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長谷川 誠一  HASEGAWA Seiichi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10019755
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2002年度: 金沢大学, 工学部, 教授
1998年度 – 2001年度: 金沢大学, 自然科学研究科, 教授
1997年度: 金沢大学, 工学部, 教授
1993年度 – 1995年度: 金沢大学, 工学部, 教授
1988年度 – 1989年度: 金沢大学, 工学部, 教授
1986年度: 金沢大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 電子材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
CVD / 結合構造 / Thin-film transistor / Doping efficiency / Surface roughness / Preferential orientation / Plasma supply / Polycrystalline Si / 伝導機構 / ドーピング効率 … もっと見る / 結晶軸配向 / プラズマ印加効果 / 薄膜トランジスタ / ド-ピング効率 / 表面荒れ / 配向性 / プラズマ印加 / 多結晶Si / Surface Morphology / Uniaxis / Plasma Treatment on Substrates / Etching Effects / Control of Interface / Crystal Structure / Nano-Si / Poly-Si / 薄膜成長中のエッチング効果 / 基板の表面処理 / エッチングガスの添加 / 表面モフォロジー / 一軸配向 / 基板のプラズマ処理 / エッチング効果 / 界面制御 / 結晶構造 / シリコン・ナノ結晶 / 多結晶シリコン / Stress / Vibrational properties / Random bonding model / Charge-transfer model / Bonding Structure / Plasma CVD / Silicon oxide / Silicon nitride / ストレス / 赤外吸収 / ランダム結合モデル / 電荷移動モデル / プラズマCVD / シリコン酸化膜 / シリコン窒化膜 … もっと見る
研究代表者以外
薄膜 / Light-emitting Material / Plasma CVD / Multilayer / Thin film / Oxide matrix / Si nanocrystal / 発光波長制御 / フォトルミネセンス / 酸化物媒質 / シリコンナノ結晶 / Plasma control / Silicide / Sputtering / スパッタリング / 人工格子 / プラズマ発光分光分析 / プラズマ制御 / 傾斜機能材料 / シリサイド / マグネトロンスパッタ / Photonic Crystal / フォトニック結晶 / Conductivity Control / 垂直光共振器 / 分布ブラッグ反射鏡 / 発光材料 / プラズマCVD / 電気伝導度制御 / 多層構造 / 原子間力顕微鏡 / 結晶成長 / 結晶粒形状 / 表面観察 / 三次元軸配向 / 多結晶シリコン薄膜 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 共同研究者

    (6人)
  •  Siナノ結晶分散薄膜を活性媒質として用いたフォトニック結晶の光学的特性

    • 研究代表者
      猪熊 孝夫
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  周期的構造変調層を形成したSiナノ結晶分散薄膜の電気的・光学的性質

    • 研究代表者
      猪熊 孝夫
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  エッチングおよび界面制御効果による高結晶性一軸配向多結晶Si膜の低温作製研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 誠一
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  三次元軸配向した多結晶シリコン薄膜の開発とその結晶成長メカニズムの解明

    • 研究代表者
      狄 国慶
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  電荷移動モデルによるプラズマCVD窒化(酸化)Si膜の微視的結合構造変化の解析研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 誠一
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  熱CVD多結晶Si膜成長時におけるプラズマ分解の重畳効果および伝導機構の解明研究代表者

    • 研究代表者
      長谷川 誠一
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      金沢大学
  •  合金組成比を任意に制御出来る低温・高速スパッタ装置の開発研究

    • 研究代表者
      畑 朋延
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1988
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      金沢大学
  • 1.  猪熊 孝夫 (50221784)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  畑 朋延 (50019767)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  堀田 将 (60199552)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  狄 国慶 (70242823)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  和佐 清孝
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  WASA Kiyotaka
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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