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佐々木 公洋  SASAKI Kimihiro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40162359
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2005年度 – 2006年度: 金沢大学, 自然科学研究科, 教授
2004年度 – 2005年度: 金沢大学, 自然科学研究科, 助教授
2001年度 – 2003年度: 金沢大学, 工学部, 助教授
1999年度 – 2000年度: 金沢大学, 自然科学研究科, 助教授
1995年度 – 1997年度: 金沢大学, 工学部, 助教授 … もっと見る
1993年度 – 1994年度: 金沢大学, 工学部, 講師
1992年度: 東京工業大学, 総理工, 助手
1991年度 – 1992年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 助手
1991年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助手
1990年度: 東京工業大学, 大学院総理工, 助手
1989年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 助手
1987年度 – 1988年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 助手
1986年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学
研究代表者以外
電子材料工学 / 応用物性 / 電子・電気材料工学 / 応用物理学一般
キーワード
研究代表者
SiGe / ZT / ZrO2 / MOSFET / Metallic Mode / Sputtering / スパッタリング / Epitaxial Growth / ECR / SiC … もっと見る / エピタキシャル成長 / 熱電効果 / ヘテロ接合 / Crystalline Defect / Seebeck coefficient / Power Factor / Strain / Thermo-electric Effect / 熱電性能指数 / 多層構造膜 / 高濃度ドープ / 結晶欠陥 / ゼーベック係数 / パワーファクター / 歪み緩和 / Limitted Reaction / High-k Material / Thin Film / ゲート絶縁膜 / 金属モードスパッタ / 制限反応スパッタ / 短時間熱処理 / high-kゲートテ絶縁物 / SiO2 / 高誘電率 / 制限反応素スパッタ法 / ZrO_2 / 制限反応 / High-K材料 / メタリックモード / 薄膜 / Metal-Oxide Combined Target / ZrTi Target / Isotope Oxygen / Oxide Mode / PZT Thin Films / 金属・酸化物複合ターゲット / 金属-酸化物複合ターゲット / ZrTiターゲット / 金属一酸化物複合ターゲット / ZrTr ターゲット / 同位体酸素 / 酸化物モード / 金属モード / PZT薄膜 / Ion Beam Sputtering / Amorphous Si / Bipolar Transistor / Heterojunction / 水素プラズマ / プラズマ発光 / エッチング / Si薄膜 / プラズマ / CVD / 非晶質Si / イオンビームスパッタ / 非晶質SiC / バイポーラトランジスタ / SOI / 歪み / ゼーベック効果 / 微結晶SiC / プラズマ発光文光 / 非晶質膜 / 有機シランガス / ECRプラズマ … もっと見る
研究代表者以外
MOSFET / 弗化物 / シリコン / ヘテロエピタキシー / Si / PAS / 双晶 / ローテーショナル・ツイン / SiGe / イオン注入 / エピタキシャル成長 / amorphous Si / silicon-on-insulator / selective doping / lateral solid phase epitaxy / 選択ドープ構造 / 横方向固相成長 / 選択ドープ法 / 選択ドーピング / 三次元集積回路 / 非晶質シリコン / SOI / 横方向成長 / 固相成長 / ZrO2 / Limitted Reaction / High-k Material / Metallic Mode / Thin Film / Sputtering / S:Ge(シリコンゲルマニウム) / イットリア安定化ジルコニア / 反応性スパッタリング / ヘテロエピタキシャル成長 / イオンプレーラィレグ / フラッシュ蒸着 / ヘテロエピタキシャル / 人工超格子 / β-FeSi_2 / エピキシャル成長 / フラッシュ蒸着法 / ZrO_2 / 制限反応 / 高誘電率材料 / 金属モード / 薄膜 / スパッタリング / InP / Thermal Diffusivity / Photothermal Spectroscopy / Thermal Conductivity / Thermal conductivity / Photoacoustic Spectroscopy / 薄膜の熱拡散率 / 熱拡散率 / 熱伝導率 / 光音響分光法 / X線CTR法 / CaF_2 / 低温堆積技術 / 液晶ディスプレイ / TFT(薄膜トランジスタ) / 触媒CVD法 / ポリ・シリコン / 二段階成長 / 界面 / 電子線 / ブル-スタ-角 / P偏光 / P(リン) / 表面改質 / 電子ビーム / その場観察 / 表面光吸収法 / 2段階成長 / (111)面 / GaAs / ヘテロエピタキシ- / 回転双晶 / ロ-テ-ショナル・ツイン / HBT / 無ひずみ / ひずみ成長 / ヘテロ接合 / シリコン系ヘテロ接合 / 高濃度ド-ピング / 歪成長 / 格子整合 / 熱反応CVD / 固相エピタキシャル成長 / 蒸着 / 酸化物超伝導薄膜 / ア-ク放電 隠す
  • 研究課題

    (16件)
  • 研究成果

    (23件)
  • 共同研究者

    (9人)
  •  結晶/非晶質混合相シリコン系材料による巨大熱電現象の実証とその応用研究代表者

    • 研究代表者
      佐々木 公洋
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  超高濃度ホウ素ドープSiGeによる巨大熱超電力の発現とその応用研究代表者

    • 研究代表者
      佐々木 公洋
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  制限反応スパッタ製膜法による高誘電率YSZ絶縁膜の研究研究代表者

    • 研究代表者
      佐々木 公洋
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  スパッタ・イオンプレーティング複合人工格子作製装置の開発研究

    • 研究代表者
      畑 朋延
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  新しいスパッタ堆積モードによる強誘電体(PZT)薄膜の低温形成とその機構解明研究代表者

    • 研究代表者
      畑 朋延, 佐々木 公洋
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  炭化シリコン超薄膜を正孔障壁層に用いる新しいエミッタ構造の研究研究代表者

    • 研究代表者
      佐々木 公洋
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  超高感度新型PASによる薄膜熱物性値の高精度測定

    • 研究代表者
      畑 朋延
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物理学一般
    • 研究機関
      金沢大学
  •  極薄SiC膜を正孔障壁層に用いる新しいエミッタ構造の研究研究代表者

    • 研究代表者
      佐々木 公洋
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      金沢大学
  •  触媒CVD法による高移動度ポリ・シリコン膜の低温形成

    • 研究代表者
      松村 英樹
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  ヘテロ成長におけるロ-テ-ショナル・ツイン生成機構の解明とその制御

    • 研究代表者
      古川 静二郎
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  表面光吸収法を用いたその場観察による電子ビーム表面改質エピタキシーの機構解明

    • 研究代表者
      古川 静二郎, 筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  ヘテロ成長におけるローテーショナル・ツイン生成機構の解明とその制御

    • 研究代表者
      古川 静二郎
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  ヘテロ成長におけるローテーショナル・ツイン生成機構の解明とその制御

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  無ひずみシリコン系ヘテロ接合の新しい作製手法とその超高速素子への応用

    • 研究代表者
      古川 静二郎
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1991
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  ア-ク放電蒸着法を用いたSi基板上への酸化物超伝導薄膜のエピタキシャル成長

    • 研究代表者
      石原 宏
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  Siの選択ドープ横方向固相成長に関する研究

    • 研究代表者
      石原 宏
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京工業大学

すべて 2006 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 図書 産業財産権

  • [図書] Future Textile2006

    • 著者名/発表者名
      堀照夫監修, 佐々木公洋他
    • 総ページ数
      438
    • 出版者
      繊維社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [図書] Future Texile2006

    • 著者名/発表者名
      堀照夫監修, 佐々木公洋他
    • 総ページ数
      438
    • 出版者
      繊維社
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth and Thermoelectric Properties of SiGe Films Prepared By Ion Sputtering Technique2006

    • 著者名/発表者名
      K.Sasaki, J.Yamamoto, H.Watase, A.Motoba
    • 雑誌名

      JAIST International Symposium on Nano-Technology 2006(invited) pp.16-17

      ページ: 16-17

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360145
  • [雑誌論文] A novel magnetron sputtering for flexible coatings as a function for production of high quality films2006

    • 著者名/発表者名
      C.Wang, K.Sasaki, Y.Yonezawa, T.Hata
    • 雑誌名

      Vacuum (In press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Crystallinity and strain control growth of SiGe using ion sputtering technique2006

    • 著者名/発表者名
      Kimihiro Sasaki, Kazuya Yoshimori
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 124-127

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Crystallinity and strain control growth of SiGe using ion sputtering technique2006

    • 著者名/発表者名
      Kimihiro Sasaki, Kazuya Yoshimori
    • 雑誌名

      Thin Solid Films (In press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Future Textile2006

    • 著者名/発表者名
      T.Hori, K.Sasaki et al.
    • 雑誌名

      SENI-SHA

      ページ: 113-116

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] 劣化エピラキシャル成長したSiGe膜の熱電特性?基板の影響?2006

    • 著者名/発表者名
      的場, 早平, 佐々木
    • 雑誌名

      日本熱電学会第3解学術講演会論文集

      ページ: 70-71

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360145
  • [雑誌論文] 劣化エピラキシャル成長した作製されたSiGe薄膜の熱電性能2006

    • 著者名/発表者名
      的場, 早平, 佐々木
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 技術研究報告

      ページ: 59-63

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360145
  • [雑誌論文] Unbalanced Magnetron Sputtering using Cylindrical Target for Low-temperature Optical Costing2005

    • 著者名/発表者名
      C.Wang, K.Sasaki, Y.Yonezawa, T.Hata
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44[1B]

      ページ: 669-672

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Thermo-electric Properties of Deteriorate Epitaxial Grown Si-Ge Based Thin Films2005

    • 著者名/発表者名
      H.Watase, A.Matoba, K.Sasaki, Y.Okamoto, J.Morimoto
    • 雑誌名

      2nd Meeting of The Thermoelectrics Society of Japan

      ページ: 66-67

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] A novel magnetron sputtering for flexible coatings as a function for production of high quality films2005

    • 著者名/発表者名
      C.Wang, K.Sasaki, Y.Yonezawa, T.Hata
    • 雑誌名

      Proc.of 8th Intern.Symposium on Sputtering & Plasma process

      ページ: 58-61

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] 劣化エピタキシャル成長したSi-Ge系薄膜の熱電特性2005

    • 著者名/発表者名
      渡瀬博之, 的場彰成, 佐々木公洋, 岡本庸一, 守本純
    • 雑誌名

      第2回日本熱電学会学術講演会

      ページ: 66-67

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Unbalanced Magnetron Sputtering using Cylindrical Target for Low-temperature Optical Costing2005

    • 著者名/発表者名
      C.Wang, K.Sasaki, Y.Yonezawa, T.Hata
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44・1B

      ページ: 669-672

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Sputter Growth SiGe Films -Epitaxy, Strain and Thermo-electric Properties2004

    • 著者名/発表者名
      K.Sasaki, T.Hata
    • 雑誌名

      Abs.3^<rd> Intern.Workshop on New Group IV(Si-Ge-C) Semiconductors

      ページ: 45-46

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Sputter Growth SiGe Films-Epitaxy, Strain and Thermo-electric Properties2004

    • 著者名/発表者名
      K.Sasaki, T.Hata
    • 雑誌名

      Abs.3^<rd> Intern.Workshop on New Group IV(Si-Ge-C) Semiconductors

      ページ: 45-46

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of SiGe Films Grown by Ion-Beam Sputtering and Generation of Large Thermoelectric Power2004

    • 著者名/発表者名
      K.Sasaki, M.Kitai, H.Watase
    • 雑誌名

      Tech.Dig.of 2004 AWAD

      ページ: 91-95

    • NAID

      110003175593

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Thermoelectric Properties of Si/Ge Multi-nanolaye Films Prepared by Ion-beam Sputtering Technique2004

    • 著者名/発表者名
      M.Kitai, H.Watase, K.Sasaki, T.Hata
    • 雑誌名

      Abs.2004 Intern.Sypmp.on Organic and Inorganic Materials and Related Nanotechnologies

      ページ: 203-203

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Thermoelectric Properties of Si/Ge Multi-nanolayer Films Prepared by Ion-beam Sputtering Technique2004

    • 著者名/発表者名
      M.Kitai, H.Watase, K.Sasaki, T.Hata
    • 雑誌名

      Abs.2004 Intern.Sypmp.on Organic and Inorganic Materials and Related Nanotechnologies

      ページ: 203-203

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Sputtering Epitaxy of SiGe Films Using Mixture Target2004

    • 著者名/発表者名
      K.Yoshimori, K.Sasaki, T.Hata
    • 雑誌名

      Abs.2004 Intern.Sypmp.on Organic and Inorganic Materials and Related Nanotechnologies

      ページ: 202-202

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] Anomalous large thermoelectric power on heavily B-doped SiGe thin films with thermal annealing2003

    • 著者名/発表者名
      T.Kawahara, S.M.Lee, Y.Okamoto, J.Morimoto, K.Sasaki, T.Hata
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 41(8B)

    • NAID

      110004081121

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [雑誌論文] A novel magnetron sputtering for flexible coatings as a function for production of high quality films

    • 著者名/発表者名
      C.Wang, K.Sasaki, Y.Yonezawa, T.Hata
    • 雑誌名

      Vacuum (in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • [産業財産権] 傾斜材料とこれを用いた機能素子2005

    • 発明者名
      畑 朋延, 佐々木 公洋, 森田 信一
    • 権利者名
      IHI
    • 出願年月日
      2005-05-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360161
  • 1.  畑 朋延 (50019767)
    共同の研究課題数: 7件
    共同の研究成果数: 11件
  • 2.  古川 静二郎 (60016318)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  筒井 一生 (60188589)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  石原 宏 (60016657)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  川崎 宏治 (10234056)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  松村 英樹 (90111682)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  堀田 将 (60199552)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  岡田 修
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  守本 純
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件

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