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須崎 渉  SUSAKI Wataru

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

須さき 渉  SUSAKI Wataru

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研究者番号 00268294
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2003年度 – 2007年度: 大阪電気通信大学, 工学部, 教授
1998年度 – 1999年度: 大阪電気通信大学, 工学部, 教授
1997年度: 大阪電気通信大学, 工学部・電子工学科, 教授
1995年度 – 1996年度: 大阪電気通信大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・機器工学 / 電子デバイス・電子機器
研究代表者以外
電子デバイス・電子機器 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
MBE / AlInAs / superlattice / InGaSb / InAs / GaSb / Type II / InGaAs / Infrared / Cascade laser … もっと見る / InP substrate / AlGaAsSb barrier layer / InGaAs super lattice / Miniband Transition / Super lattice laser / ミニバンド間遷移 / 赤外 / カスケードレーザ / InP基板 / AlGaAsSb障壁層 / InGaAs超格子 / ミニバンド遷移 / 超格子レーザ / doping / MBE with a water cooling System / infrared semiconductor laser / Type II bandstructure / Type I band structure / AlGaSb / InGaSb) / (InAs / quantum well / InGaAsSb / AlGaAsSb / GaSb based infrared laser / TypeII / ドーピング / 超格子 / 水冷式分子線成長法 / 赤外半導体レーザ / multiple reflecting film / diffusion / disorder / surface emitting / strained quantum well / heterostructure / micro laser / 多重反射膜 / 拡散 / ディスオーダ / 面発光 / 歪量子井戸 / ヘテロ構造 / マイクロレーザ … もっと見る
研究代表者以外
4H-SiC / GaN / InGaN / GaP / InP / GaAs / InAs / radiation-resistance / semi-insulating semiconductor / silicon drift detector / X-ray fluorescence / X-ray detector / 耐放射線性 / 半絶縁性半導体 / Silicon Drift Detector / 蛍光X線 / X線検出素子 / Disordered superlattice / Properties of quantum optoelectronics / Self-formed quantum dot / 発光デバイス / 自己形成 / 量子構造 / 光励起発光 / 走査型トンネル顕微鏡 / キャリア局在 / 不規則量子構造 / 自己形成量ドット / InGaN相分離 / プラズマ励起InGaN成長 / プラズマ励起GaN成長 / GaN成長 / GaAs量子構造 / 不規則超格子 / 光量子物性 / 自然形成量子ドット 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  • 研究成果

    (32件)
  • 共同研究者

    (8人)
  •  微量公害物質検出用室温動作・高エネルギーX線検出素子の研究

    • 研究代表者
      松浦 秀治
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      大阪電気通信大学
  •  サブバンド間遷移を用いた3μm帯室温発振赤外半導体レーザ研究代表者

    • 研究代表者
      須崎 渉
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      大阪電気通信大学
  •  室温動作赤外半導体レーザの長波長化に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      須さき 渉 (須崎 渉)
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      大阪電気通信大学
  •  (InGaAl)As多重へテロ構造のディスオーダ化とそのマイクロレーザへの適用研究代表者

    • 研究代表者
      須さき 渉 (須崎 渉)
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      大阪電気通信大学
  •  自己形成不規則量子構造発光デバイスの研究

    • 研究代表者
      佐々木 昭夫
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      大阪電気通信大学
      京都大学

すべて 2006 2005 2004 2003

すべて 雑誌論文

  • [雑誌論文] Carrier lifetime in compressively strained InGaAs quantum well lasers with InGaAsP barrier/waveguide layers grown on GaAs2006

    • 著者名/発表者名
      W.Susaki, S.Ukawa, M.Tanaka
    • 雑誌名

      physica stat.(c) 3

      ページ: 683-687

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] GaAs基板InGaAs圧縮歪量子井戸レーザのキャリヤ再結合寿命2006

    • 著者名/発表者名
      田中将士, 須崎渉
    • 雑誌名

      第53回応用物理学関係連合講演会講演予稿集

      ページ: 1224-1224

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Carrier lifetime in compressively strained InGaAs quantum well lasers with InGaAsP barrier/waveguide layers grown on GaAs2005

    • 著者名/発表者名
      Wataru Susaki, Soichiro Ukawa, Masashi Tanaka
    • 雑誌名

      Extended Abst.t of 32^<nd> International Symposium on Compound Semiconductors, WeP17, Rust, German September, 2005. (to be published in Physica solidus state (a))

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] GaAs基板InGaAs圧縮歪量子井戸レーザのキャリヤ再結合寿命2005

    • 著者名/発表者名
      田中将士, 須崎 渉
    • 雑誌名

      平成17年電気関係学会関西支部連合大会講演論文集

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Spontaneous Recombination lifetime in Compressively Strained InGaAs Quantum Well Lasers with InGaAsP and GaAs Barrier/Waveguide Layers2005

    • 著者名/発表者名
      Masashi Tanaka, Wataru Susaki
    • 雑誌名

      Proc.EXTENDED ABSTRACTS OF THE 24th ELECTRONIC MATERIALS SYMPOSIUM (Matsuyama)

      ページ: 213-216

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] 3μm帯Injectorless Quantum-Cascade Laserの設計2005

    • 著者名/発表者名
      釣田隆弘, 田中将士, 須崎渉
    • 雑誌名

      平成17年電気関係学会関西支部連合大会講演予稿集

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] GaAs基板InGaAs圧縮歪量子井戸レーザーのキャリヤ再結合寿命2005

    • 著者名/発表者名
      田中将士, 須崎渉
    • 雑誌名

      平成17年電気関係学会関西支部連合大会講演予稿集

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] AlInAs/GaInAs/AlAsSb 超格子カスケードレーザ構造の設計2005

    • 著者名/発表者名
      吉見哲生, 田中将士, 釣田隆弘, 須崎渉
    • 雑誌名

      平成17年電気関係学会関西支部連合大会講演論文集

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] 自己励起ラマン散乱法によるサブバンド準位の解析2005

    • 著者名/発表者名
      角田慎一, 釣田隆弘, 宇川聡一郎, 須崎 渉
    • 雑誌名

      平成17年電気関係学会関西支部連合大会講演論文集

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Spontaneous Recombination Lifetime in Complessively Strained InGaAs Quantum Well Lasers with InGaAsP and GaAs Barrier/Waveguide Layers2005

    • 著者名/発表者名
      M.Tanaka, W.Susaki
    • 雑誌名

      Ext.Abs.24th Electronic Materials Symposium

      ページ: 213-216

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] 3μm帯Injectorless Quantum-Cascade Laserの設計2005

    • 著者名/発表者名
      釣田隆弘, 田中将士, 須崎 渉
    • 雑誌名

      平成17年電気関係学会関西支部連合大会講演論文集

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] AlInAs/GaInAs/AlAsSb 超格子カスケードレーザ構造の設計2005

    • 著者名/発表者名
      吉見哲生, 田中将士, 釣田隆弘, 須崎渉
    • 雑誌名

      平成17年電気関係学会関西支部連合大会講演予稿集

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Spontaneous Recombination Lifetime in Complessively Strained InGaAs Quantum Well Lasers with InGaAsP and GaAs Barrier/Waveguide Layers2005

    • 著者名/発表者名
      M.Tanaka, W.Susaki
    • 雑誌名

      Ext. Abs. 24^<th> Electronic Materials Symposium

      ページ: 213-216

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Determination of subband levels of double quantum well AlGaAs lasers by photoreflectance and self-excited electron Raman scattering at 300K2004

    • 著者名/発表者名
      W.Susaki, S.Ukawa, N.Ohno
    • 雑誌名

      Prooc. Sino-Japan Joint Meeting on Optical Science and Electromagnetic Theory(OFSET)

      ページ: 210-213

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Dependence of Band-Offset on Sb Content in AlGaAs/GaAsSb Quantum Wells Grown on GaAs by MBE2004

    • 著者名/発表者名
      K.Hayakawa, T.Natsuhara, Xiang Gao, T.Uetsuji, W.Susaki
    • 雑誌名

      Proc. 31st International Stymposium on Compound Semiconductors

      ページ: 9-12

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] サブバンド間遷移による超格子カスケードレーザの設計〔2〕2004

    • 著者名/発表者名
      釣田隆弘, 百合誠志, 須崎 渉
    • 雑誌名

      平成16年度電気関係学会関西支部連合大会講演論文集

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Determination of subband levels of double quantum well AlGaAs lasers by photoreflectance and self-excited electron Raman scattering2004

    • 著者名/発表者名
      Wataru Susaki, Soichiro Ukawa, Satoshi Yokota, Nobuhito Ohno
    • 雑誌名

      Physica E 21

      ページ: 793-797

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Band-Offset Energy Dependence on Sb Content in AlGaAs/GaAsSb Quantum Wells Grown on GaAs by MBE2004

    • 著者名/発表者名
      W.Susaki, K.Hayakawa, Xiang Gao, T.Natsuhara, T.Uetsuji
    • 雑誌名

      Proc.2004 International Conference on Molecular Beam Epitaxy

      ページ: 27-28

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Dependence of Band-Offset on Sb Content in AlGaAs/GaAsSb Quantum Wells Grown on GaAs by MBE2004

    • 著者名/発表者名
      K.Hayakawa, T.Natsuhara, Xiang Gao, T.Uetsuji, W.Susaki
    • 雑誌名

      Proc.31^<st> International Symposium on Compound Semiconductors

      ページ: 9-12

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Determination of subband levels of double quantum well AlGaAs lasers by photoreflectance and self-excited electron Raman scattering at 300K2004

    • 著者名/発表者名
      W.Susaki, S.Ukawa, N.Ohno
    • 雑誌名

      Proc.Sino-Japan Joint Meeting on Optical Science and Electromagnetic Theory (OFSET)

      ページ: 210-213

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Band-Offset Energy Dependence on Sb Content in AlGaAs/GaAsSb Quantum Wells Grown on GaAs by MBE2004

    • 著者名/発表者名
      W.Susaki, K.Hayakawa, Xiang Gao, T.Natsuhara, T.Uetsuji
    • 雑誌名

      Proc. 2004 International Conference on Molecular Beam Epitaxy

      ページ: 27-28

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Spontaneous Recombination Lifetime in complessively Strained InGaAs and InGaP quantum well lasers grown on GaAs substrates2004

    • 著者名/発表者名
      W.Susaki, T.Ohashi, S.Yuri
    • 雑誌名

      Proc. 31st International Symposium on Compound Semiconductors

      ページ: 95-99

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Spontaneous recombination Lifetime in complessively Strained InGaAs and InGaP quantum well lasers grown on GaAs substrates2004

    • 著者名/発表者名
      W.Susaki, T.Ohashi, S.Yuri
    • 雑誌名

      Proc.31^<st> International Symposium on Compound Semiconductors

      ページ: 95-99

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] サブバンド間遷移による超格子カスケードレーザの設計〔1〕2004

    • 著者名/発表者名
      百合誠志, 釣田隆弘, 須崎 渉
    • 雑誌名

      平成16年度電気関係学会関西支部連合大会講演論文集

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Determination of subband energy levels of double quantum well AlGaAs lasers by photoreflectance and self-excited electron Raman scattering2003

    • 著者名/発表者名
      W.Susaki, S.Ukawa, N.Ohno, H.Takeuchi, Y.Yamamoto, R.Hattori, A.Shima, Y.Mihashi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2003 International Symposium on Compound Semiconductors

      ページ: 157-158

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Determination of subband levels of double quantum well AlGaAs lasers by photoreflectance and self-excited electron Raman scattering2003

    • 著者名/発表者名
      W.Susaki, S.Ukawa, N.Ohno, H.Takeuchi, Y.Yamamoto, R.Hattori, A.Shima, Y.Mihashi
    • 雑誌名

      Ext. Abs. 22nd Electronic Materials Symposium

      ページ: 253-256

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Fabrication of the InGaAsSb/AlGaAs/AlGaAsSb quantum well for the 2μm wavelength lasers by MBE2003

    • 著者名/発表者名
      K.Hamahara, Xiang Gao, M.Segawa, W.Susaki
    • 雑誌名

      Ext.Abs.22nd Electronic Materials Symposium

      ページ: 133-134

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] MBE fabrication of quantum well for 1.3μm GaAsSb/AlGaAs laser on GaAs by substrate temperature control2003

    • 著者名/発表者名
      K.Hayakawa, T.Uetsuji, Xiang Gao, W.Susaki
    • 雑誌名

      Ext.Abs.22nd Electronic Materials Symposium

      ページ: 135-136

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] MBE fabrication of quantum well for 1.3μm GaAsSb/AlGaAs laser on GaAs by substrate temperature control2003

    • 著者名/発表者名
      K.Hayakawa, T.Uetsuji, Xiang Gao, W.Susaki
    • 雑誌名

      Ext.Abs. 22nd Electronic Materials Symposium

      ページ: 135-136

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Determination of subband levels of double quantum well AlGaAs lasers by photoreflectance and self-excited electron Raman scattering2003

    • 著者名/発表者名
      W.Susaki, S.Ukawa, N.Ohno, H.Takeuchi, Y.Yamamoto, R.Hattori, A.Shima, Y.Mihashi
    • 雑誌名

      Ext.Abs.22nd Electronic Materials Symposium

      ページ: 253-256

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Fabrication of the InGaAsSb/AlGaAs/AlGaAsSb quantum well for the 2μm wavelength lasers by MBE2003

    • 著者名/発表者名
      K.Hamahara, Xiang.Gao, M.Segawa, W.Susaki
    • 雑誌名

      Ext. Abs. 22nd Electronic Materials Symposium

      ページ: 133-134

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • [雑誌論文] Determination of subband energy levels of double quantum well AlGaAs lasers by photoreflectance and self-excited electron Raman scattering2003

    • 著者名/発表者名
      W.Susaki, S.Ukawa, N.Ohno, H.Takeuchi, Y.Yamamoto, R.Hattori, A.Shima, Y.Mihashi
    • 雑誌名

      Ext.Abst.2003 International Symposium on Compound Semiconductors

      ページ: 157-158

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360196
  • 1.  松浦 秀治 (60278588)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  佐々木 昭夫 (10025900)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  若原 昭浩 (00230912)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  柴田 登 (90076836)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  大野 宣人 (20194251)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件
  • 6.  富岡 明宏 (10211400)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  谷口 一雄 (50076832)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  早藤 紀生
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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