山部紀久夫 Yamabe Kikuo

研究者番号	10272171
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所属 (現在)	2022年度: 筑波大学, 数理物質系(特命教授), 特命教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度: 筑波大学, 数理物質科学研究科, 教授 2011年度 – 2014年度: 筑波大学, 数理物質系, 教授 2007年度 – 2010年度: 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 2004年度 – 2005年度: 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 2001年度 – 2003年度: 筑波大学, 物理工学系, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者理工系 / 薄膜・表面界面物性研究代表者以外理工系 / 金属物性 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者シリコン酸化膜 / シリコン / 表面 / 原子的平坦性 / マイクロラフネス / 膜厚高均一性 / 未酸化シリコン / 界面 / ラフネス / 信頼性 … もっと見る / 極薄シリコン酸化膜 / 絶縁破壊 / 膜厚均一性 / バラツキ / 熱酸化 / 単結晶 / 原子ステップ / 原子テラス / 平坦性 / 均一性 / Si / SiC / 密度 / 分布 / 密度緩和 / 二次元分布 / 金属ナノワイヤ / 酸化膜 / 有機分子 / センサー / 成長核 / 自然酸化 / 水分 / バックボンド / テラス / エッチング / 三角ピット / インデンテーション / 損傷 / フェンス / 酸化物 / SiO2 / 高誘電率絶縁膜 / 集積回路 / ゲート絶縁膜 / 伝導機構 / 電荷捕獲 / 酸素欠損 / High-k Dielectrics / Integrated Circuits / Gate Dielectrics / Conduction Mechanism / Charge Trapping / Reliability / Silicon Dioxide / Oxygen Deficiency … もっと見る研究代表者以外ナノメータ・スケール素子 / 微細化限界 / 理論的アセスメント / シリコン集積回路 / ナノテクノロジー / 第一原理計算 / トランスポート / ナノメータ・スケール / 集積エレクトロニクス / 金属酸化物 / 界面 / 空孔型欠陥 / 陽電子消滅 / 表面・界面 / metal-oxide / interface / vacancy-type defect / positron annihilation / 絶縁破壊機構 / 表面・界面物理解析 / 信頼性物理 / ゲート絶縁膜 / 結晶性 / ヘテロエピタキシャル成長 / 透過型電子顕微鏡 / SiC MOS / GaN on Si(001) / 結晶欠陥 / 発光解析 / ヘテロ界面 / 断面TEM観察 / 炭化ケイ素 / ＭＯＳゲート絶縁膜 / ＴＤＤＢ / Soft Breakdown / Hard Breakdown / 経時酸化膜絶縁破壊 / 絨毯爆撃状絶縁破壊痕 / SiO2 隠す

新しいヘテロ界面形成による高性能・省エネルギートランジスタの基盤構築
- 研究代表者
  
  丹羽正昭
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
結晶表面の原子ステップの位置・構造制御と原子・分子修飾研究代表者
- 研究代表者
  
  山部紀久夫
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  筑波大学
高精度に制御された極薄シリコン酸化膜を利用した特性バラツキ抑制技術の研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  山部紀久夫
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
極薄シリコン酸化膜の原子的レベルの膜厚高均一・高均質化技術の研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  山部紀久夫
- 研究期間 (年度)
  2007
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
酸化物薄膜における酸素欠損と電気的特性の関連性評価と膜質改善研究代表者
- 研究代表者
  
  山部紀久夫
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  筑波大学
陽電子消滅を用いた金属/金属酸化物の空孔型欠陥の研究
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  筑波大学
ナノメータ・スケール集積エレクトロニクスの理論的構築
- 研究代表者
  
  名取研二
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学

[図書] ドライ・ウェットエッチシグ技術全集第2章第5節2008
- 著者名/発表者名
  山部紀久夫
- 出版者
  技術情報協会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[図書] IEEE 2005 Int.Reliability Physics Symposium Proceeding2005
- 著者名/発表者名
  K.Yamabe, M.Goto, K.Higuchi, A.Uedono, K.Shiraishi, S.Miyazaki, K.Torii, M.Boero, T.Chikyow, S.Yamasaki, H.Kitajima, K.Yamada, T.Arikado
- 出版者
  Charge Trapping by Oxygen-Related Defects in HfO2-based High-k Gate Dielectrics
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[図書] Electrochem.Soc., Tran.Vol.1, No.1"Physics and Chemistry of SiO_2 and the Si-SiO_2 Interface-5"2005
- 著者名/発表者名
  R.Hasunuma, J.Okamoto, N.Tokuda, K.Yamabe
- 出版者
  Morphological Change in Surface and Interface during Ultrathin SiO_2 Film Growth
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[図書] Electrochem. Soc., Tran. Vol.1,No.1 "Physics and Chemistry of SiO_2 and the Si-SiO_2 Interface-5"2005
- 著者名/発表者名
  R.Hasunuma, J.Okamoto, N.Tokuda, K.Yamabe
- 出版者
  Morphological Change in Surface and Interface during Ultrathin SiO_2 Film Growth
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[図書] Morphological Change in Surface and Interface during Ultrathin SiO_2 Film Growth, Electrochem.Soc.,Tran., 1(1), Physics and Chemistry of SiO_2 and the Si-SiO_2 Interface-5
- 著者名/発表者名
  R.Hasunuma, J.Okamoto, N.Tokuda, K.Yamabe
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[図書] Charge Trapping by Oxygen-Related Defects in HfO_2-based High-k Gate Dielectrics, IEEE 2005 Int.Reliability Physics Symposium Proceeding
- 著者名/発表者名
  K.Yamabe, M.Goto, K.Higuchi, A.Uedono, K.Shiraishi, S.Miyazaki, K.Torii, M.Boero, T.Chikyow, S.Yamasaki, H.Kitajima, K.Yamada, T.Arikado
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Failure Analysis of a SiC MOS Capacitor with a Poly-Si Gate Electrode2016
- 著者名/発表者名
  Soshi Sato, Kikuo Yamabe, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 858 ページ: 485-488
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.858.485
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870043, KAKENHI-PROJECT-25289082
[雑誌論文] Formation mechanism of concave by dielectric breakdown on silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitor2016
- 著者名/発表者名
  S. Sato, K. Yamabe, T. Endoh, M. Niwa
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability
  
  巻: 58 ページ: 185-191
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[雑誌論文] 極薄シリコン酸化膜における原子レベルの膜厚均一性と信頼性2015
- 著者名/発表者名
  山部紀久夫、蓮沼隆
- 雑誌名
  
  J.Vac.Soc.Jpn.
  
  巻: 58 ページ: 27-27
- NAID
  130004952534
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[雑誌論文] Multiple breakdown model of carpet-bombing-like concaves formed during dielectric breakdown of silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitors2014
- 著者名/発表者名
  Soshi Sato1, Yuki Hiroi, Kikuo Yamabe, Makoto Kitabatake, Tetsuo Endoh, and Masaaki Niwa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 8S1 ページ: 08LA01-08LA01
- DOI
  10.7567/jjap.53.08la01
- NAID
  210000144325
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[雑誌論文] Multiple breakdown model of carpet-bombing-like concaves formed during dielectric breakdown of silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitors2014
- 著者名/発表者名
  Soshi Sato, Yuki Hiroi, Kikuo Yamabe, Makoto Kitabatake, Tetsuo Endoh, and Masaaki Niwa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53
- NAID
  210000144325
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[雑誌論文] Oxidation characteristics of silicon exposed to O(1D2) and O(3P2) radicals and stress-relaxation oxidation model for O(1D2) radicals2014
- 著者名/発表者名
  Yoshiro Kabe, Ryu Hasunuma, and Kikuo Yamabe
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 ページ: 031501-031501
- NAID
  210000143412
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[雑誌論文] Nanoindentation Damage near Silicon Surface Embossed by Immersion in Ultralow-Dissolved-OxygenWater2013
- 著者名/発表者名
  Ryu Hasunuma, Shun Kudo, Katsuya Kamata, and Kikuo Yamabe
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 2 ページ: 225-229
- DOI
  10.1149/2.014305jss
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[雑誌論文] Microscopic Thickness Uniformity and Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Dispersion of Thermally Grown Ultrathin SiO2 Film on Atomically Flat Si Surface2013
- 著者名/発表者名
  Ryu Hasunuma, Yusuke Hayashi, Masahiro Ota, and Kikuo Yamabe
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 3R ページ: 031301-031301
- DOI
  10.7567/jjap.52.031301
- NAID
  210000141859
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[雑誌論文] Evaluation of Kink Generation Rate and Step Flow Velocity on Si(111) during Wet Etching2013
- 著者名/発表者名
  Ryu Hasunuma and Kikuo Yamabe
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 11R ページ: 110127-110127
- DOI
  10.7567/jjap.52.110127
- NAID
  210000143047
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[雑誌論文] Oxidation of Silicon Utilizing a Microwave Plasma System : Electric-Stress Hardening of SiO2 Films by Controlling the Surface and Interface Roughness2012
- 著者名/発表者名
  Yoshiro Kabe, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 51 ページ: 41104-41104
- NAID
  210000140407
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[雑誌論文] Two-dimensional Roughness Growth at Surface and Interface of SiO2 Films during Thermal Oxidation of 4H-SiC(0001)2012
- 著者名/発表者名
  R.Hasunuma, T.Fukasawa,R.Kosugi, Y.Ishida, and K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 717～720 ページ: 785-788
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.785
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[雑誌論文] Variation of Chemical Vapor Deposited SiO2 Density Due to Generation and Shrinkage of Open Space During Thermal Annealing2012
- 著者名/発表者名
  M.Sometani, R.Hasunuma, M.Ogino, H.Kuribayashi, Y.Sugahara, A.Uedono, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 2R ページ: 021101-021101
- DOI
  10.1143/jjap.51.021101
- NAID
  210000071732
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[雑誌論文] Generation and Growth of Atomic-scale Roughness at Surface and Interface of Silicon Dioxide Thermally Grown on Atomically Flat Si Surface2011
- 著者名/発表者名
  Y.Hayashi, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials
  
  巻: 470 ページ: 110-116
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[雑誌論文] Tokuda N, Umezawa H, Yamabe K, Okushi H, Yamasaki S ; Growth of atomically step-free surface on diamond {111} mesas2010
- 著者名/発表者名
  Tokuda N, Umezawa H, Yamabe K, Okushi H, Yamasaki S
- 雑誌名
  
  DIAMOND AND RELATED MATERIALS
  
  巻: 1 ページ: 288-290
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[雑誌論文] Degradation of Atomic Surface Flatness of SiO2 Thermally Grown on a Si Terrace2009
- 著者名/発表者名
  K.Yamabe, K.Ohsawa, Y.Hayashi, R.Hasunuma
- 雑誌名
  
  Journal of Electrochemical Society 156
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[雑誌論文] Improvement of Dielectric Properties on Deposited SiO2 Caused by Stress Relaxation with Thermal Annealing2009
- 著者名/発表者名
  Mitsuru Sometani, Ryu Hasunuma, Masaaki Ogino, Hitoshi Kuribayashi, Yoshiyuki Sugahara, Kikuo Yamabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 48
- NAID
  210000066788
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[雑誌論文] Roughness Increase on Surface and Interface of SiO2 Grown on Atomically Flat Si(111)Terrace2009
- 著者名/発表者名
  K.Ohsawa, Y.Hayashi, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  210000066787
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[雑誌論文] シリコン酸化膜フェンス効果を利用した原子ステップの形状・速度制御2009
- 著者名/発表者名
  鎌田勝也、尾崎亮太、矢田隆伸、蓮沼隆、山部紀久夫
- 雑誌名
  
  表面科学 30
  
  ページ: 422-426
- NAID
  10025201140
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[雑誌論文] Changes in Concentrations of Copper and Nickel on Boron-Doped Czochralski-Grown Silicon Surface at Room Temperature2009
- 著者名/発表者名
  R.Takeda, M.Narita, S.Tani-ike, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 48
  
  ページ: 51201-51201
- NAID
  40016585491
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[雑誌論文] Comprehensive analysis of positive and negative bias temperature instabilities.in high-k/metal gate stack metal-oxide-silicon field effect transistors with equivalent oxide thickness scaling to sub-1 nm2008
- 著者名/発表者名
  M. Sato, K. Yamabe, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamada, C. Tamura, R. Hasunuma, S. Inumiy a, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohi I
- 雑誌名
  
  Jpn. J. ADD 1. Phys 47
  
  ページ: 2354-2359
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[雑誌論文] Evaluation of Two-Dimensional Distribution of Dielectric Degradation in Stressed Si02 Film by Etch-Rate Difference2008
- 著者名/発表者名
  S. Okamoto, Y. Tokukawa, R. Hasunuma, M. Ogino, H. Kuribayashi, Y. Sugahara and K. Yamabe
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series 106
  
  ページ: 12017-12017
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[雑誌論文] Surface roughening of diamond(001)films during homoepitaxial growth in heavy horon doping2007
- 著者名/発表者名
  Norio Tokuda, Hitoshi Umezawa, Takeyasu Saito, Kikuo Yamabe, Hideyo Okushi and Satoshi Yamasaki
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials 16
  
  ページ: 767-770
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[雑誌論文] Annealing properties of open volumes in strained SiN films studied by monoenergetic positron beams2007
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, K.Ito, T.Narumi, M.Sometani, K.Yamabe, Y.Miyagawa, T. Murata, K. Honda, N. Hattori, M. Matsuura, K. Asai, T. Ohdaira and R. Suzuki
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[雑誌論文] Characterization of metal/high・k structures using monoenergetic positronbeams2007
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, T.Naito, T.Otsuka, K.Ito, K.Shiraishi, K.Yamabe, S.Miyazaki, H.Watanabe, N.Umezawa, Y.Chikyow, T.Ohdaira, R.Suzuki, Y.Akasaka, S.Kamiyama, Y.Nara and K.Yamada
- 雑誌名
  
  Jpn.JAppl.Phy6 46
  
  ページ: 3214-3218
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[雑誌論文] Direct observation of two-dimensional growth at SiO2/Si(III) interface2007
- 著者名/発表者名
  D.Hojo, N.Tokuda and K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 515
  
  ページ: 7892-7898
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[雑誌論文] Influences of annealing in reducing and oxidizing ambients on flatband voltage properties of HfO2 gate stack structres2007
- 著者名/発表者名
  K.Ohmori, P.Ahmet, M.Yoshitake, T.Chikyow, K.Shiraishi, K.Yamabe, H.Watanabe, Y.Akasaka, Y.Nara, K.-S.Chang, M.L.Green, and K.Yamada
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[雑誌論文] Hillock-free heavily Broron-deped homoepitaxial diamond films2007
- 著者名/発表者名
  N.Tokuda, H.Umezawa, K.Yamabe, H.Okushi and S.Yamasaki
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 46
  
  ページ: 1469-1470
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[雑誌論文] Origin of the Hole Current in n-type High-k/Metal Gate Stacks Field Effect Transistor in and Inversion State2007
- 著者名/発表者名
  Motoyuki Sato, Kikuo Yamabe, Takayuki Aoyama, Yasuo Nara, and Yuzuru Ohji
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 46
- NAID
  40015715174
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[雑誌論文] Role of nitrogen atoms in reduction of electron charge traps in Hf-based High-k dielectrics2007
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraichi, K.Torii, M.Boero, T.Chikyow, H.watanabe, K.Yamabe, T.Ohno, K.Yamada and Y.Nara
- 雑誌名
  
  IEEE electron device lett 28
  
  ページ: 363-365
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[雑誌論文] ダイヤモンド(III)表面の原子的平坦化2007
- 著者名/発表者名
  徳田規夫, 李成奇, 梅澤仁, 山部紀久夫, 大串秀世, 山崎聡
- 雑誌名
  
  ニューダイヤモンド 23
  
  ページ: 30-31
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[雑誌論文] Homogeneity improvements in the dielectric characteristics of HfSiON films by nitridation2007
- 著者名/発表者名
  T.Naito, C.Tamura, S.Inumiya, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 46
  
  ページ: 3197-3201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[雑誌論文] Microscopic Understanding of PBTI and NBTI Mechanisms in High-k/Metal Gate Stacks2007
- 著者名/発表者名
  Motoyuki Sato, Kikuo Yamabe, Kenji Shiraishi, Seiichi Miyazaki, Keisaku Yamada, Chihiro Tamura, Ryu Hasunuma, Seiji Inumiya, Takayuki Aoyama, Yasuo Nara, and Yuzuru Ohji
- 雑誌名
  
  ECS Trans. 11
  
  ページ: 615-627
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[雑誌論文] Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bonds in HfSiON2007
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, S.Miyazaki, A.Uedono, Y.Akasaka, S.Inumiya, R.Hasunuma, K.Yamabe, H.Momida, T.Ohno, K.Ohmori, T.Chikyow, Y.Nara, and K.Yamada
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 46
  
  ページ: 1891-1894
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[雑誌論文] First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics2006
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Ohno, H.Watanabe, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamabe, K.Yamada, H.Kitajima, T.Arikado
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 86
  
  ページ: 143507-143507
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Unique behavior of Fcenters in high-k Hf-based oxides2006
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Ohno, M.Boero, H.Watanabe, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamabe, K.Yamada, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 392-394
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Impact of nitridation on open volumes in HfSiO_x studied using monoenergetic positron beams2006
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, K.Ikeuchi, T.Otsuka, K.Yamabe, K.Eguchi, M.Takayanagi, T.Odaira, M.Marumatsu, R.Suzuki, A.S.Hamid, T.Chikyow
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 88
  
  ページ: 171912-171912
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Impact of nitridation on open volumes in HfSiO_x studied using monoenergetic positron beams2006
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, K.Ikeuchi, T.Otsuka, K.Yamabe, K.Eguchi, M.Takayanagi, T.Odaira, M.Marumatsu, R.Suzuki, A.S.Hamid, T.Chikyow
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 88
  
  ページ: 171912-171912
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Suppression of oxygen diffusion by thin Al_2O_3 films grown on SrTiO_3 studied using a monoenergetic positron beam2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Kiyohara, N.Yasui, K.yamabe
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 97
  
  ページ: 33508-33508
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Suppression of oxygen diffusion by thin Al_2O_3 films grown on SrTiO_3 studied using a monoenergetic positron beam2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Kiyohara, N.Yasui, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 97
  
  ページ: 33508-33508
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Transient Characteristics of HfAlOx Gate Dielectric Films2005
- 著者名/発表者名
  M.Goto, K.Higuchi, K.Torii, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Trans.Mater.Res.Soc. 30(1)
  
  ページ: 201-205
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduciton in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Ohno, H.Watanabe, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamabe, K.Yamada, H.Kitajima, T.Arikado
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 86
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Selective Growth of Ag Nanowires on Si(111) Surfaces by Electroless Deposition2005
- 著者名/発表者名
  N.Tokuda, N.Sasaki, H.Watanabe, K.Miki, S.Yamasaki, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  J.Phys.Chem.(B), Letters 109
  
  ページ: 12655-12657
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Transient Characteristics of HfAlOx gate Dielectric Films2005
- 著者名/発表者名
  M.Goto, K.Higuchi, K.Torii, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Trans.Mat.Res.Soc.Jpn 30
  
  ページ: 201-204
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Selective Growth of Monoatomic Cu Rows at Step Edges on Si(111) Substrates in Ultralow-Dissolved-Oxygen water2005
- 著者名/発表者名
  N.Tokuda, M.Nishizawa, K.Miki, S.Yamasaki, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
- NAID
  10015726643
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Charge Trapping by Oxygen-Related Defects in HfO_2-based High-k Gate Dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  K.Yamabe et al.
- 雑誌名
  
  IEEE 2005 Int.Reliability Physics Symposium Proceeding
  
  ページ: 648-649
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Annealing properties of open volumes in HfSiOx arid HfAlOx gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, K.Ikeuchi, K.Yamabe, T.Ohdaira, M.Muramatsu, R.Suzuki, A.S.Hamid, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamada
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 98
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Suppression of oxygen diffusion by thin Al_2O_3 films grown on SrTiO_3 studied using a monoenergetic positron beam2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Kiyohara, N.Yasui, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 97
  
  ページ: 33508-33508
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Selective Growth of Ag Nano-wires on Si(111) Surfaces by Electroless Deposition2005
- 著者名/発表者名
  N.Tokuda, N.Sasaki, H.Watanabe, K.Miki, S.Yamasaki, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  J.Phys.Chem.(B), Letters 109
  
  ページ: 12655-12657
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Selective Growth of Ag Nanowires on Si(111) Surfaces by Electroless Deposition2005
- 著者名/発表者名
  N.Tokuda, N.Sasaki, H.Watanabe, K.Miki, S.Yamasaki, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  J.Phys.Chem. (B), Letters 109
  
  ページ: 12655-12657
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] The Role of Oxygen-related Defects on the Reliabilities of HfO_2-based High-k Gate Insulators2005
- 著者名/発表者名
  K.Torii, K.Shiraishi, S.Miyazaki, K.Yamabe, M.Boero, T.Chikyow, K.Yamada, H.Kitajima, T.Arikado
- 雑誌名
  
  Trans.Mater.Res.Soc. 30(1)
  
  ページ: 191-195
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Annealing properties of open volumes in HfSiOx and HfAlOx gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, K.Ikeuchi, K.Yamabe, T.Ohdaira, M.Muramatsu, R.Suzuki, A.S.Hamid, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamada
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 98
  
  ページ: 23506-23506
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Transient Characteristics of HfAlOx Gate Dielectric Films2005
- 著者名/発表者名
  M.Goto, K.Higuchi, K.Torii, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Transactions of Mat.Res.Soc. 30[1]
  
  ページ: 201-205
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Selective Growth of Mono-atomic Cu Rows at Step Edges on Si(111) Substrates in Ultralow-Dissolved-Oxygen water2005
- 著者名/発表者名
  N.Tokuda, M.Nishizawa, K.Miki, S.Yamasaki, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
- NAID
  10015726643
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Charge Trapping by Oxygen-Related Defects in HfO_2-based High-k Gate Dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  K.Yamabe et al.
- 雑誌名
  
  IEEE 2005 Int. Reliability Physics Symposium Proceeding
  
  ページ: 648-649
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] The Role of Oxygen-related Defects on the Reliabi-lities of HfO_2-based High-k Gate Insulators2005
- 著者名/発表者名
  K.Torii, K.Shiraishi, S.Miyazaki, K.Yamabe, M.Boero, T.Chikyow, K.Yamada, H.Kitajima, T.Arikado
- 雑誌名
  
  Trans.Mater.Res.Soc. 30(1)
  
  ページ: 191-195
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Selective Growth of Monoatomic Cu Rows at Step Edges on Si(111) Substrates in Ultralow-Dissolved-Oxygen water2005
- 著者名/発表者名
  N.Tokuda, M.Nishizawa, K.Miki, S.Yamasaki, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 44
- NAID
  10015726643
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Characterization of Hf0.3Al0.7Ox Fabricated by Atomic-Layer-Deposition Technique Using Monoenergetic Positron Beams2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Goto, K.Higuchi, K.Shiraishi, K.Yamabe, H.Kitajima, R.Mitsuhashi, A.Horiuchi, K.Torii, T.Arikado, R.Suzuki, T.Ohdaira, K.Yamada
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43(11B)
  
  ページ: 7848-7852
- NAID
  130004531545
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Transient Capacitance in Metal-Oxide-Semiconductor Structures with Stacked Gate Dielectrics2004
- 著者名/発表者名
  M.Goto, K.Higuchi, K.Torii, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43(11B)
  
  ページ: 7826-7830
- NAID
  10014215019
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Nonuniformity in Ultrathin SiO_2 on Si(111) Character-ized by Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  R.Hasunuma, J.Okamoto, N.Tokuda, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43(11B)
  
  ページ: 7861-7865
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Nonuniformity in Ultrathin SiO_2 on Si(111) Characterized by Conductive Atomic Force Microscopy2004
- 著者名/発表者名
  R.Hasunuma, J.Okamoto, N.Tokuda, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(11B)
- NAID
  10014215146
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Characterization of HfO.3A1O.70x Fabricated by Atomic-Layer-Deposition Technique Using Monoenergetic Positron Beams2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Goto, K.Higuchi, K.Shiraishi, K.Yamabe, H.Kitajima, R.Mitsuhashi, A.Horiuchi, K.Torii, T.Arikado, R.Suzuki, T.Ohdaira, K.Yamada
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(11B)
  
  ページ: 7848-7852
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Transient Capacitance in Metal-Oxide-Semiconductor Structures with Stacked Gate Dielectrics2004
- 著者名/発表者名
  M.Goto, K.Higuchi, K.Torii, R.Hasunuma, K.Yamabe;
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(11B)
  
  ページ: 7826-7830
- NAID
  10014215019
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Vacancy-Type Defects in SrTiO_3 Probed by a Monoenergetic Positron Beam2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Kiyohara, K.Shimoyama, Y.Matsunaga, N.Yasui, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Materials Sci.Forum 445-446
  
  ページ: 201-203
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Characterization of Hf_<0.3>Al_<0.7>O_x Fabricated by Atomic-Layer Deposition Technique Using Monoenergetic Positron Beams2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Goto, K.Higuchi, K.Shiraishi, K.Yamabe, H.Kitajima, et al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43
  
  ページ: 7848-7848
- NAID
  10014215085
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Transient Capacitance in Metal-Oxide-Semiconductor Structure with Stacked Gate Dielectrics2004
- 著者名/発表者名
  M.Goto, K.Higuchi, K.Torii, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43
  
  ページ: 7826-7826
- NAID
  10014215019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Morphological Change in Surface and Interface during Ultrathin SiO_2 Film Growth
- 著者名/発表者名
  R.Hasunuma, J.Okamoto, N.Tokuda, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Electrochem.Soc.,Tran., 1(1), Physics and Chemistry of SiO_2 and the Si-SiO_2 Interface-5" 1(1)
  
  ページ: 255-265
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Charge Trapping by Oxygen-Related Defects in HfO_2-based High-k Gate Dielectrics
- 著者名/発表者名
  K.Yamabe, M.Goto, K.Higuchi, A.Uedono, K.Shiraishi, S.Miyazaki, K.Torii, M.Boero, T.Chikyow, S.Yamasaki, H.Kitajima, K.Yamada, T.Arikado
- 雑誌名
  
  IEEE 2005 Int.Reliability Physics Symposium Proceeding
  
  ページ: 648-649
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[産業財産権] 絶縁膜の形成方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体および処理システム2009
- 発明者名
  壁義郎、北川淳一、山部紀久夫
- 権利者名
  東京エレクトロン/筑波大学
- 産業財産権番号
  2009-011027
- 出願年月日
  2009-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] A shottky barrier between SiC epitaxial layer and Al-C-Si alloy formed by dielectric breakdown of SiC MOS capacitor with aluminum electrode2016
- 著者名/発表者名
  S. Sato, K. Yamabe, T. Endoh, M. Niwa
- 学会等名
  23 rd International Symposium on the the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
- 発表場所
  Manira Bay Sands, Singapore
- 年月日
  2016-07-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] Poly-Si電極を用いたSiC MOSキャパシタの絶縁破壊後に見出した特徴的な破壊箇所2016
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、山部紀久夫、遠藤哲郎、丹羽正昭
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第21回研究会)
- 発表場所
  東レ研修センター　三島(静岡)
- 年月日
  2016-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] Effect of series resistance on dielectric breakdown phenomenon of silicon carbide MOS capacitor2015
- 著者名/発表者名
  S. Sato, Y. Hiroi, K. Yamabe, M. Kitabatake, T. Endoh, M. Niwa
- 学会等名
  22nd International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
- 発表場所
  Lakeshore Hotel, Hsinchu (Republic of China)
- 年月日
  2015-06-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] Failure analysis of SiC MOS capacitor with poly-Si gate electrode2015
- 著者名/発表者名
  S. Sato, K. Yamabe, T. Endoh, M. Niwa
- 学会等名
  16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Giardini Naxos (Italy)
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] SiC熱酸化膜MOSキャパシタの絶縁破壊痕表面における炭素の挙動2014
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、廣井佑紀、山部紀久夫、北畠真、遠藤哲郎、丹羽正昭
- 学会等名
  第61回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] SiC熱酸化膜MOS構造における特徴的な絶縁破壊痕の解析とモデル化2014
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、廣井佑紀、山部紀久夫、北畠真、遠藤哲郎、丹羽正昭
- 学会等名
  応用物理学会　薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会　─材料・プロセス・評価の物理─」（第19回研究会）
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] Si(111)表面の自然酸化形態2013
- 著者名/発表者名
  土井修平蓮沼隆山部紀久夫
- 学会等名
  第18回「ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－」
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原(熱海)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] SiO2 膜中における捕獲電荷のデトラップ評価2013
- 著者名/発表者名
  滝ヶ浦佑介，蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 酸化・還元アニールによる多結晶HfO2 膜の電気的特性変化2013
- 著者名/発表者名
  門馬久典，蓮沼隆，山部紀久夫
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 酸化アニールによる多結晶HfO2 の同一箇所2 次元リーク電流分布変化2013
- 著者名/発表者名
  下田恭平1、蓮沼隆1、山部紀久夫1, 右田真
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 熱酸化SiC MOSキャパシタの絶縁破壊痕の形状評価2013
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、廣井佑紀、山部紀久夫、北畠真、遠藤哲郎、丹羽正昭
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] HfO2膜の結晶化による電気的特性変化2013
- 著者名/発表者名
  Hisanori Momma, Yuta Miyamoto, Ryu Hasunuma, and Kikuo Yamabe
- 学会等名
  第18回「ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－」
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原(熱海)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 熱酸化における大気中へのシリコン放出2013
- 著者名/発表者名
  T.Nagasawa, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 学会等名
  第18回「ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－」
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原(熱海)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] Si(111)表面の自然酸化の原子論的形態に関する考察2013
- 著者名/発表者名
  土井修平、蓮沼隆、山部紀久夫
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] Carpet-Bombing-like Concaves on SiC MOS Capacitors Formed by Dielectric Breakdown2013
- 著者名/発表者名
  Soshi Sato, Yuki Hiroi, Kikuo Yamabe, Makoto Kitabatake, Tetsuo Endoh, and Masaaki Niwa
- 学会等名
  2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY
- 発表場所
  University of Tsukuba, Tokyo Campus
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] Si(111) 表面の自然酸化形態に関する考察2012
- 著者名/発表者名
  土井修平、蓮沼隆、山部紀久夫
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] NF3 添加酸化によるSiC 基板起因容量-電圧特性劣化の低減2012
- 著者名/発表者名
  蓮沼隆,　深澤辰哉,　山部紀久夫
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  大阪市中央公会堂
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] HfO2膜中の結晶/アモルファス界面近傍欠陥とリーク電流2012
- 著者名/発表者名
  蓮沼隆, 宮本雄太, 下田恭平, 上殿明良, 山部紀久夫
- 学会等名
  第17回「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」
- 発表場所
  東レ研修センター(三島市)
- 年月日
  2012-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 熱酸化における大気中へのシリコン放出2012
- 著者名/発表者名
  長澤達彦、蓮沼隆、山部紀久夫
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] ホットキャリアによるシリコン空乏層とMOS特性の劣化2012
- 著者名/発表者名
  長澤達彦、蓮沼隆、山部紀久夫
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(新宿区)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 熱酸化に伴うSiO2/4H-SiC(0001)表面および界面ラフネス増加2012
- 著者名/発表者名
  深澤辰哉, 小杉亮治, 石田夕起, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  第17回「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」
- 発表場所
  東レ研修センター(三島市)
- 年月日
  2012-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 高温下でのSiO2膜の劣化評価2012
- 著者名/発表者名
  滝ヶ浦佑介，蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] HfO2膜の結晶化による電気的特性変化2012
- 著者名/発表者名
  門馬久典、宮本雄太、蓮沼隆、山部紀久夫
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 多結晶HfO2膜におけるリーク電流の温度依存性2012
- 著者名/発表者名
  宮本雄太、蓮沼隆、山部紀久夫
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(新宿区)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 陽極酸化法を用いた電界集中を誘起する構造制御2012
- 著者名/発表者名
  宮本雄太，土井修平，蓮沼隆，山部紀久夫
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] Silicon Atomistic Steps Formation in Predetermined Positions by Combination between Ultralight-Indentation and Immersion in Ultralow Dissolved-Oxygen Water2011
- 著者名/発表者名
  S.Kudo, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Surface Science
- 発表場所
  船堀(東京)
- 年月日
  2011-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] ナノインデンテーション法を用いたSi(111)表面の原子ステップ制御2011
- 著者名/発表者名
  工藤駿、鎌田勝也、蓮沼隆、山部紀久夫
- 学会等名
  アトミック/ポリスケールテクノロジー連携研究会
- 発表場所
  東京理科大学長万部キャンパス(北海道)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 高温下ストレス印加後のSiO2膜中捕獲電荷2011
- 著者名/発表者名
  山下貴之, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形市)
- 年月日
  2011-09-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 極薄シリコン熱酸化膜の膜厚均一性と表面・界面形状相関2011
- 著者名/発表者名
  太田雅浩, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形市)
- 年月日
  2011-09-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] ナノインデンテーション法を用いたSi(111)表面の原子ステップ制御2011
- 著者名/発表者名
  工藤駿, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形市)
- 年月日
  2011-09-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] Two-dimensional Roughness Growth at Surface and Interface of SiO2 Films during Thermal Oxidation of 4H-SiC(0001)2011
- 著者名/発表者名
  R.Hasunuma, T.Fukasawa, R.Kosugi, Y.Ishida, K.Yamabe
- 学会等名
  2011 Int.Conf.Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  アメリカ(クリーブランド)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 極薄SiO2膜のラフネスがMosの信頼性へ与える影響2011
- 著者名/発表者名
  林優介,染谷満, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  第16回「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」
- 発表場所
  東京工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 低温化による極薄シリコン熱酸化膜表面および界面のラフネス成長2011
- 著者名/発表者名
  太田雅浩、林優介、蓮沼隆、山部紀久夫
- 学会等名
  アトミック/ポリスケールテクノロジー連携研究会
- 発表場所
  東京理科大学長万部キャンパス(北海道)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] quartz表面における原子ステップ/テラス構造の形成2010
- 著者名/発表者名
  杉井俊介, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  第30回表面科学学術講演会
- 発表場所
  大阪大学コンベンションセンター
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 熱処理によるCVD-SiO2の緻密化と圧縮応力緩和2009
- 著者名/発表者名
  染谷満, 佐藤慎九郎, 荻野正明, 栗林均, 須ヶ原紀之, 上殿明良, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] IHfSiON膜への高電界ストレスの痕跡2009
- 著者名/発表者名
  野村豪, 杉村聡太郎, 林倫弘, 村上雄一, 田村知大, 佐藤基之, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学筑波キャンパスつくば市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] HfSiON膜表面で観察される絶縁破壊の痕跡2009
- 著者名/発表者名
  林倫弘、田村知大, 佐藤基之, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  東レ総合研修センター静岡県三島市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] 高温熱処理によるCVD-SiO2膜におけるリーク電流の抑制2009
- 著者名/発表者名
  染谷満、蓮沼隆、荻野正明、栗林均、須ヶ原紀之、山部紀久夫
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会
- 発表場所
  神戸
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] Effects of Thermal Annealing on CVD-SiO2 Films2009
- 著者名/発表者名
  M.Sometani, S.Sato, M.Ogino, H.Kuribayashi, Y.Sugahara, A.Uedono, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 学会等名
  The Third International Symposium on Atomic Technology(ISAT-3)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] Si(111)熱酸化膜表面・界面のラフネス成長2009
- 著者名/発表者名
  林優介、清水哲夫、蓮沼隆、山部紀久夫
- 学会等名
  薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] Long TDDB lifetime of SiO2 film by Controlling Degradation Rate and SiO2/Si Micro-roughness2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kabe, J.Kitagawa, Y.Hirota, S.Sato, M.Sometani, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 学会等名
  216th Electrochem.Soc., Fall Meeting
- 発表場所
  Vienna, Austria
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] Si (111) 熱酸化膜表面・界面のラフネス成長2009
- 著者名/発表者名
  林優介, 大沢敬一朗, 清水哲夫, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学筑波キャンパスつくば市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] 2-D Roughening of SiO2 Thermally Grown on Atomically Flat Si surface2009
- 著者名/発表者名
  K.Yamabe, K.Ohsawa, Y.Hayashi, R.Hasunuma
- 学会等名
  215th Electrochem.Soc., Spring Meeting
- 発表場所
  SanFrancisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] ラジカル酸化と熱酸化によるSio2薄膜の膜質制御2009
- 著者名/発表者名
  呂〓、佐藤慎九郎, 蓮沼隆山部紀久夫
- 学会等名
  薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  東レ総合研修センター静岡具三島市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] Reversible and Irreversible Degradation Attributing to Oxygen Vacancy in HfSiON Gate Films during Electrical Stress Application", p.131-134 2009)2009
- 著者名/発表者名
  R.Hasunuma, C.Tamura, T.Nomura, Y.Kikuchi, K.Ohmori, M.Sato, A.Uedono, T.Chikyow, K.Shiraishi, K.Yamada, K.Yamabe
- 学会等名
  Int.Electron Device Meeting 2009
- 発表場所
  Baltimore, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] "Roughness Increase on Surface and Interface of SiO2 Grown on Atomically Flat Si(111)Terrace", The Third International Symposium on Atomic Technology(ISAT-3), (Tokyo, May 5-6,2009)2009
- 著者名/発表者名
  K.Ohsawa, Y.Hayashi, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 学会等名
  The Third International Symposium on Atomic Technology(ISAT-3)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] Reliability Control of Silicon Dioxide Films by Radical and Thermal Oxidation2009
- 著者名/発表者名
  Z.Lu, S.Sato, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 学会等名
  The Third International Symposium on Atomic Technology(ISAT-3)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] High Reliable Silicon Dioxide Formation Technique with Plasma and Thermal Oxidation2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kabe, J.Kitagawa, Y.Hirota, S.Sato, Z.Lu, M.Sometani, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 学会等名
  Int.Solid State Devices Materals(SSDM2009)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] Characterization of Threshold Voltage Shift by Negative Bias Temperature Stress in HfSiOx Films2009
- 著者名/発表者名
  C.Tamura, T.Hayashi, K.Ohmori, R.Hasunuma, K.Yamabe
- 学会等名
  215th Electrochem.Soc., Spring Meeting
- 発表場所
  SanFrancisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] 高電界ストレス下におけるシリコン酸化膜の劣化の二次元分布観察2009
- 著者名/発表者名
  佐藤慎九郎, 呂〓, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学筑波キャンパスつくば市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] 熱処理による電界印加HfSiON膜のダメージ回復における窒素添加効果2009
- 著者名/発表者名
  菊地裕樹, 田村知大, 林倫弘, 大毛利健治, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学筑波キャンパスつくば市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] 原子的平坦Si(111)表面に形成した熱酸化膜のラフネス2009
- 著者名/発表者名
  大沢敬一朗、林優介, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  東レ総合研修センター静岡県三島市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] Suppression of Leakage Current of TEOS-SiO2 with Bandgap Increasing by High Temperature Annealing2009
- 著者名/発表者名
  M.Sometani, R.Hasunuma,. M.Ogino, H.Kuribayashi, Y.Sugahara, K.Yamabe
- 学会等名
  215th Electrochem.Soc., Spring Meeting
- 発表場所
  SanFrancisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] 表面・界面ラフネス低減による高信頼性極薄シリコン酸化膜2009
- 著者名/発表者名
  佐藤慎九郎, 染谷満, 壁義郎, 北川淳一, 廣田良浩, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] HfSiOxのしきい値電圧蠣劣化に対するPDA効果2008
- 著者名/発表者名
  田村知大・林倫弘・村田晃一・佐藤基之・蓮沼隆・山部紀久夫
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] EBICによるpMOSのリーク虚挙動の比較2008
- 著者名/発表者名
  陳君・関口隆史・高瀬雅美・深田直樹・知京豐裕・蓮沼隆・山部紀久夫・佐藤基之・奈良安雄・山田啓作
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] Vestiges of multiple progressive dielectric breakdown on HfSiON surfaces2008
- 著者名/発表者名
  T. Hayashi, C. Tamura, M. Sato, R. H asunuma and K. Yamabe
- 学会等名
  2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices-Science and Technology(IWDTF-08), The Japan Society of Applied Physics
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] Effect of Annealing on Electronic Characteristics of HfSiON Films Fabricated by Damascene Gate Process2008
- 著者名/発表者名
  K. Yamabe, K. Murata, T. Hayashi, T. Tamura, M. Sato, A. Uedono, K. Shiraishi, N. Umezawa, T. Chikyow, H. Watanabe, Y. Nara, Y. Ohj i, S. Miyazaki, K. Yamada and R. Hasunuma
- 学会等名
  214th Meeting of ECS - The Electrochemical Societ
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] 原子的平坦シリコン表面の熱酸化膜のラフネス変化2008
- 著者名/発表者名
  大沢敬一朗, 林優介, 木暮洋輔, 荒木浩司, 磯貝宏道, 竹田隆二, 松下嘉明, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学愛知県春日井市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] 窒素添加がHfSiOxのNBTIに与える影響2008
- 著者名/発表者名
  田村知大・林倫弘・村田晃一・犬宮誠治・佐藤基之・蓮沼隆・山部紀久夫
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリゴン下王石ジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] Micro roughness of silicon dioxide thermally grown on atomically flatsilicon (111) terrace2008
- 著者名/発表者名
  K. Ohsawa, Y. Hayashi, R. Hasunuma and K Yamabe
- 学会等名
  2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices-Science and Technology(1WDTF-08), The Japan Society of Applied Physics
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] 超低溶存酸素純水中における原子ステップフロー制御2008
- 著者名/発表者名
  鎌田勝也, 尾崎亮太, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  アトミック/ポリスケールテクノロジー連携研究会
- 発表場所
  東京理科大学・長万部キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] ラジカル酸化膜の絶縁破壊特性2008
- 著者名/発表者名
  岡本真一・蓮沼隆・山部紀久夫
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリゴン下王石ジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] 絶縁材料HfO2薄膜中微結晶粒近傍の導電性の二次元分布評価2008
- 著者名/発表者名
  野村豪, 染谷満, 田村知大, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  アトミック/ポリスケールテクノロジー連携研究会
- 発表場所
  東京理科大学・長万部キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] 極薄シリコン酸化膜の均(1)…Si (111)表面に形成した熱酸化膜の凹凸2008
- 著者名/発表者名
  蓮沼隆12・大沢敬一朗1・木暮洋輔1・増山浩平・岡本純一・山部紀久夫
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] シリコン酸化膜高信頼化の過去、現在、未来 (50分)(招待講演)2008
- 著者名/発表者名
  山部紀久夫
- 学会等名
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] 極薄シリコン酸化膜の均(2)…Si (111)表面に形成した熱酸化膜の凹凸2008
- 著者名/発表者名
  大沢敬一朗1・木暮洋輔1・荒木浩司2・磯貝宏道2・竹田隆二12・松下嘉明2・蓮沼隆13・山部紀久夫
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] HfO2のマイクロ結晶形成による薄膜の電気伝導変化観察2008
- 著者名/発表者名
  野村豪1・染谷満1・杉村聡太郎1・蓮沼隆12・山部紀久夫
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] Influence of Hole Trapping on Threshold Voltage Shift in HfSiOx Films2008
- 著者名/発表者名
  C. Tamura, T. Hayashi, K. Ohmori, R. Hasunuma and K. Yamabe
- 学会等名
  2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices-Science and Technolog y(IINDTFAR) The Tanan Snripfxr of Annlied Phvsir.s
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] TiN/HfSiONにおける電子伝導に寄与する欠陥準位の同定2008
- 著者名/発表者名
  村田晃一・田村知大・林倫弘・佐藤基之・蓮沼隆・山部紀久夫
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] ゲート電極形成後の熱処理によるHfSiON膜への影響2008
- 著者名/発表者名
  村田晃一・田村知大・林倫弘・佐藤基之・蓮沼隆・山部紀久夫
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] 極薄シリコン酸化膜の均(3)…シリコン単結晶表面のステップ/テラス構造制御2008
- 著者名/発表者名
  山部紀久夫・荒木浩司3・磯貝宏道3・・竹田隆二13・松下嘉明3・大沢敬一朗1・木暮洋輔1・蓮沼隆
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] HfSiON膜の電気的特性へ与える高温PNA処理の影響2008
- 著者名/発表者名
  林倫弘・田村知大・中村源志・赤坂泰志・蓮沼隆・山部紀久夫
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] ラジカル酸化と熱酸化によるシリコン酸化膜の膜質制御2008
- 著者名/発表者名
  呂〓, 佐藤慎九郎, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学愛知県春日井市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] HfSiON膜の電気的特性に見られるその影響2008
- 著者名/発表者名
  蓮沼隆・田村知大・林倫弘・佐藤基之・山部紀久夫
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリゴン下王石ジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] 空間電荷の移動によるイットリア安定化ジルコニア単結晶の導電性変化2008
- 著者名/発表者名
  染谷満1・杉村聡太郎1・蓮沼隆12・山部紀久夫
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] 高電界ストレス下でのシリコン酸化膜の劣化速度2008
- 著者名/発表者名
  Zhao, Lu・岡本真一・徳河唯・蓮沼隆・山部紀久夫
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] 熱酸化によるSi (111) ステップテラス構造のモフォロジー変化2008
- 著者名/発表者名
  大沢敬一朗, 林優介, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  アトミック/ポリスケールテクノロジー連携研究会
- 発表場所
  東京理科大学・長万部キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] High-k膜表面に観察される高電解ストレス印加時の電流ステップの痕跡2008
- 著者名/発表者名
  林倫弘、田村知大、菊地裕樹、佐藤基之、蓮沼隆、山部紀久夫
- 学会等名
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学愛知県春日井市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] HfSiON/TaSiゲートスタックnMOs反転側ゲートリーク電流機構と破壊特性に関する考察2008
- 著者名/発表者名
  佐藤基之・鬼沢岳・青山敬幸・奈良安雄・山部紀久夫
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリゴン下王石ジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] HfSiON膜の低温域リーク電流2008
- 著者名/発表者名
  林倫弘1・田村知大1・村田晃一1・犬宮誠治3・蓮沼隆12・山部紀久夫
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] 熱混酸による原子的平坦ダイヤモンド(111)表面のラフニング.2008
- 著者名/発表者名
  徳田規夫1・竹内大輔1・梅沢仁1・山部紀久夫2・大串秀世13.・山崎聡
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] PDA温度がHfSiOxの電気的特性経時劣化へ与える影響2008
- 著者名/発表者名
  田村知大, 林倫弘, 大毛利健治, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学愛知県春日井市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035002
[学会発表] Evaluation of Two-Dimensional Distribution of Dielectric Degradation Using Difference in Etching Rate of Stressed SiO22007
- 著者名/発表者名
  Shinichi, Okamoto・Y., Ttokukawa・R., Hasunuma・K., Yamabe・M., Ogino・H., Kuribayashi and Y., Sugahara
- 学会等名
  The Second International Symposium on Atomic echnology (ISAT-2)
- 発表場所
  Awaji
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] HfSiON膜の電気的特性へ与える高温PNA処理の影響2007
- 著者名/発表者名
  林倫弘・田村知大・中村源志・赤坂泰・蓮沼隆・山部紀久夫
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] 酸素引き抜きによるTi/Al2O3界面平坦性の劣化観察2007
- 著者名/発表者名
  杉村聡太郎・染谷満・蓮沼隆・上殿明良・山部紀久夫
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] 熱処理によるしきい値電圧の経時劣化抑制効果2007
- 著者名/発表者名
  田村知大・林倫弘・佐藤基之・蓮沼隆・山部紀久夫
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] Dielectric characteristics of SiO2 formed by radical oxygen2007
- 著者名/発表者名
  S., Okamoto・R., Hasunuma and K., Yamabe
- 学会等名
  18th International Symposium on Methodologies for Intelligent Systems
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] Native oxidation from atomic steps on Si 山部,紀久夫 surface2007
- 著者名/発表者名
  Keiichiro, Ohsawa・Ryu, Hasunuma and Kikuo., Yamabe
- 学会等名
  The Second International Symposium on Atomic echnology (ISAT-2)
- 発表場所
  Awaji
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] The effect of infiltration on atomic step flow2007
- 著者名/発表者名
  K., Kamata・R., Ozaki・R., Hasunuma and K., Yamabe
- 学会等名
  17th International Symposium on Methodologies for Intelligent Systems
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] Comprehensive Understanding of PBTI and NBTI reliability of High-k/Metal Gate Stacks with EOT Scaling to sub-Inm2007
- 著者名/発表者名
  Motoyuki, Sato・Kikuo, Yamabe・kenji, Shiraishi・Seiichi, Miyazaki・Keisaku, Yamada・Chihiro Tamura・Ryu, Hasunuma・Siji, Inumiya・Takayuki, Aoyama・Yasuo, Nara and Tuzuru, Ohiji
- 学会等名
  Int. Conf. SSDM
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] HfSiOxの闘値変動に対する窒素添加効果2007
- 著者名/発表者名
  田村知大・内藤達也・佐藤基之・犬宮誠治・蓮沼隆・山部紀久夫
- 学会等名
  第93回研究集会表面・界面・シリコン材料研究委員会
- 発表場所
  広島大学
- 年月日
  2007-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] Atomica flat diamond (111) surface formation by homoepitaxial lateral growth2007
- 著者名/発表者名
  Norio, Tokuda・Hitoshi Umezawa・Sung, Gi Ri・Masahiko, Ogura・Kikuo, Yamabe・Hideyo, Okushi and Satoshi, Yamasaki.
- 学会等名
  18th European Conf. Diamond, Diamond-Like Mat erials Carbon Nanotubes, and Nitrides
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] 単色陽電子ビームによる金属ゲート形成により絶縁膜へ導入された欠陥の検出2007
- 著者名/発表者名
  鳴海貴允・上殿明良・染谷満・杉村聡太郎・山部紀久夫・松木武雄・渡辺俊成・三浦崇義・栄森貴尚・山田啓作
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] ラジカル酸化膜の絶縁破壊特性2007
- 著者名/発表者名
  岡本真一・蓮沼隆・山部紀久夫
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks2007
- 著者名/発表者名
  K., Shiraishi・Y., Akasaka・G., Nakamura・M., Kadoshima・H., Watanabe・K., Yamabe・Y., Nara・Y., Ohji and K., Yamada.
- 学会等名
  Int. Conf. SSDM
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026002
[学会発表] 高温下ストレスによりSiO2膜中に生じた欠陥の回復
- 著者名/発表者名
  滝ヶ浦佑介，蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  第19回「ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－」
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原(静岡)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 酸化・還元アニールによる多結晶HfO2膜の相変態と電気的特性変化
- 著者名/発表者名
  門馬久典, 蓮沼隆，山部紀久夫
- 学会等名
  2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学(京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 極薄多結晶HfO2膜における結晶粒界と酸素空孔欠陥がリーク電流にもたらす影響
- 著者名/発表者名
  戸村　有佑、蓮沼　隆、山部　紀久夫, 右田　真司
- 学会等名
  第19回「ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－」
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原(静岡)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] シリコン表面の酸化膜密度とエッチングレートの相関性評価
- 著者名/発表者名
  土井修平、蓮沼隆、山部紀久夫
- 学会等名
  2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学(京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] SiC熱酸化膜の密度緩和
- 著者名/発表者名
  Masahito Nagoshi,Mariko Hayashi,R. Hasunuma,and K. Yamabe
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会チュートリアルおよび第1回講演会
- 発表場所
  ウィンチあいち、名古屋
- 年月日
  2014-11-19 – 2014-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] SiC MOSキャパシタのTZDB測定時動画撮影による絨毯爆撃状破壊痕形成メカニズムの解明
- 著者名/発表者名
  佐藤創志、廣井佑紀、山部紀久夫、北畠真、遠藤哲郎、丹羽正昭
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学　湘南キャンパス(神奈川県　平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289082
[学会発表] Nanoindentation and Step Control on Si(111) Surfaces
- 著者名/発表者名
  Ryu Hasunuma and Kikuo Yamabe
- 学会等名
  12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] ストレスによりSiO2膜中に生じた欠陥の回復
- 著者名/発表者名
  滝ヶ浦佑介，蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学(京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] SiC熱酸化膜の深さ方向密度分布
- 著者名/発表者名
  林真理子、蓮沼隆、山部紀久夫
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学、札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] HfO2多結晶厚膜の絶縁特性
- 著者名/発表者名
  林　真理子,　門馬　久典,　蓮沼　隆,　山部　紀久夫
- 学会等名
  2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学(京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] Microscopic Thickness Uniformity and Dielectric Breakdown Lifetime of Ultrathin SiO2 Films Thermally Grown on Si(111)
- 著者名/発表者名
  Ryu Hasunuma and Kikuo Yamabe
- 学会等名
  12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] NF3 Added Oxidation of 4H-SiC(0001) and Suppression of Interface Degradation
- 著者名/発表者名
  Ryu Hasunuma, Masahito Nagoshi, and Kikuo Yamabe
- 学会等名
  2013 The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  フェニックスシーガイアリゾート（宮崎）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] Interrelationship between Leakage Current and Grain Boundaries of Polycrystalline HfO2 Films Directly-Bonded to Si Substrate
- 著者名/発表者名
  Hisanori Momma, Yusuke Tomura, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe
- 学会等名
  2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES
- 発表場所
  筑波大学(東京キャンパス)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] 微小電極面積を有する極薄多結晶HfO2膜の電気的特性
- 著者名/発表者名
  戸村有佑、蓮沼隆、山部紀久夫, 右田真司
- 学会等名
  2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学(京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] SiC熱酸化膜の深さ方向密度分布
- 著者名/発表者名
  林真理子, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  第20回ゲートスタック研究会
- 発表場所
  東レ研修センター、三島
- 年月日
  2015-01-26 – 2015-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] シリコン酸化膜の密度分布が電気的特性に及ぼす影響
- 著者名/発表者名
  土井修平、蓮沼隆、山部紀久夫
- 学会等名
  第19回「ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－」
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原(静岡)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] Morphological Analysis on Native Oxidation of Si(111) Surface
- 著者名/発表者名
  Syuhei Doi, Ryu Hasunuma, K. Yamabe
- 学会等名
  12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] NF3添加酸化におけるSiO2/SiC(0001)界面の安定化
- 著者名/発表者名
  名越政仁、蓮沼隆、山部紀久夫
- 学会等名
  第19回「ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－」
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原(静岡)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] Ti被着により酸素引き抜きを行った多結晶HfO2膜の電気的特性
- 著者名/発表者名
  門馬久典，蓮沼隆，山部紀久夫
- 学会等名
  第19回「ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－」
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原(静岡)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] Si Emission to Atmosphere during Thermal Oxidation of Si Substrates
- 著者名/発表者名
  Ryu Hasunuma and Kikuo Yamabe
- 学会等名
  2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES
- 発表場所
  筑波大学(東京キャンパス)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015
[学会発表] SiC上に堆積したTEOS-SiO2膜の電気的特性
- 著者名/発表者名
  前田貫太, 蓮沼隆, 山部紀久夫
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学、札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360015

1. 蓮沼隆 (90372341)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 137件
2. 上殿明良 (20213374)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 14件
3. 丹羽正昭 (90608936)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
4. 白石賢二 (20334039)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 佐藤創志 (80649749)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
6. 名取研二 (20241789)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 中村淳 (50277836)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 佐野伸行 (90282334)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

山部 紀久夫 Yamabe Kikuo

研究課題

研究成果

共同研究者

新しいヘテロ界面形成による高性能・省エネルギートランジスタの基盤構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

結晶表面の原子ステップの位置・構造制御と原子・分子修飾研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高精度に制御された極薄シリコン酸化膜を利用した特性バラツキ抑制技術の研究開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

極薄シリコン酸化膜の原子的レベルの膜厚高均一・高均質化技術の研究開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

酸化物薄膜における酸素欠損と電気的特性の関連性評価と膜質改善研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

陽電子消滅を用いた金属/金属酸化物の空孔型欠陥の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノメータ・スケール集積エレクトロニクスの理論的構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[図書] ドライ・ウェットエッチシグ技術全集第2章第5節2008

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] IEEE 2005 Int.Reliability Physics Symposium Proceeding2005

著者名/発表者名

出版者

説明

データソース

[図書] Electrochem.Soc., Tran.Vol.1, No.1"Physics and Chemistry of SiO_2 and the Si-SiO_2 Interface-5"2005

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] Electrochem. Soc., Tran. Vol.1,No.1 "Physics and Chemistry of SiO_2 and the Si-SiO_2 Interface-5"2005

著者名/発表者名

出版者

説明

データソース

[図書] Morphological Change in Surface and Interface during Ultrathin SiO_2 Film Growth, Electrochem.Soc.,Tran., 1(1), Physics and Chemistry of SiO_2 and the Si-SiO_2 Interface-5

著者名/発表者名

説明

データソース

[図書] Charge Trapping by Oxygen-Related Defects in HfO_2-based High-k Gate Dielectrics, IEEE 2005 Int.Reliability Physics Symposium Proceeding

著者名/発表者名

説明

データソース

[雑誌論文] Failure Analysis of a SiC MOS Capacitor with a Poly-Si Gate Electrode2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Formation mechanism of concave by dielectric breakdown on silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitor2016

著者名/発表者名

雑誌名

山部紀久夫 Yamabe Kikuo