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堀田 將  Horita Susumu

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

堀田 将  ホリタ ススム

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研究者番号 60199552
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2023年度: 北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授
2021年度: 北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授
2016年度 – 2018年度: 北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授
2009年度 – 2011年度: 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 准教授
2003年度 – 2004年度: 北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助教授 … もっと見る
2000年度 – 2001年度: 北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助教授
1995年度 – 1998年度: 北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助教授
1994年度: 北陸先端大学院大学, 材料科学研究科, 助教授
1991年度: 金沢大学, 工学部, 助教授
1988年度 – 1990年度: 金沢大学, 工学部, 講師 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 小区分26020:無機材料および物性関連 / 電子デバイス・電子機器 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
電子材料工学 / 応用物理学一般 / 応用物性 / 電子デバイス・機器工学
キーワード
研究代表者
シリコン / Silicon / イットリア安定化ジルコニア / PZT / 強誘電体 / Reactive Sputtering / ヘテロエピタキシャル成長 / 低温作製 / Ferroelectric / Si … もっと見る / YSZ / Ferroelectric Memory / 強誘電体メモリ / Sputtering / Heteroepitaxial Growth / Yttria-Stabilized Zirconia / 反応性スパッタ / 薄膜トランジスタ / 酸化Si膜 / シリコーンオイル / アンモニアガス / 酸化Si膜 / OH / シリカ膜 / デバイス設計・製造プロセス / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / YSZ薄膜低温作製 / 結晶化シリコン膜 / セルロースナノペーパー / 結晶化シリコン / セルロースナノペーパ / BIT / Heteroepitaxy / Yttria Stabilized Zirconia / 誘電率 / ヘシロエピタオシャル / 反脳性スパッタ / チタン酸ビスマス / Ir / イリジウム / 反応性スパッタリング / ジルコン酸チタン酸鉛 / Dielectric Materials / 誘電体 / スパッタリング / 多結晶Si / 低温プロセス / 固相成長 / YSZ薄膜 / Si薄膜 / 低温結晶化 / 単結晶膜 / 非晶質 / 二次元 / 人工格子 / イオン注入 / チャネリング … もっと見る
研究代表者以外
Si / PAS / Photoacoustic Spectroscopy / InP / 熱伝導率 / LiNbO_3 / GaAs / GaInP / 光音響分光法 / Plasma control / Silicide / Sputtering / スパッタリング / 人工格子 / プラズマ発光分光分析 / プラズマ制御 / 傾斜機能材料 / シリサイド / マグネトロンスパッタ / 薄膜 / Thermal Diffusivity / Photothermal Spectroscopy / Thermal Conductivity / Thermal conductivity / 薄膜の熱拡散率 / 熱拡散率 / Ion implantation / Optical absorption coefficient / Piezoelectric transducer / Multilayered structures / ImP / 積層構造 / PAS(光音響分光法) / 透明トランスジュ-サ法PAS / イオン注入 / 光吸収係数 / 圧電トランスジュ-サ / 多層構造 / 熱酸化 / スパッタ膜 / TFT / 薄膜トランジスター / 酸化銅 隠す
  • 研究課題

    (12件)
  • 研究成果

    (73件)
  • 共同研究者

    (9人)
  •  200℃以下の熱処理による低温作製したシリカ膜の電気的絶縁性の飛躍的向上研究代表者

    • 研究代表者
      堀田 將
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分26020:無機材料および物性関連
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  セルロースナノペーパー上の結晶化シリコン薄膜による薄膜トランジスタの作製研究代表者

    • 研究代表者
      堀田 將
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  種結晶層を用いた低温結晶化シリコン薄膜の粒径制御研究代表者

    • 研究代表者
      堀田 將
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  中間電極を用いた新しい動作原理による強誘電体メモリの開発研究代表者

    • 研究代表者
      堀田 將
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  シリコン基板上に界面制御して形成した単結晶強誘電体薄膜の作製研究代表者

    • 研究代表者
      堀田 將
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  チャネリングイオンを用いた非晶質表面上への二次元人工結晶格子の作製研究代表者

    • 研究代表者
      堀田 将
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  界面制御によるシリコン基板上への強誘電体薄膜のヘテロエピタキシャル成長研究代表者

    • 研究代表者
      堀田 將 (堀田 将)
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  酸化銅を用いた高移動度薄膜トランジスタの低温形成

    • 研究代表者
      松村 英樹
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  界面制御した酸化物薄膜のシリコン基板上へのヘテロエピタキシャル成長研究代表者

    • 研究代表者
      堀田 將 (堀田 将)
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  超高感度新型PASによる薄膜熱物性値の高精度測定

    • 研究代表者
      畑 朋延
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物理学一般
    • 研究機関
      金沢大学
  •  超高感度新型PASによる積層構造界面の新しい評価法

    • 研究代表者
      畑 朋延
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1991
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      金沢大学
  •  合金組成比を任意に制御出来る低温・高速スパッタ装置の開発研究

    • 研究代表者
      畑 朋延
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1988
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      金沢大学

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すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Study on residual OH content in low-temperature Si oxide films after in situ post-deposition heating (PDH)2023

    • 著者名/発表者名
      Horita Susumu、Pu Di
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 63 号: 1 ページ: 01SP12-01SP12

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acf477

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04649
  • [雑誌論文] Highly effective removal of OH bonds in low-temperature silicon oxide films by annealing with ammonia gas at a low temperature of 175 °C2019

    • 著者名/発表者名
      Susumu Horita
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: 3 ページ: 038002-038002

    • DOI

      10.7567/1347-4065/aafb64

    • NAID

      210000135350

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [雑誌論文] Dependences of deposition rate and OH content on concentration of added trichloroethylene in low-temperature silicon oxide films deposited using silicone oil and ozone gas2018

    • 著者名/発表者名
      Susumu Horita and Puneet Jain
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 3S1 ページ: 03DA02-03DA02

    • DOI

      10.7567/jjap.57.03da02

    • NAID

      120006584034

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [雑誌論文] Effect of trichloroethylene enhancement on deposition rate of low-temperature silicon oxide films by silicone oil and ozone2017

    • 著者名/発表者名
      Susumu Horita and Puneet Jain
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 号: 8 ページ: 088003-088003

    • DOI

      10.7567/jjap.56.088003

    • NAID

      120006486935

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [雑誌論文] Low-Temperature Crystallization of Silicon Films Directly Deposited on Glass Substrates Covered with Yttria-Stabilized Zirconia Layers2010

    • 著者名/発表者名
      Susumu Horita, Sukreen Hana
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 49

    • NAID

      120002515707

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [雑誌論文] Low-Temperature Crystallization of Silicon Films Directly Deposited on Glass Substrates Covered with Yttria-Stabilized Zirconia Layers2010

    • 著者名/発表者名
      Susumu Horita and Sukreen Hana
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: Vol.49, No.10

    • NAID

      120002515707

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [雑誌論文] Low-temperature Fabrication of a Crystallized Si Film Deposited on a Glass Substrate using an Yttria-stabilized Zirconia Seed Layer2009

    • 著者名/発表者名
      Sukreen Hana Herman and Susumu Horita
    • 雑誌名

      Mat. Res. Soc. Symp. Proc.

      巻: Vol.1153 ページ: 77-82

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [雑誌論文] Enhancement of the crystalline quality of reactively sputtered yttria-stabilized zirconia by oxidation of the metallic target surface2009

    • 著者名/発表者名
      S. Hana, K. Nishioka, and S. Horita
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: Vol.517, Issue 20 ページ: 5830-5836

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [雑誌論文] Influence of Pre-Oxidation of an Ir Film on Chemical Composition and Crystal Property of a PZT Film Deposited on the Ir Film by Sputtering2004

    • 著者名/発表者名
      S.Horita, M.Shouga
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.811

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560293
  • [雑誌論文] Influence of electrode material on ferroelectric hysteresis loop of a PZT film deposited by sputtering.2004

    • 著者名/発表者名
      S.Horita, H.Kasagawa, M.Syoga
    • 雑誌名

      Proc.The 7th International Symp.on Sputtering and Plasma Processes Vol.AP P-4

      ページ: 491-494

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560293
  • [雑誌論文] Retention and Read Endurance Characteristics of a Ferroelectric Gate Field Effect Transistor Memory with an Intermediate Electrode.2004

    • 著者名/発表者名
      T.D.Khoa, S.Horita
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys Vol.43, No.4B

      ページ: 2220-2225

    • NAID

      10012949833

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560293
  • [雑誌論文] Study on Operation of a Ferroelectric Gate Field-Effect Transistor Memory with an Intermediate Electrode2004

    • 著者名/発表者名
      T.D.Khoa, S.Horita
    • 雑誌名

      IEEE Transaction on Electron Devices Vol.51, No.5

      ページ: 820-823

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560293
  • [雑誌論文] Study on Operation of a Ferroelectric Gate Field-Effect Transistor Memory with an Intermediate Electrode2004

    • 著者名/発表者名
      T.D.Khoa, S.Horita
    • 雑誌名

      IEEE Transaction on Electron Devices Vol.51,No.5

      ページ: 820-823

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560293
  • [雑誌論文] Retention and Read Endurance Characteristics of a Ferroelectric Gate Field Effect Transistor Memory with an Intermediate Electrode2004

    • 著者名/発表者名
      T.D.Khoa, S.Horita
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys Vol.43,No.4B

      ページ: 2220-2225

    • NAID

      10012949833

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560293
  • [雑誌論文] Study on Operation of a Ferroelectric Gate Field-Effect Transistor Memory with an Intermediate Electrode.2004

    • 著者名/発表者名
      T.D.Khoa, S.Horita
    • 雑誌名

      IEEE Transaction on Electron Devices Vol.51, No.5

      ページ: 820-823

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560293
  • [雑誌論文] Influence of electrode material on ferroelectric hysteresis loop of a PZT film deposited by sputtering2004

    • 著者名/発表者名
      S.Horita, H.Kasagawa, M.Syoga
    • 雑誌名

      Proc. The 7th International Symp. on Sputtering and Plasma Processes AP P-4

      ページ: 491-494

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560293
  • [雑誌論文] Retention and Read Endurance Characteristics of a Ferroelectric Gate Field Effect Transistor Memory with an Intermediate Electrode2004

    • 著者名/発表者名
      T.D.Khoa, S.Horita
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.43, No.4B

      ページ: 2220-2225

    • NAID

      10012949833

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560293
  • [雑誌論文] Influence of Pre-Oxidation of an Ir Film on Chemical Composition and Crystal Property of a PZT Film Deposited on the Ir Film by Sputtering.2004

    • 著者名/発表者名
      S.Horita, M.Shouga
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.811

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560293
  • [産業財産権] 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム2017

    • 発明者名
      堀田將, 堀井貞義
    • 権利者名
      堀田將, 堀井貞義
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2017
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [学会発表] エタノール蒸気を添加したNH3ガスによる低温酸化Si膜中残留OH基量の低減効果2024

    • 著者名/発表者名
      堀田 將
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04649
  • [学会発表] NH3ガス添加アニールによる低温酸化Si膜の絶縁特性2023

    • 著者名/発表者名
      堀田 將
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04649
  • [学会発表] Study on residual OH content in low-temperature Si oxide films after in-situ post-deposition heating2023

    • 著者名/発表者名
      Susumu Horita, Di Pu
    • 学会等名
      The 9th International symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2023)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04649
  • [学会発表] Effect of ammonia gas in annealing process on reduction of residual OH-bonds and improvement of electrical properties of low-temperature silicon oxide films2023

    • 著者名/発表者名
      Susumu Horita
    • 学会等名
      The 4th International Workshop on Advanced Materials and Devices IWAMD 2023
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04649
  • [学会発表] NH3ガスを用いた酸化Si膜残留OH成分除去量の低温アニール条件依存性2019

    • 著者名/発表者名
      堀田 將
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [学会発表] 低温(150oC)アニールによる低温酸化Si膜中残留OH成分の除去2018

    • 著者名/発表者名
      堀田 將
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [学会発表] Reduction of Residual OH Content in a Low-temperature Si Oxide2018

    • 著者名/発表者名
      Susumu Horita
    • 学会等名
      The 25th International Display Workshops(IDW'18) in conjunction with Asia Display 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [学会発表] セルロースナノペーパー(CNP)上への多結晶Si-TFT作製への挑戦--- 基盤技術への取り組みについて ---2018

    • 著者名/発表者名
      堀田 將
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [学会発表] 触媒作用による低温酸化Si膜中残留OH成分の除去2018

    • 著者名/発表者名
      堀田 將
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第15回研究集会「未来のエネルギー社会に貢献する薄膜技術」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [学会発表] CNPを被覆したガラス基板上への結晶化YSZ薄膜の室温堆積2018

    • 著者名/発表者名
      堀田 將、柳生 瞳、 能木 雅也
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [学会発表] Trichloroethene Concentration Effect on Deposition Rate and Properties of Low-Temperature2017

    • 著者名/発表者名
      Puneet Jain and Susumu Horita
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
    • 年月日
      2017-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [学会発表] トリクロロエチレンによる有機SiガスAPCVD低温酸化Si膜中の残留OH量減少の効果2017

    • 著者名/発表者名
      堀田 將, Jain Puneet
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [学会発表] Room-Temperature Deposition of a Crystallized Dielectric YSZ Film on Glass Substrate Covered with Cellulose Nanopaper2017

    • 著者名/発表者名
      Susumu Horita, Jyotish Patidar, Hitomi Yagyu, and Masaya Nogi
    • 学会等名
      The 24th International Display Workshops(IDW'17) in conjunction with Asia Display 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [学会発表] Effect of Trichloroethene (TCE) on Deposition Rate and Film Quality of Low-Temperature SiO2 Films Grown Using Silicone Oil and Ozone Gas2017

    • 著者名/発表者名
      Puneet Jain and Susumu Horita
    • 学会等名
      The 24th International Workshop on Active-Matrix Flat Panel Displays and Devices (AM-FPD 17)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [学会発表] Effect of Adding Organic Solution on the Deposition Rate and Quality of Silicon Oxide Films using Silicone Oil and Ozone Gas2016

    • 著者名/発表者名
      Puneet Jain and Susumu Horita
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第13回研究集会
    • 発表場所
      響都ホール校友会館(京都市)
    • 年月日
      2016-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [学会発表] Effect of Added Organic Solution on Low-Temperature Deposition of SiOx Films by2016

    • 著者名/発表者名
      Puneet Jain and Susumu Horita
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ (新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [学会発表] Catalytic Effect of Trichloroethene on Deposition Rate of Silicon Oxides Films Deposited by APCVD Using Silicone Oil and Ozone Gas2016

    • 著者名/発表者名
      Puneet Jain and Susumu Horita
    • 学会等名
      The 23rd International Display Workshops(IDW'16) in conjunction with Asia Display 2016
    • 発表場所
      Fukuoka International Congress Center (Fukuoka)
    • 年月日
      2016-12-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06257
  • [学会発表] H_2O_2溶液をバブリングしたオゾンガスとシリコーンオイルを用いて堆積した酸化Si薄膜の膜質特性2012

    • 著者名/発表者名
      辻埜太一,谷口勇太,堀田將
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学、東京
    • 年月日
      2012-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] H_2O_2溶液をバブリングしたオゾンガスとシリコーンオイルを用いた酸化Si薄膜の堆積反応の検討2012

    • 著者名/発表者名
      谷口勇太、辻埜太一、堀田將
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学、東京
    • 年月日
      2012-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] 結晶化誘発YSZ層のプレアニールによる非晶質Si薄膜の固相結晶化への影響2012

    • 著者名/発表者名
      竹本和幸,森井健太,堀田將
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学、東京
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] H_2O_2溶液をバブリングしたオゾンガスとシリコーンオイルを用いて堆積した酸化Si薄膜の膜質特性2012

    • 著者名/発表者名
      辻埜太一, 谷口勇太, 堀田將
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京都、早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] ボトムゲート電極を有したYSZゲート絶縁膜上へ固相結晶化Si薄膜の形成2012

    • 著者名/発表者名
      森井健太、竹本和幸、堀田將
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学、東京
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] H_2O_2溶液をバブリングしたオゾンガスとシリコーンオイルを用いた酸化Si薄膜の堆積反応の検討2012

    • 著者名/発表者名
      谷口勇太、辻埜太一、堀田將
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京都、早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] 結晶化誘発YSZ層のプレアニールによる非晶質Si薄膜の固相結晶化への影響2012

    • 著者名/発表者名
      竹本和幸, 森井健太, 堀田將
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京都、早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] ボトムゲート電極を有したYSZゲート絶縁膜上へ固相結晶化Si薄膜の形成2012

    • 著者名/発表者名
      森井健太、竹本和幸、堀田將
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京都、早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] SRO/Tiボトムゲート電極上のYSZゲート絶縁膜の作製2011

    • 著者名/発表者名
      森井健太、竹本和幸、堀田將
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第8回研究集会「新しいデバイス材料」
    • 発表場所
      京都市、アバンティ9階、響都ホール(龍谷大)
    • 年月日
      2011-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] SRO/Tiボトムゲート電極上のYSZゲート絶縁膜の作製2011

    • 著者名/発表者名
      森井健太、竹本和幸、堀田將
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第8回研究集会
    • 発表場所
      アバンティ9階、響都ホール、京都市
    • 年月日
      2011-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] Si-TFT用SRO/Tiボトムゲート電極とYSZゲート絶縁膜の作製2011

    • 著者名/発表者名
      森井健太、竹本和幸、堀田將
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス、山形市
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] オゾンとシリコーンオイルを用いた酸化Si薄膜堆積におけるH_2O_2溶液バブリングの効果2011

    • 著者名/発表者名
      谷口勇太、辻埜太一、堀田將
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第8回研究集会
    • 発表場所
      アバンティ9階、響都ホール、京都市
    • 年月日
      2011-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] Si-TFT用SRO/Tiボトムゲート電極とYSZゲート絶縁膜の作製2011

    • 著者名/発表者名
      森井健太、竹本和幸、堀田將
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形市、山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] YSZ層上a-Si薄膜の固相結晶化におけるプレアニール時間とインキュベーション時間との関係2011

    • 著者名/発表者名
      竹本和幸、森井健太、堀田將
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第8回研究集会
    • 発表場所
      アバンティ9階、響都ホール、京都市
    • 年月日
      2011-11-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] YSZ層上a-Si薄膜の固相結晶化におけるプレアニール時間とインキュベーション時間との関係2011

    • 著者名/発表者名
      竹本和幸、森井健太、堀田將
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第8回研究集会「新しいデバイス材料」
    • 発表場所
      京都市、アバンティ9階、響都ホール(龍谷大)
    • 年月日
      2011-11-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] オゾンとシリコーンオイルを用いた酸化Si薄膜堆積におけるH_2O_2溶液バブリングの効果2011

    • 著者名/発表者名
      谷口勇太、辻埜太一、堀田將
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第8回研究集会「新しいデバイス材料」
    • 発表場所
      京都市、アバンティ9階、響都ホール(龍谷大)
    • 年月日
      2011-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] 結晶化誘発層イットリア安定化ジルコニアを用いた低温結晶化シリコン薄膜作製における堆積前基板加熱によるSi結晶化の効果2011

    • 著者名/発表者名
      竹本和幸森井健太堀田將
    • 学会等名
      平成23年度電気関係学北陸支部連合大会
    • 発表場所
      福井大学文京キャンパス、福井市
    • 年月日
      2011-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] オゾンガスのH_2O、H_2O_2溶液バブリングによるシリコーンオイル酸化Si膜の形成2011

    • 著者名/発表者名
      谷口勇太、辻埜太一、堀田將
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス、山形市
    • 年月日
      2011-08-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] 結晶化誘発層イットリア安定化ジルコニアを用いた低温結晶化シリコン薄膜作製における堆積前基板加熱によるSi結晶化の効果2011

    • 著者名/発表者名
      竹本和幸, 森井健太, 堀田將
    • 学会等名
      平成23年度電気関係学北陸支部連合大会
    • 発表場所
      福井市、福井大学文京キャンパス
    • 年月日
      2011-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] オゾンガスのH_2O、H_2O_2溶液バブリングによるシリコーンオイル酸化Si膜の形成2011

    • 著者名/発表者名
      谷口勇太、辻埜太一、堀田將
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形市、山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] 非晶質Si薄膜の固相結晶化に及ぼすイットリア安定化ジルコニア(YSZ)の影響2010

    • 著者名/発表者名
      堀田將、赤堀達矢
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第7回研究集会
    • 発表場所
      なら100年会館、奈良市。
    • 年月日
      2010-11-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] イットリア安定化ジルコニア(YSZ)による非晶質Si薄膜の固相結晶化への効果2010

    • 著者名/発表者名
      赤堀達矢,堀田將
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(湘南キャンパス)、神奈川県
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] YSZ層上の直接体積Si薄膜の低温結晶化におけるF+Y単分子層のパッシベイション効果2010

    • 著者名/発表者名
      堀田將
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス、長崎市
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] Ysz層上の直接堆積Si薄膜の低温結晶化におけるF+Y単分子層のパッシベイション効果2010

    • 著者名/発表者名
      堀田將
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎市、長崎大学文教キャンパス
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] 非晶質Si薄膜の固相結晶化に及ぼすイットリア安定化ジル4ア(Ysz)の影響2010

    • 著者名/発表者名
      堀田將、赤堀達矢
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第7回研究集会「薄膜デバイスの理解と解析」
    • 発表場所
      奈良市、なら100年会館
    • 年月日
      2010-11-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] Passivation Effect of F+Y Monolayer on Yttria-stabilized Zirconia(YSZ) Layers of LTPS2010

    • 著者名/発表者名
      S. Horita
    • 学会等名
      16th International Display Workshops(IDW' 10)
    • 発表場所
      Fukuoka International Congress Center, Fukuoka
    • 年月日
      2010-12-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] イットリア安定化ジルコニア(YSZ)による非晶質Si薄膜の固相結晶化への効果2010

    • 著者名/発表者名
      赤堀達矢、堀田將
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川県平塚市、東海大学平塚キャンパス
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] Passivation Effect of F+Y Monolayer on Yttria-stabilized Zirconia (YSZ) Layers of UPS2010

    • 著者名/発表者名
      S.Horita
    • 学会等名
      Proc.of the 16th International Display Workshops(IDW 10)
    • 発表場所
      Fukuoka International Congress Center, Fukuoka, Japan ?
    • 年月日
      2010-12-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] 固相成長法による結晶化誘発YSZ層上の非晶質Si薄膜の結晶化2009

    • 著者名/発表者名
      赤堀達矢、スクリーン・ハナ、杉田恵美、堀田將
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会
    • 発表場所
      京都市、龍谷大学大宮学舎
    • 年月日
      2009-11-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] Crystalline Properties of the Low-temperature Polycrystalline Silicon Film on Glass Substrate Deposited by Yttria-Stabilized Zirconia Stimulation Layer Method2009

    • 著者名/発表者名
      スクリーン・ハナ, 赤堀達矢, 堀田將
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会
    • 発表場所
      京都市、龍谷大学大宮学舎
    • 年月日
      2009-11-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] Relation of YSZ stimulation layer crystalline quality with the low-temperature crystallization of the Si film2009

    • 著者名/発表者名
      スクリーン・ハナ, 堀田將
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山市、富山大学五福キャンパス
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] Low-temperature Growth of Crystallized Si Film on Yttria-Stabilized Zirconia Stimulation Layer2009

    • 著者名/発表者名
      S. Hana, T. Akahori and S. Horita
    • 学会等名
      15th International Display Workshops
    • 発表場所
      World Convention Center Summit, Miyazaki
    • 年月日
      2009-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] 固相成長による結晶化誘発YSZ層上の非晶質Si薄膜の結晶化2009

    • 著者名/発表者名
      赤堀達矢、スクリーン・ハナ、堀田將
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山市、富山大学五福キャンパス
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] Low-temperature Growth of Crystallized Si Film on Yttria-Stabilized Zirconia Stimulation Layer2009

    • 著者名/発表者名
      スクリーン・ハナ, 赤堀達矢, 堀田將
    • 学会等名
      15th International Display Workshops(IDW'08)
    • 発表場所
      宮崎市、シーガイア
    • 年月日
      2009-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] Lowtemperature Fabrication of a Crystallized Si Film Deposited on a Glass Substrate using an Yttria stabilized Zirconia Seed Layer2009

    • 著者名/発表者名
      S. Hana and S. Horita
    • 学会等名
      Material Research Society(MRS) Spring Meeting
    • 発表場所
      San San Francisco, U. S. A.
    • 年月日
      2009-04-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] Relation of YSZ stimulation layer crystalline quality with the low-temperature crystallization of the Si film2009

    • 著者名/発表者名
      Hana SUKREEN and Susumu HORITA
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学五福キャンパス、富山市
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • [学会発表] 固相成長による結晶化誘発YSZ層上の非晶質Si薄膜の結晶化2009

    • 著者名/発表者名
      赤堀達矢, SUKREEN Hana,堀田將
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学五福キャンパス、富山市
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560324
  • 1.  畑 朋延 (50019767)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  増田 淳 (30283154)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  佐々木 公洋 (40162359)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  西岡 賢祐 (00377441)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  長谷川 誠一 (10019755)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  松村 英樹 (90111682)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  能木 雅也 (80379031)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 8.  和佐 清孝
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  WASA Kiyotaka
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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