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森崎 弘  MORISAKI Hiroshi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00029167
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1996年度 – 2001年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 教授
1992年度 – 1994年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 教授
1987年度 – 1990年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 教授
1986年度: 電通大, 電気通信学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子材料工学 / 電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
クーロンブロッケード / 高圧相 / フォトルミネッセンス / テトラゴナル構造 / 光酸化 / Siナノ構造 / 量子サイズ効果 / ガス中蒸発法 / 可視領域発光 / Photoluminescence … もっと見る / Quantumーsize effects / Gasーevaporation technique / Arc discharge technique / Ion-beam sputtering / Multi-layered Thin films / Semiconductor fine particles / イオンビームスパッタ法 / ガス蒸発法 / ア-ク放電法 / イオンビ-ムスパッタ法 / 多層薄膜 / 半導体微粒子 / Oxy-Salt / Double Oxide / Gas Sensor / Catalytic Effect / Photoelectrolysis of Water / Anderson Localization / Granular Metal / 粒状半導体 / 酸素酸塩 / 複合酸化物 / ガスセンサ / 触媒効果 / 水の光分解 / アンダーソン局在 / 粒状金属 / High-Pressure Form / Phase Transformation / Cluster-Beam Evaporation / Coulomb Blockade / Granular Metal Film / MOVPE / Semiconductor Position Sensitive Detector / Griffith University / 集積デバイス / 電子線ソングラフィー / MEMS / ナノ構造デバイス / 半導体位置センター / HBT / Position Sensitive Detector (PSD) / 相転移 / クラスタービーム蒸発法 / 粒状金属薄膜 / MOVPE法 / 半導体位置センサー / グリフィス大学 / Multi-Layered Reflector / Si-doped Glass / Low dielectric Constant Material / High Pressure Form / XPS / High Resolution TEM / Cluster / Nanostructured New Materials / クラスタ / ナノ構造 / プラズモンエネルギー / 価電子帯電子構造 / ダイヤモンドアンビル法 / 多層膜反射鏡 / Siドープガラス / 低誘電率材料 / X線光電子分光法 / 高分解能電子顕微鏡 / クラスター / ナノ構造新物質 / lnterface of Fine Particles / Surface / Quantum Size Effect / Temerature Dependence of Emission lntensity / Porous Si / Gas Evaporation Method / Visible Light Emission / 熱分析 / 化成温度 / SiドープSiO_2ガラス / P_bセンター / ESR / 多孔質Si / SiO_x(x<2) / エレクトロルミネッセンス / Ge超微粒子 / クラスタビーム法 / 人工原子 / 界面 / 微粒子表面 / 発光強度の温度依存性 / ポーラスSi … もっと見る
研究代表者以外
InGaAs / GaAs / MOMBE / organic semiconductors / MBE / conjugated polymers / 分子線エピタキシー / 有機半導体 / 分子線エピタキシ- / 共役高分子 / thermal stability / Carbon-doping / 熱安定性 / 熱的安定性 / カーボンドープ 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 共同研究者

    (8人)
  •  ナノ構造半導体デバイスに関する教育・研究交流研究代表者

    • 研究代表者
      森崎 弘
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      電気通信大学
  •  半導体ナノ構造新物質の創製と機能デバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      森崎 弘
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      電気通信大学
  •  超高濃度ドープGaAs,InGaAsの物性・結晶構造とその熱的安定性

    • 研究代表者
      高橋 清
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  共役高分子膜の分子線エピタキシ-法による堆積とエレクトロニクスへの応用

    • 研究代表者
      野崎 真次
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      電気通信大学
  •  Si超微粒子の光学的性質とその発光デバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      森崎 弘
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      電気通信大学
  •  粒状半導体薄膜の電気的光学的性質とその電子デバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      森崎 弘
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      電気通信大学
  •  粒状金属薄膜の物性とその電子デバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      森崎 弘
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      電気通信大学
  • 1.  小野 洋 (00134867)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  野崎 真次 (20237837)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  高橋 清 (10016313)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  小長井 誠 (40111653)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  内田 和男 (80293116)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  正木 進 (90042704)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  HANEMAN Dan
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  WEBER Eicke
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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