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奥村 次徳  OKUMURA Tsugunori

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00117699
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2011年度 – 2013年度: 首都大学東京, 理工学研究科, 教授
2006年度: 首都大学東京, 大学院理工学研究科, 教授
2005年度: 首都大学東京, 都市教養学部, 教授
2005年度: 首都大学東京, 都市教養学部理工学系, 教授
1999年度 – 2004年度: 東京都立大学, 工学研究科, 教授 … もっと見る
2003年度: 東京都立大学, 大学院・工学研究科, 教授
2001年度: 東京都立大学, 大学院・工学(系)研究科(研究院), 教授
2000年度 – 2001年度: 東京都立大学, 大学院・工学研究科, 教授
1989年度 – 1996年度: 東京都立大学, 工学部, 教授
1995年度: 東京都立大学, 工学部・電子情報工学科, 教授
1990年度: 東京都立大学, 工学部・電気工学科, 教授
1990年度: 東京都立大学, 工学部電気工学科, 教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 表面界面物性
研究代表者以外
電子デバイス・機器工学 / 電子デバイス・電子機器 / 機械工作・生産工学 / 工業物理化学 / 機械工作
キーワード
研究代表者
窒化ガリウム / ガリウムひ素 / 顕微光応答法 / GaN / 光容量分光法 / ひ化ガリウム / ショットキ-障壁 / 内部光電子放出効果 / impurity levels / schottky diode … もっと見る / III-nitride semiconductors / photocapacitance spectroscopy / isothermal capacitance transient spectroscopy / YB / PPC / ICTS / PHCAP / DLTS / ショットキーダイトード / 不純物準位 / ショットキーダイオード / III族窒化物半導体 / 等温過渡容量分光法 / Surface Damage / Hydrogen Cleaning / Remote Plasma / a-Si / XPS / Fuluoride / Plasma Fluorination / GaAs / 透過電子顕微鏡 / X線光電子分光法 / 表面損傷 / 水素クリーニング / リモートプラズマ / アモルファスひ素 / X線光電子分光 / フッ化物 / プラズマフッ化 / Hetero-junction / Gallium Telluride / Gallium Selenide / Lamellar Semiconductor / エピタキシ- / 異方性 / ヘテロ接合 / ガリウムセレン / ガリウムテルル / 層状化合物半導体 / ネガティブU型欠陥 / ドーパント不活性化 / 深い準位 / 増速拡散 / プラズマ照射誘起欠陥 / 分子線エピタキシ / 不純物ドーピング / 窒素ガリウム / 光電効果 / 静電分離 / 微結晶粒 / 表面準位 / ケルビンフォース顕微鏡(KFM) / 表面パッシベーション / 原子間力顕微鏡(AFM) / フォトルミネッセンス(PL) / 接触帯電 / 低圧インパクタ法 / 半導体研磨屑 / ガリウムヒ素(GaAs) / 光電気化学エッチング / めっき / 電気化学プロセス / ショットキー接触 / 砒化ガリウム / 化合物半導体 / 界面固相反応 / 積層構造電極 / ショットキ-接触 / 金属‐半導体界面 / 熱的安定性 / 積層電極 / プロセス誘起欠陥 … もっと見る
研究代表者以外
GaAs / GaInP / GaAsP / 共鳴トンネルダイオード / 三重障壁 / Resonant tunneling diodes / 分子線エピタキシ / Fasn Atom Beam Etching / Spiral Inductors / On-chip Antenna / Self Complimentary Structures / Millimeter wave, Sub-millimeter wave, Terahertz / Resonant Tunneling Diodes / Triple-Barrier / Sパラメータ / 高速原子ビーム / スケーリング則 / 低周波雑音スペクトラム / ログスパイラルアンテナ / 三重障壁構造 / テラヘルツ / オンチップ自己補対型アンテナ / 高速原子ビームエッチング / スパイラルインダクタ / オンチップアンテナ / 自己補対構造 / ミリ波・サブミリ波・テラヘルツ / Kevin force microscopy / Triple barrier / Self-oscilation / ショットキーコレクタド / スプリアスノイズ / 自動振動 / 高周波等価回路パラメタ / 3重障壁共鳴トンネル構造 / 自励振動 / 界面不均一 / nano-texture / molecular beam epitaxy / mono crystal silicon / 単結晶シリコン / ナノテクスチャ / Energy level broadening / Overgrown interface / Buried fine metals / GaInp / 埋め込み微細金属ゲート / 共鳴トンネルトランジスタ / エネルギー準位広がり / 共鳴トンネル / 埋め込み微細金属 / 再成長界面 / In situ measurement / Photocurrent / inorganic built-up fi / Organic / Phthalocyanine / Epitaxial growth / ヘテロ積層膜 / GaS / 層状物質 / ヘテロ積尻膜 / フタロシフニン / 量子井戸構造 / 超格子 / その場測定 / 光電流 / 無機累積膜 / 有機 / フタロシアニン / エピタキシャル成長 / Ultra Precision Machining / Molecular Beam Epitaxy / 超精密加工 / ドライエッチング / 電気化学走査型トンネル顕微鏡 / 金属ショットキーゲート / 電子波方向性結合デバイス / コヒーレンス長 / クーロンブロッケード振動 / 細線MOSFET / Si量子細線 / エッジ量子細線 / 電子波コヒーレンス長 / 電解液中STM / 集束イオンビーム注入 / InAs量子箱 / 一次元励起子 / T字形量子細線 / シリコン量子構造 / 走査ホットエレクトロン顕微鏡 / 電子波回折 隠す
  • 研究課題

    (17件)
  • 研究成果

    (70件)
  • 共同研究者

    (16人)
  •  窒化ガリウムにおけるプラズマ照射誘起欠陥の導入・拡散・消滅機構の解明研究代表者

    • 研究代表者
      奥村 次徳
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      首都大学東京
  •  エピタキシャル成長層での光電効果を利用した不純物ドーピング制御の試み研究代表者

    • 研究代表者
      奥村 次徳
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2005
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      首都大学東京
  •  微細薄膜アンテナと共鳴トンネル構造の一体化によるミリ波発振・放射特性の制御

    • 研究代表者
      須原 理彦
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      首都大学東京
  •  微細金属ゲートを有する共鳴トンネルデバイスにおける界面不均一評価と自励発振の制御

    • 研究代表者
      須原 理彦
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京都立大学
  •  成長核の初期配列と原子の自己組織化にもとづくナノテクスチャーの創成およびその評価

    • 研究代表者
      角田 陽, 古川 勇二
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      機械工作・生産工学
    • 研究機関
      東京都立大学
  •  III族窒化物半導体中の不純物準位評価研究代表者

    • 研究代表者
      奥村 次徳
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京都立大学
  •  微細埋め込み金属パターンを有する半導体再成長界面の電子波共鳴による評価

    • 研究代表者
      須原 理彦
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京都立大学
  •  化合物半導体ウェーハ加工に伴う研磨屑の回収・再利用に関する基礎的研究研究代表者

    • 研究代表者
      奥村 次徳
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京都立大学
  •  半導体量子位相デバイス

    • 研究代表者
      古屋 一仁
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  色素の超格子を用いた量子井戸構造の作製と物性応用の検討

    • 研究代表者
      志村 美知子
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      工業物理化学
    • 研究機関
      東京都立大学
  •  ショットキー障壁形成機構解明のための電気化学的アプローチ研究代表者

    • 研究代表者
      奥村 次徳
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      東京都立大学
  •  分子線エピタキシによる平面創成メカニズムに関する研究

    • 研究代表者
      古川 勇二
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      機械工作
    • 研究機関
      東京都立大学
  •  顕微光応答法による金属‐半導体界面反応層のミクロ解析研究代表者

    • 研究代表者
      奥村 次徳
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京都立大学
  •  ガリウムひ素表面の低温フッ化研究代表者

    • 研究代表者
      奥村 次徳
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京都立大学
  •  顕微光応答法の高分解能化とGaAsショットキ-界面の電気的性質の微視的評価研究代表者

    • 研究代表者
      奥村 次徳
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京都立大学
  •  顕微光応答法の高分解能化とガリウムひ素ショットキ-界面の電気的性質の微視的評価研究代表者

    • 研究代表者
      奥村 次徳
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京都立大学
  •  ガリウムひ素と層状化合物半導体とのヘテロ接合に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      奥村 次徳
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京都立大学

すべて 2014 2013 2012 2011 2007 2006 2005 2004

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Effects of plasma-induced defects on electrical characteristics of AlGaN/GaN heterostructure before and after low-temperature annealing2014

    • 著者名/発表者名
      Takuma Takimoto, Koji Takeshita, Seiji Nakamura, Tsugunori Okumura
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 557 ページ: 212-215

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.10.086

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011, KAKENHI-PROJECT-26390056
  • [雑誌論文] Anomalous Enhancement of In-Diffusion of Plasma-Induced Defects in GaN upon Ultraviolet-Light Irradiation2013

    • 著者名/発表者名
      Seiji Nakamura, Koichi Hoshino, Yuki Ikadai, Masayuki Suda, and Tsugunori Okumura
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: vol.52 号: 8R ページ: 88001-88003

    • DOI

      10.7567/jjap.52.088001

    • NAID

      210000142582

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [雑誌論文] 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映しSPICEモデリング2007

    • 著者名/発表者名
      朝岡直哉, 須原理彦, 奥村次徳
    • 雑誌名

      電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 Vol.106, No.520

      ページ: 1-6

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] 半導体基板上自己補対アンテナの給電構造が広帯域特性に及ぼす影響の理論解析2007

    • 著者名/発表者名
      冨岡紘斗, 須原理彦, 奥村次徳
    • 雑誌名

      2006年電子情報通信学会総合大会講演論文集 C-10-9(CD-ROM)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映しSPICEモデリング2007

    • 著者名/発表者名
      朝岡直哉, 須原理彦, 奥村次徳
    • 雑誌名

      電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 Vol.106,No.520

      ページ: 1-6

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] 半導体基板上自己補対アンテナの給電構造が広帯域特性に及ぼす影響の理論分析2007

    • 著者名/発表者名
      富岡紘斗, 須原理彦, 奥村次徳
    • 雑誌名

      2006年電子情報通信学会総合大会講演論文集 C-10-9(CD-ROM)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] Effects of Geometrical Structures on Broadband Characteristics in Finite-Sized On-Chip Self-Complementary Antennas2006

    • 著者名/発表者名
      H.Tomioka, M.Suhara, T.Okumura
    • 雑誌名

      2006 Asia-Pacific Workshop of Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices 9B-1

      ページ: 281-284

    • NAID

      10018216441

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] GaAs 基板上微小自己補対アンテナのTHz 帯放射特性の解析2006

    • 著者名/発表者名
      富岡紘斗, 須原理彦, 奥村次徳
    • 雑誌名

      2006年電子情報通信学会ソサエテイ大会講演論文集 C-10-4(CD-ROM)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] Characterization of Argon Fast Atom Beam Source and Application to Mesa Etching Process for GaInP/GaAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes2006

    • 著者名/発表者名
      M.Suhara, N.Matsuzaka, M.Fukumitsu, T.Okumura
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.45, No.6B

    • NAID

      10017998864

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] スプリットリング/ダブルスタブ共振構造を集積した伝送線路の近傍電磁界測定2006

    • 著者名/発表者名
      清水暁人, 須原理彦, 奥村次徳
    • 雑誌名

      2006年電子情報通信学会ソサエテイ大会講演論文集 CB-1-58(CD-ROM)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] THz帯オンチップ集積型自己補対アンテナの特性解析2006

    • 著者名/発表者名
      富岡紘斗, 須原理彦, 奥村次徳
    • 雑誌名

      電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 Vol.106,No.403

      ページ: 29-34

    • NAID

      110006162465

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] GaAs基板上微小自己補対アンテナのTHz帯放射特性の解析2006

    • 著者名/発表者名
      冨岡紘斗, 須原理彦, 奥村次徳
    • 雑誌名

      2006年電子情報通信学会ソサエティ大会講演論文集 C-10-4(CD-ROM)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] Characterization of Argon Fast Atom Beam Source and Application to Mesa Etching Process for GaInP/GaAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes2006

    • 著者名/発表者名
      M.Suhara, N.Matsuzaka, M.Fukumitsu, T.Okumura
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.45,No.6B

      ページ: 5504-5508

    • NAID

      10017998864

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] Characterization of Argon Fast Atom Beam Source and Application to Mesa Etching Process for GaInP/GaAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes2006

    • 著者名/発表者名
      M.Suhara, N.Matsuzaka, M.Fukumitsu, T.Okumura
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.45, N0.6B

      ページ: 5504-5508

    • NAID

      10017998864

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] Effects of Geometrical Structures on Broadband Characteristics in Finite-Sized On-Chip Self-Complementary Antennas2006

    • 著者名/発表者名
      H.Tomioka, M.Suhara, T.Okumura
    • 雑誌名

      2006 Asia-Pacific Workshop of Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices 9B・1

      ページ: 281-284

    • NAID

      10018216441

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] THz帯オンチップ集積型自己補対アンテナの特性解析2006

    • 著者名/発表者名
      冨岡紘斗, 須原理彦, 奥村次徳
    • 雑誌名

      電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 Vol.106, No.403

      ページ: 29-34

    • NAID

      110006162465

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] ドライエツチング用アルゴン高速原子ビーム源の残留イオン分析と中性化率評価2006

    • 著者名/発表者名
      松坂則彦, 須原理彦, 松浦永悟, 奥村次徳
    • 雑誌名

      電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 Vol.106, No.93

      ページ: 5504-5508

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] スプリットリング/ダブルスタブ共振構造を集積した伝送線路の近傍電磁界測定2006

    • 著者名/発表者名
      清水暁人, 須原理彦, 奥村次徳
    • 雑誌名

      2006年電子情報通信学会ソサエティ大会講演論文集 CB-1-58(CD-ROM)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] ドライエッチング用アルゴン高速原子ビーム源の残留イオン分析と中性化2006

    • 著者名/発表者名
      松坂則彦, 須原理彦, 松浦永悟, 奥村次徳
    • 雑誌名

      電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 Vol.106,No.93

      ページ: 5504-5508

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] Analysis of Edge Effect on Millimeter-Sized Planar Logarithmic Spiral Antennas2005

    • 著者名/発表者名
      H.Tomioka, M.Suhara, T.Okumura
    • 雑誌名

      2005 Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings Vol.5

      ページ: 2924-2926

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] Analysis of Scaling-Rule and Size-Reduction Limit of Spiral Inductors to Maximize Quality Factor2005

    • 著者名/発表者名
      M.Suhara, M.Okayama, T.Okumura
    • 雑誌名

      2005 Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings Vol.5

      ページ: 2844-2846

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] Characterization of Argon Fast Atom Beam Source and its Application to the Fabrication of Resonant Tunneling Diodes2005

    • 著者名/発表者名
      M.Suhara, N.Matsuzaka, M.Fukumitsu, T.Okumura
    • 雑誌名

      Digest of Papers of Microprocesses and Nanotechnology 2005

      ページ: 132-133

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] Change of electrical properties in N-GaN exposed to hydrogen plasma2005

    • 著者名/発表者名
      M.Suda, S.Nakamura, M.Suhara, T.Okumura
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of the 24th Electronic Materials Symposium

      ページ: 155-156

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656013
  • [雑誌論文] Observation of 1/fa Noise of GaInP/GaAs Triple Barrier Resonant Tunneling Diodes2005

    • 著者名/発表者名
      N.Asaoka, M.Suhara, T.Okumura
    • 雑誌名

      AIP Conference Proceedings of Noise and Fluctuations 780

      ページ: 492-495

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価2005

    • 著者名/発表者名
      須田将之, 中村成志, 須原理彦, 奥村次徳
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告 Vol.105・No.434, 435

      ページ: 43-46

    • NAID

      110004018303

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656013
  • [雑誌論文] Nonlinear Variable Capacitance Characteristics in GaInP/GaAs Triple Barrier Resonant Tunneling Diodes2004

    • 著者名/発表者名
      N.Asaoka, M.Fukumitsu, M.Suhara, T.Okumura
    • 雑誌名

      Extended abstracts of The 31st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2004)

      ページ: 342-343

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] Effect of Mesa Formation Processes on GainP/GaAs Triple Barrier Resonant Tunneling Diodes2004

    • 著者名/発表者名
      M.Suhara, N.Asaoka, M.Fukumitusu, H.Horie, T.Okumura
    • 雑誌名

      State-of the Art Program on Compound Semiconductors XLI, Electrochemical Society Proceedings vol.20046

      ページ: 96-102

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] A Relation between Probe-Sample Distance and Effective Contact Potential Difference in Kelvin Probe Force Microscopy2004

    • 著者名/発表者名
      M.Suhara, T.Okumura
    • 雑誌名

      The AIUB Journal of Science and Engineering (AJSE) vol.3, no.1

      ページ: 19-24

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] A Relation between Probe-Sample Distance and Effective Contact Potential Difference in Kelvin Probe Force Microscopy2004

    • 著者名/発表者名
      M.Suhara, T.Okumura
    • 雑誌名

      The AIUB Journal of Science and Engineering (AJSE) vol.3,no.1

      ページ: 19-24

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] Effect of Mesa Formation Processes on GaInP/GaAs Triple Barrier Resonant Tunneling Diodes2004

    • 著者名/発表者名
      M.Suhara, N.Asaoka, M.Fukumitusu, H.Horie, T.Okumura
    • 雑誌名

      State-of the Art Program on Compound Semiconductors XLI, Electrochemical Society Proceedings vol.20046

      ページ: 96-102

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] Characterization of GainP/GaAs triple barrier resonant tunneling diodes fabricated by fast atom beam etching process2004

    • 著者名/発表者名
      M.Fukumitsu, H.Horie, N.Asaoka, M.Suhara, T.Okumura
    • 雑誌名

      Extended abstract of the 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2004)

      ページ: 620-621

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] Characterization of GaInP/GaAs triple barrier resonant tunneling diodes fabricated by fast atom beam etching process2004

    • 著者名/発表者名
      M.Fukumitsu, H.Horie, N.Asaoka, M.Suhara, T.Okumura
    • 雑誌名

      Extended abstract of the 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials

      ページ: 620-621

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of GainP/GaAs triple barrier resonant tunneling diodes with Pd/GaAs Schottky collector2004

    • 著者名/発表者名
      M.Fukumitsu, N.Asaoka, M.Suhara, T.Okumura
    • 雑誌名

      Proc. of 13th International Conference on InP and Related Materials (IPRM04)

      ページ: 265-267

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [学会発表] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の光励起を用いた電気特性評価2014

    • 著者名/発表者名
      瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青学大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の光励起を用いた電気特性評価2014

    • 著者名/発表者名
      瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青学大,相模原
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の深い準位を含むアニール挙動の評価2014

    • 著者名/発表者名
      瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青学大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] プラズマ照射により不活性化されたn型GaN中ドナーの近赤外光照射による再活性化2014

    • 著者名/発表者名
      横山大樹,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青学大,相模原
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の深い準位を含むアニール挙動の評価2014

    • 著者名/発表者名
      瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青学大,相模原
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] プラズマ照射により不活性化されたn型GaN中ドナーの近赤外光照射による再活性化2014

    • 著者名/発表者名
      横山大樹,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青学大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] n型GaN電気的特性劣化におけるプラズマ照射条件の影響2013

    • 著者名/発表者名
      本郷直樹,瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] バイアスアニールを施したn型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の解析2013

    • 著者名/発表者名
      竹下浩司,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] III族窒化物およびIII-V族化合物半導体中のプラズマ照射誘起欠陥2013

    • 著者名/発表者名
      奥村次徳,中村成志
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工大
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] Totally Wet Process Based on Photoelectrochemical Techniques for GaN Schottky Contacts2013

    • 著者名/発表者名
      Ko ki Kitazawa, Akihiro Koyama, Seiji Nakamura, and Tsugunori Okumura
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan(査読有)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] 光過渡容量法を用いたn型窒化ガリウム中のプラズマ照射誘起欠陥の評価2013

    • 著者名/発表者名
      瀧本拓真,横山大樹,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      電気学会 基礎・材料・共通部門大会
    • 発表場所
      横浜国大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] バイアス印加時のn型窒化ガリウム中におけるプラズマ照射誘起欠陥の光照射変化2013

    • 著者名/発表者名
      横山大樹,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      電気学会 基礎・材料・共通部門大会
    • 発表場所
      横浜国大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] プラズマ照射によるn型GaNの電気特性劣化のガス種依存性2013

    • 著者名/発表者名
      本郷直樹,瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] Influence of Plasma Induced Defects on Electrical Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructure and Their Annealing Behavior2013

    • 著者名/発表者名
      Takuma Takimoto, Koji Takeshita, Seiji Nakamura, Tsugunori Okumura
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] 光過渡容量法を用いたn型窒化ガリウム中のプラズマ照射誘起欠陥の評価2013

    • 著者名/発表者名
      瀧本拓真,横山大樹,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      電気学会基礎・材料・共通部門大会
    • 発表場所
      横浜国大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] III族窒化物およびIII-V族化合物半導体中のプラズマ照射誘起欠陥2013

    • 著者名/発表者名
      奥村次徳,中村成志
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川大学
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] Totally Wet Process Based on Photoelectrochemical Techniques for GaN Schottky Contacts2013

    • 著者名/発表者名
      Koki Kitazawa, Akihiro Koyama, Seiji Nakamura, Tsugunori Okumura
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] バイアス印加時のn型窒化ガリウム中におけるプラズマ照射誘起欠陥の光照射変化2013

    • 著者名/発表者名
      横山大樹,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      電気学会基礎・材料・共通部門大会
    • 発表場所
      横浜国大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] Influence of Plasma Induced Defects on Electrical Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructure and Their Annealing Behavior2013

    • 著者名/発表者名
      Takuma Takimoto, Koji Takeshita, Seiji Nakamura, and Tsugunori Okumura
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan(査読有)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] プラズマ照射によるn型GaNの電気特性劣化のガス種依存性2013

    • 著者名/発表者名
      本郷直樹,瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] バイアスアニールを施したn型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の解析2013

    • 著者名/発表者名
      竹下浩司,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] n型GaN電気的特性劣化におけるプラズマ照射条件の影響2013

    • 著者名/発表者名
      本郷直樹,瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] 荷電状態に依存したn型GaN中プラズマ照射誘起欠陥の回復挙動2012

    • 著者名/発表者名
      竹下浩司,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] Electrical Plated-Schottky Contact on Photo-electrochemically Controlled Surface of n-GaN2012

    • 著者名/発表者名
      Koki Kitazawa, Akihiro Koyama, Seiji Nakamura, and Tsugunori Okumura
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    • 発表場所
      Sapporo
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] Characterization of Plasma Induced Damage in Near Surface Region by Using AlGaN/GaN HEMT Structure2012

    • 著者名/発表者名
      Takuma Takimoto, Koji Takeshita, Seiji Nakamura, and Tsugunori Okumura
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    • 発表場所
      Sapporo, JPN(査読有)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造中のプラズマ照射誘起欠陥に対する熱処理の影響2012

    • 著者名/発表者名
      瀧本拓真,竹下浩司,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] 光容量分光法によるn型GaN中の極深準位評価2012

    • 著者名/発表者名
      吉田朗子,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] Electrical Characteristics of AlGaN/GaN HEMT with Plasma Induced Damages2012

    • 著者名/発表者名
      TAKUMA TAKIMOTO,KOJI TAKESHITA,SEIJI NAKAMURA AND TSUGUNORI OKUMURA
    • 学会等名
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • 発表場所
      Nagoya
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] Charge-State Dependent Annealing of Plasma-Induced Defects in n-GaN2012

    • 著者名/発表者名
      KOJI TAKESHITA,TAKUMA TAKIMOTO,SEIJI NAKAMURA AND TSUGUNORI OKUMURA
    • 学会等名
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • 発表場所
      Chubu University, Aichi, Japan(査読有)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] Characterization of Plasma Induced Damage in Near Surface Region by Using AlGaN/GaN HEMT Structure2012

    • 著者名/発表者名
      Takuma Takimoto, Koji Takeshita, Seiji Nakamura, and Tsugunori Okumura
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    • 発表場所
      Sapporo
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] 光容量分光法によるn 型GaN 中の極深準位評価2012

    • 著者名/発表者名
      吉田 朗子,中村 成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第59 回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] n型GaN表面へのNi電解めっき膜形成における表面前処理の最適化(2)2012

    • 著者名/発表者名
      北澤弘毅,小山皓洋,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] Charge-State Dependent Annealing of Plasma-Induced Defects in n-GaN2012

    • 著者名/発表者名
      KOJI TAKESHITA,TAKUMA TAKIMOTO,SEIJI NAKAMURA AND TSUGUNORI OKUMURA
    • 学会等名
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • 発表場所
      Nagoya
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] AlGaN/GaNヘテロ接合構造を用いたプラズマ照射誘起欠陥評価2012

    • 著者名/発表者名
      瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] Electrical Characteristics of AlGaN /GaN HEMT with Plasma Induced Damages2012

    • 著者名/発表者名
      TAKUMA TAKIMOTO,KOJI TAKESHITA,SEIJI NAKAMURA AND TSUGUNORI OKUMURA
    • 学会等名
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • 発表場所
      Chubu University, Aichi, Japan(査読有)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] Electrical Plated-Schottky Contact on Photo-electrochemically Controlled Surface of n-GaN2012

    • 著者名/発表者名
      Koki Kitazawa, Akihiro Koyama, Seiji Nakamura, and Tsugunori Okumura
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    • 発表場所
      Sapporo, JPN(査読有)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [学会発表] バイアスアニーリングによるn型GaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解析2011

    • 著者名/発表者名
      竹下浩司,中村成志,奥村次徳
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • 年月日
      2011-08-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • 1.  志村 美知子 (60087294)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  須原 理彦 (80251635)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 29件
  • 3.  古川 勇二 (10087190)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  角田 陽 (60224359)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  中村 成志 (70336519)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 2件
  • 6.  海部 宏昌 (40224331)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  横川 宗彦 (10191496)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  佐久間 秀夫 (20128573)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  諸貫 信行 (90166463)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  楊 明 (90240142)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  益田 秀樹 (90190363)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  古屋 一仁 (40092572)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  蒲生 健次 (70029445)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  榊 裕之 (90013226)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  平本 俊郎 (20192718)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  生駒 俊明
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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