Affiliation (based on the past Project Information) *help |
2016 – 2020: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授
2015: 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2015: 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授
2013 – 2014: 東京大学, 工学系研究科, 教授
2012: 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
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2007 – 2011: The University of Tokyo, 大学院・工学系研究科, 教授
2007 – 2010: 東京大学, 工学系研究科, 教授
2007: The University of Tokyo, 工学院工学系研究科, 教授
2005 – 2006: University of Tokyo, Graduate School of Engineering, Professor, 大学院工学系研究科, 教授
2004 – 2005: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授
1995 – 2003: University of Tokyo, Graduate School of Engineering, Assoc.Professor, 大学院・工学系研究科, 助教授
1998: 東京大学, 大学院・工学研究科, 助教授
1996: 東京大学, 大学院工学系研究科, 助教授
1996: 東京大学, 工学系研究科, 助教授
1995 – 1996: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授
1994: University of Tokyo, Faculty of Engineering, Assoc.Professor, 工学部, 助教授
1990 – 1993: 東京大学, 工学部, 講師
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Keywords |
- Principal Investigator
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MnAs / GaMnAs / 強磁性半導体 / ヘテロ構造 / スピン / 分子線エピタキシー / ErAs / 共鳴トンネル効果 / GaAs / スピントロニクス
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/ トンネル磁気抵抗効果 / 半導体 / 強磁性トンネル接合 / 磁性半導体 / スピン依存伝導 / スピントランジスタ / 半金属 / 分子線エピタキシ- / スピンMOSFET / InGaMnAs / 不揮発性メモリ / GeMn / 磁気光学効果 / テンプレート法 / 半導体ヘテロ構造 / 共鳴トンネルダイオード / III-V半導体 / 磁気抵抗効果 / 電子スピントロニクスデバイス / 量子井戸 / GeFe / molecular beam epitaxy (MBE) / magneto-optical effect / キュリー温度 / 狭ギャップ半導体 / (Ga,Fe)Sb / 埋め込みヘテロ構造 / テンプレート / 微分負性抵抗 / トンネル効果 / 電子デバイス / ヘテロ構造電子デバイス / キャリアスピン / スピン注入 / グラニュラー構造 / スピン流デバイス / Spin-MOSFET / スピン流 / スピン偏極電流 / 磁性体 / ナノ構造 / 共鳴トンネル / 強磁性体 / 金属間化合物 / CoAl / semiconductor heterostructures / スピンバルブ / エピタキシャル成長 / 磁気異方性 / Si substrates / dissimilar heterostructures / MnGa / GaAs : Mn / キャリア誘起強磁性 / 光アイソレータ / 導波路型光アイソレータ / 磁気光学結晶 / 半導体磁気光学結晶 / optical isolator / 強磁性転移温度 / (In, Fe)Sb / 強磁性 / スピンエレクトロニクス / 狭ギャップ / (In,Fe)Sb / バンド構造 / デバイス / 共鳴トンネル現象 / 分子線ユピタキシ- / 金属超薄膜 / 負性抵抗 / 3端子デバイス / 金属 / 半導体複合ヘテロ構造 / 磁気抵抗スイッチ効果 / スピンFET / MRAM / ハーフメタル / ハーフメタ / トンネル磁気抵抗効果(TMR) / 負のTMR / TMR比の振動 / トンネル磁気抵抗デバイス / 三端子デバイス / 量子効果デバイス / スピン依存トンネル現象 / スピンデバイス / 再構成可能 / スピントロニクス・デバイス / 微粒子 / トンネル磁気抵抗 / 電子デバイス・集積回路 / リコンフイギャラブル / スピントラジスタ / スピン起電力 / リコンフィギャラブル / スピントランジスタを / ナノスピンデバイス / スピン緩和時間 / 共鳴トンネル分光 / スピン波とスピン流 / 半導体光アイソレータ / 非相反半導体レーザ / 磁気渦の磁化反転 / スピン流高周波 / 光スピントロニクス / スピン偏極電流制御デバイス / スピン流高周波デバイス / 光スピントロニクス機能デバイス / スピン注入磁化反転 / スピン流熱デバイス / スピン偏極電流デバイス / スピン流高周波・熱デバイス / スピン流機能と制御法のデザイン / スピン偏極電流磁化反転 / バンドエンジニアリング / 波動関数工学 / LED / ナノ微粒子 / 半金属ErAs / 半金属量子井戸 / 2垂障壁構造 / 室温微分負性抵抗 / 室温負性微分抵抗 / 2重障壁構造 / MBE / metallic compounds / Metal / molecular beam epitaxy / template approach / semimetallic quantum well / resonant tunneling diodes / room temperature negative differential resistance / semimetal / semiconductor hybrid quantum devices / 半導体多層構造 / (111)基板 / 強磁性体半導体多層構造 / エピキシシャル成長 / エピタキシャル強磁性体超薄膜 / 半導体基板 / 磁性体多層構造 / 一軸異方性 / 磁性体薄膜 / 強磁性MnGa薄膜 / 垂直磁化 / ヘテロエピタキシ- / 強磁性MnAs薄膜 / 交番力マグネトメータ / ferromagnetic thin films / ferromagnet-semiconductor heterostructures / nonvolatile magnetic memory / 異種物質ヘテロ接合糸 / 強磁性金属 / 異種物質ヘテロ接合系 / 異種物質ヘテロ接合 / ferromagnetic semiconductor / metal / 磁性体融合系 / GaAs:Mn / MnAs 三層構造 / 磁気結合 / MnAS / 異常ホール効果 / p-d交換相互作用 / 磁性半導体超格子 / 量子準位 / 磁性体融合体 / エピタキシャル強磁性薄膜 / 希薄磁性半導体 / 低温MBE / III-V-semiconductor / ferromagnet hybrid materials system / ferromagnmet-semiconductor heterostructures / ferromagnetic semiconductor GaMnAs / ファラデー効果 / DBR / 横磁気カー効果 / グラニュラー / 光の局在 / III-V族ベース強磁性半導体 / (GaMn)As / (InGaMn)As / s,p-d交換相互作用 / Faraday effect / DBR (Distributed Bragg Reflector) / transverse magneto-optical Kerr effect / semiconductor-waveguide-type optical isolator / 半導体ハイブリッド材料 / 半導体ハイブリッド系材料 / 量子へテロ構造 / magnetic semiconductor / magnetic tunnel junction / tunneling magneto-resistance (TMR) / granular structure / MnAs微粒子 / デルタドープ / 選択ドープヘテロ構造 / Spintronics / Electronic device / Heterostructure / Tunneling magnetoresistance / Spin MOSFET / クラスター / 強磁性ナノクラスター / semiconductor magneto-photonic crystals / spin / tunneling magnetoresistance / waveguide-type optical isolator / 磁気抵抗 / トンネル接合 / FET / 転移温度 / (In,Fe)As / 電界効果トランジスタ / 電界による磁性制御 / 狭バンドギャップ強磁性半導体 / スピンバンドエンジニアリング / スピンエサキダイオード / トンネル分光 / ヘテロ接合 / スピン機能デバイス / ストントロニクス
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- Except Principal Investigator
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GaSb / GaAs / MBE / RHEED / Si / 分子線エピタキシ / スピントロニクス / AlAs / 微小重力 / ブリッジマン成長 / Bridgman growth / 強磁性半導体 / 原子ステップ / 表面拡散 / 残留応力低減 / マイクロチャンネルエピタキシ / ヘテロエピタキシ / 無転位結晶 / 磁性半導体 / スピン依存光物性 / スピン依存電気伝導 / キャリア誘起磁性 / ナノ構造 / 量子情報処理 / 磁性体・半導体複合構造 / スピンエレクトロニクス / LPE / フォトルミネッセンス / 巨大ステップ / InP / Microgravity / Te不純物 / マランゴニ対流 / 転位密度 / Te impurity / microgravity / シリコン(Si) / heteroepitaxy / μ-RHEED / 分子線ユピタキシ- / 微傾斜基板 / (111)B面 / ステップカイネティクス / マイクロチャンネルエピタキシー / 格子不整合の大きな系の成長 / ヘテロエピタキシー / 転位密度低減 / 光学デバイス / 光・電子集積化回路 / 不純物混入 / 非発光センター / 磁性 / ナノ材料 / スピン流 / 物性機能 / Si基板上のGaAs成長 / 横方向成長 / エッチピット / バッファ層 / 低転位結晶 / ファセット / 放射状ラインシ-ド / ヒ-トサイクル法 / GaAs on Si / Epitaxial lateral Overgrowth / Photo luminescence / etch pit / buffer layer / low-dislocation Crystal / 微傾斜面 / 過飽和度 / Vicinal surface / Surface diffusion / Atomic step / Supersaturation / 結晶成長機構 / 溶液成長 / 半導体 / スペースラブ / Crystal growth mechanism / Macrostep / Solution growth / Semiconductor / Spacelab / 空間分解フォトルミネッセンス / 偏析現象 / バースタイン-モス効果 / 中国回収型衛星 / 不純物縞 / Spatially Resolved photoluminescence / Segregation / Marangoni flow / Burstein-Moss effect / 宇宙実験 / スペースシャトル / GASプログラム / 融液成長 / 宇宙実験、 / スペースシャトル、 / GASプログラム、 / GaSb、 / 融液成長、 / ブリッジマン成長、 / space experiment / Space Shuttle / GAS program / melt growth / ヘテロエピタキシ- / 燐化インジウム(InP) / 横方向成長(ELO) / 無転位領域 / 光・電子集積回路(OEIC) / レーザーダイオード / 液相エピタキシャル法(LPE) / ELO比 / 横方向成長法(ELO) / 有限要素法 / 空間分解フォトルミネッセンス法 / ヘテロエピタキシャル成長 / 空間分解フォトルミネッセンス測定 / インジウム燐(InP) / Si基板 / MQW構造 / VME(Vapour Mixing Epitaxy) / silicon (Si) / Indiumphosphide (InP) / epitaxial lateral overgrowth (ELO) / dislocation-free region / Opto-electronic Integrated circuit (OEIC) / release of residual stress / laser diode / 第一原理計算 / 同時ドーピング / 磁気ポーラロン / 非平行成長 / 物質設計 / 分子線エピタキシー / GaMnAs / 磁気光学効果 / 束縛磁気ポーラロン / 希薄磁性半導体 / 強磁性微細構造 / 一次元半導体磁気光学結晶 / 強磁性金属 / 半導体ヘテロ構造 / 強磁性半導体(GaMn)As量子ヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗効果 / スピン制御 / 半導体超構造 / 同時ドーピング法 / エピタキシャル成長 / 磁気抵抗 / 同時ド-ピング / 非平衡成長 / 分子線エピタキシ- / Semiconductor nanostructures / superstructures / spin / diluted magnetic semiconductor / Magentic ions / exciton / Exchange interaction / Carrier-induced ferromagnetism / 面間拡散 / 拡散距離 / ピラミッド構造 / As_4分子 / molecular beam epitaxy / intersurface diffusion / surface diffusion / pyramid structure / macro-step / AィイD2s2ィエD2 molecules / マイクログラビティ / 無歪成長 / X線トポグラフ / 不純物分布 / strain free growth / X-ray topograph / dislocation density / Mrangoni flow / impurity distribution / 砒化ガリウム(GaAs) / 面発光レーザー / 液相エピタキシ / マイクロチャネルエピタキシ / 面発光レーザ / microchannel epitaxy(MCE) / galliumarsenide(GaAs) / sillicon(Si) / vertical-cavity surface-emitting laser diode / dislocation-free crystal / molecular beam epitaxy(MBE) / liquid phase epitaxy(LPE) / スピン量子操作 / スピンエレトロニクス / スピントロニクスデザイン / spintronics / spin dependent optical property / spin dependent electrical conduction / spin electronics / quantum manipulation of spins / ferromagnetic semiconductors / スピン / 狭ギャップ半導体 / (In,Fe)As / (Ga1-x,Fex)Sb / (In1-x,Fex)Sb / キュリー温度 / 狭ギャップ強磁性半導体 / (Ga,Fe)Sb / 強磁性転移温度 / ヘテロ構造
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