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Hatakeyama Tetsuo  畠山 哲夫

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畠山 哲夫  ハタケヤマ テツオ

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Researcher Number 90222215
Other IDs
Affiliation (Current) 2025: 富山県立大学, 工学部, 教授
Affiliation (based on the past Project Information) *help 2023: 富山県立大学, 工学部, 教授
2019 – 2021: 富山県立大学, 工学部, 教授
Review Section/Research Field
Principal Investigator
Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Keywords
Principal Investigator
MOS界面 / SiC / 散乱 / 双極子 / シリコンカーバイド / 移動度 / 伝導帯オフセット / バンド配列 / 欠陥 / 第一原理計算 … More / 界面電界強度 / 界面ラフネス散乱 / クーロン散乱 / 散乱要因 / 界面準位 / 遮蔽 / 界面 / 二次元電子ガス / 電気双極子 / 散乱機構 / MOSFET / パワーデバイス / 界面テクノロジー / 電子デバイス Less
  • Research Projects

    (2 results)
  • Research Products

    (22 results)
  •  Elucidation of the physical origin of the dominant scattering mechanism of electron mobility in SiC MOS interfacesPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      畠山 哲夫
    • Project Period (FY)
      2023 – 2025
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Review Section
      Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
    • Research Institution
      Toyama Prefectural University
  •  A study on scattering mechanisms of inversion layer mobility in SiC MOSFETsPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      Hatakeyama Tetsuo
    • Project Period (FY)
      2019 – 2021
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Review Section
      Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
    • Research Institution
      Toyama Prefectural University

All 2024 2023 2022 2021 2020 2019

All Journal Article Presentation

  • [Journal Article] First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO<sub>2</sub> interface2024

    • Author(s)
      Matsuda Shun、Akiyama Toru、Hatakeyama Tetsuo、Shiraishi Kenji、Nakayama Takashi
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 63 Issue: 2 Pages: 02SP69-02SP69

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ad1897

    • Peer Reviewed / Open Access
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23K03928
  • [Journal Article] Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs2022

    • Author(s)
      Hatakeyama Tetsuo、Hirai Hirohisa、Sometani Mitsuru、Okamoto Dai、Okamoto Mitsuo、Harada Shinsuke
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 131 Issue: 14 Pages: 145701-145701

    • DOI

      10.1063/5.0086172

    • Peer Reviewed / Open Access
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K04494
  • [Journal Article] Difference in electron mobility at 4H?SiC/SiO2 interfaces with various crystal faces originating from effective-field-dependent scattering2020

    • Author(s)
      Hirai Hirohisa、Hatakeyama Tetsuo、Sometani Mitsuru、Okamoto Mitsuo、Harada Shinsuke、Okumura Hajime、Yamaguchi Hiroshi
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 117 Issue: 4 Pages: 042101-042101

    • DOI

      10.1063/5.0012324

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K04494
  • [Journal Article] Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channels of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations2019

    • Author(s)
      Sometani Mitsuru、Hosoi Takuji、Hirai Hirohisa、Hatakeyama Tetsuo、Harada Shinsuke、Yano Hiroshi、Shimura Takayoshi、Watanabe Heiji、Yonezawa Yoshiyuki、Okumura Hajime
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 115 Issue: 13 Pages: 132102-132102

    • DOI

      10.1063/1.5115304

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K04494
  • [Journal Article] Mobility-limiting Coulomb scattering in nitrided 4H-SiC inversion channel on 1 1  ̄ 00 m-face and 11 2  ̄ 0 a-face characterized by Hall effect measurements2019

    • Author(s)
      Hirai Hirohisa、Hatakeyama Tetsuo、Sometani Mitsuru、Okamoto Mitsuo、Harada Shinsuke、Okumura Hajime
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 115 Issue: 13 Pages: 132106-132106

    • DOI

      10.1063/1.5114669

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K04494
  • [Presentation] 4H-SiC/SiO2 界面におけるバンド配列の理論解析:界面双極子形成の検討2024

    • Author(s)
      松田隼,秋山亨,畠山哲夫 ,白石賢二,中山隆史
    • Organizer
      第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23K03928
  • [Presentation] ハイブリッド密度汎関数法による 4H-SiC/SiO2 界面におけるバンド配列の面方位依存性の理論解析2023

    • Author(s)
      松田隼,秋山亨,畠山哲夫 ,白石賢二 ,中山隆史
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23K03928
  • [Presentation] 4H-SiC/SiO2 界面におけるバンド配列および界面双極子形成に関する理論解析2023

    • Author(s)
      松田隼,秋山亨, 畠山哲夫 ,白石賢二 ,中山隆史
    • Organizer
      先進パワー半導体分科会第10回講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23K03928
  • [Presentation] A Physics-based Model for Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs2023

    • Author(s)
      T. Hatakeyama, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto, S. Harada
    • Organizer
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23K03928
  • [Presentation] pチャネル4H-SiC MOSFETに対するTACD チャネル移動度モデル構築2023

    • Author(s)
      志村 一眞, 岡本 大、畠山 哲夫
    • Organizer
      先進パワー半導体分科会第10回講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23K03928
  • [Presentation] pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性2023

    • Author(s)
      田口 雄大, 岡本 大 染谷 満, 平井 悠久 岡本 光央, 畠山 哲夫
    • Organizer
      先進パワー半導体分科会第10回講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23K03928
  • [Presentation] First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO2 interface2023

    • Author(s)
      Shun Matsuda, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama
    • Organizer
      2023 International Conferences on Solid State Devices and Materials
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23K03928
  • [Presentation] C12 On-the-fly charge pumpingの温度依存性測定による SiC MOSFETのNBTI特性の解析2021

    • Author(s)
      岡野 夏樹, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久 , 岡本 光央, 畠山 哲夫
    • Organizer
      令和3年度 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K04494
  • [Presentation] II-2 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価2021

    • Author(s)
      坂田 大輝, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 原田 信介, 畠山 哲夫 , 矢野 裕司, 岩室 憲幸
    • Organizer
      先進パワー半導体分科会 第8回講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K04494
  • [Presentation] C02 TCADによるSiC MOSFETのチャージポンピング電流のシミュレーション2021

    • Author(s)
      守山 遼, 犬塚柊, 岡本 大, 畠山 哲夫
    • Organizer
      令和3年度 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K04494
  • [Presentation] IB-10 4H-SiC非極性面上のMOS界面散乱に対する酸化プロセスの影響2021

    • Author(s)
      染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介
    • Organizer
      先進パワー半導体分科会 第8回講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K04494
  • [Presentation] IIB-9 SiC van der PauwおよびHall bar素子の最適設計2021

    • Author(s)
      守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫
    • Organizer
      先進パワー半導体分科会 第8回講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K04494
  • [Presentation] C04 TCAD によるクローバー型ホール効果測定素子設計の検討2021

    • Author(s)
      伊藤大地, 守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫
    • Organizer
      令和3年度 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K04494
  • [Presentation] C03 TCAD によるギリシア十字架型ホール効果測定素子設計の検討2021

    • Author(s)
      中村 宙夢, 守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫
    • Organizer
      令和3年度 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K04494
  • [Presentation] SiC MOS反転層移動度の劣化要因に関する理論的考察2021

    • Author(s)
      畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介
    • Organizer
      電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第26回研究会)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K04494
  • [Presentation] C01 SiC Hall barの最適設計に関する考察2021

    • Author(s)
      守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫
    • Organizer
      令和3年度 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K04494
  • [Presentation] [We-2A-02] The Effects of Coulomb Scattering Centers at SiO2/SiC interfaces on Electron Mobility in Inversion Layers2019

    • Author(s)
      Tetsuo Hatakeyama, Minoru Sometani, Hirohisa Hirai, Shinsuke Harada
    • Organizer
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19K04494

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