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中村 哲郎  NAKAMURA Tetsuro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00126939
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1989年度 – 1993年度: 豊橋技術科学大学, 工学部, 教授
1990年度: 豊橋科学技術大学, 第三工学系, 教授
1987年度: 豊橋技術科学大学, 工学部, 教授
1986年度: 豊橋技科大, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子材料工学 / 電子デバイス・機器工学
研究代表者以外
電子材料工学 / 電力工学
キーワード
研究代表者
Al_2O_3 / silicon substrate / Ultra-Violet irradiation / Gas Source MBE / epitaxial growth of Al_2O_3 films / XPS分析 / 超高真空 / 絶縁膜 / X線光電子分光法 / シリコン基板 … もっと見る / 紫外光励起 / ガスソース分子線エピタキシー / エピタキシャルAl_2O_3膜 / Electron beam irradiation / Selective epitaxy / Gas source MBE / Thin film transistor / SOI / エピタキシャル絶縁膜 / Siヘテロエピタキシャル成長 / 選択成長 / 電子線照射 / 選択エピタキシャル成長 / ガスソ-スMBE / 気相成長法 / 薄膜トランジスタ / SOI構造 / マイクロ磁気デバイス / マイクロ立体加工 / フラックスゲート / 磁気センサ / 磁気検出素子 … もっと見る
研究代表者以外
Al_2O_3 / Si / ガスソ-スMBE / system / Electron beam graphic / Epitaxial Al_2O_3 / Si structure / Gas source MBE / SOI structure / Electron-beam irradiation / Si Selective Epitaxy / 電子ビ-ム照射 / 選択エピタキシャル成長 / エピタキシャルAl_2O_3膜 / 電子ビーム描画法 / Si構造 / ガスソースMBE / SOI構造 / 電子ビーム照射 / Si選択エピタキシャル成長 / Al_2O_3 on Si / ヘテロエピタキシャル成長 / エキシマレ-ザ / 紫外光励起 / マイクロ理工学 / マイクロアクチュエ-タ / マイクロメカトロニクス / マイクロマシン / マイクロマシ-ニング / 微小機械 / マイクロ運動システム 隠す
  • 研究課題

    (6件)
  • 共同研究者

    (7人)
  •  シリコンのマイクロ立体加工による超高感度磁気検出素子研究代表者

    • 研究代表者
      中村 哲郎
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      豊橋技術科学大学
  •  紫外光励起ガスソ-スMBE法によるエピタキシャル絶縁薄膜の超低温形成に関する研究

    • 研究代表者
      石田 誠
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      豊橋技術科学大学
  •  電子ビーム描画法を用いたin-Situシリコン選択エピタキシャルSOI構造の研究

    • 研究代表者
      石田 誠
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      豊橋技術科学大学
  •  マイクロインテリジェント運動システムの工学的基礎

    • 研究代表者
      原島 文雄
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      電力工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  超薄膜SiヘテロエピタキシャルSOI構造の形成と薄膜トランジスタへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      中村 哲郎
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      豊橋技術科学大学
  •  紫外光励起を利用したシリコン基板上へのエピタキシャル絶縁膜形成の基礎研究研究代表者

    • 研究代表者
      中村 哲郎
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      豊橋技術科学大学
  • 1.  石田 誠 (30126924)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  川人 祥二 (40204763)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  原島 文雄 (60013116)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  藤田 博之 (90134642)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  林 輝 (40016762)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  江刺 正喜 (20108468)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  並木 章 (40126941)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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