西口克彦 Nishiguchi Katsuhiko

研究者番号	00393760
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 特別研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2014年度: 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所量子電子物性研究部, 主任研究員 2011年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 特別研究員 2010年度 – 2011年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 特別研究員 2009年度: 日本電信電話(株), 物性科学基礎研究所, 研究主任 2007年度 – 2009年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 研究主任 … もっと見る 2007年度 – 2008年度: 日本電信電話(株), 物性科学基礎研究所, 研究員 2005年度 – 2007年度: NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 研究員 2004年度 – 2006年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者以外マイクロ・ナノデバイス / 電子デバイス・電子機器 / 理工系
キーワード	研究代表者以外電子デバイス・機器 / 少数電子素子 / シリコン / フレキシブル論理ゲート / 揺らぎ許容デバイス / 省エネルギー / 先端機能デバイス / 量子ドット / Flexible Logic Gats / Integrated Devices … もっと見る / Silicon / Nano Materials / Electron Devices&Systems / Low Power Consumption / Quantum Dots / Device with Few Electron Regime / 集積化デバイス / ナノ材料 / single-electron turnstile / acceptor / dopant / single electron / donor / 単電子ターンスタイル / アクセプタ / ドーパント / 単一電子 / ドナー / ドーパントエンジニアリング / 単一ドーパント / 少数電子デバイス / マイクロナノデバイス / 抵抗変化メモリ / 量子情報処理デバイス / フレキシブルデバイス / 省エネルギーデバイス / 抵抗変化素子 / ナノ物性制御 / マイクロ・ナノデバイス / ナノ・マイクロ科学 / 単一電子制御 / シングルドーパント / 集積回路 / 単電子転送 / 単電子デバイス / 低消費電力 / 単量子デバイス隠す

多値ＲｅＲＡＭ搭載のナノドットアレイによる多入力多出力フレキシブルデバイスの研究
- 研究代表者
  
  高橋庸夫
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  北海道大学
シリコン・シングルドーパント・エレクトロニクス
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
シリコンナノドットを用いた論理機能選択デバイス
- 研究代表者
  
  高橋庸夫
- 研究期間 (年度)
  2007
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  北海道大学
シリコン集積回路プロセスによる単電子デバイス・回路の研究
- 研究代表者
  
  猪川洋
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  静岡大学
ナノドットアレイによる多入力・多出力機能性デバイスの研究
- 研究代表者
  
  高橋庸夫
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  北海道大学
シリコン中のドナーレベルを用いた単一電子操作
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

すべて 2014 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004

すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] Silicon Single-Electron Devices, in" Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures eds2009
- 著者名/発表者名
  Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and H. Inokaw, N. Koshida
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[図書] Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures(Silicon Single-Electron Devices)2009
- 著者名/発表者名
  Y.Takahashi, Y.Ono, A.Fujiwara, K.Nishiguchi, H.Inokawa
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[図書] "Silicon Single-Electron Devices, " in Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures Koshida, Nobuyoshi (ed.)2009
- 著者名/発表者名
  Yasuo Takahashi, Yukinori Ono, Akira Fujiwara, Katsuhiko Nishiguchi, Hiroshi Inokawa
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[図書] "Single-Electron Transistor and its Logic Application" in Nanotechnology2008
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono, Hiroshi Inokawa, Yasuo Takahashi, Katsuhiko Nishiguchi, Akira Fujiwara
- 出版者
  Wiley-VCH
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[図書] Information Technology II (volume 4) of Nanotechnology2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, A. Fujiwara
- 総ページ数
  23
- 出版者
  Wiley-VCH Verlag
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[図書] Information Technology II (volume 4) of Nanotechnology(Single-electron transistor and its logic application)2008
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, K.Nishiguchi, H.Inokawa, Y.Takahashi, A.Fujiwara
- 出版者
  Wiley-VCH Verlag
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[図書] Single-electron transistor and its logic application, in "Information Technology II(volume 4) of Nanotechnology"2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi and A. Fujiwara
- 出版者
  Wiley-VCH Verlag
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Single-electron thermal noise2014
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Nanotechnology
  
  巻: 25 号: 27 ページ: 275201-275201
- DOI
  10.1088/0957-4484/25/27/275201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360128
[雑誌論文] Bound exciton photoluminescence from ion-implanted phosphorus in thin silicon layers2011
- 著者名/発表者名
  H. Sumikura, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, M. Notomi
- 雑誌名
  
  Optics Express
  
  巻: Vol.19, No.25 ページ: 2525-2562
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Single-electron counting statistics of shot noise in nanowire Si MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: Vol.98, No.19
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Strong Stark effect in electroluminescence from phosphorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: Vol.98, No.3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Slngle-electron counting statistics of shot noise in nanowire Simetal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  K.Nishiguchi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: Vol.98 号: 19
- DOI
  10.1063/1.3589373
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Strong Stark effect in electroluminescence from phosphorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor-field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  J.Noborisaka, K.Nishiguchi, Y.Ono, H.Kageshima, A.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Tunneling spectroscopy of electron subbands in thin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2010
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, K. Nishiguchi, H. Kageshima, Y. Ono, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: Vol.96, No.11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Resonant escape over an oscillating barrier in a single-electron ratchet transfer2010
- 著者名/発表者名
  S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Itoh, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B
  
  巻: Vol.82, No.3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Horizontal position analysis of single acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2009
- 著者名/発表者名
  M.A.H.Khalafalla, Y.Ono, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Horizontal position analysis of single acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2009
- 著者名/発表者名
  M.A.H.Khalafalla, Y.Ono, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Horizontal position analysis of single acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2009
- 著者名/発表者名
  M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: Vol.94, No.22
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Electrons and holes in a 40nm thick silicon slab at cryogenic temperatures2009
- 著者名/発表者名
  K.Takashina, K.Nishiguchi, Y.Ono, A.Fujiwara, T.Fujisawa, Y.Hirayama, K.Muraki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Electrons and holes in a 40nm thick silicon slab at cryogenic temperatures2009
- 著者名/発表者名
  K. Takashina, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, Y. Hirayama, K. Muraki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: Vol.94, No.14
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Single-electron counting statistics and its circuit application in nanoscale field-effect transistors at room temperature2009
- 著者名/発表者名
  K Nishiguchi, A Fujiwara
- 雑誌名
  
  Nanotechnology Vol.20
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nanoscale field-effect transistors2008
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett Vol.92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[雑誌論文] Silicon Single-Charge Transfer Devices2008
- 著者名/発表者名
  小野, 藤原, 西口, 高橋, 猪川
- 雑誌名
  
  Journal of Physics and Chemistry of Solid 69
  
  ページ: 702-707
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026001
[雑誌論文] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs : Towards single-dopant electronics2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Appl. Sur. Sci
  
  巻: Vol.254, No.19 ページ: 6252-6256
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Silicon Single-Charge Transfer Devices2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Takahashi, H. Inokawa
- 雑誌名
  
  Journal of Physics and Chemistry of Solid 69
  
  ページ: 702-707
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Escape dynamics of a few electrons in a single-electron ratchet using silicon nanowire metaloxide-semiconductor field-effect transistor2008
- 著者名/発表者名
  Satoru Miyamoto, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono, Kohei M. Itoh, Akira Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett Vol.93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors2008
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 92
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Silicon single-charge transfer devices2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Takahashi, and H. Inokawa
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem. Solids 69
  
  ページ: 702-707
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Silicon singlecharge transfer devices2008
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono, Akira Fujiwara, Katsuhiko Nishiguchi, Yasuo Takahashi, Hiroshi Inokawa
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem. Solid Vol.69
  
  ページ: 702-707
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors2008
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 92
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors2008
- 著者名/発表者名
  西口, 小野, 藤原, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026001
[雑誌論文] Single-Electron-Resolution Electrometer Based on Field-Effect Transistor2008
- 著者名/発表者名
  2. K. Nishiguchi, C. Koechlin, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.47
  
  ページ: 8305-8310
- NAID
  40016346937
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nanoscale field-effect transistors2008
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[雑誌論文] Nanoampere charge pump by single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2008
- 著者名/発表者名
  Akira Fujiwara, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett Vol.92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on sigle electrons using nano field-effect transistors,2008
- 著者名/発表者名
  西口, 小野, 藤原, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Single-Electron-Resolution Electrometer Based on Field-Effect Transistor2008
- 著者名/発表者名
  Katsuhiko Nishiguchi, Charlie Koechlin, Yukinori Ono, Akira Fujiwara, Hiroshi Inokawa, Hiroshi Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys Vol.47
  
  ページ: 8305-8310
- NAID
  40016346937
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors2008
- 著者名/発表者名
  西口克彦
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 92
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Nanoampere charge pump by single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2008
- 著者名/発表者名
  A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Escape dynamics of a few electrons in a single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2008
- 著者名/発表者名
  S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Itoh, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: Vol.93, No.22
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors2008
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Silicon Single-Charge Transfer Devices2008
- 著者名/発表者名
  小野, 藤原, 西口, 高橋, 猪川
- 雑誌名
  
  Journal of Physics and Chemistry of Solid 69
  
  ページ: 702-707
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Single-electron-resolution electrometer based on field-effect transistor2008
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, C. Koechlin, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: Vol.47, No.11 ページ: 8305-8310
- NAID
  40016346937
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors2008
- 著者名/発表者名
  K.Nishiguchi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 92
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Escape dynamics of a few electrons in a single-electron ratchet using silicon nanowire metaloxide-semiconductor field-effect transistor2008
- 著者名/発表者名
  S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Itoh, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. Vol.93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs : Towards single-dopant electronics2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Appl. Sur. Science Vol.254
  
  ページ: 6252-6256
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Single-Electron-Resolution Electrometer Based on Field-Effect Transistor2008
- 著者名/発表者名
  Katsuhiko Nishiguchi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 47
  
  ページ: 8305-8310
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[雑誌論文] Direct Measurement of Capacitance Parameters in Nanometer-Scale MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Inokawa, Akira Fujiwara, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono, Hiroaki Satoh
- 雑誌名
  
  IEEJ Trans. EIS Vol.128
  
  ページ: 905-911
- NAID
  10021132673
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[雑誌論文] Transfer and Detection of Single Electron using Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor2007
- 著者名/発表者名
  W.C. Zhang, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, N.J. Wu
- 雑誌名
  
  IEICE Trans. Electron Vol.E90C
  
  ページ: 943-948
- NAID
  110007519656
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[雑誌論文] Fast All-Optical Switching using Ion-Implanted Silicon Photonic Crystal Nanocavities2007
- 著者名/発表者名
  T. Tanabe, K. Nishiguchi, A. Shinya, E. Kuramochi, H. Inokawa, M. Notomi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Conductance modulation by individual acceptors in Si nano-scale field-effect transistors2007
- 著者名/発表者名
  小野, 西口, 藤原, 山口, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Long retention of gain-cell dynamic random access memory with undoped memory node2007
- 著者名/発表者名
  Katsuhiko Nishiguchi
- 雑誌名
  
  EEE Electron Device Letters Vol.28,No.1
  
  ページ: 48-50
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Transfer and Detection of Single Electrons using Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors2007
- 著者名/発表者名
  W. C. Zhang, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, N. J. Wu
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions of Electron E90-C, No. 5
  
  ページ: 943-948
- NAID
  110007519656
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Long-retention gain cell dynamic random-access memory using undoped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2007
- 著者名/発表者名
  西口, 藤原, 小野, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letter 28
  
  ページ: 48-50
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Transfer and detection of single electrons using metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors2007
- 著者名/発表者名
  W. C. Zhang, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, and N. J. Wu
- 雑誌名
  
  IEICE Trans. Electron. E-90C
  
  ページ: 943-948
- NAID
  110007519656
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Infrared detection with silicon nano transistors2007
- 著者名/発表者名
  西口克彦
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Transfer and Detection of Single Electrons using Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors2007
- 著者名/発表者名
  W. C. Zhang, 西口, 小野, 藤原, 山口, 猪川, 高橋, N. J. Wu
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions of Electron E90-C
  
  ページ: 943-948
- NAID
  110007519656
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Transfer and Detection of Single Electrons using Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors2007
- 著者名/発表者名
  田辺, 西口, 新家, 倉持, 猪川, 納富
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- NAID
  110007519656
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Infrared detection with silicon nano transistors2007
- 著者名/発表者名
  西口, 小野, 藤原, 山口, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026001
[雑誌論文] Identification of single and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2007
- 著者名/発表者名
  M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, and A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Conductance modulation by individual acceptors in Si nano-scale field-effect transistors2007
- 著者名/発表者名
  小野, 西口, 藤原, 山口, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026001
[雑誌論文] シリコントランジスタにおける不純物伝導2007
- 著者名/発表者名
  小野, J.F.Morizur, 西口, 高品, 山口, 平塚, 堀口, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  日本学術振興会151委員会・平成19年1月研究会「シリコン系デバイス・材料の新展開」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Long retention of gain-cell dynamic random access memory with undoped memory node2007
- 著者名/発表者名
  Katsuhiko Nishiguchi
- 雑誌名
  
  EEE Electron Device Letters Vol.28, No.1
  
  ページ: 48-50
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Infrared detection with silicon nano transistors2007
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Long retention of gain-cell dynamic random access memory with undoped memory node2007
- 著者名/発表者名
  Katsuhiko Nishiguchi
- 雑誌名
  
  EEE Electron Device Letters Vol. 28, No. 1
  
  ページ: 48-50
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Long-retention gain cell dynamic random-access memory using undoped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2007
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters 28
  
  ページ: 48-50
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Transfer and Detection of Single Electrons using Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors2007
- 著者名/発表者名
  W.C. Zhang, 西口, 小野, 藤原, 山口, 猪川, 高橋, N.J. Wu
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions of Electron E90-C
  
  ページ: 943-948
- NAID
  110007519656
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026001
[雑誌論文] Conductance modulation by individual acceptors in Si nano-scale field-effect transistors2007
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Long-retention gain cell dynamic random-access memory using undoped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2007
- 著者名/発表者名
  西口克彦
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters 28
  
  ページ: 48-50
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Infrared detection with silicon nano transistors2007
- 著者名/発表者名
  西口, 小野, 藤原, 山口, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Single-Electron Transfer in Silicon : Towards Single-Dopant Electronics2006
- 著者名/発表者名
  小野, 藤原, 西口, 堀口, 高橋, 猪川
- 雑誌名
  
  Collected Papers of Quantum Nanoelectronics Workshop of The 3rd International Symposium on Ubiquitous Knowledge Network Environment
  
  ページ: 15-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] アンドープSOI-MOSFETを用いたデータ保持特性の長いゲインセルDRAM2006
- 著者名/発表者名
  西口, 藤原, 小野, 山口, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  応用物理学会シリコンテクノロジー研究集会「次世代デバイスへのブレークスルー=三次元化の試み」 85
  
  ページ: 40-44
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Room-temperature-operating data processing circuit using single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology2006
- 著者名/発表者名
  西口克彦
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 88
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Impurity conduction in phosphorus-doped buried-channel silicon-on-insulator field-effect transistors at temperatures between 10 and 295 K2006
- 著者名/発表者名
  小野, J.-F.Morizur, 西口, 高品, 山口, 平塚, 堀口, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  Physical Review B 96
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Long-retention gain-cell DRAM using undoped SOI MOSFET2006
- 著者名/発表者名
  西口, 藤原, 小野, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
  
  ページ: 101-102
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] リンドープNチャネルSOI MOSFET伝導特性のドーパント濃度依存性(2)2006
- 著者名/発表者名
  小野, 西口, 高品, 堀口, 高橋, 猪川
- 雑誌名
  
  春季応用物理学会 2
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] A High-Density Ternary Content-Addressable Memory Using Single-Electron Transistors, Multiple-Valued and Mixed-Mode Logic2006
- 著者名/発表者名
  出川, 青木, 樋口, 猪川, 西口, 高橋
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 35th IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logi
  
  ページ: 19-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Room-temperature-operating data processing circuit based on single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology2006
- 著者名/発表者名
  Katsuhiko Nishiguchi
- 雑誌名
  
  Applied Physice Letters Vol. 88, No. 18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] アンドープSOI-MOSFETを用いたデータ保持特性の長いゲインセルDRAM2006
- 著者名/発表者名
  西口, 小野, 藤原, 山口, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  秋季応用物理学会 2
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Transfer and detection of single-electron using metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2006
- 著者名/発表者名
  W.C.Zhang, 西口, 小野, 藤原, 猪川, 高橋, N.J.Wu
- 雑誌名
  
  2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices
- NAID
  110007519656
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] A High-Density Ternary Content-Addressable Memory Using Single-Electron Transistors, Multiple-Valued and Mixed-Mode Logic2006
- 著者名/発表者名
  K. Degawa, T. Aoki, T. Higuchi, H. Inokawa, K. Nishiguchi, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 36th IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic (IEEE Computer Society)
  
  ページ: 19-24
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Room-temperature-operating data processing circuit based on single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology2006
- 著者名/発表者名
  Katsuhiko Nishiguchi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.88,No.18
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Metal-Oxide-Semiconductor-Based Single-Electronics2006
- 著者名/発表者名
  猪川, 西口, 藤原, 小野, 高橋
- 雑誌名
  
  The 5-th annual International Conference on Global Research and Education
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] シリコン単電子デバイスの集積化と新展開2006
- 著者名/発表者名
  猪川, 西口, 藤原, 小野, 高橋
- 雑誌名
  
  電気学会電子・情報・システム部門大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Room-temperature operation of data processing circuit based on single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor-technology2006
- 著者名/発表者名
  西口, 藤原, 小野, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
  
  ページ: 23-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Room-temperature-operating data processing circuit based on single-electron transfer and detection with melal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology2006
- 著者名/発表者名
  Katsuhiko Nishiguchi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.88, No.18
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Room-temperature-operating data processing circuit using single electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology2006
- 著者名/発表者名
  西口, 藤原, 小野, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 88
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] シリコン単電子デバイス2006
- 著者名/発表者名
  西口, 藤原, 小野, 山口, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  第3回オープンワークショップ「バイオとナノテクノロジーの融合研究」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Impurity conduction and its control in SOI MOSFETs towards silicon single-dopant electronics2006
- 著者名/発表者名
  小野, 西口, 藤原, 堀口, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
  
  ページ: 111-112
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] リンドープSOI MOSFETにおける不純物伝導2006
- 著者名/発表者名
  小野, 西口, 高品, 山口, 猪川, 堀口, 高橋
- 雑誌名
  
  秋季応用物理学会 2
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] 室温動作可能なMOSFET技術による単一電子伝送と検出を利用した情報処理回路2006
- 著者名/発表者名
  西口, 小野, 藤原, 猪川, 高橋
- 雑誌名
  
  春季応用物理学会 2
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Demonstration and application of MOSFET-based single-electron transfer and detection at room temperature-Fabrication using SOI and measurements of its characteristics-2006
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  IEICE Technical Report Vol.105, No.549
  
  ページ: 23-28
- NAID
  110004078849
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] FET技術を利用した単一電子転送・検出シリコンデバイスとその応用2006
- 著者名/発表者名
  西口, 猪川, 小野, 藤原, 高橋
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 ED2005-226 105-No.549
  
  ページ: 23-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Room-temperature-operating data processing circuit using single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology2006
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 88
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Impurity conduction in phosphorus-doped buried-channel silicon-on-insulator field-effect transistors at temperatures between 10 and 295 K2006
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, J.-F. Morizur, K. Nishiguchi, K. Takashina, Hi. Yamaguchi, K. Hiratsuka, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Physical Review B 74
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Back-gate effect on Coulomb blockade in silicon-on-insulator trench wires2005
- 著者名/発表者名
  西口克彦
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 44
  
  ページ: 7717-7719
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Back-gate effect on Coulomb blockade in silicon-on-insulator trench wires2005
- 著者名/発表者名
  Katsuhiko Nishiguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.44,No.10
  
  ページ: 7717-7719
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Manipulation and detection of single electrons for future information processing2005
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, A.Fujiwara, K.Nishiguchi, H.Inokawa, Y.Takahashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.97, No.3
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Single-Electron Devices : and Circuits Based on MOS Processes2005
- 著者名/発表者名
  猪川, 小野, 藤原, 西口, 高橋
- 雑誌名
  
  2005 TND Technical Forum
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Charge-state control of phosphorus donors in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2005
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, K.Nishiguchi, H.Inokawa, S.Horiguchi, Y.Takahashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.4B(to be published)
- NAID
  10015704970
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Back-gate effect on Coulomb Blockade in silicon-on-insulator trench wires2005
- 著者名/発表者名
  西口, Olever Crauste, 生津, 堀口, 小野, 藤原, 高橋, 猪川
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 44
  
  ページ: 7717-7719
- NAID
  130004766081
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] SOIトレンチ構造・単一電子素子におけるクーロンブロッケイドへの基板電圧効果2005
- 著者名/発表者名
  西口, O.Crauste, 生津, 堀口, 小野, 藤原, 高橋, 猪川
- 雑誌名
  
  第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集 No.2
  
  ページ: 748-748
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Back-gate effect on Coulomb blockade in silicon-on-insulator trench wires2005
- 著者名/発表者名
  Katsuhiko Nishiguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.10
  
  ページ: 7717-7719
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] リンドープNチャネルSOI MOSFET伝導特性のドーパント濃度依存性2005
- 著者名/発表者名
  小野, 西口, 堀口, 高橋, 猪川
- 雑誌名
  
  第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集 No.2
  
  ページ: 737-737
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Back-gate effect on Coulomb blockade in silicon-on-insulator trench wires2005
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, Oliver Crauste, H. Namatsu, S. Horiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, H. Inokawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 44
  
  ページ: 7717-7719
- NAID
  130004766081
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Charge-State Control of Phosphorus Donors in Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor2005
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, S. Horiguchi, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 44
  
  ページ: 2588-2591
- NAID
  10015704970
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[雑誌論文] Multilevel memory using an electrically formed single-electron box2004
- 著者名/発表者名
  K.Nishiguchi, H.Inokawa, Y.Ono, A.Fujiwara, Y.Takahashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.85, No.7
  
  ページ: 1277-1279
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Multilevel memory using an electrically formed single-electron box2004
- 著者名/発表者名
  K.Nishiguchi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.85,No.7
  
  ページ: 1277-1279
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Multilevel memory using an electrically formed single-electron box2004
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.85, No.7
  
  ページ: 1277-1279
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[産業財産権] 半導体装置2004
- 発明者名
  小野行徳, 西口克彦, 猪川洋
- 権利者名
  NTT
- 産業財産権番号
  2004-238091
- 出願年月日
  2004-08-18
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Single dopant effects in silicon nano transistors2010
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Khalafalla, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 学会等名
  Single Dopant Control
- 発表場所
  Leiden, Netherlands
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Single dopant effects in silicon nano transistors2010
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Khalafalla, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 学会等名
  Single Dopant Control
- 発表場所
  Leiden, Netherlands(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Single dopant effects in silicon nano transistors2010
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Khalafalla, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 学会等名
  2010 International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for 'More-than-Moore' & 'Beyond CMOS' Era
- 発表場所
  southampton, UK
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Single dopant effects in silicon nano transistors2010
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Khalafalla, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 学会等名
  2010 International Symposium on Atom-scale Silicon HybridNanotechnologies for 'More-than-Moore'& 'Beyond CMOS' Era
- 発表場所
  Southampton, UK(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Fabrication of triple-dot single-electron transistor and its single-electron- transfer operation2009
- 著者名/発表者名
  M. Jo, Y. Kato, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, J. -B. Choi
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology
- 発表場所
  Kaanapali, Hawaii
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[学会発表] Identification of single dopants in nanowire MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Khalafalla, S.Horiguchi, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Single-electron counting statistics of shot noise in nanowire Si MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] In-plane transport in a double layer crystalline silicon structure with an SiO2 barrier2009
- 著者名/発表者名
  K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, K. Muraki
- 学会等名
  International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2009)
- 発表場所
  Atsugi, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Detection and position analysis of sinle and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2009
- 著者名/発表者名
  M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara
- 学会等名
  International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2009)
- 発表場所
  Atsugi, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Detection and position analysis of sinle and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2009
- 著者名/発表者名
  M.A.H.Khalafalla, Y.Ono, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 学会等名
  2009 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Identification of single dopants in nanowire MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Khalafalla, S.Horiguchi, K.Nishiguchi, A.Fujiwara :
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Single-Dopant Effect in Si MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, M.A.H. Khalafalla, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, K. Takashina, S. Horiguchi, Y. Takahashi, H. Inokawa
- 学会等名
  The IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference
- 発表場所
  Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[学会発表] Single-dopant effect in Si MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, M. Khalafalla, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, K. Takashina, S. Horiguchi, Y. Takahashi, H. Inokawa
- 学会等名
  IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC-2008)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] シリコンナノドットを用いた論理機能選択デバイス2008
- 著者名/発表者名
  高橋、有田、藤原、西口、開澤
- 学会等名
  特定領域研究「ポストスケール」第2回成果報告会
- 発表場所
  秋葉原コンベンションホール
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026001
[学会発表] Single-dopant effect in Si MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Khalafalla, A.Fujiwara, K.Nishiguchi, K.Takashina, S.Horiguchi, Y.Takahashi, H.Inokawa
- 学会等名
  IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008
- 発表場所
  Kyoto(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Single-electron devices and their circuit applications2008
- 著者名/発表者名
  A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi : (invited)
- 学会等名
  2008 Tera-level nanodevices (TND) Technical Forum
- 発表場所
  Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Escape dynamics of electron in a single-electron ratchet using silicon nanowire MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Ito, A. Fujiwara
- 学会等名
  IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC-2008)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Escape dynamics of electrons in a single-electron ratchet using silicon nanowire MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Satoru Miyamoto, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono, Kohei M. Itoh, Akira Fujiwara
- 学会等名
  The IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference
- 発表場所
  Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[学会発表] In-plane transport in a double layer crystalline silicon structure with an SiO2 barrier2008
- 著者名/発表者名
  K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa
- 学会等名
  IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC-2008)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Hopping conduction in buried-channel SOI MOSFETs with shallow impurities2007
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, J.-F. Morizur, K. Nishiguchi, K. Takashina, H. Yamaguchi, A. Fujiwara, K. Hiratsuka, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 学会等名
  International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction, (NNCI 2007)
- 発表場所
  Atsugi
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Dopant-mediated charge transport in boron-doped nano MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, H. Yamaguchi, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 学会等名
  2007 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-07)
- 発表場所
  Kyoto
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs : Towards single-dopant electronics2007
- 著者名/発表者名
  Y. One, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, and A. Fujiwara
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Dopant-mediated charge transport in boron-doped nano MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  小野, M. Khalafalla, 西口, 高品, 山口, 藤原, 堀口, 猪川, 高橋
- 学会等名
  2007 Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW-07)
- 発表場所
  京都リガロイヤルホテル
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Room-temperature-operating single-electron devices using silicon nanowire MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  Katsuhiko Nishiguchi
- 学会等名
  2007Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices(AWAD)
- 発表場所
  Gyeongju,Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[学会発表] A Simple Test Structure for Extracting Capacitances in Nanometer-Scale MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Satoh
- 学会等名
  The 6th International Conference on Global Research and Education
- 発表場所
  Hamamatsu
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[学会発表] Room-temperatureoperating single-electron devices using silicon nanowire MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono, Akira Fujiwara, Hiroshi Inokawa, Yasuo Takahashi
- 学会等名
  2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Gyeongju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[学会発表] Influence of doping concentration on current characteristics of phosphorous-doped n-channel SOI MOSFETs (II)2007
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, S. Horiguchi, Y. Takahashi
- 学会等名
  The 54th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
- 発表場所
  Aoyama Gakuinn Univ.
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] A Simple Test Structure for Extracting Capacitances in Nanometer-Scale MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  猪川, 藤原, 西口, 小野, 佐藤
- 学会等名
  The 6th International Conference on Global Research and Education
- 発表場所
  浜松:静岡大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Capacitive Parameter Extraction for Nanometer-Size Field-Effet Transistors2007
- 著者名/発表者名
  猪川, 藤原, 西口, 小野
- 学会等名
  2007 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM07)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Nanoampere charge pumping by single-electron ratchet using Si nanowire MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  Akira Fujiwara, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono
- 学会等名
  2007 Int. Conf. Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[学会発表] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs: Towards single-dopant electronics2007
- 著者名/発表者名
  小野, M.A.H. Khalafalla, 西口, 高品, 藤原, 堀口, 猪川, 高橋
- 学会等名
  The Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interface
- 発表場所
  首都大学東京(八王子)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026001
[学会発表] Recent Progress in Integration of Silicon Single-Electron Devices2007
- 著者名/発表者名
  H. Inokawa, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Ubiquitous Knowledge Network Environment
- 発表場所
  Sapporo (invited)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] A simple test structure for extracting capacitances in nanometer-scale MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono, and H. Satoh
- 学会等名
  The 6-th annual International Conference on Global Research and Education
- 発表場所
  Inter-Academia, Hamamatsu
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Low-energy electron emission using a Si/SiO_2/Si cathode for nano-decomposition2007
- 著者名/発表者名
  西口, 永瀬, 山口, 藤原, 山口
- 学会等名
  20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2007)
- 発表場所
  京都国際会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Capacitive Parameter Extraction for Nanometer-Size Field-Effect Transistors2007
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Inokawa, Akira Fujiwara, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono
- 学会等名
  2007 Int. Conf. Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310093
[学会発表] シリコン・ナノトランジスタを用いた赤外線検出2007
- 著者名/発表者名
  西口, 克彦
- 学会等名
  春季応用物理学会
- 発表場所
  青山学院大
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Dopant-mediated charge transport in boron-doped nano MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  小野, M. Khalafalla, 西口, 高品, 山口, 藤原, 堀口, 猪川, 高橋
- 学会等名
  2007 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-07)
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026001
[学会発表] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs: Towards single-dopant electronics2007
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, M. A. H. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 学会等名
  The Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interface, (ISCSI-5)
- 発表場所
  Hachioji (invited)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Infrared detection with silicon nano-transistors2007
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 学会等名
  The 54th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
- 発表場所
  Aoyama Gakuinn Univ.
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Single-electron ratchet using silicon nanowie MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono
- 学会等名
  International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems and Modulated Semiconductor Structures
- 発表場所
  Genova Magazzini del Cotone, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Single-electron circuit for stochastic data processing using nano-MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  西口, 藤原
- 学会等名
  International Electron Devices Meeting(LEDM)
- 発表場所
  Hilton, Washington, DC
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] 室温動作可能なMOSFET技術による単一電子伝送と検出を利用した情報処理回路2006
- 著者名/発表者名
  西口, 克彦
- 学会等名
  春季応用物理学会
- 発表場所
  武蔵工大
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Long-retention gain-cell DRAM using undoped SOI MOSFET2006
- 著者名/発表者名
  西口, 克彦
- 学会等名
  2006 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-06)
- 発表場所
  Waikiki, Hawaii
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] アンドープSOI-MOSFETを用いたデータ保持特性の長いゲインセルDRAM2006
- 著者名/発表者名
  西口, 克彦
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  立命館大
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] A High-Density Ternary Content-Addressable Memory Using Single-Electron Transistors2006
- 著者名/発表者名
  K. Degawa, T. Aoki, T. Higuchi, H. Inokawa, K. Nishiguchi, Y. Takahashi
- 学会等名
  The 36th IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic
- 発表場所
  Singapore
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Room-temperature operation of data processing circuit based on single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor-technology2006
- 著者名/発表者名
  西口, 克彦
- 学会等名
  2006 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-06)
- 発表場所
  Waikiki, Hawaii
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Single-Electron Transistor in Silicon: Towards Single-Dopant Electronics2006
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, S. Horiguchi, Y. Takahashi, H. Inokawa
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Ubiquitous Knowledge Network Environment
- 発表場所
  Sapporo (invited)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Transfer and detection of single-electron using metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2006
- 著者名/発表者名
  W. C. Zhang, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi, N. J. Wu
- 学会等名
  2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)
- 発表場所
  Sendai
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] MOSFET技術を利用した単一電子転送・検出シリコンデバイスとその応用2006
- 著者名/発表者名
  西口, 克彦
- 学会等名
  電子情報通信学会技術報告電子デバイス研究会
- 発表場所
  北海道大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Infrared detection with silicon nano transistors2006
- 著者名/発表者名
  K.Nishiguchi
- 学会等名
  2006 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Yokohama
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Influence of doping concentration on current characteristics of phosphorous-doped n-channel SOI MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, K. Nishiguchi, K. Takashina, S. Horiguchi, Y. Takahashi, H. Inokawa
- 学会等名
  The 53th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
- 発表場所
  Musashi Institute of Technology
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Long-retention gain-cell DRAM using undoped SOI MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 学会等名
  The 67th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
- 発表場所
  Ritsumeikan Univ.
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Impurity conduction and its control in SOI MOSFETs towards silicon single-dopant electronics2006
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 学会等名
  2006 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-06)
- 発表場所
  Waikiki, Hawaii (invited)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Influence of doping concentration on current characteristics of phosphorous-doped n-channel SOI MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, K. Nishiguchi, K. Takashina, H. Yamaguchi, H. Inokawa, S. Horiguchi, Y. Takahashi
- 学会等名
  The 67th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
- 発表場所
  Ritsumeikan Univ.
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Room-temperature operating data processing circuit based on single-electron transfer and detection with MOSFET technology2006
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 学会等名
  The 53th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
- 発表場所
  Musashi Institute of Technology
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Long-retention gain-cell DRAM using undoped SOI MOSFET2006
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi
- 学会等名
  2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Room-temperature operation of data processing circuit based on single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor technology.2006
- 著者名/発表者名
  K.Nishiguchi
- 学会等名
  2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Hawaii,USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Room-temperature operation of data processing circuit based on single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor technology.2006
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi
- 学会等名
  2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Long-retention gain-cell DRAM using undoped SOI MOSFET2006
- 著者名/発表者名
  K.Nishiguchi
- 学会等名
  2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Hawaii,USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Back-gate effect on Coulomb blockade in SOI trench wires2005
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, O. Crauste, H. Namatsu, S. Horiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, H. Inokawa
- 学会等名
  The 66rh Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
- 発表場所
  Tokushima Univ.
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Silicon-based Single-Electron Devices2005
- 著者名/発表者名
  Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, H. Inokawa
- 学会等名
  4th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Awaji Island (invited)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] SOI トレンチ構造・単一電子素子におけるクーロンブロッケイドへの基板電圧効果2005
- 著者名/発表者名
  西口, 克彦
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  徳島大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Single-Electron Devices: and Circuits Based on MOS Processes2005
- 著者名/発表者名
  H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Takahashi
- 学会等名
  2005 TND Technical Forum
- 発表場所
  Seoul, Korea (invited)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Back-gate effect on Coulomb blockade in SOI trench wires2005
- 著者名/発表者名
  K.Nishiguchi
- 学会等名
  2005 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Kyoto
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Back-gate effect to Coulomb blockade in SOI trench wires2005
- 著者名/発表者名
  西口, 克彦
- 学会等名
  2005 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-05)
- 発表場所
  Kyoto Royal Hotel
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Influence of doping concentration on current characteristics of phosphorous-doped n-channel SOI MOSFETs2005
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, K. nishiguchi, S. Horiguchi, Y. Takahashi, H. Inokawa
- 学会等名
  The 66rh Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
- 発表場所
  Tokushima Univ.
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17201029
[学会発表] Room-temperature single-electron transfer and detection with silicon nanodevices2004
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting
- 発表場所
  San San Francisco, USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Room- temperature single-electron transfer and detection with silicon nanodevices2004
- 著者名/発表者名
  K.Nishiguchi
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting
- 発表場所
  San Francisco,USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038

1. 高橋庸夫 (90374610)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 73件
2. 藤原聡 (70393759)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 36件
3. 有田正志 (20222755)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 1件
4. 猪川洋 (50393757)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 82件
5. 小野行徳 (80374073)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 47件
6. 土屋敏章 (20304248)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 堀口誠二 (60375219)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
8. 山口徹 (30393763)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
9. モハメッドカラファラ (70463627)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 雨宮好仁 (80250489)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

西口 克彦 Nishiguchi Katsuhiko

研究課題

研究成果

共同研究者

多値ＲｅＲＡＭ搭載のナノドットアレイによる多入力多出力フレキシブルデバイスの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン・シングルドーパント・エレクトロニクス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコンナノドットを用いた論理機能選択デバイス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコン集積回路プロセスによる単電子デバイス・回路の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノドットアレイによる多入力・多出力機能性デバイスの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン中のドナーレベルを用いた単一電子操作

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Silicon Single-Electron Devices, in" Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures eds2009

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures(Silicon Single-Electron Devices)2009

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] "Silicon Single-Electron Devices, " in Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures Koshida, Nobuyoshi (ed.)2009

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] "Single-Electron Transistor and its Logic Application" in Nanotechnology2008

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] Information Technology II (volume 4) of Nanotechnology2008

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] Information Technology II (volume 4) of Nanotechnology(Single-electron transistor and its logic application)2008

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] Single-electron transistor and its logic application, in "Information Technology II(volume 4) of Nanotechnology"2008

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] Single-electron thermal noise2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Bound exciton photoluminescence from ion-implanted phosphorus in thin silicon layers2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Single-electron counting statistics of shot noise in nanowire Si MOSFETs2011

著者名/発表者名

西口克彦 Nishiguchi Katsuhiko