服部健雄 Hattori Takeo

研究者番号	10061516
外部サイト
所属 (現在)	2025年度: 東京都市大学, その他部局等, 名誉教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2008年度 – 2009年度: 東京工業大学, フロンティア研究センター, 客員教授 2007年度 – 2009年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 2004年度 – 2007年度: 武蔵工業大学, 名誉教授 2006年度: 東北大学, 未来科学技術協同研究センター, 教授 2004年度 – 2005年度: 武蔵工業大学, 工学部, 名誉教授 1987年度 – 2003年度: 武蔵工業大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者表面界面物性 / 応用物性 / 薄膜・表面界面物性 / 理工系研究代表者以外薄膜・表面界面物性 / 理工系
キーワード	研究代表者シリコン酸化膜 / 光電子分光法 / interface structure / 酸化反応 / 界面構造 / 自然酸化膜 / XPS / シリコン界面 / 原子スケール / oxidation reaction … もっと見る / 酸化機構 / Si-SiO_2 / silicon oxide / 価電子帯 / 酸化膜の層状成長 / atomic-scale / oxidation mechanism / silicon / Hydrogen termination / 界面反応 / 層状成長 / 初期酸化 / シリコン / 水素終端 / 酸化速度 / SiO_2 / 界面 / 希土類酸化膜 / 最大エントロピー法 / 希土類金属酸化膜 / 高誘電率膜 / ゲート絶縁膜 / 電子帯構造 / 角度分解光電子分光法 / 放射光 / 熱酸化膜 / シリコン酸化膜@シリコン界面 / Thermal oxide / Native oxide / Si interface / Rotating anode / Zr Mzeta / Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy / Photoelectron Spectroscopy / 洗浄過程 / Si_2p光電子スペクトル / 非破壊分析 / 超軟X線 / 回転タ-ゲット / ZrMζ線 / 軟X線励起光電子分光法 / Dielectric constant / Maximum entropy concept / Rare oxide film / High dielectric constant film / gate insulators / Angle-resolved photoelectron spectroscopy / photoelectron spectroscopy / Synchrotron radiation / 硬X線 / 高エネルギー光電子分光法 / 誘電率 / elastic scattering / first principle molecular orbital calculation / interface dipole / interface states / surface roughness / 光電子回折 / 非弾性散乱 / ダイポール相互作用 / 価電子帯オフセット / 活性酸素原子 / 弾性散乱 / 第一原理分子軌道計算 / 界面原子構造 / 界面ダイポール / 界面準位 / 表面粗さ / valence band discontinuity / valence band / layr-by-layr oxidation of silicon / 価電子帯の不連続量 / Si-SiO2 / initial stage of oxidation / preoxide / native oxide / プレオキサイド / interface reaction / layr by layr growth / initial oxidation / 局所的酸化 / 界面形成過程 / 初期酸化過程 / 平坦性 / 酸化膜界面 / 金属 / ZrKζ線 / MgKα線 / サブオキサイド / エッチング速度 / ストレス緩和速度 / ステップ / Si2p光電子スペクトル / 界面の平坦性 / Si界面 / 光吸収係数 / 光学定数 / 反射スペクトル / 真空紫外域 / シリコン窒化膜 / シリコン酸窒化膜の界面粗さ / シリコン酸窒化膜の表面粗さ / Si界面構造 / 電子状態から決まる界面 / 価電子に対するエネルギー障壁 / 電子状態の沁み出し / 0 1s光電子のエネルギー損失 / X線光電子分光分析装置 / 電子エネルギー損失 / 組成遷移層 / 深さ方向分析 / シリコン熱酸化膜 / シリコン酸窒化膜 / シンクロトロン軌道放射光 / 単色化X線励起光電子分光法 / シリコンーシリコン結合 / シリコン酸化膜の光吸収 / 真空紫外域反射測定法 / 全外全反射吸収測定法 / シリコンー水素結合 / シリコンの初期酸化 / シリコン自然酸化膜 / シリコン表面の清浄化 / 赤外全反射吸収測定法 / 角度分解X線光電子分光法 / X線光電子分光法 … もっと見る研究代表者以外 MOSFET / HfO_2 / SiO_2 / LSI / SiGe / 光電子分光 / x-ray photoelectron spectroscopy / defects / dielectric constant / gate oxide / 欠陥 / 高誘電率 / ゲート絶縁膜 / ferroelectric / field effect transistor / quantum chemistry calculation / low contact resistance / high aspect ratio / point defect relaxation process / ultra thin Si oxide / 無損傷化 / 欠陥緩和 / ヘテロ界面 / 欠損測定 / Siプロセス量子化学研究 / 高アスペクト比プロセス / 低抵抗コンタクト / 極薄酸化膜 / Ge歪超格子 / Si / Si高精度化プロセス / 強誘電体 / 電界効果型トランジスタ / 量子化学計算 / 低抵抗コンタクト抵抗 / 高アスペクト比 / 点欠陥緩和過程 / 極薄Si酸化膜 / 第一原理計算 / 薄膜 / 表面 / 酸化膜 / シリコン / 誘電率 / 界面 / Niシリサイド / 短チャネル効果 / エネルギー障壁 / drain / Schottky source / しきい値 / 三次元構造MOSFET / 数値解析 / ショットキー接合 / 3次元 / オン電流 / ショットキー / 特性ばらつき / ロバストネス / 3次元構造 / トランジスタ / 感度解析 / シリサイド / FinFET / ダブルゲート / CMOS / ゆらぎ / ばらつき隠す

超高感度・高分解能界面分析によるゲート絶縁膜/シリコン界面構造の決定研究代表者
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東北大学
3次元構造MOSFETのロバストネス
- 研究代表者
  
  岩井洋
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学
積層ゲート絶縁膜の局所的誘電率の研究
- 研究代表者
  
  廣瀬和之
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  独立行政法人宇宙航空研究開発機構
高エネルギー光電子分光法開発と高誘電率膜/シリコン界面の化学結合状態分析への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
高誘電率絶縁薄膜中の欠陥の研究
- 研究代表者
  
  廣瀬和之
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  独立行政法人宇宙航空研究開発機構
断面光電子分光法による非晶質シリコン酸化膜の組成および結合状態密度の深さ方向分析研究代表者
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  武蔵工業大学
極薄シリコン酸化膜/シリコン界面のキャリア捕獲準位と微視的構造との関係の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
シリコン酸化膜/シリコン界面形成の原子スケール制御による超平坦界面の実現研究代表者
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
集積化知能システム極限材料・プロセス
- 研究代表者
  
  堀池靖浩
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1998
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
   東洋大学
水素終端したシリコン面の熱酸化による超平坦シリコン酸化膜/シリコン界面の実現研究代表者
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
水素終端シリコンの初期酸化機構と極薄金属膜/極薄シリコン酸化膜界面構造の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
その場観察用X線光電子分光分析器の開発とシリコン酸化・窒化極薄膜の形成機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1991
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 研究機関
  武蔵工業大学
超ULSIのための高品質SiO_2極薄膜の作成とSiO_2/Si界面の極微細構造評価研究代表者
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1989
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
超軟X線励起光電子分光法の高性能化に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1989
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  武蔵工業大学

すべて 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Crystallographic orientation dependence of compositional transition and valence band offset at SiO_2/Si interface formed using oxygen radicals2010
- 著者名/発表者名
  T. Suwa, A. Teramoto, Y. Kumagai, K. Abe, X. Li, Y. Nakao, M. Yamamoto, Y. Kato, T. Muro, T. Kinoshita, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol. 96, No. 10
- NAID
  110008106358
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Si-SiO_2系の形成・構造・物性」、表面科学 (日本表面科学会)2010
- 著者名/発表者名
  服部健雄, 廣瀬和之
- 雑誌名
  
  (社)日本表面科学会創立30周年記念特集号分野別記念解説 Vol. 31, No. 1
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A. Ch, orkar, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Trans Vol.16
  
  ページ: 29-34
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Comprehensive x-ray photoelectron spectroscopy study on compositional gradient lanthanum silicate film2009
- 著者名/発表者名
  K. Kakushima, K. Tachi, J. Song, S. Sato, H. Nohira, E. Ikenaga, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol. 106, No. 12
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K.Noguchi, W.Hosoda, K.Matano, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, A.N.Chandorkar, T.Hattori, H.Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 16
  
  ページ: 29-34
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] 巻頭言、LSIにかかわる技術の変遷と課題2009
- 著者名/発表者名
  服部健雄
- 雑誌名
  
  応用物理学会誌 Vol. 78, No. 9
  
  ページ: 841-841
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Band bending measurement of HfO_2/SiO_2/Si capacitor with ultra-thin La_2O_3 insertion by XPS2008
- 著者名/発表者名
  K. Kakushima, K. Okamoto, M. Adachi, K. Tachi, J. Song, S. Sato, T. Kawanago, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science Vol. 254
  
  ページ: 6106-6108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Relationship between optical dielectric constant and XPS relative chemical shift of 1s and 2p levels for dielectric compounds2008
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Suzuki, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series Vol. 100
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] Angle-resolved photoelectron study on the structures of silicon nitride films and Si_3N_4/Si interfaces formed using nitrogen-hydrogen radicals2008
- 著者名/発表者名
  T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, T. Suwa, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol. 104, No. 11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Obser-vation of band bending of metal/high-k Si capacitor with high energy x-ray photo-electron spectroscopy and its application to interface dipole measurement2008
- 著者名/発表者名
  K. Kakushima, K. Okamoto, K. Tachi, J. Song, T. Kawanago, K. Tsutsui, N. Sugii, P. Ahmet, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol. 104, No. 10
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Investigation of the effect of in situ annealing of FePt nanodots under high vacuum on the chemical states of Fe and Pt by x-ray photoelectron spectroscopy2008
- 著者名/発表者名
  M. Murugesan, J. C. Bea, C.-K. Yin, H. Nohira, E. Ikenaga, T. Hattori, M. Nishijima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Miyao, M. Koyanagi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol. 104, No. 7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Evaluation of Si_3N_4/Si Interface by UV Raman Spectrsocopy2008
- 著者名/発表者名
  A. Ogura, T. Yoshida, D. Kosemura, Y. Kakemura, T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science Vol. 254
  
  ページ: 6229-6231
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Activated boron and its concen-tration profiles in heavily doped Si studied by soft x-ray photoelectron spectroscopy and Hall measurements2008
- 著者名/発表者名
  K. Tsutsui, T. Matsuda, M. Watanabe, C-G Jin, Y. Sasaki, B. Mizuno, E. Ikenaga, K. Kakushima, P. Alhmet, T. Maruizumi, H. Nohira, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol. 104, No. 9
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Photoelectron Spectros-copy Studies of SiO_2/Si Interfaces2007
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Nohira, K. Azuma, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Progress in Surface Science Vol. 82
  
  ページ: 3-54
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Angle-resolved photoelectron spectroscopy on gate insulators2007
- 著者名/発表者名
  T. Hattori
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability Vol. 47
  
  ページ: 20-26
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] Electrical Characteristics of Si_3N_4 Films Formed by Directly Radical Nitridation on Si (110) and Si (100) Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  M. Higuchi, T. Aratani, T. Hamada, S. Shinagawa, H. Nohira, E. Ikenaga, A. Teramoto, T. Hattori, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46, No. 4B
  
  ページ: 1895-1898
- NAID
  10022545462
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Subnitride and valence band offset at Si_3N_4/Si interface formed using nitrogen-hydrogen radicals2007
- 著者名/発表者名
  M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, T. Maruizumi, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol. 90, No. 12
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Angle-resolved photoelectron spectroscopy on gate insulators2007
- 著者名/発表者名
  T. Hattori, H. Nohira, S. Shinagawa, M. Hori, M. Kase, T. Maruizumi
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability Vol. 47
  
  ページ: 20-26
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成2007
- 著者名/発表者名
  寺本章伸, 荒谷崇, 樋口正顕, 池永英司, 平山昌樹, 須川成利, 服部健雄, 大見忠弘
- 雑誌名
  
  真空 (日本真空協会) Vol. 50, No. 11
  
  ページ: 659-664
- NAID
  10020009820
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Mgle-resolved photoelectron spectroscopy on gate insulators2007
- 著者名/発表者名
  服部健雄
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability 47
  
  ページ: 20-26
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価2007
- 著者名/発表者名
  河瀬和雅, 梅田浩司, 井上真雄, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘
- 雑誌名
  
  真空 (日本真空協会) Vol. 50, No. 11
  
  ページ: 672-677
- NAID
  10020009875
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[雑誌論文] Study of the gate insulator/silicon interface utilizing soft and hard x-ray photoelectron spectroscopy at SPring-82006
- 著者名/発表者名
  T.Hattori, H.Nohira, K.Azuma, K.W.Sakai, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, et al.
- 雑誌名
  
  International Journal of High Speed Electronics and Systems (to be published in)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties at gate insulator film/Si interface2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Nohira, D. Kobayashi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  IEEE 2006 Int. Conf. Solid-State and Integrated Circuit Technology
  
  ページ: 368-371
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定2006
- 著者名/発表者名
  鈴木治彦、長谷川覚、野平博司、服部健雄、山脇師之、鈴木伸子、小林大輔、廣瀬和之
- 雑誌名
  
  応用物理学会分科会シリコンテクノロジー No.82-2
  
  ページ: 55-60
- NAID
  110004757013
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study of dielectric constants for Si compounds2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, M. Kihara, D. Kobayashi, H. Okamoto, S. Shinagawa, H. Nohira, E. Ikenaga, M. Higuchi, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Physics letters Vol. 89
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] Study of the gate insulator/silicon interface utilizing soft and hard X-ray photoelectron spectroscopy at SPring-82006
- 著者名/発表者名
  T.Hattori et al.
- 雑誌名
  
  International Journal of High Speed Electronics and Systems (to be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560025
[雑誌論文] Valence charges for ultrathin SiO_2 film formed on Si(100)2006
- 著者名/発表者名
  K.Hirose, M.Kihara, H.Okamoto, H.Nohira, E.Ikenaga, Y.Takata, K.Kobayashi, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Journal de Physique IV 132
  
  ページ: 83-86
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties of AlN/Al_2O_3 Films2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Suzuki, T. Matsuda, Y. Takenaga, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattori
- 雑誌名
  
  2006 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Device-Science and Technology-
  
  ページ: 25-26
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[雑誌論文] A novel probe of intrinsic electronic structure : hard X-ray photoemission spectroscopy2005
- 著者名/発表者名
  Y.Takata, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, M.Yabashi, E.Ikenaga, K.Horiba, M.Arita, K.Shimada, H.Namatame, H.Nohira, T.Hattori, S.Sodergren, B.Wannberg et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144-147
  
  ページ: 1063-1065
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Angle-resolved XPS studies on transition layers at SiO_2/Si interfaces2005
- 著者名/発表者名
  T.Hattori et al.
- 雑誌名
  
  J.Electron Spectroscopy & Related Phenomena 144-147
  
  ページ: 457-460
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560025
[雑誌論文] Angle-resolved XPS studies on transition layers at SiO_2/Si interfaces.2005
- 著者名/発表者名
  T.Hattori
- 雑誌名
  
  J.Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144-147
  
  ページ: 457-460
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560025
[雑誌論文] Angle-resolved XPS studies on transition layers at SiO_2/Si interfaces2005
- 著者名/発表者名
  T.Hattori
- 雑誌名
  
  J. Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144-147
  
  ページ: 457-460
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560025
[雑誌論文] Development of hard X-ray photoelectron spectroscopy at BL29XU in SPring-82005
- 著者名/発表者名
  Y.Takata, M.Yabashi, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, T.Ishikawa, E.Ikenaga, K.Horiba, S.Shin, M.Arita, K.Shimada, H.Namatame, M.Taniguchi, H.Nohira, T.Hattori, S.Sodergren, B.Wannberg, K.Kobayashi
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 547
  
  ページ: 50-55
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] A novel probe of intrinsic electronic structure : hard X-ray photoemission spectroscopy2005
- 著者名/発表者名
  Y.Takata, K.Tamasaku, Y.Nishino, D.Miwa, M.Yabashi, E.Ikenaga, K.Horiba, M.Arita, K.Shimada, H.Namatame, H.Nohira, T.Hattori, S.Sodergren, B.Wannberg, M.Taniguchi, S.Shin, T.Ishikawa, K.Kobayashi
- 雑誌名
  
  Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144-147
  
  ページ: 1063-1065
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Thermal Stability of LaO_x/Si Interfacial Transition Layer2005
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Yoshida, H.Okamoto, Ng Jin Aun, Y.Kobayashi, S.Ohmi, H.Iwai, E.Ikenaga, K.Kobayashi, Y.Takata, T.Hattori
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1
  
  ページ: 87-95
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Characterization of Oxide Films on SiC Epitaxial (000-1) Faces by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Measurements using Synchrotron Radiation2005
- 著者名/発表者名
  Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, Y.Takata, K.Kobayashi, S.Shin, H.Nohira, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 483-485
  
  ページ: 585-588
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Determination of electron escape depth in ultrathin silicon oxide2005
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, H.Okamoto, K.Azuma, Y.Nakata, E.Ikenaga, K.Kobayashi, Y.Takata, S.Shin, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 86・8
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Dependence of SiO_2/Si interface structure on low-temperature oxidation process.2004
- 著者名/発表者名
  T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 234-1/4
  
  ページ: 197-201
- NAID
  10011880703
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560025
[雑誌論文] Composition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Hattori et al.
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 71(1-4)
  
  ページ: 283-287
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560025
[雑誌論文] Composition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Hattori, T.Yoshida, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, S.Joumori, et al.
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 72
  
  ページ: 283-287
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Dependence of SiO_2/Si interface structure on low-temperature oxidation process2004
- 著者名/発表者名
  T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 234・1-4
  
  ページ: 197-201
- NAID
  10011880703
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560025
[雑誌論文] Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La_2O_3/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, K.Takahashi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 234
  
  ページ: 493-496
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO_2/Si interface structures formed by three kinds of atomic oxygen at 300℃2004
- 著者名/発表者名
  M.Shioji, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, K.Azuma, Y.Nakata, Y.Takata, S.Shin, K.Kobayashi, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 84・19
  
  ページ: 3756-3758
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Composition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Hattori, T.Yoshida, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 72
  
  ページ: 283-287
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Dependence of SiO_2/Si interface structure on low-temperature oxidation process2004
- 著者名/発表者名
  T.Hattori, K.Azuma, Y.Nakata, M.Shioji, T.Shiraishi, T.Yoshida, K.Takahashi, H.Nohira, Y.Takata, S.Shin, K.Kobayashi
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 234・1〜4
  
  ページ: 197-201
- NAID
  10011880703
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Dependence of SiO_2/Si interface structure on low-temperature oxidation process2004
- 著者名/発表者名
  T.Hattori et al.
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 234(1-4)
  
  ページ: 197-201
- NAID
  10011880703
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560025
[雑誌論文] Chemical and electronic structure of SiO_2/Si interfacial transition layer.2003
- 著者名/発表者名
  T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 212/213
  
  ページ: 547-555
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560025
[雑誌論文] Pulsed Source MOCVD of high-k dielectric thin films with in-situ monitoring by spectroscopic ellipsometry2003
- 著者名/発表者名
  Y.Tsuchiya, M.Endo, M.Kurosawa, R.T.Tung, T.Hattori, S.Oda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 42
  
  ページ: 1957-1961
- NAID
  80015977591
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Chemical and electronic structure of SiO_2/Si interfacial transition layer2003
- 著者名/発表者名
  T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 212-213
  
  ページ: 547-555
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560025
[雑誌論文] High resolution-high energy x-ray photoelectron spectroscopy using third-generation synchrotron radiation source, and its application to Si-high k insulator systems2003
- 著者名/発表者名
  K.Kobayashi, M.Yabashi, Y.Takata, T.Tokushima, S.Shin, K.Tamasaku, D.Miwa, T.Ishikawa, H.Nohira, T.Hattori, Y.Sugita, O.Nakatsuka, A.Sakai, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 83
  
  ページ: 1005-1007
- NAID
  120002338858
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Chemical and electronic structures of Lu2O3/Si interfacial transition layer2003
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, T.Nakamura, K.Takahashi, M.Takeda, S.Ohmi, H.Iwai, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 234-238
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Pulsed Source MOCVD of high-k dielectric thin films with in-situ monitoring by spectroscopic ellipsometry2003
- 著者名/発表者名
  Y.Tsuchiya, M.Endo, M.Kurosawa, R.T.Tung, T.Hattori, et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 42
  
  ページ: 1957-1961
- NAID
  80015977591
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Study of the gate insulator/silicon interface utilizing soft and hard x-ray photoelectron spectroscopy at SPring-8
- 著者名/発表者名
  T.Hattori, H.Nohira, K.Azuma, K.W.Sakai, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, Y.Sugita, E.Ikenaga, K.Kobayashi, Y.Takata, H.Kondo, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Int.J.High Speed Electronics and Systems (to be publised)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[学会発表] 原子スケールで平坦なSiO_2/Si界面極近傍における歪評価2010
- 著者名/発表者名
  服部真季, 小瀬村大亮, 武井宗久, 永田晃基, 赤松弘彬, 小椋厚志, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘, 小金澤智之, 廣沢一郎
- 学会等名
  応用物理学会、19p-P13-13
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] Fabrication of SB-MOSFETs on SOI Substrate Using Ni Silicide Containing Er Interlayer2010
- 著者名/発表者名
  W.Hosoda, K.Ozawa, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 学会等名
  China Semiconductor Technology International Conference(CSTIC)
- 発表場所
  上海、中国
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 酸化膜中のSiナノワイヤにおけるNi拡散の制御2010
- 著者名/発表者名
  茂森直登, 新井英明, 佐藤創志, 角嶋クニユキ, アヘメトパールハット, 西山彰, 筒井一生, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] A Study of Schottky Barrier Height Modulation of NiSi by Interlayer In sertion and Its Application to SOI SB-MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  W.Hosoda, K.Ozawa, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 学会等名
  G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology, Japan
- 年月日
  2009-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Annealing Reaction for Ni Silicidation of Si Nanowire2009
- 著者名/発表者名
  H.Arai, H.Kamimura, S.Sato, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 学会等名
  216^<th> Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Vienna, Austria
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 2stepアニールを用いた酸化膜中のSiナノワイヤへのNiシリサイド化2009
- 著者名/発表者名
  茂森直登, 新井英朗, 佐藤創志, 角嶋邦之, アヘメトパールハット, 西山彰, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第70回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Study on Gate Stacks in Future Nano-Scaled CMOS using Hard X-Ray Photoelec-tron Spectroscopy2009
- 著者名/発表者名
  S. Zaima, T. Hattori
- 学会等名
  International Work-shop for New Opportunities in Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy : HAXPES 2009
- 発表場所
  Long Island, NY, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] 異種金属界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB一MOSFETへの応用2009
- 著者名/発表者名
  細田亘, 野口浩平, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  2009春季第56回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 異種金属界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用II2009
- 著者名/発表者名
  小澤健児, 細田亘, 角嶋邦之, アヘメトパールハット, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 服部健雄, 名取研二, 岩井洋
- 学会等名
  第70回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] UVラマン分光法によるSiO_2/Si界面の評価2009
- 著者名/発表者名
  服部真季, 吉田哲也, 小瀬村大亮, 小椋厚志, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] Study on Compositional Tran-sition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron2009
- 著者名/発表者名
  T. Suwa, T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2009)
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2009-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] UV-Raman Spectroscopy Study on SiO_2/Si Interface2009
- 著者名/発表者名
  M. Hattori, T. Yoshida, D. Kosemura, A. Ogura, T. Suwa, A. Teramoto, T. Hattori, T. Ohmi
- 学会等名
  Symposium on Dielectric and Semiconductor Materials、Devices、and Processing、215th ECS Meeting
- 発表場所
  San Francisco
- 年月日
  2009-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] Hf層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調技術2008
- 著者名/発表者名
  又野克哉, 野口浩平, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  2008秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-M OSFETs2008
- 著者名/発表者名
  K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsu i, N. Sugii, A. N. Chandorkar, T. Hattori, and H. Iwai
- 学会等名
  Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-M OSFETs
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用2008
- 著者名/発表者名
  細田亘, 野口浩平, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Schottky Barrier Height Modulation of Ni Silicide/Si Contacts by Insertion of Thin Er or Pt Layers2008
- 著者名/発表者名
  Yoshisa Ohishi, Kohei Noguchi, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Sugii, Takeo Hattori, and Hiroshi Iwai
- 学会等名
  7th Int. Semiconductor Technology Conference (ECS-ISTC2008)
- 発表場所
  Shanghai, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A. N. Chandorkar, T. Hattori and H. Iwai
- 学会等名
  214th ECS Meeting
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 高濃度n^+-Si及びp^+-Si基板上のNiシリサイドの熱安定性の違い2008
- 著者名/発表者名
  アヘメトパールハット, 角嶋邦之, 長田貴弘, 筒井一生, 杉井信之, 知京豊裕, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学船橋キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A.N. Chandorkar, T. Hattori, H. Iwai
- 学会等名
  214th Electrochem. Society (ECS) Meeting (PRiME 2008)
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  2008-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調技術2008
- 著者名/発表者名
  野口浩平, 大石善久, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学船橋キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Evaluation of Si_3N_4/Si Interface by UV Raman Spectroscopy2007
- 著者名/発表者名
  T. Yoshida, K. Yamasaki, D. Kosemura, Y. Kakemura, T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori
- 学会等名
  Fifth International symposium on Control of Semiconductor Interfaces, OA2-5
- 発表場所
  Hachioji, Tokyo
- 年月日
  2007-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360014
[学会発表] 極薄Er層を界面に挿入したNiSi/p-Siショットキー障壁の熱処理温度依存性2007
- 著者名/発表者名
  野口浩平, 大石善久, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Al酸化物・窒化物における相対ケミカルシフトと誘電率の関係の検証2006
- 著者名/発表者名
  鈴木治彦、松田徹、野平博司、高田恭考、池永英司、小林大輔、小林啓介、服部健雄、廣瀬和之
- 学会等名
  第67回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  草津
- 年月日
  2006-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties of AlN/Al_2O_3 Films2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Suzuki, T. Matsuda, Y. Takenaga, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattori
- 学会等名
  2006 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Device -Science and Technology-
- 発表場所
  Kawasaki
- 年月日
  2006-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties at gate insulator film/Si interface2006
- 著者名/発表者名
  K. Hirose, H. Nohira, D. Kobayashi, T. Hattori
- 学会等名
  IEEE 2006 Int. Conf. Solid-State and Integrated Circuit Technology
- 発表場所
  Shanghai
- 年月日
  2006-10-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026
[学会発表] XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定2006
- 著者名/発表者名
  鈴木治彦、長谷川覚、野平博司、服部健雄、山脇師之、鈴木伸子、小林大輔、廣瀬和之
- 学会等名
  応用物理学会分科会シリコンテクノロジー研究会
- 発表場所
  広島
- 年月日
  2006-06-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360026

1. 野平博司 (30241110)

共同の研究課題数: 9件

共同の研究成果数: 34件
2. 廣瀬和之 (00280553)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 9件
3. 森木一紀 (60166395)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 岩井洋 (40313358)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 22件
5. 小林大輔 (90415894)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 9件
6. 高橋幸郎 (10124596)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 秋谷昌宏 (60231833)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 筒井一生 (60188589)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 17件
9. 角嶋邦之 (50401568)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 18件
10. パールハットアヘメト (00418675)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 18件
11. 木村健二 (50127073)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 中嶋薫 (80293885)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 寺本章伸 (80359554)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
14. 諏訪智之 (70431541)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
15. 木下豊彦 (60202040)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
16. 堀池靖浩 (20209274)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 白木靖寛 (00206286)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 安田幸夫 (60126951)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 立花明知 (40135463)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 冬木隆 (10165459)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 大見俊一郎 (30282859)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
22. 小林啓介 (50372149)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
23. 高田恭孝 (90261122)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
24. 鶴島稔夫 (10236953)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 松波弘之 (50026035)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 伊藤秋男

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

服部 健雄 Hattori Takeo

研究課題

研究成果

共同研究者

超高感度・高分解能界面分析によるゲート絶縁膜/シリコン界面構造の決定研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

3次元構造MOSFETのロバストネス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

積層ゲート絶縁膜の局所的誘電率の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高エネルギー光電子分光法開発と高誘電率膜/シリコン界面の化学結合状態分析への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高誘電率絶縁薄膜中の欠陥の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

断面光電子分光法による非晶質シリコン酸化膜の組成および結合状態密度の深さ方向分析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

極薄シリコン酸化膜/シリコン界面のキャリア捕獲準位と微視的構造との関係の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン酸化膜/シリコン界面形成の原子スケール制御による超平坦界面の実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

集積化知能システム極限材料・プロセス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

水素終端したシリコン面の熱酸化による超平坦シリコン酸化膜/シリコン界面の実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

水素終端シリコンの初期酸化機構と極薄金属膜/極薄シリコン酸化膜界面構造の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

その場観察用X線光電子分光分析器の開発とシリコン酸化・窒化極薄膜の形成機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

超ULSIのための高品質SiO_2極薄膜の作成とSiO_2/Si界面の極微細構造評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

服部健雄 Hattori Takeo