熊倉一英クマクラカズヒデ

研究者番号	00393736
その他のID	https://orcid.org/0000-0002-3606-0596
所属 (現在)	2025年度: 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 特任教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度 – 2018年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 特別研究員 2014年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 2013年度: 日本電信電話株式会社ＮＴＴ物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員
審査区分/研究分野	研究代表者以外結晶工学
キーワード	研究代表者以外窒化物半導体 / 半導体物性 / 結晶成長 / 電子デバイス / 光デバイス / 量子井戸 / エピタキシャル成長 / 紫外 / 発光デバイス

窒化物半導体ステップフリー面を利用した新規分子層エピタキシ
- 研究代表者
  
  赤坂哲也
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
AlN系へテロ構造の結晶成長と紫外発光デバイス応用に関する研究
- 研究代表者
  
  谷保芳孝
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

すべて 2018 2017 2016 2015

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] 窒化物半導体/ダイヤモンドヘテロ構造の成長とその応用2016
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝, 嘉数誠, 山本秀樹, 熊倉一英
- 雑誌名
  
  NEW DIAMOND
  
  巻: 122 ページ: 2-9
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[雑誌論文] イオンビームアシストMBE法による立方晶BN(c-BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、山本秀樹、熊倉一英
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 85 ページ: 306-310
- NAID
  130007715307
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[雑誌論文] 無極性AlN系深紫外LEDの進展と展望2015
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、奥村宏典、西中淳一、熊倉一英、山本秀樹
- 雑誌名
  
  OPTRONICS
  
  巻: 11 ページ: 120-124
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 窒素極性InN(000-1)ダブルヘテロ構造のMOVPE成長2018
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也，Monika Schied，熊倉一英
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03862
[学会発表] m面AlN基板上に成長したAlGaNのSiドーピングによる格子緩和抑制2017
- 著者名/発表者名
  西中淳一, 谷保芳孝, 熊倉一英
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 立方晶窒化ホウ素(c -BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹, 熊倉一英
- 学会等名
  日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会・第98回研究会
- 発表場所
  主婦会館プラザエフ（東京都千代田区）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 無極性m面AlN基板上に成長したAlGaNの格子緩和機構2016
- 著者名/発表者名
  西中淳一, 谷保芳孝, 熊倉一英
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 窒素極性InN(000-1)薄膜結晶性のMOVPE成長温度依存性2016
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也，Monika Schied，熊倉一英
- 学会等名
  2016年秋季第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03862
[学会発表] c-BN(001)薄膜の結晶性に及ぼすイオン照射の影響2016
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝,山本秀樹, 熊倉一英
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長における基板へのバイアス電圧印加の効果2016
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、山本秀樹、熊倉一英
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] イオンビームアシストMBE法による準安定相窒化ホウ素(c-BN)薄膜の成長2016
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝,山本秀樹, 熊倉一英
- 学会等名
  東京大学生産技術研究所光電子融合研究センター公開シンポジウム
- 発表場所
  東京大学（東京都目黒区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 無極性m面AlN基板上へのAlNの流量変調エピタキシ2016
- 著者名/発表者名
  西中淳一、谷保芳孝、赤坂哲也、熊倉一英
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 準安定相窒化ホウ素(立方晶BN)薄膜のイオンビームアシストMBE成長2015
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、狩元慎一、山本秀樹、熊倉一英
- 学会等名
  第45回結晶成長国内会議（NCCG-45）
- 発表場所
  北海道大学（北海道・札幌市）
- 年月日
  2015-10-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 単結晶c-BN薄膜の内部応力に及ぼすイオン照射の影響2015
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、狩元慎一、山本秀樹、熊倉一英
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022

1. 谷保芳孝 (20393738)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
2. 赤坂哲也 (90393735)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
3. 平間一行 (50434329)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
4. 山本秀樹 (70393733)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
5. 後藤秀樹 (10393795)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 西中淳一 (40774625)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 鈴木恭一 (20393770)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

熊倉 一英 クマクラ カズヒデ

研究課題

研究成果

共同研究者

窒化物半導体ステップフリー面を利用した新規分子層エピタキシ

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

AlN系へテロ構造の結晶成長と紫外発光デバイス応用に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] 窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ構造の成長とその応用2016

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] イオンビームアシストMBE法による立方晶BN(c-BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] 無極性AlN系深紫外LEDの進展と展望2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] 窒素極性InN(000-1)ダブルヘテロ構造のMOVPE成長2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] m面AlN基板上に成長したAlGaNのSiドーピングによる格子緩和抑制2017

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] 立方晶窒化ホウ素(c -BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] 無極性m面AlN基板上に成長したAlGaNの格子緩和機構2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] 窒素極性InN(000-1)薄膜結晶性のMOVPE成長温度依存性2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] c-BN(001)薄膜の結晶性に及ぼすイオン照射の影響2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長における基板へのバイアス電圧印加の効果2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] イオンビームアシストMBE法による準安定相窒化ホウ素(c-BN)薄膜の成長2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] 無極性m面AlN基板上へのAlNの流量変調エピタキシ2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 準安定相窒化ホウ素(立方晶BN)薄膜のイオンビームアシストMBE成長2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

熊倉一英クマクラカズヒデ

[雑誌論文] 窒化物半導体/ダイヤモンドヘテロ構造の成長とその応用2016