| Affiliation (based on the past Project Information) *help |
2016 – 2024: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授
2015: 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2015: 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授
2013 – 2014: 東京大学, 工学系研究科, 教授
2012: 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
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2007 – 2011: The University of Tokyo, 大学院・工学系研究科, 教授
2007 – 2010: 東京大学, 工学系研究科, 教授
2007: The University of Tokyo, 工学院工学系研究科, 教授
2005 – 2006: University of Tokyo, Graduate School of Engineering, Professor, 大学院工学系研究科, 教授
2004 – 2005: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授
1995 – 2003: University of Tokyo, Graduate School of Engineering, Assoc.Professor, 大学院・工学系研究科, 助教授
1998: 東京大学, 大学院・工学研究科, 助教授
1996: 東京大学, 大学院工学系研究科, 助教授
1996: 東京大学, 工学系研究科, 助教授
1995 – 1996: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授
1994: University of Tokyo, Faculty of Engineering, Assoc.Professor, 工学部, 助教授
1990 – 1993: 東京大学, 工学部, 講師
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| Keywords |
- Principal Investigator
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MnAs / 強磁性半導体 / GaMnAs / スピン / ヘテロ構造 / スピントロニクス / 分子線エピタキシー / トンネル磁気抵抗効果 / GaAs / 共鳴トンネル効果
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/ ErAs / 磁性半導体 / 強磁性トンネル接合 / 半導体 / 狭ギャップ半導体 / スピントランジスタ / スピン依存伝導 / (Ga,Fe)Sb / キュリー温度 / 磁気光学効果 / GeMn / 不揮発性メモリ / InGaMnAs / 磁気抵抗効果 / スピンMOSFET / 分子線エピタキシ- / 半金属 / 強磁性転移温度 / magneto-optical effect / molecular beam epitaxy (MBE) / 垂直磁化 / デバイス / GeFe / 量子井戸 / 電子スピントロニクスデバイス / III-V半導体 / 共鳴トンネルダイオード / 半導体ヘテロ構造 / テンプレート法 / 低消費電力デバイス / スピン軌道トルク / 電界効果磁化制御 / トポロジカル / バンド構造 / (In,Fe)Sb / (In,Fe)As / 狭ギャップ / スピンエレクトロニクス / 強磁性 / (In, Fe)Sb / 磁気抵抗 / optical isolator / 半導体磁気光学結晶 / 磁気光学結晶 / 導波路型光アイソレータ / 光アイソレータ / キャリア誘起強磁性 / GaAs : Mn / MnGa / dissimilar heterostructures / Si substrates / 磁気異方性 / エピタキシャル成長 / スピンバルブ / semiconductor heterostructures / CoAl / 金属間化合物 / 強磁性体 / 共鳴トンネル / ナノ構造 / 磁性体 / スピン偏極電流 / スピン流 / Spin-MOSFET / スピン流デバイス / 再構成可能 / グラニュラー構造 / スピン注入 / キャリアスピン / ヘテロ構造電子デバイス / 電子デバイス / トンネル効果 / 微分負性抵抗 / テンプレート / 埋め込みヘテロ構造 / (Ga,Mn)As / 磁化反転 / 狭ギャップ強磁性半導体 / (In1-x,Fex)Sb / (Ga1-x,Fex)Sb / 超伝導 / ストントロニクス / ディラック半金属 / 電界制御 / スピン機能デバイス / ヘテロ接合 / トンネル分光 / スピンエサキダイオード / スピンバンドエンジニアリング / 狭バンドギャップ強磁性半導体 / 電界による磁性制御 / 電界効果トランジスタ / 転移温度 / FET / トンネル接合 / waveguide-type optical isolator / tunneling magnetoresistance / spin / semiconductor magneto-photonic crystals / 強磁性ナノクラスター / クラスター / Spin MOSFET / Tunneling magnetoresistance / Heterostructure / Electronic device / Spintronics / 選択ドープヘテロ構造 / デルタドープ / MnAs微粒子 / granular structure / tunneling magneto-resistance (TMR) / magnetic tunnel junction / magnetic semiconductor / 量子へテロ構造 / 半導体ハイブリッド系材料 / 半導体ハイブリッド材料 / semiconductor-waveguide-type optical isolator / transverse magneto-optical Kerr effect / DBR (Distributed Bragg Reflector) / Faraday effect / s,p-d交換相互作用 / (InGaMn)As / (GaMn)As / III-V族ベース強磁性半導体 / 光の局在 / グラニュラー / 横磁気カー効果 / DBR / ファラデー効果 / ferromagnetic semiconductor GaMnAs / ferromagnmet-semiconductor heterostructures / ferromagnet hybrid materials system / III-V-semiconductor / 低温MBE / 希薄磁性半導体 / エピタキシャル強磁性薄膜 / 磁性体融合体 / 量子準位 / 磁性半導体超格子 / p-d交換相互作用 / 異常ホール効果 / MnAS / 磁気結合 / MnAs 三層構造 / GaAs:Mn / 磁性体融合系 / metal / ferromagnetic semiconductor / 異種物質ヘテロ接合 / 異種物質ヘテロ接合系 / 強磁性金属 / 異種物質ヘテロ接合糸 / nonvolatile magnetic memory / ferromagnet-semiconductor heterostructures / ferromagnetic thin films / 交番力マグネトメータ / 強磁性MnAs薄膜 / ヘテロエピタキシ- / 強磁性MnGa薄膜 / 磁性体薄膜 / 一軸異方性 / 磁性体多層構造 / 半導体基板 / エピタキシャル強磁性体超薄膜 / エピキシシャル成長 / 強磁性体半導体多層構造 / (111)基板 / 半導体多層構造 / semiconductor hybrid quantum devices / semimetal / room temperature negative differential resistance / resonant tunneling diodes / semimetallic quantum well / template approach / molecular beam epitaxy / Metal / metallic compounds / MBE / 2重障壁構造 / 室温負性微分抵抗 / 室温微分負性抵抗 / 2垂障壁構造 / 半金属量子井戸 / 半金属ErAs / 不揮発性 / ナノ微粒子 / LED / 波動関数工学 / バンドエンジニアリング / スピン偏極電流磁化反転 / スピン流機能と制御法のデザイン / スピン流高周波・熱デバイス / スピン偏極電流デバイス / スピン流熱デバイス / スピン注入磁化反転 / 光スピントロニクス機能デバイス / スピン流高周波デバイス / スピン偏極電流制御デバイス / 光スピントロニクス / スピン流高周波 / 磁気渦の磁化反転 / 非相反半導体レーザ / 半導体光アイソレータ / スピン波とスピン流 / 共鳴トンネル分光 / スピン緩和時間 / ナノスピンデバイス / スピントランジスタを / リコンフィギャラブル / スピン起電力 / スピントラジスタ / リコンフイギャラブル / 電子デバイス・集積回路 / トンネル磁気抵抗 / 微粒子 / スピントロニクス・デバイス / スピンデバイス / スピン依存トンネル現象 / 量子効果デバイス / 三端子デバイス / トンネル磁気抵抗デバイス / TMR比の振動 / 負のTMR / トンネル磁気抵抗効果(TMR) / ハーフメタ / ハーフメタル / MRAM / スピンFET / 磁気抵抗スイッチ効果 / 半導体複合ヘテロ構造 / 金属 / 3端子デバイス / 負性抵抗 / 金属超薄膜 / 分子線ユピタキシ- / 共鳴トンネル現象
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- Except Principal Investigator
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GaSb / GaAs / MBE / Bridgman growth / ブリッジマン成長 / 微小重力 / AlAs / 分子線エピタキシ / Si / RHEED / μ-RHEED / 強磁性半導体 / heteroepitaxy / シリコン(Si) / microgravity / Te impurity / 転位密度 / マランゴニ対流 / Te不純物 / Microgravity / InP / 巨大ステップ / フォトルミネッセンス / LPE / スピンエレクトロニクス / 磁性体・半導体複合構造 / 量子情報処理 / ナノ構造 / キャリア誘起磁性 / スピン依存電気伝導 / スピン依存光物性 / 磁性半導体 / スピントロニクス / 無転位結晶 / ヘテロエピタキシ / マイクロチャンネルエピタキシ / 残留応力低減 / 表面拡散 / 原子ステップ / AIエレクトロニクス / シリコンデバイス / 半導体スピントロニクス / ferromagnetic semiconductors / quantum manipulation of spins / spin electronics / spin dependent electrical conduction / spin dependent optical property / spintronics / スピントロニクスデザイン / スピンエレトロニクス / スピン量子操作 / liquid phase epitaxy(LPE) / molecular beam epitaxy(MBE) / dislocation-free crystal / vertical-cavity surface-emitting laser diode / sillicon(Si) / galliumarsenide(GaAs) / microchannel epitaxy(MCE) / 面発光レーザ / マイクロチャネルエピタキシ / 液相エピタキシ / 面発光レーザー / 砒化ガリウム(GaAs) / impurity distribution / Mrangoni flow / dislocation density / X-ray topograph / strain free growth / 不純物分布 / X線トポグラフ / 無歪成長 / マイクログラビティ / AィイD2s2ィエD2 molecules / macro-step / pyramid structure / surface diffusion / intersurface diffusion / molecular beam epitaxy / As_4分子 / ピラミッド構造 / 拡散距離 / 面間拡散 / Carrier-induced ferromagnetism / Exchange interaction / exciton / Magentic ions / diluted magnetic semiconductor / spin / superstructures / Semiconductor nanostructures / 分子線エピタキシ- / 非平衡成長 / 同時ド-ピング / 磁気抵抗 / エピタキシャル成長 / 同時ドーピング法 / 半導体超構造 / スピン制御 / 強磁性半導体(GaMn)As量子ヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗効果 / 半導体ヘテロ構造 / 強磁性金属 / 一次元半導体磁気光学結晶 / 強磁性微細構造 / 希薄磁性半導体 / 束縛磁気ポーラロン / 磁気光学効果 / GaMnAs / 分子線エピタキシー / 物質設計 / 非平行成長 / 磁気ポーラロン / 同時ドーピング / 第一原理計算 / laser diode / release of residual stress / Opto-electronic Integrated circuit (OEIC) / dislocation-free region / epitaxial lateral overgrowth (ELO) / Indiumphosphide (InP) / silicon (Si) / VME(Vapour Mixing Epitaxy) / MQW構造 / Si基板 / インジウム燐(InP) / 空間分解フォトルミネッセンス測定 / ヘテロエピタキシャル成長 / 空間分解フォトルミネッセンス法 / 有限要素法 / 横方向成長法(ELO) / ELO比 / 液相エピタキシャル法(LPE) / レーザーダイオード / 光・電子集積回路(OEIC) / 無転位領域 / 横方向成長(ELO) / 燐化インジウム(InP) / ヘテロエピタキシ- / melt growth / GAS program / Space Shuttle / space experiment / ブリッジマン成長、 / 融液成長、 / GaSb、 / GASプログラム、 / スペースシャトル、 / 宇宙実験、 / 融液成長 / GASプログラム / スペースシャトル / 宇宙実験 / Burstein-Moss effect / Marangoni flow / Segregation / Spatially Resolved photoluminescence / 不純物縞 / 中国回収型衛星 / バースタイン-モス効果 / 偏析現象 / 空間分解フォトルミネッセンス / Spacelab / Semiconductor / Solution growth / Macrostep / Crystal growth mechanism / スペースラブ / 半導体 / 溶液成長 / 結晶成長機構 / Supersaturation / Atomic step / Surface diffusion / Vicinal surface / 過飽和度 / 微傾斜面 / low-dislocation Crystal / buffer layer / etch pit / Photo luminescence / Epitaxial lateral Overgrowth / GaAs on Si / ヒ-トサイクル法 / 放射状ラインシ-ド / ファセット / 低転位結晶 / バッファ層 / エッチピット / 横方向成長 / Si基板上のGaAs成長 / 物性機能 / スピン流 / ナノ材料 / 磁性 / 非発光センター / 不純物混入 / 光・電子集積化回路 / 光学デバイス / 転位密度低減 / ヘテロエピタキシー / 格子不整合の大きな系の成長 / マイクロチャンネルエピタキシー / ステップカイネティクス / (111)B面 / 微傾斜基板 / 分子線ユピタキシ-
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