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冬木 隆  FUYUKI Takashi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10165459
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2010年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 教授
2003年度 – 2008年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 教授
1997年度 – 1999年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 教授
1998年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 創成科学研究科, 教授
1995年度 – 1996年度: 京都大学, 工学研究科, 助教授 … もっと見る
1991年度 – 1994年度: 京都大学, 工学部, 助教授
1988年度 – 1990年度: 京都大学, 工学部, 講師
1987年度: 京都大学, 工学部, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器 / 電子材料工学 / エネルギー学一般・原始力学 / 応用物性
研究代表者以外
電子材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物性 / 電子デバイス・電子機器 / 物理系 / 応用物理学一般 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
広禁制帯幅半導体 / 格子整合 / シリコン / 太陽電池 / 原子層エピタキシ- / シリコンカ-バイド / 表面超格子 / バイオナノプロセス / 量子ドット / 化学的気相堆積法 … もっと見る / 原子層制御成長 / 反射電子線回折法 / floating gate transistor / Quntum dot / bio-mineralization / bottom-up / self assemble / Bio-nano process / フローティグゲートトランジスタ / フェリチンタンパク / フローティングゲートトランジスタ / バイオミネラリゼーション / ボトムアップ / 自己組織化 / アモルファスシリコンカーボン / 励起活性種 / 複探針法 / 質量分析法 / 二酸化シリコン膜 / マイクロ波プラズマ / トンネル現象 / 電子デバイス・集積回路 / ヘテロエピタキシ- / タンデム型太陽電池 / 有機金属気相成長法 / 高効率太陽電池 / 反射高速電子線回折 / 光励起 / ガリウムリン / 分子線エピタキシ- / 有機金属 / 青色発光ダイオード / 表面超構造 / 原子層エピタキシー / シリコンカーバイド / ステップ制御エピタキシ- / 局在中心 / 反射電子回線折法 / 発光中心 / 活性種 / 水素結合構造 / 赤外吸収分光法 / 光化学反応 / 一定生電流法 / 内部光電子放出法 / 局在準位密度 / 極紫外光 / 光CVD / 非晶質シリコン / 高速反射電子線回折法 / 自己制限機構 / エピタキシャル成長 … もっと見る
研究代表者以外
シリコンカーバイド / MOSFET / pn接合ダイオード / 熱酸化 / イオン注入 / パワーデバイス / silicon carbide / 価電子制御 / 表面超構造 / バイオミネラリゼーション / フェリチンタンパク / フォトルミネセンス / photoluminescence / SiGe / Schottky Barrier Diode / pn Junction Diode / Thermal Oxidation / Silicon Carbide / シリコンカーバイド(SiC) / step-flow growth / power device / ステップフロ-成長 / シリコンカ-バイド / 表面再結合 / 電位障壁 / 太陽電池 / ディスプレイ / 薄膜トランジスタ / 表面反応 / 反射高速電子線回折法 / ガリウムリン / メゾスコピック構造 / ヘテロ接合 / isoelectronic trap / doping / blue LED / 原子ステップ制御 / 気相エピタキシャル法 / 青色発光ダイオード / 注入効率 / 原子ステップ制御エピタキシ- / 広禁制帯幅半導体 / 等電子トラップ / ド-ピング / 青色発光ダイオ-ド / superstructure / amorphous silicon carbon / amorphous silicon / tunneling conduction / hot-electron / heterojunction / amorphous semiconductor / 光電子分光法 / 膜内水素 / キャリア輸送過程 / アモルファスシリコンカーボン / 熱電子放出伝導 / 超格子 / 超構造 / アモルファスシリコンカ-ボン / アモルファスシリコン / トンネル伝導 / ホットエレクトロン / 異種接合 / アモルファス半導体 / Ni catalyst / Nano Particle / System On Panel / Display / Metal Induced Crystalization / Poly silicon film / Thin Film Transistor / Ferritin Protein / シリサイド / 固相成長 / ニッケル / 結晶化 / シリコン薄膜 / Ni触媒 / ナノ粒子 / システムオンパネル / 金属誘起結晶化法 / 多結晶シリコン薄膜 / plasma treatment / bio-mineralization / self assemble / bottom-up / ferritin protein / Bio-nano process / バイオナノ / プラズマ / バイオメネラリゼーション / 自己組織化 / ボトムアップ / バイオナノプロセス / thermal oxidation / ion implantation / pn diode / 不純物ド-ピング / 深い準位 / エピタキシャル成長 / nano structure / photoluminescence image / piezo actuator / electronic structure / confocal microscope / low temperature / high spatial resolution / 半導体特性マッピング / ピエゾアクチュエータ / 半導体極微構造 / レーザー顕微鏡 / 極微領域電子構造 / 極低温測定 / 極微領域ホトルミネセンス像 / ferroelectric / field effect transistor / quantum chemistry calculation / low contact resistance / high aspect ratio / point defect relaxation process / ultra thin Si oxide / 無損傷化 / 欠陥緩和 / ヘテロ界面 / 欠損測定 / Siプロセス量子化学研究 / 高アスペクト比プロセス / 低抵抗コンタクト / 極薄酸化膜 / Ge歪超格子 / Si / Si高精度化プロセス / 強誘電体 / 電界効果型トランジスタ / 量子化学計算 / 低抵抗コンタクト抵抗 / 高アスペクト比 / 点欠陥緩和過程 / 極薄Si酸化膜 / Ion Implantation / Power Device- / Schottkyダイオード / Saturated adsorption / GaP / RHEED / In-situ observation / Photo-induced ALE / Surface reaction / Photo-chemical reaction / MOMBE / III-V族半導体 / 反射電子線回析 / 質量分析 / 原子層エピタキシ- / 光励起プロセス / 飽和吸着 / 反射高速電子回折法 / その場観察 / 光励起原子層エピタキシ- / 光励起反応 / 有機金属分子線エピタキシ- / Growth Mechanism / Vapor Phase Epitaxy / Power Device / 不純物ドーピング / 結晶成長 / Schottky障壁ダイオード / 成長機構 / 気相エピタキシ- / polytype control / low-temperature growth / breakdown field / 低温結晶成長 / ポリタイプ制御 / 低温成長 / 絶縁破壊電界 / パワ-デバイス / 窒化シリコン / キャリア閉じ込め効果 / 積層シリコン薄膜 / ファイバー / 多結晶 / 三次元素子 / グリーンレーザ / フォトダイオード / 非二次元基板 / 多結晶シリコン / 三次元デバイス / 薄膜フォトダイオード / レーザ結晶化 / ヘテロエピタキシャル成長 / ガスソース分子線 / メチルラジカル / 分子線エピタキシ- / ラジカル / 二次イオン質量分析法 / 有機金属分子線エピタキシャル成長法 / その場観測 / 原子層エピタキシャル成長 / レーザ誘起反応 / しきい値イオン化質量分析法 / ガスソース分子線成長法 / 原子層エピタキシー / 高速反射電子線回析 / 有機アミン / 可視発光材料 / 超高真空 / 窒化ガリウム / 有機金属分子線成長法 / 薄膜太陽電池 / 電位井戸 / 高効率太陽電池 隠す
  • 研究課題

    (33件)
  • 研究成果

    (78件)
  • 共同研究者

    (17人)
  •  非二次元シリコン基板のレーザ結晶化とそのデバイス応用

    • 研究代表者
      浦岡 行治
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  2次元配列バイオナノドットにおける不規則トンネル伝導と確率共鳴素子への応用研究代表者

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  フェリチンタンパクを用いたバイオナノディスプレイの研究

    • 研究代表者
      浦岡 行治
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  半導体ナノスケール加工を実現するためのフェリチンタンパク質の2次元結晶化

    • 研究代表者
      浦岡 行治
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  バイオナノプロセスを用いた量子ドットアレイの自己組織化形成と機能素子への応用研究代表者

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  ワイドギャップ半導体の電子物性制御とエネルギーエレクトロニクスへの展開

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 2000
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 審査区分
      物理系
    • 研究機関
      京都大学
  •  半導体ナノ構造電子エネルギートポグラフ解析装置

    • 研究代表者
      更家 淳司, 吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物理学一般
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
      京都大学
  •  表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  集積化知能システム極限材料・プロセス

    • 研究代表者
      堀池 靖浩
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1998
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
      東洋大学
  •  表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  レーザ励起による表面反応ダイナミクスの究明とエピタキシャル成長の原子層レベル制御研究代表者

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  広禁制帯幅半導体との複合による極限高効率シリコン太陽電池の開発研究代表者

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      エネルギー学一般・原始力学
    • 研究機関
      京都大学
  •  レーザ光励起表面反応過程のミクロ解析と原子層エピタキシ-への応用

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  ワイドギャップ半導体SiCのパワーデバイスへの応用

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  表面超構造制御原子層エピタキシーのためのフリーラジカルの作製

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  レーザ誘起原子層エピタキシーによる純正III-V族半導体結晶の製作

    • 研究代表者
      吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  格子整合系複合材料を用いたシリコン太陽電池の極限高効率化研究代表者

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  表面制御原子層エピタキシー法によるSiC純正結晶の製作と光物性制御研究代表者

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  有機金属分子線成長法による光素子用ワイドギヤップ材料窒化ガリウムの純正結晶の製作

    • 研究代表者
      吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  ワイドギャップ半導体SiCの高純度単結晶成長とパワーデバイスへの応用

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  格子整合系複合材料を用いたシリコン太陽電池の極限高効率化研究代表者

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  表面制御原子層エピタキシ-法によるSiC純正結晶の製作と光物性制御研究代表者

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  格子整合系複合材料を用いたシリコン太陽電池の極限高効率化研究代表者

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  表面制御エピタキシ-法によるSiC純正結晶の製作と光物性制御研究代表者

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  原子ステップ制御エピタキシ-法によるSiC純正結晶製作とパワ-デバイスへの応用

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1991
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  表面超格子を用いた単結晶シリコンカ-バイドの原子層制御エピタキシ-研究代表者

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      京都大学
  •  キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造超薄型高効率太陽電池の開発

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  極紫外域高エネルギ-光子を用いた安定構造非晶質シリコン系薄膜の形成研究代表者

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  キャリア閉じ込め効果を用いた新構造高効率太陽電池の最適化

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  アモルファス半導体超構造におけるキャリアのダイナミックスの研究

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      京都大学
  •  原子ステップ制御エピタキシ-法による高輝度SiC青色発光ダイオ-ドの開発

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  励起活性種ダイナミックスの解析と薄膜形成の精密制御への応用研究代表者

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1988
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造高効率太陽電池

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学

すべて 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Floating Gate Memory Based on Ferritin Nanodots with High-k Gate Dielectrics2009

    • 著者名/発表者名
      K.Ohara, Y.Uraoka, T.Fuyuki, I.Yamashita, T.Yaegashi, M.Moniwa, M.Yoshimaru
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 48

    • NAID

      210000066664

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [雑誌論文] Controlled Reduction of Bionanodots for Better Charge Strage Characteristics of Bionanodots Flash Mmeory2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Tojo, A.Miura, Y.Uraoka, T.fuyuki, I.Yamashita
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 48

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [雑誌論文] Characterization of local electrical properties of polycrystalline silicon thin films and hydrogen termination effect by conductive atomic force microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      Emi Machida, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Ryohei Kokawa, Takeshi Ito, Hiroshi Ikenoue
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS LETTERS 94

      ページ: 1821041-3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [雑誌論文] Experimental and Theoretical Analysis of Degradation in Ga2O3-In2O3-ZnO Thin-Film Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      M.Fujii, Y.Uraoka, T.Fuyuki, J.S.Jung, J.Y.Kwon
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 48

    • NAID

      210000066602

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [雑誌論文] Experimental and Theoretical Analysis of Degradation in Ga2O3-In2O3-ZnO Thin-Film Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      M.Fujii, Y.Uraoka, T.Fuyuki, J.S.Jung, J.Y.Kwon
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 4488

    • NAID

      210000066602

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [雑誌論文] Characterization of local electrical properties of polycrystalline silicon thin films and hydrogen termination effect by conductive atomic force microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      E.Machida, Y.Uraoka, T.Fuyuki, R.Kokawa,T.Ito, H.Ikenoue
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 94

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [雑誌論文] Floating nanodot gate memory fabrication with biomineralized nanodot as charge storage node2008

    • 著者名/発表者名
      A.Miura, Y.Uraoka, T.Fuyuki, S.Kumagai, S.Yoshii, N.Matsukawa, I.Yamashita
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics Vol.103

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [雑誌論文] Non-volatile flash memory with discrete bionanodt floating gate assembled by protein template2008

    • 著者名/発表者名
      A.Miura, R.Tsukamoto, S.Yoshii, I.Yamashita, Y.Uraoka, T.Fuyuki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 19

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [雑誌論文] Non-volatile flash memory with discrete bionanodot floating gate assembled by protein template2008

    • 著者名/発表者名
      A. Miura, Y.Uraoka, T.Fuyuki andI.Ymashita
    • 雑誌名

      Nanotechnology Vol.19

      ページ: 1-6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360173
  • [雑誌論文] Fabrication of Pol-Si films by continuous local thermal chemical vapor deposition on flexible quartz glass substrate2008

    • 著者名/発表者名
      T.Nakamura, H.Kuraseko, K.Hanazawa, H.Koaizawa, Y.Uraoka, T.Fuyuki, A.Mimura
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 93

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [雑誌論文] Surface Potential Evaluations of Ferritin Nanodots by Kelvin Force Microscopy2008

    • 著者名/発表者名
      S.Yamamoto, K.Kobayashi, H.Yamada, H.Yoshioka, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Okuda, I.Yamashita
    • 雑誌名

      Journal of Scann Pobe Microscope 3

      ページ: 1-6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [雑誌論文] Thermal analysis of degradation in Ga_2O_3-In_2O_3-ZnO thin film transistors2008

    • 著者名/発表者名
      M.Fujii, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuyuki, J.Sim Jung, J.Yeon Kwon
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.47

      ページ: 6236-6240

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [雑誌論文] Bionanodot monolayer array fabrication for nonvolatile memory application2007

    • 著者名/発表者名
      A.Miura, Y.Uraoka, T.Fuyuki, andI.Yamashita
    • 雑誌名

      Surface Science Letters Vol.601

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360173
  • [雑誌論文] Enlargement of Grain size poly-Si suing Ferritin Protein with Ni Nano Particles2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanjo, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Okuda, I.Yamashita
    • 雑誌名

      The 3rd International TFT Conference

      ページ: 90-90

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] Enlargement of Grain size poly-Si suing Ferritin Protein with Ni Nano particles2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanjo, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Okuda, I.Yamashita
    • 雑誌名

      The 3rd International TFT Conference

      ページ: 90-90

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] Enlargement of Grain size poly-Si suing Ferritin Protein with Ni Nano particles2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanjo, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Okuda, I.Yamashita
    • 雑誌名

      The proceeding of the 3rd International TFT Conference

      ページ: 90-90

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] パルスRTAによるNi内包フェリチンタンパク質を用いたシリコン薄膜の結晶化2007

    • 著者名/発表者名
      越知誠弘, 南条泰弘, 菅原祐太, 浦岡行治, 冬木隆, 奥田充宏, 山下一郎
    • 雑誌名

      第56回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 No. 2

      ページ: 916-916

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] パルスRTAによるNi内包フェリチンタンパク質を用いたシリコン薄膜の結晶化2007

    • 著者名/発表者名
      越知誠弘, 南条泰弘, 菅原祐太, 浦岡行治, 冬木隆, 奥田充宏, 山下一郎
    • 雑誌名

      第56回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 No.2

      ページ: 916-916

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] Pulse RTA Crystallization of Amorphous Si Film Using Ferritin Protein with Ni Nano-Particles2007

    • 著者名/発表者名
      M.Ochi, Y.Nanjo, Y.Sugawara, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Okuda, I.Yamashita
    • 雑誌名

      The proceeding of Applied Physics Symposium No.2

      ページ: 916-916

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] フエリチンタンパクを用いたシリコン薄膜の低温結晶化2007

    • 著者名/発表者名
      南条泰弘, 浦岡行治, 冬木隆, 奥田充宏, 山下一郎
    • 雑誌名

      第53回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 No.2

      ページ: 892-892

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] 走査型プローブ顕微鏡を用いた単一バイオナノドットの電気特性解析2006

    • 著者名/発表者名
      田中亮大, 三浦篤志, 浦岡行治, 冬木隆
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告 SDM2006-213

      ページ: 65-69

    • NAID

      110006163359

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360173
  • [雑誌論文] Enlargement of Grain size poly-Si suing Ferritin Protein with Ni Nano particles2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanjo, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Okuda, I.Yamashita
    • 雑誌名

      The proceeding of Silicon Materials and Device Meeting

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] Low-Temperature Crystalization of Amorphous Si Film Using Ferritin Protein with Ni Nano-Particles2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanjo, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Okuda, I.Yamashita
    • 雑誌名

      The proceeding of Applied Physics Symposium No.2

      ページ: 892-892

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] フェリチンタンパクを用いたシリコン薄膜の低温結晶化2006

    • 著者名/発表者名
      南条泰弘, 浦岡行治, 冬木隆, 奥田充宏, 山下一郎
    • 雑誌名

      第53回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 No. 2

      ページ: 892-892

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] Ni内包フェリチンタンパク質を用いた多結晶シリコンの大粒径化2006

    • 著者名/発表者名
      南条泰弘, 浦岡行治, 冬木隆, 奥田充宏, 山下一郎
    • 雑誌名

      シリコン材料デバイス研究会 SDM2006-203

      ページ: 7-7

    • NAID

      110006163349

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] Low-Temperature Crystallization of Amorphous Si Films Using Ferritin Protein with Ni Nanoparticles2005

    • 著者名/発表者名
      Hiroya Kirimura, Yukiharu Uraoka, ana Takashi Fuyuki, M.Okuda, I.Yamashita
    • 雑誌名

      Proceeding of Active Matrix Liquid Crystal Display 2005

      ページ: 319-319

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] 高分子電解質修飾基板を用いたフェリチンタンパクの高密度選択的吸着2005

    • 著者名/発表者名
      三浦篤志, 浦岡行治, 冬木隆, 山下一郎
    • 雑誌名

      第52回応用物理学会関係連合講演会 29a-YL-6

      ページ: 1513-1513

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nanodot by side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      K.Ichikawa, P.Punchaipetch, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuyuki
    • 雑誌名

      2005 International Meeting for Future of Electron Device, Kansai P-D7

      ページ: 97-97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] シリコンナノクリスタルドット形成プロセスの低温化2005

    • 著者名/発表者名
      向正人, 市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-P6-17

      ページ: 988-988

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] シリコンナノクリスタルドット形成プロセスの低温化2005

    • 著者名/発表者名
      向正人, 市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-p6-17(未定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nano dot fabricated by side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      International Meeting of Future Electron Device in Kansai P-D7

      ページ: 97-97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Siナノドットメモリにおけるート酸化膜厚依存性2005

    • 著者名/発表者名
      P.Punchaipetch, 市川和典, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-P6-19

      ページ: 988-988

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] 高分子電解質修飾基板を用いたフェリチンタンパクの高密度選択的吸着2005

    • 著者名/発表者名
      三浦篤志, 浦岡行治, 冬木隆, 山下一郎
    • 雑誌名

      題52回応用物理学会関係連合講演会 29a-YL-6(未定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nano dot fabricated by Side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Masato Mukai, P.Punchaipetch, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata
    • 雑誌名

      IEEE/International Meeting for Future Electron Devices, Kansai P-D7

      ページ: 97-97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Study of low-temerature crystallization of amorphous Si film2005

    • 著者名/発表者名
      H.Kirimura, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Okuda, I.Yamashita
    • 雑誌名

      Appllied Physics Letters 86

      ページ: 262106-262106

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] フェリチンタンパクを用いたシリコン薄膜の低温結晶化2005

    • 著者名/発表者名
      桐村浩哉, 南条泰弘, 浦岡行治, 冬木隆, 奥田光宏, 山下一郎
    • 雑誌名

      薄膜材料デバイス研究会

      ページ: 37-37

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] Low-Temperature Crystalization of Amorphous Si Film Using Ferritin Protein with Ni Nano-Particles2005

    • 著者名/発表者名
      H.Kirimura, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Okuda, I.Yamashita
    • 雑誌名

      Active-Matrix Liquid-Crystal Displays (AMLCD2005)

      ページ: 319-322

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] Low-Temperature Crystalization of Amorphous Si Film Using Ferritin Protein with Ni Nano-Particles2005

    • 著者名/発表者名
      H.Kirimura, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Okuda, I.Yamashita
    • 雑誌名

      Active-Matrix Liquid-Crystal Displays, Kanazawa, Japan.

      ページ: 319-322

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] Siナノドットメモリにおける-ト酸化膜厚依存性2005

    • 著者名/発表者名
      p.punchaipetch, 市川和典, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-p6-18(未定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] 積層型Siナノドットフローティングゲートメモリにおける充放電特性評価2005

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-P6-19

      ページ: 988-988

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Study of low-temerature crystallization of amorphous Si film obtained using ferritin with Ni nanoparticles2005

    • 著者名/発表者名
      H.Kirimura, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Okuda, I.Yamashita
    • 雑誌名

      Appllied Physics Letters 86

      ページ: 262106-262106

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360164
  • [雑誌論文] 積層型Siナノドットフローティングゲートメモリにおける充放電特性評価2005

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-p6-19(未定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nano dot fabricated by side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      International Meeting of Future Electron Device in Kansai (未定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nano dot fabricated by Side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Masato Mukai, P.Punchaipetch, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata
    • 雑誌名

      IEEE/International Meeting for Future Electron Devices, Kansai P-D7

      ページ: 97-97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Si nano-crystal dot memory fabricated by Side-wall Typed PECVD2004

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Masato Mukai, P.Punchaipetch, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata
    • 雑誌名

      Technical Report of IEICE SDM2004-206

    • NAID

      110003311202

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Physical and electrical caharacterization of PLCVD Nitride HfSiO gate dielectrics2004

    • 著者名/発表者名
      P.Punchaipetch, T.Okamoto, H.Nakamura, Y.Uraoka, T.Fuyuki, S.Horii
    • 雑誌名

      第51回応用物理学会関係連合講演会 31a-C-4

      ページ: 902-902

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Si-Wall電極型PECVDによるSiナノドットにおける充放電特性評価2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1a-L-lO

      ページ: 754-754

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, 向正人, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 信学技報 SDM2004-206

      ページ: 81-81

    • NAID

      110003311202

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, 向正人, p.punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 信学技報 SDM2004-206

      ページ: 81-81

    • NAID

      110003311202

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Si-Wall電極型PECVDによるSiナノドットにおける充放電特性評価2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1a-L-10

      ページ: 754-754

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] リモートプラズマ法によるPLCVDHfSiO膜への窒素プロファイルの制御2004

    • 著者名/発表者名
      P.Punchaipetch, 中村秀碁, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 堀井貞義
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1p_C-7

      ページ: 679-679

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Si nano-crystal dot memory fabricated by Side-wall Typed PECVD2004

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Masato Mukai, P.Punchaipetch, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata
    • 雑誌名

      Technical Report of IEICE SDM2004-206

    • NAID

      110003311202

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] シリコン窒化膜に埋め込まれたSiナノドットへの電子注入2004

    • 著者名/発表者名
      P.Punchaipetch, 市川和典, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1a-L-10

      ページ: 754-754

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] シリコン窒化膜に埋め込まれたSiナノドットへの電子注入2004

    • 著者名/発表者名
      P.Punchaipetch, 市川和典, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1a-L-11

      ページ: 754-754

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] 窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入2004

    • 著者名/発表者名
      中村秀碁, p.punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 堀井貞義
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 信学技報 SDM2004-45

      ページ: 57-57

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] プラズマ援用化学気相堆積法を用いて堆積したSiナノドットへの電子注入2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, 猪飼順子, 彦野太樹夫, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆, 林司
    • 雑誌名

      第51回応用物理学会関係連合講演会 28p-ZH-2

      ページ: 959-959

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Si量子ドットを用いたフローティングゲートメモリ2003

    • 著者名/発表者名
      猪飼順子, 彦野太樹夫, 浦岡行治, 冬木隆, 桐村浩哉, 加藤健治
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 信学技報 SDM2003-192

      ページ: 87-87

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Floating Gate Memory with Si Quantum Dot2003

    • 著者名/発表者名
      Junko Ikai, Takio Hikono, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Hiroya Kirimura, Kenji Kato
    • 雑誌名

      Technical Report of IEICE SDM2003-193

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Direct adsorption of ferritin to Si substrate2003

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Kawashima, Takio Hikono, Keisuke Yamada, Yukiharu Uraoka, Ichiro Yamashita, Takashi Fuyuki
    • 雑誌名

      Technical Report of IEICE SDM2003-194

    • NAID

      110003308910

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Floating Gate Memory with Si Quantum Dot2003

    • 著者名/発表者名
      Junko Ikai, Takio Hikono, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Hiroya Kirimura, Kenji Kato
    • 雑誌名

      Technical Report of IEICE SDM2003-193

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Direct adsorption of ferritin to Si substrate2003

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Kawashima, Takio Hikono, Keisuke Yamada, Yukiharu Uraoka, Ichiro Yamashita, Takashi Fuyuki
    • 雑誌名

      Technical Report of IEICE SDM2003-194

    • NAID

      110003308910

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] フェリチンタンパクのSi基板への直接吸着2003

    • 著者名/発表者名
      川嶋宏之, 彦野太樹夫, 山田圭佑, 浦岡行治, 山下一郎, 冬木隆
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 信学技報 SDM2003

      ページ: 93-93

    • NAID

      110003308910

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] 走査型プローブ顕微鏡を用いた単一バイオナノドットの電気特性解析電子情報通信学会技術研究報告

    • 著者名/発表者名
      田中亮大 三浦篤志 浦岡行治 冬木隆
    • 雑誌名

      SDM2006-213

      ページ: 0-0

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360173
  • [学会発表] Location Controls of Crystallization Areas Utilizing Nickel Ferritins2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Tojo, A.Miura, Y.Uraoka, T.fuyuki, I.Yamashita
    • 学会等名
      International Thin-Film Transistor Conference 2010
    • 発表場所
      Hyogo
    • 年月日
      2010-01-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Pulsed Green Laser Anneling Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Sugawara, H. Yano, T, Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 学会等名
      The 5^<th> International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2009-05-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Green Laser Anneling Crystallization for Three-Dimensional device Application2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamashita, Y. Sugawara, Y. Uraoka, T. Fuyuki, M. Kimura
    • 学会等名
      The 5^<th> International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2009-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Green Laser Anneling Crystallization for Three-Dimensional Device Application2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamashita, Y.Sugawara, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Kimura
    • 学会等名
      International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Osaka
    • 年月日
      2009-05-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Experimental and Theoretical Analysis of In203-Ga203-Zn0 Thin Film Transistors under Constant VoItage Stress2009

    • 著者名/発表者名
      M. Fujii, Y. Uraoka, T. Fuyuki, J. Jun, J. Kwon
    • 学会等名
      The 5^<th> International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2009-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Green Laser Anneling Crystallization for Three-Dimensional Device Application2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamashita, Y.Sugawara, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Kimura
    • 学会等名
      International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Osaka, Japan
    • 年月日
      2009-05-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Conductive-AFM Measurements of Poly-Si Thin Film Formed by ELA2009

    • 著者名/発表者名
      E. Machida, Y. Uraoka, T. Fuyuki, R. Kokawa. T. Itoh, H. Ikenoue
    • 学会等名
      The 5^<th> International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2009-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Floating Gate Memory Based on Ferritin Nanodots with High-K Gate Dielectrics2009

    • 著者名/発表者名
      K. Ohara. Y. Uraoka, T. fuyuki, I. Yamashita, T. Yaegashi, M. Moniwa, M. Yoshimaru
    • 学会等名
      The 5^<th> International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2009-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Green Laser Anneling Crystallization for Three-Dimensional device Application2008

    • 著者名/発表者名
      T.Yamashita, Y.Sugawara, Y.Uraoka, T.Fuyuki, M.Kimura
    • 学会等名
      The 5^<th> International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2008-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Floating Gate Memory Based on Ferritin Nanodots with High-K Gate Dielectrics2008

    • 著者名/発表者名
      K.Ohara, Y.Uraoka, T.Fuyuki, I.Yamashita, T.Yaegashi, M.Moniwa, M.Yoshimaru
    • 学会等名
      The 5^<th> International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2008-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Experimental and Theoretical Analysis of In2O3-Ga2O3-ZnO Thin Film Transistors under Constant Voltage Stress2008

    • 著者名/発表者名
      M.Fujii, Y.Uraoka, T.Fuyuki, J.Jun, J.Kwon
    • 学会等名
      The 5^<th> International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2008-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Conductive-AFM Measurements of Poly-Si Thin Film Formed by ELA2008

    • 著者名/発表者名
      E.Machida, Y.Uraoka, T.Fuyuki, R.Kokawa, T.Itoh, H.Ikenoue
    • 学会等名
      The 5th International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2008-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] バイオ系ナノ材料を用いた新規半導体デバイス2008

    • 著者名/発表者名
      浦岡行治、冬木隆
    • 学会等名
      第69 回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360173
  • [学会発表] Pulsed Green Laser Anneling Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Sugawara, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuyuki
    • 学会等名
      The 5^<th> International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2008-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] 極薄トンネル酸化膜上バイオナノドットからの電子放出の過渡解析2007

    • 著者名/発表者名
      河北あゆみ、矢野裕司、浦岡行治、冬木隆
    • 学会等名
      第68 回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360173
  • 1.  松波 弘之 (50026035)
    共同の研究課題数: 28件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  吉本 昌広 (20210776)
    共同の研究課題数: 24件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  木本 恒暢 (80225078)
    共同の研究課題数: 17件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  畑山 智亮 (90304162)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 25件
  • 5.  矢野 裕司 (40335485)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 26件
  • 6.  浦岡 行治 (20314536)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 71件
  • 7.  山下 一郎
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 8件
  • 8.  木村 睦 (60368032)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件
  • 9.  堀池 靖浩 (20209274)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  服部 健雄 (10061516)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  白木 靖寛 (00206286)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  安田 幸夫 (60126951)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  立花 明知 (40135463)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  更家 淳司 (90026154)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  松村 信男 (60107357)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  鶴島 稔夫 (10236953)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  安達 伸雄
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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