江川孝志 EGAWA Takashi

研究者番号	00232934
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2012年度 – 2013年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2011年度: 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 2006年度 – 2008年度: 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 2005年度: 名古屋工業大学, 大学院工学研究科, 教授 2004年度: 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 … もっと見る 2003年度: 名古屋工業大学, 極微デバイス機能システム研究センター, 教授 1999年度 – 2002年度: 名古屋工業大学, 極微構造デバイス研究センター, 教授 1993年度 – 1998年度: 名古屋工業大学, 極微構造デバイス研究センター, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 応用光学・量子光工学 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学 / 応用光学・量子光工学 / エネルギー学一般・原子力学 / 理工系
キーワード	研究代表者有機金属気相成長法 / 有機金属気相成長 / MOCVD / 発光ダイオード / 量子井戸 / 面発光レーザー / Cavity / Si / LED / Multi quantum well … もっと見る / an / distributed Bragg reflector / Vertical cavity surface emitting laser / P型窒化ガリウム / n型窒化ガリウム / 束縛励起子 / 自由励起子 / InGaNダブルヘテロ構造 / AlGaN / 反射率 / クラック / 歪超格子 / 共振器 / シリコン / 多重量子井戸 / 窒化ガリウム / 分布型ブラッグ反射鏡 / 面発光型レーザー / 表面平坦性 / 成長速度 / CL / 暗点欠陥密度 / マイグレーション / AlGaN/GaN / HEMT / ノーマリオフ / 選択再成長 / GaN / 二次元電子ガス / ヘテロ接合 / ショットキーダイオード / 高電子移動度トランジスター / X線回折 / フォトルミネッセンス / 窒化物半導体 / 四元混晶半導体 / ヘテロ量子界面 / 半導体多層膜 / シリコン上面発光レーザー / 応力 / 転位 / 光・電子集積回路 / 半導体多層膜反射鏡 / AlGaP中間層 / AlGaAs / シリコン上レーザー … もっと見る研究代表者以外 GaAs / GaN / 転位 / AlGaAs / Si基板 / 有機金属気相成長 / Si / opt-electronic integrated circuit / optical waveguide / porous silicon / 多孔性シリコン / 導波路 / 光電子集積回路 / 光導波路 / 多孔質シリコン / Si MESFET / Si electronic device / Si light emitting device / Si tandem solar cell / Si laser / GaN on Si substrate / GaAs on Si substrate / Heteroepitaxy / 直列抵抗 / 発光ダイオード(LED) / GaN中間層 / AlGaN / 有機金属気相成長(MOCVD) / エピタキシャルリフトオフ(ELO) / Si上ヘテロエピタキシー / Si上タンデム太陽電池 / Si上LED / Si上レーザー / GaAs on Si / Si上のヘテロエピタキシー / 転位の不活性化 / 高効率Si上タンデム太陽電池 / Si上青・緑色LED / 大面積Si上GaN基板 / GaN on Si / CaAs on Si / シリコン上化合物半導体 / Quantum well structure / Self-formed / Dislocation / Laser on Si / Lifetest / Island / Metalorganic chemical vapor deposition / Droplet epitaxy / シリコン上ガリウム砒素 / 有機金属気相成長法 / 熱処理 / 量子井戸レーザー / 寿命 / ピニング効果 / 暗線欠陥 / 量子井戸構造 / 自己形成 / シリコン上レーザー / 寿命試験 / 島状結晶 / ドロップレット / minority carrier lifetime / stress / dislocation / thermal cycle annealing / Si substrate / tandem solar cell / III-V on Si / 応力緩和 / 転位低減 / レーザ照射 / GaAs-on-Si / タイデム太陽電池 / 3端子出力 / 少数キャリア寿命 / 応力 / 熱サイクルアニール / タンデム太陽電池 / プラズマパッシベーション / GaInN LED / 量子ドットレーザ / GaAs系レーザ / 多波長発光素子 / 多層膜反射鏡 / 欠陥不活性化 / ウエハ接着 / Si基板上GaN / Si基板上GaAs / 半導体レーザ / 発光ダイオード / ヘテロエピタキシ隠す

シリコン基板上の選択再成長による窒化ガリウム系ノーマリオフ型デバイスに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  江川孝志
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名古屋工業大学
大口径シリコン基板上の四元混晶窒化ガリウム系発光・電子デバイスに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  江川孝志
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名古屋工業大学
シリコン基板上の光電子集積回路の基礎研究
- 研究代表者
  
  神保孝志, 邵春林
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名古屋工業大学
多波長光デバイス集積化のための異種材料一体化技術
- 研究代表者
  
  神保孝志
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋工業大学
シリコン基板上ガリウム砒素・ガリウム窒素の結晶成長と機能デバイスの研究
- 研究代表者
  
  梅野正義
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  中部大学
   名古屋工業大学
シリコン基板上の窒化ガリウム青色面発光型レーザーに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  江川孝志
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
シリコン基板上の室温連続発振面発光レーザーに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  江川孝志
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
超高効率低価格化合物半導体/Siタンデム型太陽電池に関する研究
- 研究代表者
  
  梅野正義
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  エネルギー学一般・原子力学
- 研究機関
  名古屋工業大学
シリコン基板上の高性能・長寿命ガリウム砒素レーザーの試作研究
- 研究代表者
  
  梅野正義
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
選択成長法を用いたシリコン基板上の面発光レーザーに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  江川孝志
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋工業大学

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すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] 技術シーズを活用した研究開発テーマの発掘2013
- 著者名/発表者名
  江川孝志, 他
- 総ページ数
  854
- 出版者
  技術情報協会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[図書] 高周波半導体材料・デバイスの新展開2006
- 著者名/発表者名
  江川孝志, 他26名
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] High Drain Current Density E-Mode Al_2O_3/AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si With Enhanced Power Device Figure-of-Merit (4×10^<8> V^<2>Ω^<-1>cm^<-2>)2013
- 著者名/発表者名
  J. J. Freedsman, T. Kubo, T. Egawa
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: Vol. 60, No. 10 ページ: 3079-3083
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] Step-Stress Reliability Studies on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Silicon with Buffer Thickness Dependence2013
- 著者名/発表者名
  A. F. Wilson, A. Wakejima, T. Egawa
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: Vol. 6
- NAID
  10031174343
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] Step-Stress Reliability Studies on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Silicon w　ith Buffer Thickness Dependence2013
- 著者名/発表者名
  A. F. Wilson, A. Wakejima, T. Egawa
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 6
- NAID
  10031174343
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] High Drain Current Density E-Mode Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si With Enhanced Power Device Figure-of-Merit (4×108 V2Ω-1cm-2)2013
- 著者名/発表者名
  J. J. Freedsman, T. Kubo, T. Egawa
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 60 ページ: 3079-3083
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] Influence of GaN Stress on Threshold Voltage Shift in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Si under Off-State Electrical Bias2013
- 著者名/発表者名
  A. F. Wilson, A. Wakejima, T. Egawa
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: Vol. 6
- NAID
  10031193080
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] Origin and Appearance of Defective Pits in the Gate-Drain Region during Reliability Measurements of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Si2013
- 著者名/発表者名
  A. F. Wilson, A. Wakejima, T. Egawa
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: Vol. 6
- NAID
  40019884090
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] Analyses of hetero-interface trapping properties in AlGaN/GaN high electron mobility transistor heterostructures grown on silicon with thick buffer layers2012
- 著者名/発表者名
  J. J. Freedsman, T. Kubo and T. Egawa
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 101 号: 1
- DOI
  10.1063/1.4733359
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] 1.4-kV Breakdown Voltage for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Silicon Substrate2012
- 著者名/発表者名
  S. L. Selvaraj, A. Watanabe, A. Wakejima and T. Egawa
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 33 号: 10 ページ: 1375-1377
- DOI
  10.1109/led.2012.2207367
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] Analyses of hetero-interface trapping properties in AlGaN/GaN high electron mobility transistor heterostructures grown on silicon with thick buffer layers2012
- 著者名/発表者名
  J. J. Freedsman, T. Kubo, T. Egawa
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: Vol. 101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] 1.4-kV Breakdown Voltage for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Silicon Substrate2012
- 著者名/発表者名
  S. L. Selvaraj, A. Watanabe, A. Wakejima, T. Egawa
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: Vol. 33, No. 10 ページ: 1375-1377
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] Si基板上AlGaN/GaNヘテロ構造に関する研究2011
- 著者名/発表者名
  江川孝志
- 雑誌名
  
  J.Vac.Soc.Jpn.
  
  巻: 54巻ページ: 47-51
- NAID
  10029319310
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] Influence of deep-pits on the device characteristics of metal-organic chemical vapor deposition grown AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on silicon substrate2011
- 著者名/発表者名
  S. L. Selvaraj, A. Watanabe, T. Egawa
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: Vol. 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] Influence of deep-pits on the device characteristics of metal-organic chemical vapor deposition grown AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on silicon substrate2011
- 著者名/発表者名
  S.L.Selvaraj, A.Watanabe, T.Egawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 98巻号: 25
- DOI
  10.1063/1.3602919
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] Buffer Thickness Contribution to Suppress Vertical Leakage Current With High Breakdown Field (2.3 MV/cm) for GaN on Si2011
- 著者名/発表者名
  I.B.Rowena, S.L.Selvaraj, T.Egawa
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett
  
  巻: 32巻号: 11 ページ: 1534-1536
- DOI
  10.1109/led.2011.2166052
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] Buffer Thickness Contribution to Suppress Vertical Leakage Current With High Breakdown Field (2.3 MV/cm) for GaN on Si2011
- 著者名/発表者名
  I. B. Rowena, S. L. Selvaraj, T. Egawa
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett
  
  巻: Vol. 32, No. 11 ページ: 1534-1536
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[雑誌論文] Comparison of electrical properties in GaN grown on Si(111) and c-sapphire substrate by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  T. Ito, Y. Nomura, S. L. Selvaraj and T. Egawa
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth Vol.310
  
  ページ: 4896-4899
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] Influence of pulse width on electroluminescence and junction temperature of AlInGaN deep ultraviolet light-emitting diodes2008
- 著者名/発表者名
  J. C. Zhang, Y. H. Zhu, T. Egawa, S.Sumita, M. Miyoshi and M. Tanaka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. Vol.92, No.19
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] AlInN-based ultraviolet photodiode grwon by metal organic chemical vapor deposition2008
- 著者名/発表者名
  S. Senda, H. Jiang and T. Egawa
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. Vol.92, No.20
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] Trap states in n-GaN grown on AlN/sapphire template by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  T. Ito, M. Yoshikawa, A. Watanabe andT. Egawa
- 雑誌名
  
  phys. Stat. Sol. (c)5, No.9
  
  ページ: 2998-3000
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] Integration of Photonic Crystals on GaN-Based Blue LEDs Using Silicon Mold Substrates2008
- 著者名/発表者名
  K. Orita, Y. Takase, Y. Fukushima, M. Usuda, T. Ueda, S. Takigawa, T. Tanaka, D. Ueda and T. Egawa
- 雑誌名
  
  IEEE J. Quantum Electronics Vol.44, No.10
  
  ページ: 984-989
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] AlN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with recessed source/drain Ohmic contact2008
- 著者名/発表者名
  S. L. Selvaraj, T. Ito, Y. Terada and T. Egawa
- 雑誌名
  
  phys. Stat. Sol. (c)5, No.9
  
  ページ: 2988-2990
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Material Characterization of Lattice-Matched InAlN/GaN Two-Dimensional Electron Gas Heterostructures2008
- 著者名/発表者名
  M. Miyoshi, Y. Kuraoka, M. Tanaka and T. Egawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express Vol.1, No.8
- NAID
  10025081817
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] Quantum-well and localized state emissions in AlInGaN deep ultraviolet light-emittng diodes2007
- 著者名/発表者名
  J. C. Zhang, Y. H. Zhu, T. Egawa, S. Sumiya, M. Miyoshi and M. Tanaka
- 雑誌名
  
  ,Appl. Phys. Lett. Vol.91, No.22
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor on 4 in. silicon substrate for high breakdown characteristics2007
- 著者名/発表者名
  S. L. Selvaraj, T. Ito, Y. Terada and T. Egawa
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. Vol.90, No.17
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] Enhancement of drain current density by inserting 3 nm Al layer in the gate of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on 4 in. silicon2006
- 著者名/発表者名
  S. L. Selvaraj, T. Egawa
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. Vol.89, No.19
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] Al composition dependent properties of quaternary AlInGaN Schottky diodes2006
- 著者名/発表者名
  Y.Liu, H.Jiang, T.Egawa, B.Zhang, H.Ishikawa
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys Vo1.99, No.12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] Novel Quaternary AlInGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors on Sapphire Substrate2006
- 著者名/発表者名
  Y. Liu, T. Egawa H. Jiang, B. Zhang and H. Ishikawa
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys Vol.45, No.7
  
  ページ: 5728-5731
- NAID
  10017999632
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] Novel Quaternary A1InGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors on Sapphire Substrate2006
- 著者名/発表者名
  Y.Liu, T.Egawa H.Jiang, B.Zhang, H.Ishikawa
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys Vol.45, No.7
  
  ページ: 5728-5731
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] Al composition dependent properties of quaternary AlInGaN Schottky diodes2006
- 著者名/発表者名
  Y. Liu, H. Jiang, T. Egawa, B. Zhang and H. Ishikawa
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys Vol.99, No.12
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[産業財産権] ドレイン電流密度・相互コンダクタンスを大幅に改善したリセス構造のＭＩＳ型ノーマリオフＨＥＭＴ素子2014
- 発明者名
  江川孝志
- 権利者名
  江川孝志
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-067737
- 出願年月日
  2014-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[産業財産権] ドレイン電流密度・相互コンダクタンスを大幅に改善したリセス構造のMIS型ノーマリオフHEMT素子2014
- 発明者名
  江川孝志
- 権利者名
  名古屋工業大学, 高橋実
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-067737
- 出願年月日
  2014-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[産業財産権] 半導体素子およびその製造方法2012
- 発明者名
  江川孝志, 小田修
- 権利者名
  名古屋工業大学, 高橋実
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2012-052987
- 出願年月日
  2012-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[産業財産権] 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子2012
- 発明者名
  江川孝志
- 権利者名
  名古屋工業大学, 高橋実
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2012-135627
- 出願年月日
  2012-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[産業財産権] 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子2012
- 発明者名
  江川孝志
- 権利者名
  名古屋工業大学, 高橋実
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2012-162720
- 出願年月日
  2012-07-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[産業財産権] 半導体装置およびその製造方法2008
- 発明者名
  江川孝志、山本信幸、杉本重幸
- 権利者名
  国立大学法人名古屋工業大学、中部電力株式会社
- 産業財産権番号
  2008-178786
- 出願年月日
  2008-07-09
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[産業財産権] 発光素子2007
- 発明者名
  江川孝志、角谷茂明、柴田智彦、三好実人、田中光浩
- 権利者名
  国立大学法人名古屋工業大学、日本ガイシ(株)
- 産業財産権番号
  2007-002511
- 出願年月日
  2007-01-10
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[産業財産権] 発光素子2006
- 発明者名
  江川孝志、伊藤統夫
- 権利者名
  国立大学法人名古屋工業大学、同和鉱業(株)
- 産業財産権番号
  2006-209136
- 出願年月日
  2006-07-31
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[学会発表] Electroluminescence under the gate region using AlGaN/GaN HEMT with a transparent gate electrode2013
- 著者名/発表者名
  T. Narita, Y. Fujimoto, A. Wakejima and T. Egawa
- 学会等名
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  福岡
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] Demonstration of Enhancement-mode Operation in AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si by utilizing ALD Al2O3 layer2013
- 著者名/発表者名
  J. J. Freedsman, T. Kubo and T. Egawa
- 学会等名
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  福岡
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] Electroluminescence under the gate region using AlGaN/GaN HEMT with a transparent gate electrode2013
- 著者名/発表者名
  T. Narita, Y. Fujimoto, A. Wakejima, T. Egawa
- 学会等名
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013)
- 発表場所
  ヒルトン福岡シーホーク
- 年月日
  2013-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] Heteroepitaxial Growth and Power Devices Using AlGaN/GaN HEMT on 2000mm Si (111) Substrate2013
- 著者名/発表者名
  T. Egawa
- 学会等名
  35th IEEE Compound Semiconductor IC (CSIC) Symposium
- 発表場所
  モントレー
- 年月日
  2013-10-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] Heteroepitaxial Growth and Power Devices Using AlGaN/GaN HEMT on 2000mm Si (111) Substrate2013
- 著者名/発表者名
  T. Egawa
- 学会等名
  35th IEEE Compound Semiconductor IC Symposium
- 発表場所
  米国
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] GaN Based MIS-Type HEMT Devices Grown by MOCVD on Si2013
- 著者名/発表者名
  J. J. Freedsman, T. Egawa
- 学会等名
  International Conference on Thin Films & Applications
- 発表場所
  インド
- 年月日
  2013-09-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] Demonstration of Enhancement-mode Operation in AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si by utilizing ALD Al2O3 layer2013
- 著者名/発表者名
  J. J. Freedsman, T. Kubo, T. Egawa
- 学会等名
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013)
- 発表場所
  ヒルトン福岡シーホーク,口頭発表
- 年月日
  2013-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] Investigation of trapping properties in AlGaN/GaN HEMT heterostructures grown on silicon with thick buffer layers2012
- 著者名/発表者名
  J. J. Freedsman, T. Kubo and T. Egawa
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] Investigation of trapping properties in AlGaN/GaN HEMT heterostructures grown on silicon with thick buffer layers2012
- 著者名/発表者名
  J. J. Freedsman, T. Kubo, T. Egawa
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  京都,ポスター
- 年月日
  2012-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] Effect of Buffer Thickness on Degradation of AlGaN/GaN HEMTs on Si2012
- 著者名/発表者名
  W. A. Frank, A. Wakejima, T. Egawa
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2012-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] Heteroepitaxial growth and power electronics using AlGaN/GaN HEMT on Si2012
- 著者名/発表者名
  T. Egawa
- 学会等名
  2012 IEEE International Electron Devices Meeting
- 発表場所
  サンフランシスコ
- 年月日
  2012-12-12
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] 1.4 kV Breakdown Voltgae for MOCVD grown AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate2012
- 著者名/発表者名
  S. L. Selvaraj, A. Watanabe, A. Wakejima and T. Egawa
- 学会等名
  Device research conference
- 発表場所
  ペンシルベニア州立大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] 1.4 kV Breakdown Voltgae for MOCVD grown AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate2012
- 著者名/発表者名
  S. L. Selvaraj, A. Watanabe, A. Wakejima, T. Egawa
- 学会等名
  Device research conference
- 発表場所
  ペンシルベニア州立大学,ポスター
- 年月日
  2012-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] MOCVD grown AlGaN/GaN transistors on Si substrate for High Breakdown Applications2011
- 著者名/発表者名
  S.L.Selvaraj, T.Egawa
- 学会等名
  HeteroSiC-WASMPE 2011
- 発表場所
  Tours(フランス)(招待講演)
- 年月日
  2011-06-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] Enhanced mobility for MOCVD grown AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate2011
- 著者名/発表者名
  S. L. Selvaraj, A. Watanabe, T. Egawa
- 学会等名
  Device research conference
- 発表場所
  カリフォルニア州・サンタバーバラ
- 年月日
  2011-06-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] Deep Pits and Their Influence on the Device Performance for MOCVD Grown AlGaN/GaN HEMTS on Si Substrate2011
- 著者名/発表者名
  S. L. Selvaraj, A, Watanabe, T. Egawa
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors ( ICNS-9 )
- 発表場所
  イギリス, グラスゴー
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] Enhanced mobility for MOCVD grown AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate2011
- 著者名/発表者名
  S.L.Selvaraj, A.Watanabe, T.Egawa
- 学会等名
  Device research conference
- 発表場所
  サンタバーバラ(米国)
- 年月日
  2011-06-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] MOCVD grown AlGaN/GaN transistors on Si substrate for High Breakdown Applications2011
- 著者名/発表者名
  S. L. Selvaraj, T. Egawa
- 学会等名
  HeteroSiC-WASMPE 2011 (HeteroSiC-Workshop on Advanced Semiconductor Materials and devices for Power Electronics applications 2011)
- 発表場所
  Toursフランス
- 年月日
  2011-06-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] Deep Pits and Their Influence on the Device Performance for MOCVD Grown AlGaN/GaN HEMTS on Si Substrate2011
- 著者名/発表者名
  L.Selvaraj, A, Watanabe, T.Egawa
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  グラスゴー(英国)
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360154
[学会発表] GaN-Based LEDs Grown on Si by MOCVD2008
- 著者名/発表者名
  T. Egawa
- 学会等名
  Materials research society (MRS) spring meeting
- 発表場所
  サンフランシスコ
- 年月日
  2008-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[学会発表] Present status of MQW InGaN-based LED on Si substrate2007
- 著者名/発表者名
  T. Egawa
- 学会等名
  First International Conference on White LEDs and Solid State Lighting
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2007-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[学会発表] Highly Efficient GaN-Based LEDs with Photonic Crystals Replicated from Patterned Si Substrates2006
- 著者名/発表者名
  T. Egawa
- 学会等名
  2006 IEEE International Electron Devices Meeting
- 発表場所
  サンフランシスコ
- 年月日
  2006-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[学会発表] Realization of normally-off quaternary AlInGaN/GaN HEMT on sapphire substrate2006
- 著者名/発表者名
  T. Egawa
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2006-10-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169

1. 神保孝志 (80093087)

共同の研究課題数: 10件

共同の研究成果数: 0件
2. 梅野正義 (90023077)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 0件
3. 石川博康 (20303696)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 4件
4. 曽我哲夫 (20197007)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 邵春林 (20242828)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 林靖彦 (50314084)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 井戸敏之 (60023256)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 脇田紘一 (20301640)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 松本功

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

江川 孝志 EGAWA Takashi

研究課題

研究成果

共同研究者

シリコン基板上の選択再成長による窒化ガリウム系ノーマリオフ型デバイスに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

大口径シリコン基板上の四元混晶窒化ガリウム系発光・電子デバイスに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン基板上の光電子集積回路の基礎研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

多波長光デバイス集積化のための異種材料一体化技術

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコン基板上ガリウム砒素・ガリウム窒素の結晶成長と機能デバイスの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン基板上の窒化ガリウム青色面発光型レーザーに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン基板上の室温連続発振面発光レーザーに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高効率低価格化合物半導体/Siタンデム型太陽電池に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン基板上の高性能・長寿命ガリウム砒素レーザーの試作研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

選択成長法を用いたシリコン基板上の面発光レーザーに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] 技術シーズを活用した研究開発テーマの発掘2013

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] 高周波半導体材料・デバイスの新展開2006

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] High Drain Current Density E-Mode Al_2O_3/AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si With Enhanced Power Device Figure-of-Merit (4×10^<8> V^<2>Ω^<-1>cm^<-2>)2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Step-Stress Reliability Studies on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Silicon with Buffer Thickness Dependence2013

著者名/発表者名

雑誌名

江川孝志 EGAWA Takashi

[雑誌論文] Step-Stress Reliability Studies on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Silicon w　ith Buffer Thickness Dependence2013