Ichikawa Kazunori 市川和典

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ICHIKAWA KAZUNORI 市川和典

ICHIKAWA Kazunori 市川和典

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Researcher Number	90509936
Other IDs
Affiliation (Current)	2025: 松江工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授
Affiliation (based on the past Project Information) *help	2025: 松江工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授 2021 – 2023: 松江工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授 2017 – 2018: 松江工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授 2012 – 2016: 神戸市立工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 2014: 神戸市立工業高等専門学校, 准教授 … More 2011: 神戸市立工業高等専門学校, 電気工学科, 講師 2009: Kobe City College of Technology, 講師 2009: Kobe City College of Technology, 電気工学科, 講師 2008: Kobe City College of Technology, 電気工学科, 助教 Less
Review Section/Research Field	Principal Investigator Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related / Electronic materials/Electric materials / Device related chemistry / Electron device/Electronic equipment Except Principal Investigator Basic Section 36010:Inorganic compounds and inorganic materials chemistry-related / Inorganic materials/Physical properties
Keywords	Principal Investigator グラフェン / ヘテロ接合 / 熱CVD / 薄膜トランジスタ / フラッシュメモリ / 半導体デバイス / ナノ材料 / ハイブリッド型デバイス / ヘテロデバイス / トランジスタ … More / メモリ / TFT / ハイブリッドデバイス / 転写フリー / グラフェントランジスタ / Poly-Si / Siナノドット / 薄膜トランジスタ(TFT) / レーザー結晶化 / システムオンパネル / 低温poly-Si TFT … More Except Principal Investigator 希土類鉄酸化物 / エピタキシャル薄膜 / 電子強誘電体 / 微細加工 / ホール効果 / ヘマタイト / 異方性 / X線構造解析 / ホール測定 / 高分解能TEM / メスバウアー分光 / 高圧合成 / ゲルマニウム置換 / イルメナイト / 高分解能電子顕微鏡観察 / スパッタ法 / 酸化物磁性半導体 / 混合原子価状態 / 鉄チタン複酸化物 Less

超高速省電力メモリへの応用を指向した電子強誘電体薄膜の作製とドメイン構造制御
- Principal Investigator
  
  藤井達生
- Project Period (FY)
  2025 – 2028
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- Review Section
  
  Basic Section 36010:Inorganic compounds and inorganic materials chemistry-related
- Research Institution
  Okayama University
Realization of graphene TFT with high mobility and high on/off ratio using NiCO3/graphene hetero -junctionPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  ICHIKAWA KAZUNORI
- Project Period (FY)
  2021 – 2023
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Review Section
  
  Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
- Research Institution
  Matsue National College of Technology
Investigation of high performance transfer free graphene device with transistor and memory operationPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  Ichikawa Kazunori
- Project Period (FY)
  2016 – 2018
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Matsue National College of Technology
  Kobe City College of Technology
Investigation of elucidating a mechanism and the improvement of a performance in graphene memory which operate by electron trap to defectsPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  Ichikawa Kazunori
- Project Period (FY)
  2013 – 2015
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- Research Field
  
  Device related chemistry
- Research Institution
  Kobe City College of Technology
Development of functional iron titanium complex oxide films by control of mixed-valence state
- Principal Investigator
  
  FUJII Tatsuo
- Project Period (FY)
  2011 – 2014
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- Research Field
  
  Inorganic materials/Physical properties
- Research Institution
  Okayama University
Investigation of low temperature poly-Si TFT flash memory using 3-dimentonal substratePrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  ICHIKAWA Kazunori
- Project Period (FY)
  2008 – 2009
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
- Research Field
  
  Electron device/Electronic equipment
- Research Institution
  Kobe City College of Technology

All 2024 2022 2021 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2010 2009 Other

All Journal Article Presentation

[Journal Article] Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上2021
- Author(s)
  市川和典
- Journal Title
  
  信学技報
  
  Volume: vol. 121, no. 8 Pages: 26-29
- Open Access
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04163
[Journal Article] 熱CVD グラフェンの基礎と転写フリーグラフェンMOSFET の電気特性評価2017
- Author(s)
  市川和典須田善行
- Journal Title
  
  電子情報通信学会論文誌C
  
  Volume: 5 Pages: 242-250
- Peer Reviewed / Open Access
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[Journal Article] Influence of nickel catalyst film thickness and cooling condition for synthesis of monolayer graphene by thermal chemical vapor deposition at 800 oC2015
- Author(s)
  Kazunori Ichikawa, Hiroshi Akamatsu, Yoshiyuki Suda, Yoshiyuki Nonoguchi, Yukiharu Uraoka
- Journal Title
  
  Journal of Materials Science and Engineering B
  
  Volume: 9 Issue: 10 Pages: 341-346
- DOI
  10.17265/2161-6221/2015.9-10.001
- Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant / Open Access / Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[Journal Article] 三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS-TFTフラッシュメモリの特性評価2009
- Author(s)
  市川和典・松江将博・赤松浩浦岡行治
- Journal Title
  
  電子情報通信学会技術研究報告 109(321)
  
  Pages: 70-74
- NAID
  110008001098
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20860086
[Presentation] Ni膜厚の薄膜化によるヘテロ接合型グラフェンへの影響と炭化時間依存性2024
- Author(s)
  錦織悠玖, 市川和典, 赤松浩
- Organizer
  薄膜材料デバイス研究会　第20回研究集会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04163
[Presentation] 炭素導入量の変化によるグラフェン合成後の物性評価2022
- Author(s)
  市川和典, 江角卓哉
- Organizer
  第27回高専シンポジウム
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04163
[Presentation] 900℃の熱 CVD で合成したグラフェンの炭化時間依存性2022
- Author(s)
  榎本陽菜, 市川和典, 大島多美子
- Organizer
  第18回薄膜材料デバイス研究会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04163
[Presentation] Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上2021
- Author(s)
  市川和典
- Organizer
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04163
[Presentation] グラフェン合成後における Ni 薄膜の酸素濃度依存性2021
- Author(s)
  市川和典, 江角卓哉, 赤松浩, 大島多美子
- Organizer
  第18回薄膜材料デバイス研究会資料
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04163
[Presentation] Ni 触媒の酸化によるヘテロ接合型グラフェン TFT の高性能化2021
- Author(s)
  市川和典, 江角卓哉, 大島多美子
- Organizer
  令和 3 年電気学会基礎・材料・共通部門大会
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04163
[Presentation] Oxygen concentration dependence of transfer free graphene thin film transistor2019
- Author(s)
  K. Ichikawa, S. Tateishi and H. Akamatsu
- Organizer
  The 15th International Thin-Film Transistor Conference (ITC2019)
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[Presentation] グラフェン合成における酸素濃度依存性2018
- Author(s)
  立石翔太，市川和典，赤松浩
- Organizer
  第15回薄膜材料デバイス研究会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[Presentation] アセチレンの分解効率の向上による熱CVDグラフェンの低温合成2017
- Author(s)
  谷川直樹　市川和典　赤松浩
- Organizer
  高専シンポジウム2017
- Place of Presentation
  鳥羽商船高専
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[Presentation] 熱CVDグラフェンの高速合成における高温時の水素の影響2017
- Author(s)
  上玉利　勇輝，市川　和典　，赤松　浩
- Organizer
  応用物理学会関西支部平成28年度第3回講演会
- Place of Presentation
  大阪大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[Presentation] 赤外線集光型熱CVDを用いたグラフェン合成の低温化2017
- Author(s)
  谷川　直樹，市川　和典　，赤松　浩
- Organizer
  応用物理学会関西支部平成28年度第3回講演会
- Place of Presentation
  大阪大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[Presentation] 高濃度水素中での熱CVDグラフェンの高速合成2017
- Author(s)
  上玉利勇輝・市川和典・赤松浩
- Organizer
  高専シンポジウム2017
- Place of Presentation
  鳥羽商船高専
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[Presentation] 酸化膜上への熱 CVDグラフェンの合成と酸素導入時間の影響2017
- Author(s)
  劒持進次郎, 市川和典, 赤松浩, 須田善行
- Organizer
  第14回薄膜材料デバイス研究会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[Presentation] トンネル効果を利用した酸化膜上へのグラフェンの合成2017
- Author(s)
  堀谷真理愛，市川和典，赤松浩
- Organizer
  高専シンポジウム2017
- Place of Presentation
  鳥羽商船高専
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[Presentation] 酸化膜上に直接合成した熱CVDグラフェンの特性評価2017
- Author(s)
  堀谷　真理愛，市川　和典，赤松　浩
- Organizer
  応用物理学会関西支部平成28年度第3回講演会
- Place of Presentation
  大阪大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[Presentation] 熱CVD グラフェンの基礎と転写フリーグラフェンMOSFET の電気特性評価2017
- Author(s)
  市川　和典
- Organizer
  薄膜材料デバイス研究会山陰特別研究会
- Place of Presentation
  清嵐荘
- Year and Date
  2017-03-21
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[Presentation] グラフェンにおける電気特性とラマンスペクトルの相関2017
- Author(s)
  山本将太郎,　市川和典, 赤松浩,　須田善行
- Organizer
  第14回薄膜材料デバイス研究会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[Presentation] Thermal chemical vapor deposition graphene directly synthesized on the nickel oxide film2017
- Author(s)
  S. Kenmotsu, K. Ichikawa, H. Akamatsu and Y. Suda
- Organizer
  The 39th International Symposium on Dry Process
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[Presentation] 熱CVDグラフェンの高速合成における水素濃度依存性2016
- Author(s)
  上玉利　勇輝，市川　和典，赤松　浩，須田　善行
- Organizer
  第13回薄膜材料デバイス研究会
- Place of Presentation
  龍谷大学
- Year and Date
  2016-10-20
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[Presentation] 水素ガスにより膜厚制御した単層グラフェンFETの特性評価2016
- Author(s)
  小野　誠，市川和典，赤松浩，須田善行
- Organizer
  第21回高専シンポジウム
- Place of Presentation
  丸亀市民会館
- Year and Date
  2016-01-23
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[Presentation] High-quality bilayer graphene was synthesized by low concentration of hydrogen gas in nitrogen/hydrogen gas mixture during temperature rising period in chemical vapor deposition2015
- Author(s)
  Kazunori Ichikawa, Hiroshi Akamatsu, Yoshiyuki Suda
- Organizer
  37th International Symposium on Dry Process
- Place of Presentation
  Awaji Yumebutai International Conference Center
- Year and Date
  2015-11-05
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[Presentation] プロセスガス制御によるグラフェンの層数制御およびFETの作製2015
- Author(s)
  松原　暉、市川和典、赤松　浩、須田善行
- Organizer
  応用物理学会関西支部
- Place of Presentation
  奈良先端科学技術大学院大学
- Year and Date
  2015-02-27
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[Presentation] Synthesis of monolayer and multilayer graphene on nickel catalyst film by thermal chemical vapor deposition using acetylene gas at 800 oC2015
- Author(s)
  Kazunori Ichikawa, Hiroshi Akamatsu, Yoshiyuki Suda
- Organizer
  The Irago conference 2015
- Place of Presentation
  Irago sea-park and spa hotel
- Year and Date
  2015-10-22
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[Presentation] グラフェンの成長における熱CVD法条件の研究2014
- Author(s)
  松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行
- Organizer
  産学官金技術フォーラム14
- Place of Presentation
  神戸市産業振興センター
- Year and Date
  2014-11-12
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[Presentation] グラフェンの成長に及ぼす水素および金属触媒膜厚の影響2013
- Author(s)
  松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行
- Organizer
  第10回薄膜材料デバイス研究会
- Place of Presentation
  龍谷大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[Presentation] Investigation of low temperature poly-Si TFT flash memory using 3 dimentonal substrate2010
- Author(s)
  K. ICHIKAWA, M. ATSUE, H. AKAMATSU, Y. URAOKA
- Organizer
  International Thin-Film Transistor Conference 2010 (ITC10)
- Place of Presentation
  Egret Himeji
- Year and Date
  2010-01-27
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20860086
[Presentation] Investigation of low temperature poly-Si TFT flash memory using 3-dimentonal substrate2010
- Author(s)
  K.ICHIKAWA, M.MATSUE, H.AKAMATSU, Y.URAOKA
- Organizer
  International Thin-Film Transistor Conference 2010
- Place of Presentation
  イーグレ姫路(兵庫)
- Year and Date
  2010-01-27
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20860086
[Presentation] 三次元基板を用いた低温poly-Si TFTフラッシュメモリの特性評価2009
- Author(s)
  市川和典松江将博西敬生山本伸一浦岡行治
- Organizer
  2009年秋季応用物理学会
- Place of Presentation
  富山大学
- Year and Date
  2009-09-09
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20860086
[Presentation] 三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS TFTフラッシュメモリの特性評価2009
- Author(s)
  市川和典松江将博赤松浩浦岡行治
- Organizer
  電子情報通信学会
- Place of Presentation
  奈良先端科学技術大学院大学
- Year and Date
  2009-12-04
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20860086
[Presentation] 三次元基板を用いた低温poly-Si TFTフラッシュメモリの特性評価2009
- Author(s)
  市川和典, 松江将博, 西敬生, 山本伸一, 浦岡行治
- Organizer
  2009年秋季応用物理学会
- Place of Presentation
  富山大(富山)
- Year and Date
  2009-09-09
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20860086
[Presentation] 三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS TFTフラッシュメモリの特性評価2009
- Author(s)
  市川和典, 松江将博, 赤松浩, 浦岡行治
- Organizer
  電子情報通信学会
- Place of Presentation
  奈良先端大(奈良)
- Year and Date
  2009-12-04
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20860086
[Presentation] プロセスガスの制御による単層および多層CVDグラフェンの作り分け技術
- Author(s)
  松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行
- Organizer
  第11回薄膜材料デバイス研究会
- Place of Presentation
  龍谷大学
- Year and Date
  2014-10-31 – 2014-11-01
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[Presentation] グラフェンを用いたフラッシュメモリの実証研究
- Author(s)
  市川　和典
- Organizer
  STARCワークショップ
- Place of Presentation
  新横浜国際ホテル南館
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[Presentation] グラフェン－歴史・現状・将来－
- Author(s)
  市川和典
- Organizer
  電気情報通信学会　ソサイエティ大会
- Place of Presentation
  徳島大学
- Year and Date
  2014-09-23 – 2014-09-26
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[Presentation] 熱CVD法による欠陥0を目指した単層グラフェンの成長条件の検討
- Author(s)
  市川　和典
- Organizer
  第 1回出雲薄膜材料デバイスミニ研究会
- Place of Presentation
  島根大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[Presentation] 電子デバイス応用に向けたグラフェンの合成条件の評価
- Author(s)
  松原　暉，市川　和典
- Organizer
  平成24年度分高専連携教育研究プロジェクト　学生成果報告会
- Place of Presentation
  豊橋技術科学大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-25871039

1. FUJII Tatsuo (10222259)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 0 results
2. SUDA Yoshiyuki (70301942)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 13 results
3. 大島多美子 (00370049)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 3 results
4. NAKANISHI Makoto (10584085)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
5. TAKADA Jun (60093259)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
6. URAOKA Yukiharu (20314536)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 1 results
7. 中西真 (10284085)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
8. 池田直 (00222894)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
9. 沖本洋一 (50356705)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results

Ichikawa Kazunori 市川 和典

ICHIKAWA KAZUNORI 市川 和典

ICHIKAWA Kazunori 市川 和典

Research Projects

Research Products

Co-Researchers

超高速省電力メモリへの応用を指向した電子強誘電体薄膜の作製とドメイン構造制御

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

Realization of graphene TFT with high mobility and high on/off ratio using NiCO3/graphene hetero -junctionPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

Investigation of high performance transfer free graphene device with transistor and memory operationPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Investigation of elucidating a mechanism and the improvement of a performance in graphene memory which operate by electron trap to defectsPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Development of functional iron titanium complex oxide films by control of mixed-valence state

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Investigation of low temperature poly-Si TFT flash memory using 3-dimentonal substratePrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

[Journal Article] Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上2021

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] 熱CVD グラフェンの基礎と転写フリーグラフェンMOSFET の電気特性評価2017

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] Influence of nickel catalyst film thickness and cooling condition for synthesis of monolayer graphene by thermal chemical vapor deposition at 800 oC2015

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] 三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS-TFTフラッシュメモリの特性評価2009

Author(s)

Journal Title

NAID

Data Source

[Presentation] Ni膜厚の薄膜化によるヘテロ接合型グラフェンへの影響と炭化時間依存性2024

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] 炭素導入量の変化によるグラフェン合成後の物性評価2022

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] 900℃の熱 CVD で合成したグラフェンの炭化時間依存性2022

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上2021

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] グラフェン合成後における Ni 薄膜の酸素濃度依存性2021

Author(s)

Organizer

Data Source

Ichikawa Kazunori 市川和典

ICHIKAWA KAZUNORI 市川和典

ICHIKAWA Kazunori 市川和典