• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to previous page

FURUKAWA Seijiro  古川 静二郎

ORCIDConnect your ORCID iD *help
Researcher Number 60016318
Affiliation (based on the past Project Information) *help 1993: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
1992: 東京工業大学, 総理工, 教授
1991 – 1992: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 教授
1991: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
1990: 東京工業大学, 大学院総理工, 教授 … More
1987 – 1989: Tokyo Institute of Technology, Graduate School of Science & Engineering , professor, 大学院総合理工学研究科, 教授
1986: 東京工大, 国立大学(その他), 教授
1986: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 教授
1985: 東京工業大学, 国立大(その他), 教授 Less
Review Section/Research Field
Principal Investigator
Applied materials
Except Principal Investigator
電子材料工学 / Applied materials / 表面界面物性
Keywords
Principal Investigator
弗化物 / GaAs / Ge / ヘテロエピタキシー / MIS device / Fluoride / Heteroepitaxy / 弗化物薄膜エピタキシャル成長 / 砒化ガリウム / CMISトランジスタ … More / EBEIピタキシー / ゲルマニウム / ひ化ガリウム / ヘテロ構造 / MISデバイス / SOI / シリコン / 二段階成長 / 双晶 / ローテーショナル・ツイン / 界面 / 2段階成長 / (111)面 / ヘテロエピタキシ- / 回転双晶 / ロ-テ-ショナル・ツイン / HBT / 無ひずみ / ひずみ成長 / ヘテロ接合 / シリコン系ヘテロ接合 / 高濃度ド-ピング / 歪成長 / 格子整合 / 熱反応CVD / SiGe / 固相エピタキシャル成長 / イオン注入 … More
Except Principal Investigator
GaAs / MOSFET / シリコン / エピタキシャル成長 / ZnSe / CaF_2 / 表面改質 / 弗化物 / RAPID THERMAL ANNEALING / SILICON / GERMANIUM / SOLID PHASE EPITAXY / HETEROSTRUCTURE / OHMIC CONTACT / プラズマ化学気相堆積法 / 炭化シリコン / ヘテロ接合 / オーミックコンタクト / 高温短時間熱処理 / ゲルマニウム / 固相エピタキシャル成長 / ヘテロ構造 / オ-ミックコンタクト / ひ化ガリウム / amorphous Si / silicon-on-insulator / selective doping / lateral solid phase epitaxy / イオン注入 / 選択ドープ構造 / 横方向固相成長 / 選択ドープ法 / 選択ドーピング / 三次元集積回路 / 非晶質シリコン / SOI / 横方向成長 / 固相成長 / interface control / heteroepitaxy / ionicity / 半導体 / ヘテロ界面 / SrF_2 / IV-V族化合物 / II-VI族化合物 / 分子線エピタキシ- / フッ化物 / イオン性度制御層 / 界面制御 / ヘテロエピタキシ- / イオン性度 / 電子線 / ブル-スタ-角 / P偏光 / ヘテロエピタキシー / P(リン) / 電子ビーム / その場観察 / 表面光吸収法 / 量子細線 / 電子ビ-ム / 選択成長 Less
  • Research Projects

    (9 results)
  • Co-Researchers

    (7 People)
  •  "Interface Controlled Heteroepitaxy of Ionic Crystals and Covalent Crystals Using Ionicity Control Layr"

    • Principal Investigator
      TSUTSUI Kazuo
    • Project Period (FY)
      1993 – 1995
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      表面界面物性
    • Research Institution
      Tokyo Institute of Technology
  •  電子線直接描画選択成長法による量子細線形成法の研究

    • Principal Investigator
      TSUTSUI Kazuo
    • Project Period (FY)
      1991
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • Research Institution
      Tokyo Institute of Technology
  •  ヘテロ成長におけるロ-テ-ショナル・ツイン生成機構の解明とその制御Principal Investigator

    • Principal Investigator
      古川 静二郎
    • Project Period (FY)
      1991
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • Research Institution
      Tokyo Institute of Technology
  •  表面光吸収法を用いたその場観察による電子ビーム表面改質エピタキシーの機構解明Principal Investigator

    • Principal Investigator
      古川 静二郎, 筒井 一生
    • Project Period (FY)
      1991 – 1992
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      電子材料工学
    • Research Institution
      Tokyo Institute of Technology
  •  ヘテロ成長におけるローテーショナル・ツイン生成機構の解明とその制御Principal Investigator

    • Principal Investigator
      古川 静二郎
    • Project Period (FY)
      1991 – 1993
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • Research Institution
      Tokyo Institute of Technology
  •  無ひずみシリコン系ヘテロ接合の新しい作製手法とその超高速素子への応用Principal Investigator

    • Principal Investigator
      古川 静二郎
    • Project Period (FY)
      1990 – 1991
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • Research Field
      Applied materials
    • Research Institution
      Tokyo Institute of Technology
  •  STUDY ON THERMALLY STABLE HETEROJUNCTION OHMIC CONTACTS TO GaAs

    • Principal Investigator
      ISHIWARA Hiroshi
    • Project Period (FY)
      1988 – 1989
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      電子材料工学
    • Research Institution
      TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY
  •  Lateral Solid Phase Epitaxy of Selectively Doped Si Films

    • Principal Investigator
      ISHIWARA Hiroshi
    • Project Period (FY)
      1986 – 1987
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • Research Field
      Applied materials
    • Research Institution
      Tokyo Institute of Technology
  •  Electronic properties of nearly lattice matched heterostructures and their application to low-power, very-high-spped electron devicesPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      FURUKAWA Seijiro
    • Project Period (FY)
      1984 – 1987
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
    • Research Institution
      Tokyo Institute of Technology
  • 1.  SASAKI Kimihiro (40162359)
    # of Collaborated Projects: 5 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 2.  TSUTSUI Kazuo (60188589)
    # of Collaborated Projects: 5 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 3.  ISHIWARA Hiroshi (60016657)
    # of Collaborated Projects: 4 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 4.  KAWASAKI Koji (10234056)
    # of Collaborated Projects: 3 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 5.  ASANO Tanemasa (50126306)
    # of Collaborated Projects: 2 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 6.  松村 英樹 (90111682)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 7.  KOMA Atsushi (00010950)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results

URL: 

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi