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大参 宏昌  Ohmi Hiromasa

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00335382
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2024年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授
2022年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授
2021年度: 大阪大学, 工学研究科, 准教授
2016年度 – 2020年度: 大阪大学, 工学研究科, 助教
2013年度 – 2015年度: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 … もっと見る
2013年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教
2012年度: 大阪大学, 工学研究科, 助教
2007年度 – 2011年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教
2009年度 – 2010年度: 大阪大学, 工学研究科, 助教
2005年度 – 2006年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 助手
2002年度 – 2005年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助手
2004年度: 阪大, 工学(系)研究科(研究院), 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
生産工学・加工学 / 小区分18020:加工学および生産工学関連 / 電子・電気材料工学 / 中区分18:材料力学、生産工学、設計工学およびその関連分野
研究代表者以外
生産工学・加工学 / 材料工学およびその関連分野 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
プラズマ / 水素 / シリコン / 特殊加工 / 太陽電池 / 水素プラズマ / ナノ構造 / 精製 / ドライエッチング / エッチング … もっと見る / 表面処理 / 化学輸送法 / 大気圧水素プラズマ / 無反射表面 / 光無反射 / 光無反射表面 / 半導体 / 光反射率 / 無反射 / 反射率制御 / Si / 銅 / エコフレンドリー / 高速 / 高圧 / 化学輸送 / 加工 / 成膜 / 配線 / 金属 / 精密部品加工 / 電子・電気材料 / プラズマ加工 / 材料加工・処理 / ウエハ / ゲッタリング / 欠陥制御 / 製造技術 / ウエハ加工 / 金属級シリコン / 微粒子 / ナノシリコン / ナノ粒子 / 炭素 / バイオマス / ダイヤモンド / プラズマプロセス / 物質変換 / 材料精製 / メタン生成 / マイクロ波 / 機能性炭素膜 / 白炭 / 木質バイオマス / 精製プロセス / ナノマイクロ加工 / ナノワイヤ / PTFE / 大気圧プラズマ / 準大気圧 / 高圧力 / 地球温暖化ガス / VHFプラズマ / フッ素樹脂 / 大気圧 / 混晶半導体 / ガズ分析 / 反応生成種 / SiGe / SiC / シリコン薄膜 … もっと見る
研究代表者以外
大気圧プラズマ / シリコン / エピタキシャル成長 / 太陽電池 / 表面パッシベーション / 大気圧プラズマ酸化 / 大気圧プラズマCVD / プラズマ酸化 / エピタキシャル / 窒化物ナノ構造 / 窒素ラジカル / 窒素プラズマ / インピーダンス整合 / 電磁場シミュレーション / 電子温度 / 電子密度 / InNナノ構造 / nano-imprint / solid phase crystallization / Ge nano-crystal / crystal nucleus / large-grain / glass substrate / Si thin film / polycrystalline Si / 固相結晶化 / 自己組織化 / 核形成 / 結晶核 / Ge微結晶 / ガラス基板 / 大粒径 / 多結晶Si薄膜 / ポーラスSi / 高速成膜 / 多結晶Si / 超薄型Si結晶太陽電池 / 表面再結合 / 界面準位 / Al_2O_3 / ドーピング・エピ技術 / 全低温プロセス / 大気圧プラズマ窒化 / 機能材料 / 薄膜成長 / 半導体プロセス / インライン・エピ技術 / 高速成長 / 低温成長 / 選択成長 / CVD / Al_xGa_<1-x>N / PA-MBE / 紫外光 / レーザ / AlN / 窒化物半導体 隠す
  • 研究課題

    (17件)
  • 研究成果

    (192件)
  • 共同研究者

    (9人)
  •  水素プラズマを用いた極薄結晶シリコン太陽電池のスマート製造プロセスの開発研究代表者

    • 研究代表者
      大参 宏昌
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分18020:加工学および生産工学関連
    • 研究機関
      大阪大学
  •  高圧水素プラズマによる光マネジメント用半導体表面ナノ構造の創成研究代表者

    • 研究代表者
      大参 宏昌
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分18020:加工学および生産工学関連
    • 研究機関
      大阪大学
  •  高密度水素ラジカルを利用した低環境負荷型金属配線形成プロセスの開発研究代表者

    • 研究代表者
      大参 宏昌
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 審査区分
      中区分18:材料力学、生産工学、設計工学およびその関連分野
    • 研究機関
      大阪大学
  •  高密度Nラジカルと金属の反応による窒化物ナノ構造の形成

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2019
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 研究分野
      材料工学およびその関連分野
    • 研究機関
      大阪大学
  •  水素サイクルによるケミカルフリー高品位半導体基板創成プロセスの開発研究代表者

    • 研究代表者
      大参 宏昌
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  非平衡高圧水素プラズマによるシリコン次元変換ソフトプロセスの開発研究代表者

    • 研究代表者
      大参 宏昌
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2016
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  プラズマ・ナノ科学による金属級シリコン原料から高品質ナノワイヤシリコンの直接創成研究代表者

    • 研究代表者
      大参 宏昌
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  木質バイオマスを原料とした工業用高品質ダイヤモンド膜の低温・常圧合成研究代表者

    • 研究代表者
      大参 宏昌
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2014
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  超薄型結晶Si太陽電池の製造を可能とする大気圧プラズマ高速成膜技術の開発

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  大気圧プラズマを用いた機能性界面創生によるSi表面パッシベーション技術の開発

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2010
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  固体フッ素樹脂原料を用いた低環境負荷型バルクシリコン太陽電池表面処理技術の開発研究代表者

    • 研究代表者
      大参 宏昌
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      若手研究(A)
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  大気圧プラズマを用いた全低温半導体プロセスの開発と応用

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2009
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  インライン対応シリコン低温選択エビ技術の開発

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  大気圧水素プラズマと固体原料を用いたIV族混晶半導体薄膜の高能率形成法の開発研究代表者

    • 研究代表者
      大参 宏昌
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  大気圧水素プラズマのみによるシリコン薄膜の形成研究代表者

    • 研究代表者
      大参 宏昌
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2005
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  ガラス基板表面の核形成点制御による大粒径多結晶薄膜形成法の開発

    • 研究代表者
      安武 潔
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      生産工学・加工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  窒化物半導体による紫外光(UV)レーザへの発展

    • 研究代表者
      芳井 熊安
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2004
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      大阪大学

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] 超精密加工と表面科学 -原子レベルの生産技術-「大気圧プラズマ化学輸送法」2014

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌
    • 総ページ数
      9
    • 出版者
      大阪大学出版会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [図書] 超精密加工と表面科学 -原子レベルの生産技術-「大気圧プラズマ化学輸送法」2014

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌 分筆
    • 総ページ数
      9
    • 出版者
      大阪大学出版会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25630027
  • [図書] 改訂版「大気圧プラズマの生成制御と応用技術」第5章第1節"大気圧プラズマCVDによるシリコン薄膜の形成"(監修小駒益弘)2012

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • 出版者
      サイエンス&テクノロジー
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [図書] 大気圧プラズマの生成制御と応用技術(監修 小駒益弘),大気圧プラズマCVD によるシリコン薄膜の形成2012

    • 著者名/発表者名
      安武潔,垣内弘章,大参宏昌
    • 出版者
      サイエンス & テクノロジー, 改訂版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [図書] in Generation and Applications of Atmospheric Pressure Plasmas (eds. M. Kogoma et al.), Preparation of Si-based thin films using atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition2011

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Kakiuchi and H. Ohmi
    • 出版者
      Nova Science Publishers
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [図書] "Preparation of Si-based thin films using atmospheric pressure plasma chemical vapour deposition" in Generation and Applications of Atmospheric Pressure Plasmas Eds : M.Kogoma, M.Kusano, Y.Kusano2011

    • 著者名/発表者名
      Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi
    • 総ページ数
      22
    • 出版者
      Nova Science Publishers, Inc.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [図書] 「大気圧プラズマ基礎と応用」第6章,6.7.3(2),シリコン系CVD2009

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • 総ページ数
      5
    • 出版者
      オーム社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [図書] 大気圧プラズマ基礎と応用(日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会編)2009

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 他
    • 出版者
      オーム社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [図書] 新コーティングのすべて」第2章,2.2(1),大気圧プラズマCVD法-フィルムコーティングのための大気圧・超高周波プラズマ技術-2009

    • 著者名/発表者名
      垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔
    • 総ページ数
      5
    • 出版者
      加工技術研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [図書] "High-Rate and Low-Temperature Film Growth Technology Using Stable Glow Plasma at Atmospheric Pressure"in Trends in Thin Solid Films Research(ed. A. R. Jost)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake
    • 総ページ数
      50
    • 出版者
      Nova Science, New York
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [図書] NY, Trends in Thin Solid Films Research (ed. A. R. Jost), High-rate and low-temperature film growth technology using stable glow plasma at atmospheric pressure2007

    • 著者名/発表者名
      H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake, et. al.
    • 出版者
      Nova Science
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [図書] "High-Rate and Low-Temperature Film Growth Technology Using Stable Glow Plasma at Atmospheric Pressure"in Trends in Thin Solid Films Research (ed. A.R. Jost)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake
    • 出版者
      Nova Science, New York
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [図書] 「システムオンパネルをめざした低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発」第2編 第6章"Ge核を用いたSi薄膜の低温結晶化技術"(監修浦岡行治)2007

    • 著者名/発表者名
      安武 潔, 渡部平司, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 総ページ数
      12
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [図書] システムオンパネルをめざした低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発(第2編 第6章 Ge核を用いたSi薄膜の低温結晶化技術)(監修 浦岡行治)2007

    • 著者名/発表者名
      安武 潔, 渡部平司, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 総ページ数
      11
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [図書] 大気圧プラズマの生成制御と応用技術(2章 第7節 大気圧プラズマCVDによる無機物膜堆積)(監修 小駒益弘)2006

    • 著者名/発表者名
      安武 潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • 総ページ数
      17
    • 出版者
      サイエンス&テクノロジー
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] Shallow Defect Layer Formation as Cu Gettering Layer of Ultra-thin Si Chips Using Moderate-pressure (3.3 kPa) Hydrogen Plasma2023

    • 著者名/発表者名
      Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 133 号: 16

    • DOI

      10.1063/5.0146215

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [雑誌論文] Si nanocone structure fabricated by a relatively high-pressure hydrogen plasma in the range of 3.3 - 27 kPa2022

    • 著者名/発表者名
      Toshimitsu Nomura, Kenta Kimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, and Hiromasa Ohmi
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science & Technology B

      巻: 40 号: 3

    • DOI

      10.1116/6.0001676

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [雑誌論文] Study on silicon removal property and surface smoothing phenomenon by moderate-pressure microwave hydrogen plasma2021

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Kenta Kimoto, Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 129 ページ: 105780-105780

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2021.105780

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [雑誌論文] Significant Improvement of Copper Dry Etching Property of a High-Pressure Hydrogen-Based Plasma by Nitrogen Gas Addition2019

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Jumpei Sato, Yoshiki Shirasu, Tatsuya Hirano, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
    • 雑誌名

      ACS Omega

      巻: 4 号: 2 ページ: 4360-4366

    • DOI

      10.1021/acsomega.8b03163

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18809, KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [雑誌論文] On-site SiH4 generator using hydrogen plasma generated in slit-type narrow gap2018

    • 著者名/発表者名
      N. Takei, F. Shinoda, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
    • 雑誌名

      J. Phys D: Appl. Phys.

      巻: 51 号: 24 ページ: 245203-245203

    • DOI

      10.1088/1361-6463/aac2ae

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [雑誌論文] Efficiency of silane gas generation in high-rate silicon etching by narrow-gap microwave hydrogen plasma2016

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Takeshi Funaki, Hiroaki Kakiuchi and Kiyoshi Yasutake
    • 雑誌名

      J. Physics D: Appl. Phys.

      巻: 49 号: 3 ページ: 035202-035202

    • DOI

      10.1088/0022-3727/49/3/035202

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13848
  • [雑誌論文] Copper dry etching by sub-atmospheric-pressure pure hydrogen glow plasma2016

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Jumpei Sato, Tatsuya Hirano, Yusuke Kubota, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 109 号: 21

    • DOI

      10.1063/1.4967382

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [雑誌論文] Selective deposition of a crystalline Si film by a chemical sputtering process in a high pressure hydrogen plasma2015

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 118 号: 4 ページ: 045301-045301

    • DOI

      10.1063/1.4926849

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [雑誌論文] Atmospheric-pressure low-temperature plasma processes for thin film deposition2014

    • 著者名/発表者名
      H. Kakiuchi, H. Ohmi and K. Yasutake
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. A

      巻: vol.32 (published online 31 October 2013) 号: 3

    • DOI

      10.1116/1.4828369

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [雑誌論文] Interface properties of SiOxNy layer on Si prepared by atmospheric-pressure plasma oxidationnitridation2013

    • 著者名/発表者名
      Z. Zhuo, Y. Sannomiya, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • 雑誌名

      Nanoscale Research Letters

      巻: 8 号: 1 ページ: 201-201

    • DOI

      10.1186/1556-276x-8-201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [雑誌論文] Voltage distribution over capacitively coupled plasma electrode for atmosphericpressure plasma generation2013

    • 著者名/発表者名
      M. Shuto, F. Tomino, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • 雑誌名

      Nanoscale Research Letters

      巻: 8 号: 1 ページ: 202-202

    • DOI

      10.1186/1556-276x-8-202

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [雑誌論文] Formation of SiO2/Si structure with low interface state density by atmospheric-pressure VHF plasma oxidation2012

    • 著者名/発表者名
      Z. Zhuo, Y. Sannomiya, K. Goto, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • 雑誌名

      Current Appl. Phys

      巻: vol.12 ページ: S57-S62

    • DOI

      10.1016/j.cap.2012.04.015

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [雑誌論文] An atomically controlled Si film formation process at low temperatures using atmospheric-pressure VHF plasma2011

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Kakiuchi, H.Ohmi, K.Inagaki, Y.Oshikane, M.Nakano
    • 雑誌名

      J.Phys. : Condens. Matter

      巻: 23 ページ: 1-22

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [雑誌論文] An atomically controlled Si film formation process at low temperatures using atmospheric-pressure VHF plasma2011

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Inagaki, Y. Oshikane and M. Nakano
    • 雑誌名

      J. Phys.: Condens. Matter

      巻: vol.23 号: 39 ページ: 1-22

    • DOI

      10.1088/0953-8984/23/39/394205

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017, KAKENHI-PROJECT-22560110
  • [雑誌論文] Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake2010

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi
    • 雑誌名

      PFC-Free Dry Etching Method for Si Using Narrow-Gap VHF Plasma at Subatmospheric Pressure

      巻: 157

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686014
  • [雑誌論文] PFC-Free Dry Etching Method for Si Using Narrow-Gap VHF Plasma at Subatmospheric Pressure2010

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, azuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
    • 雑誌名

      Journal of The Electrochemical Society 157

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686014
  • [雑誌論文] In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD2009

    • 著者名/発表者名
      T.Ohnishi, Y.Kirihata, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • 雑誌名

      ECS Trans. 25

      ページ: 309-315

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] n situ doped Si selective epitaxial growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2009

    • 著者名/発表者名
      T. Ohnishi, Y. Kirihata, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 雑誌名

      ECS Trans. vol.25

      ページ: 309-315

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] In situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressure plasma CVD2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 雑誌名

      Surf. Interface Anal 40

      ページ: 984-987

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] n situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressure plasma CVD2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 雑誌名

      Surf. Interface Anal. vol.40

      ページ: 984-987

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2008

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • 雑誌名

      Thin Solid Films vol.517

      ページ: 242-244

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] In situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressure plasma CVD2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchia and K. Yasutakea
    • 雑誌名

      Surf. Interface Anal. 40(in press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] SiO_2 Formation by Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si in Atmospheric Pressure Plasma Excited by Very High Frequency Power2008

    • 著者名/発表者名
      H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 47

      ページ: 1884-1888

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] In situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressureplasma CVD2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchia and K. Yasutakea
    • 雑誌名

      Surf. Interface Anal. 40(in press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2008

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517

      ページ: 242-244

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長2007

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 雑誌名

      応用物理 75

      ページ: 1031-1036

    • NAID

      10019855405

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] Photoluminescence Study of Defect-Free Epitaxial Silicon Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition2007

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, N.Tawara, H.Ohmi, Y.Terai, H.Kakiuchi, H.Watanabe, Y.Fujiwara
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46・4B(in press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] Photoluminescence Study of Defect-Free Epitaxial Silicon Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition2007

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, H. Kakiuchi, H. Watanabe and Y.Fujiwara
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 2510-2515

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長2007

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 雑誌名

      応用物理 75

      ページ: 1031-1036

    • NAID

      10019855405

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長2007

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 雑誌名

      応用物理 vol.75

      ページ: 1031-1036

    • NAID

      10019855405

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [雑誌論文] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates (Invited)2006

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
    • 雑誌名

      Meeting Abst. MA 2006-02 Joint Int. Meeting of 210th Meeting of The Electrochemical Society and XXI Congreso de la Sociedad Mexicana de Electroquimica Cancun, Mexico, (2006) #1575.

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Influence of H_2/SiH_4 Ratio on the Deposition Rate and Morphology of Polycrystalline Silicon Films Deposited by Atomospheric Pressure Plasma CVD2006

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakuuchi, Kiyoshi Yasutake, Yasuji Nakahama, Yusuke Ebata, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45・4B(In print)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16760256
  • [雑誌論文] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates2006

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
    • 雑誌名

      ECS Transactions 3巻・8号

      ページ: 215-225

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Fabrication of Polycrystalline Silicon Thin Films on Glass Substrates Using Ge Nano-Islands as Nuclei2006

    • 著者名/発表者名
      K.Minami, C.Yoshimoto, H.Ohmi, T.Shimura, H.Kakiuchi, H.Watanabe, K.Yasutake
    • 雑誌名

      Ext.Abst. of Int.21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 19-29

      ページ: 65-66

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Characterization of high-pressure (200-760 Torr), stable glow plasma of pure hydrogen by measuring etching properties of Si and optical emission spectroscopy2006

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakuuchi, Yoshiki Ogiyama, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake
    • 雑誌名

      The proceedings of the 6th ICRP and 23rd SSP (Matsushima/Sendai)

      ページ: 301-301

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16760256
  • [雑誌論文] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates2006

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
    • 雑誌名

      ECS Transactions 3 [8]

      ページ: 215-225

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates2006

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
    • 雑誌名

      ECS Transactions 3・8

      ページ: 215-225

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Characterization of Epitaxial Si Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Cylindrical Rotary Electrode2006

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Ohmi, H.Kakiuchi, T.Wakamiya, H.Watanabe
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45・4B

      ページ: 3592-3597

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] Low-Temperature Growth of Epitaxial Si Films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Porous Carbon Electrode2006

    • 著者名/発表者名
      H.Ohmi, H.Kakiuchi, N.Tawara, T.Wakamiya, T.Shimura, H.Watanabe, K.Yasutake
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45・10B

      ページ: 8424-8429

    • NAID

      10018340085

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [雑誌論文] Low-temperature crystallization of amorphous silicon by atmospheric pressure plasma treatment in H_2/He or H_2/Ar mixtures2006

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakuuchi, Kenichi Nishijima, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake
    • 雑誌名

      The proceedings of the 6th ICRP and 23rd SSP (Matsushima/Sendai)

      ページ: 67-67

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16760256
  • [雑誌論文] Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films2004

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi, S.Koyama, D.Nakajima, K.Minami
    • 雑誌名

      Proceedings of Thin Film Materials & Devices Meeting

      ページ: 19-24

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching2004

    • 著者名/発表者名
      K.YASUTAKE, H.OHMI, H.KAKIUCHI, H.WATANABE, K.YOSHII, Y.MORI
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 43・12A

    • NAID

      10015473490

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching2004

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Ohmi, H.Kakiuchi, H.Watanabe, K.Yoshii, Y.Mori
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43 [12A]

    • NAID

      10015473490

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films2004

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi, S.Koyama, D.Nakajima, K.Minami
    • 雑誌名

      Proc. Thin Film Materials & Devices Meeting

      ページ: 19-24

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films2004

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi, S.Koyama, D.Nakajima, K.Minami
    • 雑誌名

      Proc. Thin Film Materials & Devices Meeting (2004)

      ページ: 19-24

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [雑誌論文] Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching2004

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Ohmi, H.Kakiuchi, H.Watanabe, K.Yoshii, Y.Mori
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. (2004) 43巻・12A号

    • NAID

      10015473490

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [産業財産権] エッチング装置及びエッチング方法2016

    • 発明者名
      大参宏昌、久保田 雄介
    • 権利者名
      東京エレクトロン、大阪大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-220048
    • 出願年月日
      2016-11-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [産業財産権] 成膜方法および成膜装置2013

    • 発明者名
      大参宏昌
    • 権利者名
      大阪大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-215103
    • 出願年月日
      2013-10-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [産業財産権] 大気圧水素プラズマを用いた膜製造法,精製膜製造方法及び装置2006

    • 発明者名
      大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
    • 権利者名
      大阪大学,関西TLO
    • 出願年月日
      2006-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18760235
  • [産業財産権] 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法及び装置2005

    • 発明者名
      大参宏昌
    • 権利者名
      大阪大学, 関西TLO
    • 産業財産権番号
      2005-311934
    • 出願年月日
      2005-10-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16760256
  • [学会発表] マイクロ波水素プラズマによるシリコンナノコーン形成における窒素および水蒸気添加の影響2023

    • 著者名/発表者名
      多村 尚起, 野村 俊光, 垣内 弘章, 大参 宏昌
    • 学会等名
      2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] 高密度中圧プラズマを用いた極薄シリコンウエハ用ゲッタリング層の形成とその特性評価2022

    • 著者名/発表者名
      野村俊光,垣内弘章,安武 潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2022年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] The impact of air feeding on silicon surface nanostructure formation bymoderate-pressure hydrogen plasma2022

    • 著者名/発表者名
      T. Nomura, N. Tamura, H. Kakiuchi, H. Ohmi
    • 学会等名
      ICPE2022
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] 中圧水素プラズマを用いたシリコンナノコーン形成プロセスに与える水素ガス中不純物の影響2022

    • 著者名/発表者名
      多村尚起,野村俊光,垣内弘章,大参宏昌
    • 学会等名
      2022年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] Effects of minor addition of N2/O2 impurities on silicon nanostructureformation behavior in hydrogen plasma process2022

    • 著者名/発表者名
      Toshimitsu Nomura, Naoki Tamura, Ken Sakamoto, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi
    • 学会等名
      GEC 2022/ICRP-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] 高圧水素プラズマ誘起ナノポーラス化銀表面のプラズモン特性評価2021

    • 著者名/発表者名
      関戸 拓郎、安東 卓洋、垣内 弘章、安武 潔、大参 宏昌
    • 学会等名
      2021年度精密工学会春季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18809
  • [学会発表] 水素プラズマにより形成したナノコーン構造シリコン表面の光反射特性2021

    • 著者名/発表者名
      野村 俊光, 多村 尚起, 垣内 弘章, 大参 宏昌
    • 学会等名
      2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] 中圧水素プラズマによるシリコン表面ナノコーン構造の創成2021

    • 著者名/発表者名
      野村俊光、木元健太、垣内弘章、安武潔、大参宏昌
    • 学会等名
      2021年度精密工学会春季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] 中圧水素プラズマによるナノポーラス銀表面の創成2021

    • 著者名/発表者名
      関戸 拓郎、安東 卓洋、垣内 弘章、安武 潔、大参 宏昌
    • 学会等名
      2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18809
  • [学会発表] 高密度中圧水素プラズマを用いたシリコン表面ナノコーンの作製と反射特性評価2021

    • 著者名/発表者名
      多村尚起,野村俊光,垣内弘章,大参宏昌
    • 学会等名
      2021年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] 中圧水素プラズマを用いた高アスペクト比シリコンナノコーンの形成2021

    • 著者名/発表者名
      野村 俊光、木元 健太、垣内 弘章、安武 潔、大参 宏昌
    • 学会等名
      2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] 高密度中圧水素プラズマを用いたシリコンナノコーン創成-結晶面方位とナノ構造の相関-2021

    • 著者名/発表者名
      多村尚起,野村俊光,垣内弘章,大参宏昌
    • 学会等名
      2021年度 精密工学会関西地方定期学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] 高圧水素プラズマ誘起ナノポーラス化銀表面の光学特性評価2021

    • 著者名/発表者名
      安東 卓洋、関戸 拓郎、垣内 弘章、安武 潔、大参 宏昌
    • 学会等名
      2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18809
  • [学会発表] 高密度水素プラズマ曝露による銀表面のナノポーラス化挙動の観察2021

    • 著者名/発表者名
      関戸 拓郎、安東 卓洋、垣内 弘章、安武 潔、大参 宏昌
    • 学会等名
      2021年度精密工学会春季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18809
  • [学会発表] ユビキタスガス添加水素プラズマ化学輸送法による銅薄膜の形成2020

    • 著者名/発表者名
      関戸拓郎,安東卓洋,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2020年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18809
  • [学会発表] Surface nanostructuring of silicon by intermediate-pressure hydrogen plasma treatment2020

    • 著者名/発表者名
      Toshimitsu Nomura, Kenta Kimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Precision Engineering (ICPE2020)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] 電磁場シミュレーションを用いた大気圧プラズマパラメータの解析―不均一密度モデルによる解析―2020

    • 著者名/発表者名
      新田健,吉田和史,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2020年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] 高圧水素プラズマによる極薄ゲッタリング層の形成2020

    • 著者名/発表者名
      野村 俊光、木元 健太、垣内 弘章、安武 潔、大参 宏昌
    • 学会等名
      2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [学会発表] 水蒸気添加水素プラズマによる金属銅の高速ドライエッチング2019

    • 著者名/発表者名
      白數佳紀,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2018年度 精密工学会秋季大会学術講演会(2018年9月5日-7日,函館アリーナ)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18809
  • [学会発表] 水蒸気添加水素プラズマによる金属銅のドライエッチング2019

    • 著者名/発表者名
      白數佳紀,安東卓洋,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会(2019年3月9日-12日,東京工業大学)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18809
  • [学会発表] 高圧水素プラズマを用いた機能材料の成膜・加工プロセス2019

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌
    • 学会等名
      2019年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18809
  • [学会発表] 結晶Si膜の低温形成に向けたSiH4ガスのプラズマ改質2019

    • 著者名/発表者名
      浜中恵一,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会(2019年3月9日-12日,東京工業大学)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 水素ベース高圧プラズマを用いた金属の化学加工法の開発2019

    • 著者名/発表者名
      安東卓洋,白數佳紀,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2019年度 精密工学会春季大会学術講演会(2019年3月13日-15日,東京電気大学)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18809
  • [学会発表] 電磁場シミュレーションを用いた大気圧プラズマパラメータの解析-シース厚さを含めた高精度解析-2019

    • 著者名/発表者名
      吉田和史,新田健,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2019年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] マイクロ波プラズマを用いたSiH4ガスの改質特性2019

    • 著者名/発表者名
      浜中恵一,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2019年度 精密工学会春季大会学術講演会(2019年3月13日-15日,東京電気大学)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 電磁場シミュレーションによるシースを考慮したプラズマパラメータ解析2019

    • 著者名/発表者名
      吉田和史,新田健,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      精密工学会2019年度関西地方定期学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] 電磁場シミュレーションを用いた大気圧プラズマパラメータの解析2018

    • 著者名/発表者名
      吉田和史,田中恭輔,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2018年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] Copper dry etching using a high-pressure plasma with non-toxic gas2018

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi,Yoshiki Shirasu, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
    • 学会等名
      The 17th Joint Vacuum Conference (JVC-17), Olomouc, Czech Republic
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18809
  • [学会発表] 大気圧プラズマ装置の電磁場シミュレーションとプラズマパラメータ解析―酸化プラズマパラメータと酸化膜特性の関係―2018

    • 著者名/発表者名
      田中恭輔,吉田和史,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2018年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] Copper dry etching using a high-pressure plasma with non-toxic gas2018

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi,Yoshiki Shirasu, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
    • 学会等名
      The 17th Joint Vacuum Conference (JVC-17), Olomouc, Czech Republic
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 添加ガスによる高圧水素プラズマを用いた銅ドライエッチングの特性改善2018

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌,佐藤純平,白数佳紀,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2018年度 精密工学会春季大会学術講演会(2018年3月15日-17日,中央大学)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 高圧水素プラズマによるSi表面の欠陥制御法の検討2018

    • 著者名/発表者名
      木元健太,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2018年度 精密工学会秋季大会学術講演会(函館アリーナ)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 高圧水素プラズマを用いたケミカルフリーなSiウエハ薄化プロセスの開発―プロセス雰囲気中不純物の影響―2018

    • 著者名/発表者名
      木元健太,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2018年度 精密工学会春季大会学術講演会(2018年3月15日-17日,中央大学)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] マイクロ波水素プラズマを用いたオンサイトシラン生成器の開発とその応用2018

    • 著者名/発表者名
      武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会(早稲田大学)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 大気圧プラズマ装置の電磁場シミュレーションとプラズマパラメータ解析 ―ヘリウム及びヘリウム酸素混合プラズマの内部パラメータ比較―2018

    • 著者名/発表者名
      田中恭輔,吉田和史,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      精密工学会2018年度関西地方定期学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] 高圧水素プラズマによるSi薄化プロセスの開発(I)2017

    • 著者名/発表者名
      木元健太,武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会(2017年9月5日-8日,福岡国際会議場)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 水素プラズマを用いた銅ドライエッチングにおける添加ガス効果2017

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌,佐藤純平,久保田雄介,平野達也,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会(2017年9月5日-8日,福岡国際会議場)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] Siウエハ薄化プロセスに向けた高密度水素プラズマエッチング技術の開発2017

    • 著者名/発表者名
      木元健太,武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2017年度 精密工学会秋季大会学術講演会(2017年9月20日-22日,大阪大学)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 大気圧プラズマ装置の電磁場シミュレーションとプラズマパラメータ解析2017

    • 著者名/発表者名
      田中恭輔,吉田和史,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2017年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] 電磁場解析によるマイクロ波プラズマの電子密度算出手法の開発2017

    • 著者名/発表者名
      吉田和史,田中恭輔,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      精密工学会2017年度関西地方定期学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [学会発表] 高密度水素プラズマによるオンサイト生成シランを用いたシリコンエピ成長とドーピング2017

    • 著者名/発表者名
      武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会(2017年9月5日-8日,福岡国際会議場)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 狭ギャップ水素プラズマを用いたオンサイト生成SiH4によるシリコンエピ成長2017

    • 著者名/発表者名
      武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2017年度 精密工学会秋季大会学術講演会(2017年9月20日-22日,大阪大学)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] High-Rate Etching of Copper By High-Pressure Hydrogen-Based Plasma2017

    • 著者名/発表者名
      H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake, and Y. Kubota
    • 学会等名
      231st ECS Meeting (May 28-June 1, 2017 New Orieans, LA, USA)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] Toxic chemical-free Si etching by narrow gap hydrogen plasma toward Si wafer thinning process.2017

    • 著者名/発表者名
      H. Ohmi, N. Takei, K. Kimoto, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 学会等名
      CIP MIATEC 2017 (June 26-30, 2017 Nice, France)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] On-site SiH4 generation using high-density microwave H2 plasma generated in narrow slit-type discharge gap2016

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, F. Shinoda, N. Takei, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 学会等名
      16th Joint Vacuum Conference (JVC-16) and 14th European Vacuum Conference (EVC-14)
    • 発表場所
      Portoroz, Slovenia
    • 年月日
      2016-06-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13848
  • [学会発表] スリット型狭ギャッププラズマ源を用いたオンサイトSiH4生成2016

    • 著者名/発表者名
      武居則久,篠田史也,垣内弘章,安武 潔,大参宏昌
    • 学会等名
      精密工学会2016年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      株式会社島津製作所
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13848
  • [学会発表] 水素のみを用いた銅のプラズマエッチング技術の開発2016

    • 著者名/発表者名
      平野達也,佐藤純平,垣内弘章,安武潔,久保田雄介,大参宏昌
    • 学会等名
      2016年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      茨城大学 (茨城県・水戸市)
    • 年月日
      2016-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 狭ギャップ高密度水素プラズマによるオンサイトSiH4生成装置を用いたシリコンエピ成長2016

    • 著者名/発表者名
      武居則久,篠田史也,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ (新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [学会発表] 高圧水素プラズマによる液体金属の超高速蒸発と多孔質金属膜の形成2015

    • 著者名/発表者名
      平野達也,垣内弘章, 安武潔, 大参宏昌
    • 学会等名
      第71回マテルアルズ・テーラリング研究会
    • 発表場所
      軽井沢研修所
    • 年月日
      2015-08-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13848
  • [学会発表] 狭ギャップ高密度水素プラズマを用いたオンサイトSiH4生成装置の開発2015

    • 著者名/発表者名
      篠田史也,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      第76回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13848
  • [学会発表] 高圧水素プラズマ化学輸送法によるシリコンナノワイヤ形成における金属触媒の影響2015

    • 著者名/発表者名
      竹本啓輝,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      第76回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 準大気圧雰囲気での水素プラズマ化学輸送法を用いたシリコンナノワイヤの形成2015

    • 著者名/発表者名
      竹本啓輝,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      精密工学会 2015年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      京都工芸繊維大学
    • 年月日
      2015-06-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] Impact of catalytic metal element on silicon nanowire growth by high-pressure hydrogen plasma chemical transport2015

    • 著者名/発表者名
      H. Takemoto, Y. Ishikawa, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
    • 学会等名
      TACT 2015 International Thin Films Conference
    • 発表場所
      National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan
    • 年月日
      2015-11-15
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] High-rate metal evaporation induced by high-pressure hydrogen glow discharge plasma and its application to formation of metallic fine particle and porous film2015

    • 著者名/発表者名
      H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
    • 学会等名
      TACT 2015 International Thin Films Conference
    • 発表場所
      National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan
    • 年月日
      2015-11-15
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13848
  • [学会発表] Nucleation for Si film selective growth using GeO2 solution and high-pressure plasma2015

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Akihiro Goto, Yuji Onoshita, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
    • 学会等名
      20th international colloquium of plasma processes
    • 発表場所
      Saint-Etienne, France
    • 年月日
      2015-06-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 高圧水素プラズマによる液体金属の蒸発促進と金属膜の超高速形成2014

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2014年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] Development of Open Air Plasma Oxidation Process for Crystalline Si Solar Cells2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • 学会等名
      International Workshop on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      大阪大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 水素プラズマ化学輸送法によるシリコンナノワイヤ成長2014

    • 著者名/発表者名
      石川祥博,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      2014年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 大気圧プラズマ酸化によるAlOx/SiO2/Siスタック構造の形成と評価2014

    • 著者名/発表者名
      藤原裕平,金谷優樹,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2014年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      東京大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 水溶性Geを用いたプリンタブル核形成処理による選択的Si膜形成技術の開発2013

    • 著者名/発表者名
      石川祥博,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      精密工学会 2013年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      大阪
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] Printable formation of Ge film using a GeO2 solution by high-pressure hydrogen plasma reduction treatment2013

    • 著者名/発表者名
      H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 学会等名
      TACT 2013 International Thin Films Conference
    • 発表場所
      Taipei,Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 大気開放プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーョン技術の開発2013

    • 著者名/発表者名
      藤原裕平,金谷優樹,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2013年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      関西大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] selective formation of silicon film by chemical transport technique using a high-pressure narrow-gap hydrogen plasma2013

    • 著者名/発表者名
      H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 学会等名
      19th International Vacuum Congress IVC-19
    • 発表場所
      Paris, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] Atmospheric Pressure Plasma Processing for Si Photovoltaics2012

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, T. Yamada and H. Kakiuchi
    • 学会等名
      2012 Kyrgyz-Japan Solar Energy Workshop
    • 発表場所
      Bishkek (Kyrgyz)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] エピタキシャルSi太陽電池形成のための大気圧プラズマCVD技術の開発2012

    • 著者名/発表者名
      金谷優樹, 後藤一磨, 三宮佑太, 卓澤騰, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2012年度精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      首都大学東京
    • 年月日
      2012-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 大気圧VHFプラズマによるシリコン表面パッシベーションプロセスの開発2012

    • 著者名/発表者名
      三宮佑太, 後藤一磨, 卓澤騰, 金谷優樹, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] エピタキシャルSi 太陽電池形成のための大気圧プラズマCVD 技術の開発2012

    • 著者名/発表者名
      金谷優樹,後藤一磨,三宮佑太,卓澤騰,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      2012年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      首都大学東京
    • 年月日
      2012-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 高圧プラズマ固体ソースエッチング法におけるプラズマ励起周波数の影響2012

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌、梅原弘毅、垣内弘章、安武潔
    • 学会等名
      2012年度精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      首都大学東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686014
  • [学会発表] Surface passivation of Si by atmospheric-pressure plasma oxidation at low temperatures2012

    • 著者名/発表者名
      卓澤騰, 三宮佑太, 後藤一磨, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2012年度精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      首都大学東京
    • 年月日
      2012-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Atmospheric Pressure Plasma Processes for Preparation of Si-Based Thin Films2012

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi
    • 学会等名
      59th AVS International Symposium
    • 発表場所
      Tampa (USA)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Si Surface Passivation2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Sannnomiya, K.Goto, ZT.Zhuo, Y.Kanetani, T.Yamada, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • 学会等名
      15th International Conference on Thin Films
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2011-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] エッチャント原料ガスフリーなプラズマエッチング法による太陽電池用シリコン基板の表面改質特性2011

    • 著者名/発表者名
      梅原弘毅、垣内弘章、安武潔、大参宏昌
    • 学会等名
      2011年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      金沢大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686014
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Efficient Formation of Functional Thin Films at Low-Temperatures2011

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Ohmi, T.Yamada, H.Kakiuchi
    • 学会等名
      4th Int.Symp.on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2011-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Formation of SiO_xN_y Films for Passivation of Si Surfaces by Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation2011

    • 著者名/発表者名
      ZT.Zhuo, K.Goto, Y.Sannomiya, Y.Kanetani, T.Yamada, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • 学会等名
      4th Int.Symp.on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2011-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Surface treatment for crystalline Si solar cell using a solid source high-pressure plasma etching method : texturing and affected layer removal2011

    • 著者名/発表者名
      H.Ohmi, K.Umehara, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • 学会等名
      18th International Colloquium on Plasma Processes (CIP2011)
    • 発表場所
      Nantes, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686014
  • [学会発表] Surface treatment for crystalline Si solar cell using a solid source high-pressure plasma etching method : texturing and affected layer removal2011

    • 著者名/発表者名
      H. Ohmi, K. Umehara, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 学会等名
      18th International Colloquium on Plasma Processes(CIP2011)
    • 発表場所
      Nantes, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686014
  • [学会発表] 大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発2011

    • 著者名/発表者名
      後藤一磨, 卓澤騰, 三宮佑太, 金谷優樹, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2011年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      金沢大学
    • 年月日
      2011-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 大気圧近傍でのプラズマ化学輸送を利用したシリコン材料プロセス2011

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌
    • 学会等名
      2011年春季応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(厚木)(招待講演)
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686014
  • [学会発表] Surface Passivation of N-type Si surfaces using SiO_2 grown by of Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Processing2011

    • 著者名/発表者名
      卓澤騰, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔, 他3名
    • 学会等名
      2011年度精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      講演論文集A66東洋大学(東京)
    • 年月日
      2011-03-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [学会発表] シリコン太陽電池製造に向けたPFCガスフリーな大気圧ドライエッチング技術の開発2011

    • 著者名/発表者名
      梅原弘毅、垣内弘章、安武潔、大参宏昌
    • 学会等名
      2011年度精密工学会春季大会
    • 発表場所
      東洋大学(東京)
    • 年月日
      2011-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686014
  • [学会発表] 大気圧プラズマを用いたシリコン表面パッシベーションプロセスの開発2011

    • 著者名/発表者名
      三宮佑太, 後藤一磨, 卓澤騰, 金谷優樹, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      精密工学会2011年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      兵庫県立大学
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 大気圧近傍でのプラズマ化学輸送を利用したシリコン材料プロセス2011

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌
    • 学会等名
      2011年春季応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(厚木)
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686014
  • [学会発表] 大気圧プラズマを用いたSi薄膜形成2010

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 大参宏昌, 山田高寛, 垣内弘章
    • 学会等名
      日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会第98回研究会「高速・高品質化を実現する先端プラズマ技術(シリコン薄膜形成)」
    • 発表場所
      弘済会館(東京)
    • 年月日
      2010-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Passivation of Si Surface2010

    • 著者名/発表者名
      Z.T.Zhuo, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake, 他3名
    • 学会等名
      63rd Gaseous Electronics Conf.and 7th Int.Conf on Reactive Plasmas
    • 発表場所
      Maison de la Chimie (Paris)
    • 年月日
      2010-10-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Passivation of Si Surface2010

    • 著者名/発表者名
      Z.T.Zhuo, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake, 他2名
    • 学会等名
      精密工学会2010年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      京都大学(京都)
    • 年月日
      2010-05-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [学会発表] Development of Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Surface Passivation of Si2010

    • 著者名/発表者名
      Z.T.Zhuo, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake, 他3名
    • 学会等名
      3rd Int.Symp.on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      大阪大学中之島センター(大阪)
    • 年月日
      2010-11-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [学会発表] 大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション膜の形成2010

    • 著者名/発表者名
      後藤一磨, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔, 他3名
    • 学会等名
      2010年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋)
    • 年月日
      2010-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [学会発表] 大気圧プラズマを用いたSi 薄膜形成2010

    • 著者名/発表者名
      安武潔,大参宏昌,山田髙寛,垣内弘章
    • 学会等名
      日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会第98回研究会「高速・高品質化を実現する先端プラズマ技術 (シリコン薄膜形成)
    • 発表場所
      弘済会館(東京)
    • 年月日
      2010-09-10
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法によるSi選択エピタキシャル成長2009

    • 著者名/発表者名
      大西崇之, 桐畑豊, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      精密工学会春季大会学術講演会
    • 発表場所
      中央大学(東京)
    • 年月日
      2009-03-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] New Formation Process of Solar-Grade Si Material Based on Atmospheric-Pressure Plasma Science2009

    • 著者名/発表者名
      K.Yasutake, H.Ohmi, K.Inagaki, H.Kakiuchi
    • 学会等名
      2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      大阪大学中之島会館(大阪市)
    • 年月日
      2009-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD2009

    • 著者名/発表者名
      T.Ohnishi, Y.Kirihata, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • 学会等名
      216th ECS meeting CVD-XVII & EUROCVD-17
    • 発表場所
      Austria Center Vienna(オーストリア、ウィーン)
    • 年月日
      2009-10-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric-Pressure Plasma CVD2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, T. Ohnishi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • 学会等名
      1^<st> Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology -Surface and Thin Film Processing-
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2009-02-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] (招待講演)大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の低温形成2009

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 学会等名
      2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会第44回応用物理学会スクール「安価,簡単,便利~大気圧プラズマの基礎と応用~」
    • 発表場所
      筑波大学(筑波市)
    • 年月日
      2009-04-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVDによる低温in situドープSi選択エピタキシャル成長に関する研究2009

    • 著者名/発表者名
      大西崇之, 後藤一磨, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      精密工学会 2009年度関西地方学術講演会
    • 発表場所
      千里ライフサイエンスセンター(豊中市)
    • 年月日
      2009-05-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマ化学輸送法を用いたドライエッチング技術の開発2009

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌、垣内弘章、安武潔
    • 学会等名
      2009年度精密工学会秋季大会
    • 発表場所
      神戸大学
    • 年月日
      2009-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686014
  • [学会発表] Low-Temperature Si Epitaxial Growth by Atmospheric-Pressure Plasma CVD2009

    • 著者名/発表者名
      T.Ohnishi, K.Goto, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • 学会等名
      2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      大阪大学中之島会館(大阪市)
    • 年月日
      2009-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Efficient Formation of Si Thin Films at Low Temperatures2009

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, H. Kakiuchi
    • 学会等名
      1^<st> Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology -Surface and Thin Film Processing-
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2009-02-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の低温形成2009

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 学会等名
      第44回応用物理学会スクール「安価, 簡単, 便利~大気圧プラズマの基礎と応用~」
    • 発表場所
      筑波大学(筑波市)(招待講演)
    • 年月日
      2009-04-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマ化学輸送法を用いたドライエッチング技術の開発2009

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2009年度精密工学会秋季大会
    • 発表場所
      神戸大学(神戸市)
    • 年月日
      2009-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21686014
  • [学会発表] 大気圧プラズマプロセスによるSi系薄膜の低温形成2008

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • 学会等名
      応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会 第2回プラズマ新領域研究会
    • 発表場所
      広島大学
    • 年月日
      2008-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の形成2008

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • 学会等名
      日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会第87回研究会
    • 発表場所
      ホテル明山荘(蒲郡市)(招待講演)
    • 年月日
      2008-07-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法による低温in situドープSi選択エピタキシャル成長2008

    • 著者名/発表者名
      桐畑豊, 大西崇之, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(愛知)
    • 年月日
      2008-09-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の形成2008

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • 学会等名
      日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会第87回研究会
    • 発表場所
      ホテル明山荘(愛知)
    • 年月日
      2008-07-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Marseille, France
    • 年月日
      2007-05-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Fabrication of Si and SiO_2 Thin Films at Low-Temperatures (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • 学会等名
      第18回日本MRS学術シンポジウム
    • 発表場所
      日本大学(駿河台)
    • 年月日
      2007-12-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVDによる高品質エピタキシャルSiの低温成長2007

    • 著者名/発表者名
      桐畑豊, 野村徹, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      精密工学会2007年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      大阪産業大学(大東市)
    • 年月日
      2007-08-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [学会発表] Preparation of Si1・xGex and SiC Compound Films by Atmospheric-pressure Plasma Enhanced Chemical Transport2007

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa OHMI, Yoshinori HAMAOKA, Daiki KAMADA, BLLroaki KAKIUCHI and Kisyohi YASUTAKE
    • 学会等名
      The 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
    • 発表場所
      Milan,Ltaly
    • 年月日
      2007-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18760235
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Fabrication of Si and SiO_2 Thin Films at Low-Temperatures (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • 学会等名
      第18回日本MRS学術シンポジウム
    • 発表場所
      日本大学(駿河台)
    • 年月日
      2007-12-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法による高品質Siエピタキシャル膜の低温成長2007

    • 著者名/発表者名
      桐畑豊, 田原直剛, 大参宏昌, 垣内弘章, 渡部平司, 安武潔
    • 学会等名
      2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原)
    • 年月日
      2007-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法で低温成長したエピタキシャルSi薄膜の電気特性評価2007

    • 著者名/発表者名
      桐畑豊, 野村徹, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2007年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      旭川市ときわ市民ホール
    • 年月日
      2007-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [学会発表] In situ B doped Si Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • 学会等名
      Int. 21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 2007
    • 発表場所
      大阪大学(吹田)
    • 年月日
      2007-10-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [学会発表] In situ B doped Si Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • 学会等名
      Int. 21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 2007
    • 発表場所
      大阪大学(吹田)
    • 年月日
      2007-10-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] Characterization of epitaxial Si films grown at low-temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, N. Tawara, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007
    • 発表場所
      マルセイユ
    • 年月日
      2007-05-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [学会発表] Atmospheric-pressure plasma processes for fabrication of Si and SiO2 thin films at low-temperatures2007

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, H. Kakiuchi
    • 学会等名
      第18回日本MRS学術シンポジウム
    • 発表場所
      日本大学(千代田区)(招待講演)
    • 年月日
      2007-12-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVD法で低温成長したエピタキシャルSi薄膜の電気特性評価2007

    • 著者名/発表者名
      桐畑豊, 野村徹, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      2007年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • 発表場所
      旭川市ときわ市民ホール
    • 年月日
      2007-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 大気圧プラズマCVDによる高品質エピタキシャルSiの低温成長2007

    • 著者名/発表者名
      桐畑豊, 野村徹, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • 学会等名
      精密工学会 2007年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      大阪産業大学(大東市)
    • 年月日
      2007-08-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007
    • 発表場所
      マルセイユ
    • 年月日
      2007-05-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [学会発表] Characterization of epitaxial Si films grown at low-temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kirihata, N. Tawara, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007
    • 発表場所
      マルセイユ
    • 年月日
      2007-05-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • 著者名/発表者名
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007
    • 発表場所
      マルセイユ
    • 年月日
      2007-05-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [学会発表] 低純度Si精製に向けたジボラン(B2H6)選択除去手法の開発とその特性評価

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 薄型結晶Si太陽電池のための大気開放プラズマ酸化プロセスの開発

    • 著者名/発表者名
      藤原裕平,金谷優樹,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      精密工学会 2013年度関西地方定期学術講演会
    • 発表場所
      大阪工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [学会発表] 大気圧近傍の非平衡水素プラズマを用いた材料変換プロセスの開発

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌
    • 学会等名
      第68回マテルアルズ・テーラリング研究会
    • 発表場所
      軽井沢研修センタ-
    • 年月日
      2014-07-24 – 2014-07-26
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25630027
  • [学会発表] 水素プラズマによる固体炭素源からの炭化水素ガスの生成特性とSiC薄膜形成への応用

    • 著者名/発表者名
      篠田史也,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • 学会等名
      第68回マテリアルズ・テーラリング研究会
    • 発表場所
      軽井沢研修センタ-
    • 年月日
      2014-07-24 – 2014-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25630027
  • [学会発表] Boron Elimination Filter from SiH4 and B2H6 Gas Mixture for Purification of Metallurgical Si

    • 著者名/発表者名
      H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
    • 学会等名
      225th ECS Meeting
    • 発表場所
      Orlando, FL, USA
    • 年月日
      2014-05-11 – 2014-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 大気圧近傍の非平衡水素プラズマを用いた材料変換プロセスの開発

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌
    • 学会等名
      第68回マテルアルズ・テーラリング研究会
    • 発表場所
      軽井沢研修所
    • 年月日
      2014-07-24 – 2014-07-26
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] SiH4 conversion rate in Si etching reaction induced by high-pressure hydrogen plasma

    • 著者名/発表者名
      Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
    • 学会等名
      13th European Vacuum Conference
    • 発表場所
      Aveiro, Portugal
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [学会発表] 水素プラズマによる金属の蒸発促進と高速成膜への応用

    • 著者名/発表者名
      大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • 学会等名
      第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • 1.  安武 潔 (80166503)
    共同の研究課題数: 10件
    共同の研究成果数: 143件
  • 2.  垣内 弘章 (10233660)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 77件
  • 3.  渡部 平司 (90379115)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 13件
  • 4.  志村 考功 (90252600)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  芳井 熊安 (30029152)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  篠田 史也
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 7.  平野 達也
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 8.  武居 則久
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 9.  志村 孝功
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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