶

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宇佐見 晶  ウサミ アキラ

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Researcher Number 90024265
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Affiliation (based on the past Project Information) *help 1987 – 1992: 名古屋工業大学, 工学部, 助教授
1986: Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology, 工学部, 助手
Review Section/Research Field
Principal Investigator
電子材料工学
Keywords
Principal Investigator
表面再結合速度 / Photoconductive decay / Surface recombination velocity / He-Ne laser pulse / 注入レベル / レーザ光・ビーム径 / イオン注入工程 / 過渡応答特性 / HeーNeレーザ光パルス / Light-Induced-Diffusion … More / non-contact and non-destructiue method / LBIC / S・I-GaAs / 光拡散(光ドーピング)技術 / 非接触非破壊方法 / LB1C / thermal donor in epitaxial layer / photodiode / lifetime and reverse current / buffer layer / lifetime of the interface / in-depth profile / lifetime measurement system / lifetime of epitaxial Si / エピ層中の酸素ドナ- / バッファ-層 / エピタキシー・ウェーハ / 再結合ライフタイム / サーマル・ドナー / エピ層中の酸素ドナー / ホトダイオード / ライフタイム及び逆方向電流の改善 / バッファー層 / エピ層と基板界面付近のライフタイム / 三次元分布 / ライフタイム測定システム / エピタキシャルSi層のライフタイム / BRMI / Impedance mismatching / SRMI / Residual resist pattern / Residual organic solvent / Contaminated pattern / Focused micro-wave / 残留有機溶剤 / 表面汚染 / 集束マイクロ波系 / シリコンウェ-ハ工程 / 残留レジストパタ-ン / インピ-ダンス不整合の除去 / SRM1 / BRM1 / インピ-ダンス不整合 / SRM1信号 / 残留レジストパタ-ン検出 / 残留有機溶済パタ-ン / 表面汚染パタ-ン検出 / 集収マイクロ波系 … More
Except Principal Investigator
相互拡散 / 格子不整 / ヘテロエピタキシー / ラマン分光法 Less
  • Research Projects

    (5 results)
  • Co-Researchers

    (2 People)
  •  顕微ラマン分光によるヘテロエピタキシャル成長層の歪緩和の研究

    • Principal Investigator
      市村 正也
    • Project Period (FY)
      1992
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • Research Institution
      Nagoya Institute of Technology
  •  Measurement method of in-depth profiles of recombination lifetime in epitaxial Si layer with test element patternPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      USAMI Akira
    • Project Period (FY)
      1991 – 1992
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      電子材料工学
    • Research Institution
      Nagoya Institute of Technology
  •  Development of the Non-Contact Characterization Techniques of Minority Carrier Lifetime and Surface Recombination Conditions of Semiconductor WafersPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      USAMI Akira
    • Project Period (FY)
      1989 – 1990
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      電子材料工学
    • Research Institution
      Nagoya Institute of Technology
  •  Developement of Contactless Evalution Technique for Semiconductor Wafer ProcessingPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      USAMI Akira
    • Project Period (FY)
      1987 – 1988
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      電子材料工学
    • Research Institution
      NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY
  •  Study of the High Efficiency Silicon Solar Cells by Light-Induced Diffusim Technique.Principal Investigator

    • Principal Investigator
      USAMI Akira
    • Project Period (FY)
      1985 – 1986
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      電子材料工学
    • Research Institution
      Nagoya Institute of Technology
  • 1.  市村 正也 (30203110)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 2.  和田 隆夫 (60023040)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results

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