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角南 英夫  SUNAMI Hideo

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10311804
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2000年度 – 2006年度: 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 教授
2004年度: 国立大学法人広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・機器工学 / 電子デバイス・電子機器 / 理工系
研究代表者以外
理工系
キーワード
研究代表者
SOI / CMOS / TMAH / ITO / 透明電極 / 自由電子赤外光吸収 / ハンプ電流 / 自己整合 / 増速酸化 / 多結晶シリコン埋め込み … もっと見る / フィールド・シールド / ビームチャネル / silicon nitride / high breakdown voltage / radiation hardness / gas insulation / insulated gate / field-effect transistor / 熱リン酸 / シリコン窒化膜 / 高耐圧 / 耐放射線 / 気体絶縁 / 絶縁ゲート / 電界効果トランジスタ / Optical waveguide / Infrared light absorption / Free carrier / Comb-shaped transistor / Optical modulator / 赤外吸収 / 光導波路 / 赤外光吸収 / 自由電子 / 櫛形トランジスタ / 光モジュレータ / Transparent electrode / Comb-shaped beam transistor / Infra-red light absorption by free carriers / Optical switch / 消光比 / 結晶方位依存異方性エッチング / 櫛形MOSトランジスタ / 自由電子吸収 / モノリシック光配線 / 櫛形ビームトランジスタ / 光スイッチ / Self-aligning / Enhanced oxidation / Polysilicon fill / Field shield / Beam channel / 側壁ドーピング / プラズマドーピング / 不純物濃度依存酸化 / 局所酸化法 / 鞍型ゲート / 漏洩電流 / 電界集中 / 素子分離構造 / 鞍型トランジスタ / フィールドシールド / アスペクト比 / 異方性エッチング / 側壁トランジスタ … もっと見る
研究代表者以外
異種材料 / 半導体プロセス / チップ搭載チップ / 異分野融合 / モバイル端末 / ヒューマン・インターフェース・デバイス / 超高速・低消費 / 超機能グローバル / 多機能化 / ヘルスケアチップ / 半導体 / インターフェース / 微細加工 / システム / 超機能化 / シリコン / 集積回路 / インテグレーション 隠す
  • 研究課題

    (6件)
  • 研究成果

    (29件)
  • 共同研究者

    (7人)
  •  超高耐放射線・気体絶縁ゲート電界効果トランジスタの研究研究代表者

    • 研究代表者
      角南 英夫
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      広島大学
  •  絶縁膜上シリコン光モジュレータの研究研究代表者

    • 研究代表者
      角南 英夫
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  超高速・超微細・低消費電力ビームチャネル型CMOSトランジスタの開発研究代表者

    • 研究代表者
      角南 英夫
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      広島大学
  •  超機能化グローバル・インターフェース・インテグレーション研究

    • 研究代表者
      堀池 靖浩
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2004
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      独立行政法人物質・材料研究機構
      東京大学
  •  超高密度鞍型CMOSトランジスタの電子電導制御研究代表者

    • 研究代表者
      角南 英夫
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  全Si光集積回路を目指したSi光スイッチ実現可能性の基礎検討研究代表者

    • 研究代表者
      角南 英夫
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      広島大学

すべて 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 図書 産業財産権

  • [図書] VLSI工学-製造プロセス編-2006

    • 著者名/発表者名
      角南英夫
    • 総ページ数
      186
    • 出版者
      コロナ社
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560309
  • [図書] VLSI工学:製造プロセス編2006

    • 著者名/発表者名
      角南英夫
    • 総ページ数
      210
    • 出版者
      電子情報通信学会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560309
  • [図書] VSLI工学:製造プロセス編2006

    • 著者名/発表者名
      角南英夫
    • 総ページ数
      210
    • 出版者
      電子情報通信学会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560309
  • [図書] VLSI工学 : 製造プロセス編2006

    • 著者名/発表者名
      角南英夫
    • 総ページ数
      210
    • 出版者
      電子情報通信学会
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] Subthreshold-Characteristics Control of Narrow- channel SOI nMOS transistor Utilized Additional Side Gate Electrodes2007

    • 著者名/発表者名
      K.Okuyama, K.Yoshikawa, H.Sunami
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46(in press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560309
  • [雑誌論文] Anomalous Whisker Generation in Ni-Silicided Source and Drain for Three-Dimensional Beam-Channel MOS Transistor on SOI Substrate2007

    • 著者名/発表者名
      Shunpei Matsumura, Atsushi Sugimura, Kiyoshi Okuyama, Hideo Sunami
    • 雑誌名

      Proc. ADMETA (in press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560309
  • [雑誌論文] Fabrication of spin-coat optical waveguides for optically interconnected LSI and influence of fabrication process on lower layer MOS capacitors2006

    • 著者名/発表者名
      T.Tabei, K.Maeda, S.Yokoyama, H.Sunami
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys., April issue (in press)

    • NAID

      10022541844

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] High-aspect-ratio structure formation techniques for three-dimensional metal-oxide-semiconductor transistors2006

    • 著者名/発表者名
      H.Sunami S.Matsumura, K.Yoshikawa, K.Okuyama
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering 2006 issue(in press)

    • NAID

      120000882661

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560309
  • [雑誌論文] Fabrication of Spin-Coated Optical Waveguides for Optically Interconnected LSI and Influence of Fabrication Process on Underlying Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors2006

    • 著者名/発表者名
      T.Tabei, K.Maeda, S.Yokoyama, H.Sunami
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 3498-3503

    • NAID

      210000060322

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560309
  • [雑誌論文] High-aspect-ratio structure formation techniques for three-dimensional metal-oxide-semiconductor transistors2006

    • 著者名/発表者名
      H.Sunami, S.Matsumura, K.Yoshikawa, K.Okuyama
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering 83

      ページ: 1740-1744

    • NAID

      120000882661

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560309
  • [雑誌論文] High-aspect-ratio structure formation techniques for three-dimensional metal-oxide-semiconductor transistors2006

    • 著者名/発表者名
      H.Sunami S.Matsumura, K.Yoshikawa, K.Okuyama
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering (in press)

    • NAID

      120000882661

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] Application of Arsenic Plasma Doping in Three-Dimensional MOS Transistors and the Doping Profile Evaluation2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kobayashi, T.Eto, K.Okuyama, K.Shibahara, H.Sunami
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43

      ページ: 2273-2278

    • NAID

      10015703895

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560309
  • [雑誌論文] High-Aspect-Ratio Structure Formation Techniques for Three-Dimensional Metal-Oxide-Semiconductor Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      H.Sunami, K.Okuyama
    • 雑誌名

      Abs.of 31^<st> Internat.Conf.on Micro-Nano-Engineering No.11 B_03

    • NAID

      120000882661

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] Application of Arsenic Plasma Doping in Three-Dimensional MOS Transistors and the Doping Profile Evaluation2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kobayashi, T.Eto, K.Okuyama, K.Shibahara, H.Sunami
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44

      ページ: 2273-2278

    • NAID

      10015703895

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] Fabrication of spin-coat optical waveguides for optically interconnected LSI and influence of fabrication process on lower layer MOS capacitors2005

    • 著者名/発表者名
      T.Tabei, K.Maeda, S.Yokoyama, H.Sunami
    • 雑誌名

      Ext.Abs.of International Symp.on Solid State Devices and Materials

      ページ: 332-333

    • NAID

      10022541844

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] Integrated Power Transistor Application of Three-Dimensional Sidewall-Channel MOS Transistor (invited)2004

    • 著者名/発表者名
      H.Sunami
    • 雑誌名

      Proc.the 7th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology A7.3

      ページ: 336-339

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] A Three-Dimensional MOS Transistor Formation Technique with Crystallographic Orientation-Dependent TMAH Etchant2004

    • 著者名/発表者名
      H.Sunami, T.Furukawa, T.Masuda
    • 雑誌名

      SENSORS and ACTUATORS A : PHYSICAL A111

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] An Experimental Analysis of 1.55-mm Infrared Light Propagation in Integrated SOI Structure2004

    • 著者名/発表者名
      M.Kawai, K.Endo, T.Tabei, H.Sunami
    • 雑誌名

      Ext.Abs.of International Symp.on Solid State Devices and Materials

      ページ: 556-557

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] Integrated Power Transistor Application of Three-Dimensional Sidewall-Channel MOS Transistor2004

    • 著者名/発表者名
      H.Sunami, K.Kobayashi, S.Matsumura
    • 雑誌名

      Proc.the 7th Internat.Conf.on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT) (invited)

      ページ: 336-339

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] A High-Aspect Ratio Silicon Gate Formation Technique for Beam-Channel MOS Transistor with Impurity-Enhanced Oxidation2004

    • 著者名/発表者名
      A.Katakami, K.Kobayashi, H.Sunami
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.43

      ページ: 2145-2150

    • NAID

      10012949618

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] A Three-Dimensional MOS Transistor Formation Technique with Crystallographic Orientation-Dependent TMAH Etchant2004

    • 著者名/発表者名
      H.Sunami
    • 雑誌名

      SENSORS and ACTUATORS A : PHYSICAL A111

      ページ: 310-316

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] An Impurity-Enhanced Oxidation Assisted Doping Profile Evaluation for Three-Dimensional and Vertical-Channel Transistors Extended2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kobayashi, T.Eto, K.Okuyama, K.Shibahara, H.Sunami
    • 雑誌名

      Ext.Abs.of International Symp.on Solid State Devices and Materials

      ページ: 208-209

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] A High-Aspect Ratio Silicon Gate Formation Technique for Beam-Channel MOS Transistor with Impurity-Enhanced Oxidation2003

    • 著者名/発表者名
      A.Katakami, K.Kobayashi, H.Sunami
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 43

    • NAID

      10012949618

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] A Proposal of Corrugated-Channel Transistor (CCT) with Vertically-Formed Channels for Area-Conscious Applications2003

    • 著者名/発表者名
      T.Furukawa, H.Yamashita, H.Sunami
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42, Part 1

      ページ: 2067-2072

    • NAID

      80015977605

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] A Proposal of Corrugated-Channel Transistor (CCT) with Vertically-Formed Channels for Area-Conscious Applications

    • 著者名/発表者名
      T.Furukawa, H.Yamashita, H.Sunami
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 42

      ページ: 2067-2072

    • NAID

      80015977605

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] High-aspect-ratio structure formation techniques for three-dimensional metal-oxide-semiconductor transistors

    • 著者名/発表者名
      H.Sunami, S.Matsumura, K.Yoshikawa, K.Okuyama
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering 2006 issue(in press)

    • NAID

      120000882661

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] Fabrication of spin-coat optical waveguides for optically interconnected LSI and influence of fabrication process on lower layer MOS capacitors

    • 著者名/発表者名
      T.Tabei, K.Maeda, S.Yokoyama, H.Sunami
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45(in press)

    • NAID

      10022541844

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [雑誌論文] Application of Arsenic Plasma Doping in Three-Dimensional MOS Transistors and the Doping Profile Evaluation

    • 著者名/発表者名
      K.Kobayashi, T.Eto, K.Okuyama, K.Shibahara, H.Sunami
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 44

      ページ: 2273-2278

    • NAID

      10015703895

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350189
  • [産業財産権] 電界効果トランジスタ2007

    • 発明者名
      角南英夫, 大湯静憲, 三宅秀治
    • 権利者名
      広島大学, エルピーダメモリ(株)
    • 産業財産権番号
      2007-114034
    • 出願年月日
      2007-04-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560309
  • 1.  横山 新 (80144880)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 3件
  • 2.  芝原 健太郎 (50274139)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  堀池 靖浩 (20209274)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  財満 鎭明 (70158947)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  霜垣 幸浩 (60192613)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  益 一哉 (20157192)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  岩井 洋 (40313358)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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