小野洋 ONO Hiroshi

研究者番号	00134867
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2011年度: 電気通信大学, 大学院・情報理工学研究科, 助教 2010年度 – 2011年度: 電気通信大学, 情報理工学研究科, 助教 2007年度 – 2009年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助教 2005年度 – 2006年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助手 1996年度 – 2003年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助手 1992年度 – 1994年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助手 1988年度 – 1990年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者以外天文学 / 電子・電気材料工学 / 電子材料工学 / 天文学 / 電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者以外炭素質物質 / 星間塵 / QCC / 変質 / プラズマ / ガス中蒸発法 / 光酸化 / plasma / HMDS / diamond … もっと見る / 表面 / ダイヤモンド / 紫外線 / 星間空間 / 合成実験 / クーロンブロッケード / 低誘電率材料 / 高圧相 / クラスター / フォトルミネッセンス / テトラゴナル構造 / Siナノ構造 / 量子サイズ効果 / 可視領域発光 / Photoluminescence / Quantumーsize effects / Gasーevaporation technique / Arc discharge technique / Ion-beam sputtering / Multi-layered Thin films / Semiconductor fine particles / イオンビームスパッタ法 / ガス蒸発法 / ア-ク放電法 / イオンビ-ムスパッタ法 / 多層薄膜 / 半導体微粒子 / carbonaceous material / interstellar dust / UV / silicate / enstatite / olivine / diffuse cloud / マイクロ波 / X線光電子分光 / アモルファス炭素 / 水素プラズマ / パイロキシン / 光電子放出 / シリケート / エンスタタイト / オリビン / 星雲 / mass-spectrum / interstellar / infrared spectra / processing of dusts / Carbonaceous dust / 星周塵 / PAH / メタン / 実験 / 赤外スペクトル / 質量分析 / 天体 / 炭素質 / 塵 / High-Pressure Form / Phase Transformation / Cluster-Beam Evaporation / Coulomb Blockade / Granular Metal Film / MOVPE / Semiconductor Position Sensitive Detector / Griffith University / 集積デバイス / 電子線ソングラフィー / MEMS / ナノ構造デバイス / 半導体位置センター / HBT / Position Sensitive Detector (PSD) / 相転移 / クラスタービーム蒸発法 / 粒状金属薄膜 / MOVPE法 / 半導体位置センサー / グリフィス大学 / FT-IR / Porosity / X-ray total reflection method / Low dielectric materials / Nano-porous SiOx / Gas evaporation Technique / 酸化シリコンナノポーラス薄膜 / 層間絶縁膜 / 空孔率 / カズ中蒸発法 / FTIR / 多孔質度 / 全反射X線 / 低誘電率層間絶縁膜 / SiO_x超微粒子膜 / addition of hydrogen / methylene / unidentified infrared band / carbonaceous materials / 220nm-bump / interestellar dust / 炭素物質 / 低温 / 微粒子 / 紫外線吸収 / 星間麈 / 水素付加 / メチレン / 赤外未同定バンド / 220nm吸収 / Plasma / Synthesis / Ultraviolet Spectrum / Infrared Spectrum / Carbon Onion / Carbonaceous Material / Interstellar Dust / 炭素 / 炭素質星間塵 / 紫外線スペクトル / 赤外線スペクトル / カーボンオニオン / Multi-Layered Reflector / Si-doped Glass / Low dielectric Constant Material / High Pressure Form / XPS / High Resolution TEM / Cluster / Nanostructured New Materials / クラスタ / ナノ構造 / プラズモンエネルギー / 価電子帯電子構造 / ダイヤモンドアンビル法 / 多層膜反射鏡 / Siドープガラス / X線光電子分光法 / 高分解能電子顕微鏡 / ナノ構造新物質 / organic semiconductors / MBE / conjugated polymers / 分子線エピタキシー / 有機半導体 / 分子線エピタキシ- / 共役高分子 / lnterface of Fine Particles / Surface / Quantum Size Effect / Temerature Dependence of Emission lntensity / Porous Si / Gas Evaporation Method / Visible Light Emission / 熱分析 / 化成温度 / SiドープSiO_2ガラス / P_bセンター / ESR / 多孔質Si / SiO_x(x<2) / エレクトロルミネッセンス / Ge超微粒子 / クラスタビーム法 / 人工原子 / 界面 / 微粒子表面 / 発光強度の温度依存性 / ポーラスSi / C-V / SiO_2 / 酸化 / C-t / SiOナノ粉末 / 真空紫外光 / MOS / 紫外光 / シリコン酸化膜 / 界面準位密度 / quasi-static C-V / 低温作製 / ナノ粉末 / 真空蒸着 / ゲート酸化膜 / フレキシブル基板 / 界面準位 / 低温酸化膜 / シリコン隠す

SiOナノ粉末の真空蒸着による高品位酸化膜の低温作製とフレキシブル基板上のIC
- 研究代表者
  
  野崎眞次
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  電気通信大学
希薄な星間雲の塵の表面構造および表面反応の推定
- 研究代表者
  
  和田節子
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  天文学
- 研究機関
  電気通信大学
炭素質の塵の変質過程の解明
- 研究代表者
  
  和田節子
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  天文学
- 研究機関
  電気通信大学
星間塵220nm吸収の原因解明
- 研究代表者
  
  和田節子
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  天文学
- 研究機関
  電気通信大学
酸化シリコンナノポーラス薄膜の低誘電率材料への応用
- 研究代表者
  
  内田和男
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  電気通信大学
ナノ構造半導体デバイスに関する教育・研究交流
- 研究代表者
  
  森崎弘
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  電気通信大学
表面反応による炭素質星間塵の構造の研究
- 研究代表者
  
  和田節子
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  天文学
- 研究機関
  電気通信大学
半導体ナノ構造新物質の創製と機能デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  森崎弘
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  電気通信大学
共役高分子膜の分子線エピタキシ-法による堆積とエレクトロニクスへの応用
- 研究代表者
  
  野崎真次
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  電気通信大学
Si超微粒子の光学的性質とその発光デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  森崎弘
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  電気通信大学
粒状半導体薄膜の電気的光学的性質とその電子デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  森崎弘
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1990
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  電気通信大学

すべて 2011 2010 2009 2008

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plastic substrates and GaN epilayers2009
- 著者名/発表者名
  S.Nozaki, S.Kimura, A.Koizumi, H.Ono, K.Uchida
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 11
  
  ページ: 384-389
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[雑誌論文] High-quality oxideformed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plasticsubstrates and GaN epilayers2009
- 著者名/発表者名
  S. Nozaki, S. Kimura, A. Koizumi, H. Onoand K. Onoand K. Uchida
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 11 ページ: 384-389
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[雑誌論文] Photoluminescence of Si nanocrystals formed by thephotosynthesis2008
- 著者名/発表者名
  S. Nozaki, C. Y. Chen, S. Kimura, H. Ono, K. Uchida
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517
  
  ページ: 50-54
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[雑誌論文] Photoluminescence of Si nanocrystals formed by the photosynthesis2008
- 著者名/発表者名
  S.Nozaki, C.Y.Chen, S.Kimura, H.Ono, K.Uchida
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517
  
  ページ: 50-54
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[雑誌論文] Photoluminescence of Sinanocrystals formed by the photosynthesis2008
- 著者名/発表者名
  S. Nozaki, C. Y. Chen, S. Kimura, H. Ono, and K. Uchida
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 517 ページ: 50-54
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[学会発表] UV酸化による半導体ニッケル酸化物の作製2011
- 著者名/発表者名
  張東元、小泉淳、小野洋、内田和男、野崎眞次
- 学会等名
  電気通信大学・東京農工大学第8回合同シンポジウム
- 発表場所
  東京農工大学
- 年月日
  2011-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[学会発表] C-t法による低温酸化膜MOSキャパシターの電気的特性評価2010
- 著者名/発表者名
  高井伸彰、小池俊平、小野洋、内田和男、野崎眞次
- 学会等名
  電子情報通信学会東京支部学生会
- 発表場所
  東京電機大学
- 年月日
  2010-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[学会発表] 真空紫外光照射によるSi/SiO2界面構造の改質2010
- 著者名/発表者名
  山崎政宏、小泉淳、小野洋、内田和男、野崎眞次
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[学会発表] C-t法による低温酸化膜MOSキャパシターの電気的特性評価2010
- 著者名/発表者名
  高井伸彰, 小池俊平, 小野洋, 内田和男, 野崎眞次
- 学会等名
  電子情報通信学会東京支部学生会講演論文集
- 発表場所
  東京電機大学
- 年月日
  2010-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[学会発表] SiOナノ粉末への光照射によるSiナノクリスタルの形成機構2010
- 著者名/発表者名
  杉本真矩、小泉淳、小野洋、内田和男、野崎眞次
- 学会等名
  第30回表面科学学術講演会
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2010-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[学会発表] C-t法による低温酸化膜MOSキャパシターの電気的特性評価2010
- 著者名/発表者名
  高井伸彰、小池俊平、小野洋、内田和男、野崎眞次
- 学会等名
  電子情報通信学会東京支部学生会講演会
- 発表場所
  東京電機大学
- 年月日
  2010-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[学会発表] SiOナノ粒子への光照射によるシリコンナノ結晶の形成機構2009
- 著者名/発表者名
  杉本真矩、小泉淳、小野洋、内田和男、野崎真次
- 学会等名
  電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム
- 発表場所
  東京農工大学
- 年月日
  2009-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[学会発表] High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plastic substrates and GaN epilayers(招待講演)2008
- 著者名/発表者名
  S. Nozaki, S. Kimura, A. Koizumi, H. Ono, K. Uchida
- 学会等名
  The E-MRS 2008 Spring Meeting, SymposiumJ
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2008-05-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[学会発表] High-quality oxideformed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plasticsubstrates and GaN epilayers2008
- 著者名/発表者名
  S. Nozaki, S. Kimura, A. Koizumi, H. Onoand K. Uchida
- 学会等名
  The E-MRS2008 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2008-05-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[学会発表] SiO粉末への光照射によるSiナノ結晶の形成2008
- 著者名/発表者名
  李宰盛、野崎真次、小泉淳、内田和男、小野洋
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137
[学会発表] High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plastic substrates and GaN epilayers2008
- 著者名/発表者名
  S.Nozaki, S.Kimura, A.Koizumi, H.Ono, K.Uchida
- 学会等名
  The E-MRS 2008 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France(招待講演)
- 年月日
  2008-05-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360137

1. 森崎弘 (00029167)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
2. 和田節子 (30017404)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
3. 野崎眞次 (20237837)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 16件
4. 成沢孝敏 (30143712)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 内田和男 (80293116)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 高橋清 (10016313)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 村田好正 (10080467)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

小野 洋 ONO Hiroshi

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plastic substrates and GaN epilayers2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] High-quality oxideformed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plasticsubstrates and GaN epilayers2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Photoluminescence of Si nanocrystals formed by thephotosynthesis2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Photoluminescence of Si nanocrystals formed by the photosynthesis2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Photoluminescence of Sinanocrystals formed by the photosynthesis2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] UV酸化による半導体ニッケル酸化物の作製2011

小野洋 ONO Hiroshi