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MATSUMOTO Satoru  松本 智

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松本 智  マツモト サトル

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Researcher Number 00101999
Other IDs
Affiliation (Current) 2025: 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 名誉教授
Affiliation (based on the past Project Information) *help 1994 – 2003: 慶應義塾大学, 理工学部, 教授
1994: KEIO UNIVERSITY,FACULTY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY,PROFESSOR, 理工学部, 教授
1993: 慶應義塾大学, 理工学部, 助教授
1990: 慶応義塾大学, 理工学部, 助教授
Review Section/Research Field
Principal Investigator
電子デバイス・機器工学 / Electronic materials/Electric materials
Except Principal Investigator
電子デバイス・機器工学
Keywords
Principal Investigator
シリコン / silicon / 空格子点 / 点欠陥 / Si_3N_4 / quantum dynamics / atomic layer doping / nuclear magnetic resonance / ^<31>P nuclear spin / isotope control … More / spin-free silicon / quntum computating / 量子ダイナミックス / 単原子層ドーピング / 核磁気共鳴 / ^<31>P核スピン / 同位体組成制御 / スピンフリーシリコン / 量子コンピューティング / process modeling / Fermi level effect / self-interstitial / vacancy / point defect / enriched isotope / self-diffusion / 格子間原子 / プロセスモデリング / フェルミ準位効果 / 自己格子間原子 / 高純度同位元素 / 自己拡散 / interstitialcy component / excess vacancy generation / compressive strain in Si / Si_3N_4 film stress / Si structure / enhanced diffusion of Sb / retarded diffusion of B and P / dopant (B,P,Sb) diffusion in Si / 窒化膜応力 / 圧縮応力 / 空格子点拡散係数 / 不純物拡散 / 格子間原子拡散機構成分 / 過剰空格子点の発生 / Si中の圧縮歪 / Si_3N_4膜応力 / Si構造 / Sbの増速拡散 / BとPの減速拡散 / Si中のドーパント(B,P,Sb)拡散 / MOSFET fabrication / 2-step doping method / Shallow junction / Laser doping / UV excimer laser / 2ステップドーピング / MOSFET / レーザドーピング / 2ステップド-ピング / MOSFET作製 / 浅い接合形成 / レーザド-ピング / 紫外エキシマレーザ / √3x√3表面構造 / STM観察 / ボロニ吸着 / ドーパント表面再構成 / Si(111)7x7表面 / ドーパント量子ドット / 2D構造 / 秩序的ドーパント構造 / UHV-STM / √<3>x√<3>R30℃表面 / Si(111)表面 / B吸着 / 表面再構成 / 光電子分光 / ジボラン / 水晶振動子 / 紫外エキシマレ-ザ-照射 / 吸着層光分解 … More
Except Principal Investigator
elemental boron source / rapid thermal diffusion / modeling of dopant profiles / ultra-shallow junctions / silicon / diffusion of boron / プロセスモデリング / ド-ピング / 元素ボロン拡散源 / 急速熱拡散 / ドーパント分布のモデリング / 極浅接合 / シリコン / ボロン拡散 Less
  • Research Projects

    (7 results)
  • Co-Researchers

    (5 People)
  •  Basic Research on Silicon Quantum Computation Based on Isotope Control and Neutron IrradiationPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      MATSUMOTO Satoru
    • Project Period (FY)
      2001 – 2003
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • Research Field
      電子デバイス・機器工学
    • Research Institution
      Keio University
  •  Silicon Self-Diffusion Using Isotopically Enriched ^<28>Si Epitaxial LayersPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      MATSUMOTO Satoru
    • Project Period (FY)
      1998 – 2000
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A).
    • Research Field
      電子デバイス・機器工学
    • Research Institution
      Keio University
  •  規則的に配列されたドーパントを含む半導体構造の研究Principal Investigator

    • Principal Investigator
      松本 智
    • Project Period (FY)
      1996 – 1997
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • Research Field
      Electronic materials/Electric materials
    • Research Institution
      Keio University
  •  Control of Point Defects in Si and its Application to Process SimulationPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      MATSUMOTO Satoru
    • Project Period (FY)
      1995 – 1997
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      電子デバイス・機器工学
    • Research Institution
      Keio University
  •  FORMATION OF ULTRA-SHALLOW PN-JUNCTIONS AND MODELING OF DOPANT PROFILES

    • Principal Investigator
      KUWANO Hiroshi
    • Project Period (FY)
      1994 – 1995
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • Research Field
      電子デバイス・機器工学
    • Research Institution
      KEIO UNIVERSITY
  •  SUPRESSION OF SHORT-CHANNEL EFFECT IN MOSFET WITH UV EXCIMER LASER DOPINGPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      MATSUMOTO Satoru
    • Project Period (FY)
      1993 – 1994
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      電子デバイス・機器工学
    • Research Institution
      KEIO UNIVERSITY
  •  紫外分光による吸着層の光分解過程の計測Principal Investigator

    • Principal Investigator
      松本 智
    • Project Period (FY)
      1990
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • Research Institution
      Keio University
  • 1.  KUWANO Hiroshi (10051525)
    # of Collaborated Projects: 4 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 2.  YOSHIDA Masayuki (80038984)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 3.  ITOH Kohei (30276414)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 4.  ETO Mikio (00221812)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 5.  KURODA Tadahiro (50327681)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results

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