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江川 孝志  EGAWA Takashi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00232934
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2012年度 – 2013年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2011年度: 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授
2006年度 – 2008年度: 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授
2005年度: 名古屋工業大学, 大学院工学研究科, 教授
2004年度: 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 … もっと見る
2003年度: 名古屋工業大学, 極微デバイス機能システム研究センター, 教授
1999年度 – 2002年度: 名古屋工業大学, 極微構造デバイス研究センター, 教授
1993年度 – 1998年度: 名古屋工業大学, 極微構造デバイス研究センター, 助教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器 / 応用光学・量子光工学 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学 / 応用光学・量子光工学 / エネルギー学一般・原子力学 / 理工系
キーワード
研究代表者
有機金属気相成長法 / 有機金属気相成長 / MOCVD / 発光ダイオード / 量子井戸 / 面発光レーザー / Cavity / Si / LED / Multi quantum well … もっと見る / an / distributed Bragg reflector / Vertical cavity surface emitting laser / P型窒化ガリウム / n型窒化ガリウム / 束縛励起子 / 自由励起子 / InGaNダブルヘテロ構造 / AlGaN / 反射率 / クラック / 歪超格子 / 共振器 / シリコン / 多重量子井戸 / 窒化ガリウム / 分布型ブラッグ反射鏡 / 面発光型レーザー / 表面平坦性 / 成長速度 / CL / 暗点欠陥密度 / マイグレーション / AlGaN/GaN / HEMT / ノーマリオフ / 選択再成長 / GaN / 二次元電子ガス / ヘテロ接合 / ショットキーダイオード / 高電子移動度トランジスター / X線回折 / フォトルミネッセンス / 窒化物半導体 / 四元混晶半導体 / ヘテロ量子界面 / 半導体多層膜 / シリコン上面発光レーザー / 応力 / 転位 / 光・電子集積回路 / 半導体多層膜反射鏡 / AlGaP中間層 / AlGaAs / シリコン上レーザー … もっと見る
研究代表者以外
GaAs / GaN / 転位 / AlGaAs / Si基板 / 有機金属気相成長 / Si / opt-electronic integrated circuit / optical waveguide / porous silicon / 多孔性シリコン / 導波路 / 光電子集積回路 / 光導波路 / 多孔質シリコン / Si MESFET / Si electronic device / Si light emitting device / Si tandem solar cell / Si laser / GaN on Si substrate / GaAs on Si substrate / Heteroepitaxy / 直列抵抗 / 発光ダイオード(LED) / GaN中間層 / AlGaN / 有機金属気相成長(MOCVD) / エピタキシャルリフトオフ(ELO) / Si上ヘテロエピタキシー / Si上タンデム太陽電池 / Si上LED / Si上レーザー / GaAs on Si / Si上のヘテロエピタキシー / 転位の不活性化 / 高効率Si上タンデム太陽電池 / Si上青・緑色LED / 大面積Si上GaN基板 / GaN on Si / CaAs on Si / シリコン上化合物半導体 / Quantum well structure / Self-formed / Dislocation / Laser on Si / Lifetest / Island / Metalorganic chemical vapor deposition / Droplet epitaxy / シリコン上ガリウム砒素 / 有機金属気相成長法 / 熱処理 / 量子井戸レーザー / 寿命 / ピニング効果 / 暗線欠陥 / 量子井戸構造 / 自己形成 / シリコン上レーザー / 寿命試験 / 島状結晶 / ドロップレット / minority carrier lifetime / stress / dislocation / thermal cycle annealing / Si substrate / tandem solar cell / III-V on Si / 応力緩和 / 転位低減 / レーザ照射 / GaAs-on-Si / タイデム太陽電池 / 3端子出力 / 少数キャリア寿命 / 応力 / 熱サイクルアニール / タンデム太陽電池 / プラズマパッシベーション / GaInN LED / 量子ドットレーザ / GaAs系レーザ / 多波長発光素子 / 多層膜反射鏡 / 欠陥不活性化 / ウエハ接着 / Si基板上GaN / Si基板上GaAs / 半導体レーザ / 発光ダイオード / ヘテロエピタキシ 隠す
  • 研究課題

    (10件)
  • 研究成果

    (62件)
  • 共同研究者

    (9人)
  •  シリコン基板上の選択再成長による窒化ガリウム系ノーマリオフ型デバイスに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      江川 孝志
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  大口径シリコン基板上の四元混晶窒化ガリウム系発光・電子デバイスに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      江川 孝志
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  シリコン基板上の光電子集積回路の基礎研究

    • 研究代表者
      神保 孝志, 邵 春林
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  多波長光デバイス集積化のための異種材料一体化技術

    • 研究代表者
      神保 孝志
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  シリコン基板上ガリウム砒素・ガリウム窒素の結晶成長と機能デバイスの研究

    • 研究代表者
      梅野 正義
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      中部大学
      名古屋工業大学
  •  シリコン基板上の窒化ガリウム青色面発光型レーザーに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      江川 孝志
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用光学・量子光工学
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  シリコン基板上の室温連続発振面発光レーザーに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      江川 孝志
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用光学・量子光工学
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  超高効率低価格化合物半導体/Siタンデム型太陽電池に関する研究

    • 研究代表者
      梅野 正義
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      エネルギー学一般・原子力学
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  シリコン基板上の高性能・長寿命ガリウム砒素レーザーの試作研究

    • 研究代表者
      梅野 正義
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用光学・量子光工学
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  選択成長法を用いたシリコン基板上の面発光レーザーに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      江川 孝志
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名古屋工業大学

すべて 2014 2013 2012 2011 2008 2007 2006

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] 技術シーズを活用した研究開発テーマの発掘2013

    • 著者名/発表者名
      江川孝志, 他
    • 総ページ数
      854
    • 出版者
      技術情報協会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [図書] 高周波半導体材料・デバイスの新展開2006

    • 著者名/発表者名
      江川孝志, 他26名
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [雑誌論文] High Drain Current Density E-Mode Al_2O_3/AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si With Enhanced Power Device Figure-of-Merit (4×10^<8> V^<2>Ω^<-1>cm^<-2>)2013

    • 著者名/発表者名
      J. J. Freedsman, T. Kubo, T. Egawa
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: Vol. 60, No. 10 ページ: 3079-3083

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] Step-Stress Reliability Studies on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Silicon with Buffer Thickness Dependence2013

    • 著者名/発表者名
      A. F. Wilson, A. Wakejima, T. Egawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: Vol. 6

    • NAID

      10031174343

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] Step-Stress Reliability Studies on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Silicon w ith Buffer Thickness Dependence2013

    • 著者名/発表者名
      A. F. Wilson, A. Wakejima, T. Egawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 6

    • NAID

      10031174343

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] High Drain Current Density E-Mode Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si With Enhanced Power Device Figure-of-Merit (4×108 V2Ω-1cm-2)2013

    • 著者名/発表者名
      J. J. Freedsman, T. Kubo, T. Egawa
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: 60 ページ: 3079-3083

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] Influence of GaN Stress on Threshold Voltage Shift in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Si under Off-State Electrical Bias2013

    • 著者名/発表者名
      A. F. Wilson, A. Wakejima, T. Egawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: Vol. 6

    • NAID

      10031193080

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] Origin and Appearance of Defective Pits in the Gate-Drain Region during Reliability Measurements of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Si2013

    • 著者名/発表者名
      A. F. Wilson, A. Wakejima, T. Egawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: Vol. 6

    • NAID

      40019884090

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] Analyses of hetero-interface trapping properties in AlGaN/GaN high electron mobility transistor heterostructures grown on silicon with thick buffer layers2012

    • 著者名/発表者名
      J. J. Freedsman, T. Kubo and T. Egawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 101 号: 1

    • DOI

      10.1063/1.4733359

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] 1.4-kV Breakdown Voltage for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Silicon Substrate2012

    • 著者名/発表者名
      S. L. Selvaraj, A. Watanabe, A. Wakejima and T. Egawa
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Letters

      巻: 33 号: 10 ページ: 1375-1377

    • DOI

      10.1109/led.2012.2207367

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] Analyses of hetero-interface trapping properties in AlGaN/GaN high electron mobility transistor heterostructures grown on silicon with thick buffer layers2012

    • 著者名/発表者名
      J. J. Freedsman, T. Kubo, T. Egawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: Vol. 101

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] 1.4-kV Breakdown Voltage for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Silicon Substrate2012

    • 著者名/発表者名
      S. L. Selvaraj, A. Watanabe, A. Wakejima, T. Egawa
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Letters

      巻: Vol. 33, No. 10 ページ: 1375-1377

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] Si基板上AlGaN/GaNヘテロ構造に関する研究2011

    • 著者名/発表者名
      江川孝志
    • 雑誌名

      J.Vac.Soc.Jpn.

      巻: 54巻 ページ: 47-51

    • NAID

      10029319310

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] Influence of deep-pits on the device characteristics of metal-organic chemical vapor deposition grown AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on silicon substrate2011

    • 著者名/発表者名
      S. L. Selvaraj, A. Watanabe, T. Egawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: Vol. 98

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] Influence of deep-pits on the device characteristics of metal-organic chemical vapor deposition grown AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on silicon substrate2011

    • 著者名/発表者名
      S.L.Selvaraj, A.Watanabe, T.Egawa
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 98巻 号: 25

    • DOI

      10.1063/1.3602919

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] Buffer Thickness Contribution to Suppress Vertical Leakage Current With High Breakdown Field (2.3 MV/cm) for GaN on Si2011

    • 著者名/発表者名
      I.B.Rowena, S.L.Selvaraj, T.Egawa
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Lett

      巻: 32巻 号: 11 ページ: 1534-1536

    • DOI

      10.1109/led.2011.2166052

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] Buffer Thickness Contribution to Suppress Vertical Leakage Current With High Breakdown Field (2.3 MV/cm) for GaN on Si2011

    • 著者名/発表者名
      I. B. Rowena, S. L. Selvaraj, T. Egawa
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Lett

      巻: Vol. 32, No. 11 ページ: 1534-1536

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [雑誌論文] Comparison of electrical properties in GaN grown on Si(111) and c-sapphire substrate by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ito, Y. Nomura, S. L. Selvaraj and T. Egawa
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth Vol.310

      ページ: 4896-4899

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [雑誌論文] Influence of pulse width on electroluminescence and junction temperature of AlInGaN deep ultraviolet light-emitting diodes2008

    • 著者名/発表者名
      J. C. Zhang, Y. H. Zhu, T. Egawa, S.Sumita, M. Miyoshi and M. Tanaka
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. Vol.92, No.19

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [雑誌論文] AlInN-based ultraviolet photodiode grwon by metal organic chemical vapor deposition2008

    • 著者名/発表者名
      S. Senda, H. Jiang and T. Egawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. Vol.92, No.20

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [雑誌論文] Trap states in n-GaN grown on AlN/sapphire template by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ito, M. Yoshikawa, A. Watanabe andT. Egawa
    • 雑誌名

      phys. Stat. Sol. (c)5, No.9

      ページ: 2998-3000

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [雑誌論文] Integration of Photonic Crystals on GaN-Based Blue LEDs Using Silicon Mold Substrates2008

    • 著者名/発表者名
      K. Orita, Y. Takase, Y. Fukushima, M. Usuda, T. Ueda, S. Takigawa, T. Tanaka, D. Ueda and T. Egawa
    • 雑誌名

      IEEE J. Quantum Electronics Vol.44, No.10

      ページ: 984-989

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [雑誌論文] AlN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with recessed source/drain Ohmic contact2008

    • 著者名/発表者名
      S. L. Selvaraj, T. Ito, Y. Terada and T. Egawa
    • 雑誌名

      phys. Stat. Sol. (c)5, No.9

      ページ: 2988-2990

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [雑誌論文] Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Material Characterization of Lattice-Matched InAlN/GaN Two-Dimensional Electron Gas Heterostructures2008

    • 著者名/発表者名
      M. Miyoshi, Y. Kuraoka, M. Tanaka and T. Egawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Express Vol.1, No.8

    • NAID

      10025081817

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [雑誌論文] Quantum-well and localized state emissions in AlInGaN deep ultraviolet light-emittng diodes2007

    • 著者名/発表者名
      J. C. Zhang, Y. H. Zhu, T. Egawa, S. Sumiya, M. Miyoshi and M. Tanaka
    • 雑誌名

      ,Appl. Phys. Lett. Vol.91, No.22

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [雑誌論文] AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor on 4 in. silicon substrate for high breakdown characteristics2007

    • 著者名/発表者名
      S. L. Selvaraj, T. Ito, Y. Terada and T. Egawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. Vol.90, No.17

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [雑誌論文] Enhancement of drain current density by inserting 3 nm Al layer in the gate of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on 4 in. silicon2006

    • 著者名/発表者名
      S. L. Selvaraj, T. Egawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. Vol.89, No.19

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [雑誌論文] Al composition dependent properties of quaternary AlInGaN Schottky diodes2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Liu, H.Jiang, T.Egawa, B.Zhang, H.Ishikawa
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys Vo1.99, No.12

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [雑誌論文] Novel Quaternary AlInGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors on Sapphire Substrate2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Liu, T. Egawa H. Jiang, B. Zhang and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys Vol.45, No.7

      ページ: 5728-5731

    • NAID

      10017999632

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [雑誌論文] Novel Quaternary A1InGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors on Sapphire Substrate2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Liu, T.Egawa H.Jiang, B.Zhang, H.Ishikawa
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys Vol.45, No.7

      ページ: 5728-5731

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [雑誌論文] Al composition dependent properties of quaternary AlInGaN Schottky diodes2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Liu, H. Jiang, T. Egawa, B. Zhang and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys Vol.99, No.12

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [産業財産権] ドレイン電流密度・相互コンダクタンスを大幅に改善したリセス構造のMIS型ノーマリオフHEMT素子2014

    • 発明者名
      江川孝志
    • 権利者名
      江川孝志
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2014-067737
    • 出願年月日
      2014-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [産業財産権] ドレイン電流密度・相互コンダクタンスを大幅に改善したリセス構造のMIS型ノーマリオフHEMT素子2014

    • 発明者名
      江川孝志
    • 権利者名
      名古屋工業大学, 高橋 実
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2014-067737
    • 出願年月日
      2014-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [産業財産権] 半導体素子およびその製造方法2012

    • 発明者名
      江川孝志, 小田 修
    • 権利者名
      名古屋工業大学, 高橋 実
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-052987
    • 出願年月日
      2012-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [産業財産権] 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子2012

    • 発明者名
      江川孝志
    • 権利者名
      名古屋工業大学, 高橋 実
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-135627
    • 出願年月日
      2012-06-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [産業財産権] 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子2012

    • 発明者名
      江川孝志
    • 権利者名
      名古屋工業大学, 高橋 実
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-162720
    • 出願年月日
      2012-07-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [産業財産権] 半導体装置およびその製造方法2008

    • 発明者名
      江川孝志、山本信幸、杉本重幸
    • 権利者名
      国立大学法人 名古屋工業大学、中部電力株式会社
    • 産業財産権番号
      2008-178786
    • 出願年月日
      2008-07-09
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [産業財産権] 発光素子2007

    • 発明者名
      江川孝志、角谷茂明、柴田智彦、三好実人、田中光浩
    • 権利者名
      国立大学法人 名古屋工業大学、日本ガイシ(株)
    • 産業財産権番号
      2007-002511
    • 出願年月日
      2007-01-10
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [産業財産権] 発光素子2006

    • 発明者名
      江川孝志、伊藤統夫
    • 権利者名
      国立大学法人 名古屋工業大学、同和鉱業(株)
    • 産業財産権番号
      2006-209136
    • 出願年月日
      2006-07-31
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [学会発表] Electroluminescence under the gate region using AlGaN/GaN HEMT with a transparent gate electrode2013

    • 著者名/発表者名
      T. Narita, Y. Fujimoto, A. Wakejima and T. Egawa
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      福岡
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] Demonstration of Enhancement-mode Operation in AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si by utilizing ALD Al2O3 layer2013

    • 著者名/発表者名
      J. J. Freedsman, T. Kubo and T. Egawa
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      福岡
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] Electroluminescence under the gate region using AlGaN/GaN HEMT with a transparent gate electrode2013

    • 著者名/発表者名
      T. Narita, Y. Fujimoto, A. Wakejima, T. Egawa
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013)
    • 発表場所
      ヒルトン福岡シーホーク
    • 年月日
      2013-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] Heteroepitaxial Growth and Power Devices Using AlGaN/GaN HEMT on 2000mm Si (111) Substrate2013

    • 著者名/発表者名
      T. Egawa
    • 学会等名
      35th IEEE Compound Semiconductor IC (CSIC) Symposium
    • 発表場所
      モントレー
    • 年月日
      2013-10-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] Heteroepitaxial Growth and Power Devices Using AlGaN/GaN HEMT on 2000mm Si (111) Substrate2013

    • 著者名/発表者名
      T. Egawa
    • 学会等名
      35th IEEE Compound Semiconductor IC Symposium
    • 発表場所
      米国
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] GaN Based MIS-Type HEMT Devices Grown by MOCVD on Si2013

    • 著者名/発表者名
      J. J. Freedsman, T. Egawa
    • 学会等名
      International Conference on Thin Films & Applications
    • 発表場所
      インド
    • 年月日
      2013-09-13
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] Demonstration of Enhancement-mode Operation in AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si by utilizing ALD Al2O3 layer2013

    • 著者名/発表者名
      J. J. Freedsman, T. Kubo, T. Egawa
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013)
    • 発表場所
      ヒルトン福岡シーホーク,口頭発表
    • 年月日
      2013-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] Investigation of trapping properties in AlGaN/GaN HEMT heterostructures grown on silicon with thick buffer layers2012

    • 著者名/発表者名
      J. J. Freedsman, T. Kubo and T. Egawa
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] Investigation of trapping properties in AlGaN/GaN HEMT heterostructures grown on silicon with thick buffer layers2012

    • 著者名/発表者名
      J. J. Freedsman, T. Kubo, T. Egawa
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      京都,ポスター
    • 年月日
      2012-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] Effect of Buffer Thickness on Degradation of AlGaN/GaN HEMTs on Si2012

    • 著者名/発表者名
      W. A. Frank, A. Wakejima, T. Egawa
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2012-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] Heteroepitaxial growth and power electronics using AlGaN/GaN HEMT on Si2012

    • 著者名/発表者名
      T. Egawa
    • 学会等名
      2012 IEEE International Electron Devices Meeting
    • 発表場所
      サンフランシスコ
    • 年月日
      2012-12-12
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] 1.4 kV Breakdown Voltgae for MOCVD grown AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate2012

    • 著者名/発表者名
      S. L. Selvaraj, A. Watanabe, A. Wakejima and T. Egawa
    • 学会等名
      Device research conference
    • 発表場所
      ペンシルベニア州立大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] 1.4 kV Breakdown Voltgae for MOCVD grown AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate2012

    • 著者名/発表者名
      S. L. Selvaraj, A. Watanabe, A. Wakejima, T. Egawa
    • 学会等名
      Device research conference
    • 発表場所
      ペンシルベニア州立大学,ポスター
    • 年月日
      2012-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] MOCVD grown AlGaN/GaN transistors on Si substrate for High Breakdown Applications2011

    • 著者名/発表者名
      S.L.Selvaraj, T.Egawa
    • 学会等名
      HeteroSiC-WASMPE 2011
    • 発表場所
      Tours(フランス)(招待講演)
    • 年月日
      2011-06-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] Enhanced mobility for MOCVD grown AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate2011

    • 著者名/発表者名
      S. L. Selvaraj, A. Watanabe, T. Egawa
    • 学会等名
      Device research conference
    • 発表場所
      カリフォルニア州・サンタバーバラ
    • 年月日
      2011-06-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] Deep Pits and Their Influence on the Device Performance for MOCVD Grown AlGaN/GaN HEMTS on Si Substrate2011

    • 著者名/発表者名
      S. L. Selvaraj, A, Watanabe, T. Egawa
    • 学会等名
      9th International Conference on Nitride Semiconductors ( ICNS-9 )
    • 発表場所
      イギリス, グラスゴー
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] Enhanced mobility for MOCVD grown AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate2011

    • 著者名/発表者名
      S.L.Selvaraj, A.Watanabe, T.Egawa
    • 学会等名
      Device research conference
    • 発表場所
      サンタバーバラ(米国)
    • 年月日
      2011-06-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] MOCVD grown AlGaN/GaN transistors on Si substrate for High Breakdown Applications2011

    • 著者名/発表者名
      S. L. Selvaraj, T. Egawa
    • 学会等名
      HeteroSiC-WASMPE 2011 (HeteroSiC-Workshop on Advanced Semiconductor Materials and devices for Power Electronics applications 2011)
    • 発表場所
      Toursフランス
    • 年月日
      2011-06-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] Deep Pits and Their Influence on the Device Performance for MOCVD Grown AlGaN/GaN HEMTS on Si Substrate2011

    • 著者名/発表者名
      L.Selvaraj, A, Watanabe, T.Egawa
    • 学会等名
      9th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      グラスゴー(英国)
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360154
  • [学会発表] GaN-Based LEDs Grown on Si by MOCVD2008

    • 著者名/発表者名
      T. Egawa
    • 学会等名
      Materials research society (MRS) spring meeting
    • 発表場所
      サンフランシスコ
    • 年月日
      2008-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [学会発表] Present status of MQW InGaN-based LED on Si substrate2007

    • 著者名/発表者名
      T. Egawa
    • 学会等名
      First International Conference on White LEDs and Solid State Lighting
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [学会発表] Highly Efficient GaN-Based LEDs with Photonic Crystals Replicated from Patterned Si Substrates2006

    • 著者名/発表者名
      T. Egawa
    • 学会等名
      2006 IEEE International Electron Devices Meeting
    • 発表場所
      サンフランシスコ
    • 年月日
      2006-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • [学会発表] Realization of normally-off quaternary AlInGaN/GaN HEMT on sapphire substrate2006

    • 著者名/発表者名
      T. Egawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2006-10-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360169
  • 1.  神保 孝志 (80093087)
    共同の研究課題数: 10件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  梅野 正義 (90023077)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  石川 博康 (20303696)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 4件
  • 4.  曽我 哲夫 (20197007)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  邵 春林 (20242828)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  林 靖彦 (50314084)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  井戸 敏之 (60023256)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  脇田 紘一 (20301640)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  松本 功
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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