杉浦修 SUGIURA Osamu

研究者番号	10187643
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2005年度: 千葉工業大学, 工学部, 教授 2002年度 – 2004年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助教授 2003年度: 東京工業大学, 理工学研究科, 助教授 2001年度: 東京工業大学, 工学部, 助教授 2000年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助教授 … もっと見る 1999年度: 東京工業大学, 量子効果トロニクス研究センター, 助教授 1989年度 – 1999年度: 東京工業大学, 工学部, 助教授 1987年度 – 1988年度: 東京工業大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学 / 電子材料工学研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 電子材料工学 / 原子力学 / 電子機器工学
キーワード	研究代表者 MISFET / InSb / TICS / SiO_2 / light-irradiating anneal / self-alignment / p-n diode / tin / sulfur / donor … もっと見る / ドーピング / インジウムアンチモン / p-nダイオード / ドナードーピング / 光照射アニール / 自己整合 / P-nダイオード / スズ / 硫黄 / ドナー / Tetra-isocyanate-silane / Plasma Enhaced CVD / PECVD / テトライソシアネートシラン / プラズマCVD / 多層配線 / 無電解めっき / ポリイミド / 防食 / ベンゾトリアゾール / 銅配線 / SIMS測定 / 二酸化炭素 / 酸素 / 蒸留精製 / 水銀テルル / MBE成長 … もっと見る研究代表者以外 Quantum Effect Devices / 量子効果デバイス / 超薄膜結晶成長 / 電子ビーム露光技術 / 極微細加工プロセス / 超伝導デバイス / 超高速デバイス / MBE / MOCVD / 薄膜トランジスタ / MIS構造 / Atomic Layr Epitaxy / Electron Beam Lithography / ヘテロ接合 / インジウムアンチモン / 高周波プラズマ / VHF / MISトランジスタ / カドミウムテルル / 水銀テルル / InSb / Nanofabrications / 原子層エピタキシ- / Si / Superconductor Devices / Ultra-high speed devices / 水銀・カドミウム・テルル / カドミウム・テルル / 結晶成長 / エピタキシャル成長 / 電子エネルギ-分布 / アモルファスシリコン / プラズマ発光スペクトル / グロ-放電プラズマ / 界面準位 / MBE成長 / MIS Capacitor / Surface States / Cadmium Telluride / Indium Antimonide / Hetero Junction / MIS Transistor / 超高速MISトランジスタ / MIS構造ヘテロエピタキシャル成長 / MOCVDインジウムアンチモン / ヘテロ構造 / MISキャパシタ / crystal growth / X-rays / gamma rays / photon detector / low temperature detector / X線 / ガンマ線 / 光子検出器 / 低温検出器 / Single Electron Transistors / Atomic Layer Epitaxy / Thinfilm Crystal Growth / Superconducting Devices / Untrahigh Speed Devices / 原子層エピタキシー / 量子効果デパイス / Thinfilm Transistors / Ultrathinfilm Crystal Growth / Electron Beam Lighography / Superconducting DEvices / Ultrahigh Speed Devices / Thin-Film Transistors / Ultra-Thin Film Growth / Ultra-Fine Structure / Ge manmade Crystal / Atomic Hydrogen / Tight Binding sps^* Model / Germanium / Silicon / Electronic Structure / Light Emission / 発光デバイス / 溶融再結晶化法 / 発光特性 / 多結晶シリコン / レーザ結晶化 / エキシマレーザ / Ge人工結晶 / 原子状水素 / 強束縛近似 / ゲルマニウム / シリコン / 電子構造 / 原子層成長 / 発光 / Ultra-Thin Film Crystal Growth / Ultra-Fine Structure Processing / ECRプラズマ / プラズマ診断 / プラズマ / ヘテロエピタキシャル成長 / ラングミュアプロ-ブ / ヘテロエピタキシ- 隠す

低温動作・高効率・高エネルギー分解能InSb放射線検出器開発の基礎研究
- 研究代表者
  
  神野郁夫
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  原子力学
- 研究機関
  京都大学
集積回路銅配線に対する有機インヒビターの防食効果研究代表者
- 研究代表者
  
  杉浦修
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
InSbMISFETのソース・ドレイン構造に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  杉浦修
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
超薄膜超微細構造デバイスに関する研究
- 研究代表者
  
  小田俊理
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
超薄膜超微細構造デバイスに関する研究
- 研究代表者
  
  小田俊理
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
超薄膜超微細構造デバイスに関する研究
- 研究代表者
  
  小田俊理
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究機関
  東京工業大学
TICSを用いた水素フリーSiO_2膜形成法研究代表者
- 研究代表者
  
  杉浦修
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
超薄膜超微細構造デバイスに関する研究
- 研究代表者
  
  小田俊理
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究機関
  東京工業大学
シリコン高効率発光デバイスの研究
- 研究代表者
  
  松村正清
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1994
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  電子機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
MBE装置のための蒸留精製機構を備えた圧力制御型高純度水銀ビ-ム源の製作研究代表者
- 研究代表者
  
  杉浦修
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
VHF帯プラズマの発生と制御
- 研究代表者
  
  小田俊理
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究
- 研究代表者
  
  松村正清
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
VHF帯(100メガヘルツ領域)プラズマの発生と制御
- 研究代表者
  
  小田俊理
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究
- 研究代表者
  
  松村正清
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
VHF帯(100メガヘルツ領域)プラズマの発生と制御
- 研究代表者
  
  小田俊理
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究
- 研究代表者
  
  松村正清
- 研究期間 (年度)
  1987
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
超高移動度半導体を用いたヘテロMIS接合の研究
- 研究代表者
  
  松村正清
- 研究期間 (年度)
  1987 – 1989
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東京工業大学

すべて 2006 2005 その他

すべて雑誌論文

[雑誌論文] InSb Cryogenic Radiation Detectors2006
- 著者名/発表者名
  I.Kanno, S.Hishiki, O.Sugiura, R.Xiang, T.Nakamura, M.Katagiri
- 雑誌名
  
  Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. A. (印刷中)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360505
[雑誌論文] InSb Cryogenic Radiation Detectors2006
- 著者名/発表者名
  I.Kanno, S.Hishiki, O.Sugiura, R.Xiang, T.Nakamura, M.Katagiri
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.and Meth.in Phys.Res.A. (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360505
[雑誌論文] Undoped InSb Schottky Detector for Gamma Ray Measurements2005
- 著者名/発表者名
  S.Hishiki, I.Kanno, O.Sugiura, R.Xiang, T.Nakamura, M.Katagiri
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Nucl.Sci. 52
  
  ページ: 3172-3175
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360505
[雑誌論文] Undoped InSb Schottky Detector for Gamma Ray Measurements2005
- 著者名/発表者名
  S.Hishiki, I.Kanno, O.Sugiura, R.Xiang, T.Nakamura, M.Katagiri
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Nucl. Sci. 52
  
  ページ: 3172-3175
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360505
[雑誌論文] InSb Cryogenic Radiation Detectors
- 著者名/発表者名
  I.Kanno, S.Hishiki, O.Sugiura, R.Xiang, T.Nakamura, M.Katagiri
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.and Meth.in Phys.Res. (in print)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360505

1. 松村正清 (30110729)

共同の研究課題数: 12件

共同の研究成果数: 0件
2. 小田俊理 (50126314)

共同の研究課題数: 11件

共同の研究成果数: 0件
3. MILNE Willia

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
4. MOORE David

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
5. KASTNER Marc

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 座間秀昭 (50206033)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 今井茂 (40223309)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 内田恭敬 (80134823)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 神野郁夫 (50234167)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
10. 山名元 (30283683)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 伊藤明 (30282833)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. W I ミルン

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. D F ムーア

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. WILLIAM Miln

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. DAVID Moore

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. KASTNER Mark

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

杉浦 修 SUGIURA Osamu

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

集積回路銅配線に対する有機インヒビターの防食効果研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

InSbMISFETのソース・ドレイン構造に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

TICSを用いた水素フリーSiO_2膜形成法研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

MBE装置のための蒸留精製機構を備えた圧力制御型高純度水銀ビ-ム源の製作研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

杉浦修 SUGIURA Osamu