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伊藤 太一郎  ITO Taichiro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10081366
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2000年度: 大阪府立大学, 工学研究科, 教授
1996年度 – 1999年度: 大阪府立大学, 工学部, 教授
1990年度 – 1994年度: 大阪府立大学, 工学部, 教授
1987年度: 大阪府立大学, 工学部, 教授
1986年度: 阪府大, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
無機材料・物性 / 金属物性 / 電子・電気材料工学 / 金属加工
キーワード
研究代表者
Y_2O_3 / YMnO_3 / エピタキシャル成長 / LiNbO_3 / YbMnO_3 / MFSFET / エピタキシャル方位制御 / 界面エネルギー / 配向制御 / ZnO … もっと見る / ダブルドメイン / 固相反応 / 電極配線材料 / LSI / Titanium Silicide / TiN Film / Transition Metal Nitride / Diffusion Barrier / Ion Plating / Silicon Device / TiSi_2(チタンシリサイド) / TiN膜 / 拡散バリア / イオンプレーティング(IP)法 / Siデバイス / epitaxial structure / interface deoxidization method / ferroelectric memory / Ferroelectric FET / Si capacitor / トランジスタ型 / Y2O3 / YMnO3 / 強誘電体不揮発性メモリー / 強誘電体トランジスタ / MFIS-FET / 界面還元修飾 / エピタキシャル構造 / 界面還元修飾法 / 強誘電体メモリ / 強誘電体FET / Siキャパシタ / SURFACEMODIFICATION / FERROELECTRIC MEMORY / 誘電特性 / MFS / 界面修飾法 / VLSI / 不揮発性メモリー / 強誘電体 / 界面修飾 / 強誘電体メモリー / キャリア / 磁気的性質 / 電気的性質 / シリコン-セリウム系 / 希土類イオン / シリコン / 表面弾性波デバイス / LiTaO_3 / 強誘電体薄膜 / SiGe / 歪エネルギー / エピタキシャル関係 / ミスマッチの異方性 / 固相エピタキシー / 超伝導体 / Bi_2Sr_2CuOx / 界面拘束系 / ミスフィット / 表面自由エネルギ- / 自己配向性 / メタライゼ-ション / ストレスマイグレ-ション / 微細結晶粒 / AlーY合金 / Al合金薄膜 / (U)LSI電極配線材料 / YSi_<2ーX> / シリサイド / ErSi_2 / LSI電極配線材料 / ミスフィット転位 / エピタキシアル成長 / シリコンゲルマニウム / 界面エネルギ- / 応力緩和 / タングステンシリサイド … もっと見る
研究代表者以外
光屈折率傾斜 / 光化学電池 / 一方向性凝固プロセス / 遷移金属珪化物 / 屈折率傾斜ファイバー / 界面ゲル重合法 / 太陽電池 / 低次元発光体 / 一方向凝固プロセス / 縮退半導体 / 遷移金属系珪化物 / 熱電変換材料 隠す
  • 研究課題

    (11件)
  • 共同研究者

    (13人)
  •  傾斜機能材料の熱電的・光電的性質

    • 研究代表者
      遠藤 忠
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      東北大学
  •  次世代不揮発性メモリー実用化のための界面還元修飾法の応用研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 太一郎
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      大阪府立大学
  •  新物質YMnO_3と界面修飾法を用いた強誘導体不揮発性メモリー(MFS)の実用化研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 太一郎
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      大阪府立大学
  •  シリサイド化反応における希土類元素の配位の効果研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 太一郎
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪府立大学
  •  弾性歪、界面歪拘束系におけるエピタキシャル成長メカニズムの理論的、実験的解析-3研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 太一郎
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪府立大学
  •  エピタキシャル方位制御を基本思想とする強誘電体の薄膜化による物性変化と高機能化研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 太一郎
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      大阪府立大学
  •  弾性歪・界面歪拘束系におけるエピタキシャル成長メカニズムの理論的・実験的解析-2研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 太一郎
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪府立大学
  •  弾性歪,界面歪拘束系におけるエピタキシャル成長メカニズムの理論的,実験的解析研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 太一郎
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪府立大学
  •  弾性歪エネルギ-,界面エネルギ-のULSIプロセスへの影響研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 太一郎
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪府立大学
  •  新しい発想に基く希土類金属を添加したULSI電極配線用Al合金の開発に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 太一郎
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      金属加工
    • 研究機関
      大阪府立大学
  •  Siデバイスにおける拡散バリアとしての遷移金属ナイトライドに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 太一郎
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      金属物性
    • 研究機関
      大阪府立大学
  • 1.  藤村 紀文 (50199361)
    共同の研究課題数: 10件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  芦田 淳 (60231908)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  神澤 公
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  柳瀬 章 (60004280)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  遠藤 忠 (30176797)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  小松 高行 (60143822)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  小池 康博 (60161840)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  小柳 剛 (90178385)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  梶川 武信 (30247324)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  海部 宏昌 (40224331)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  間渕 博 (70109883)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  森井 賢二 (10101198)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  中村 孝
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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