直井弘之 NAOI Hiroyuki

研究者番号	10373101
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 和歌山工業高等専門学校, 電気情報工学科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2009年度 – 2014年度: 和歌山工業高等専門学校, 電気情報工学科, 准教授 2010年度: 立命館大学, COE推進機構, ポストドクトラルフェロー 2008年度: 立命館大学, COE推進機構, 研究員 2006年度: 立命館大学, COE推進機構, ポストドクトラルフェロー 2005年度 – 2006年度: 立命館大学, COE推進機構, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 理工系
キーワード	研究代表者 In_xAl_<1-x>N / In_xGa_<1-x>N / 極性 / 熱的安定性 / RF-MBE / 熱処理 / InN 研究代表者以外窒化物半導体 / AlN / 窒化アルミニウム … もっと見る / p形ドーピング / 多重量子井戸 / p型ドーピング / 分子線エピタキシー法 / 窒化インジウム / RF-MBE / InN / 深紫外光源 / AlGaN / MOVPE / 組成変調 / 紫外光源 / 電子線励起 / GaN / ELO / 横方向成長 / 触媒作用 / ハイドライド気相エピタキシャル成長 / 紫外線発光 / ファセット制御 / EPD法 / 貫通転位 / AIN / エッチピット / 加工基板 / 選択横方向成長 / HVPE / ハイドライド気相成長法 / 結晶性 / キャリア濃度 / 窒素ラジカル / MIS構造 / InGaN / オーミックコンタクト / インターミキシング / ヘテロ界面 / 分子線エピタキシー / エピタキシャル成長 / 無極性 / ナノコラム / 光反射率 / ラジカルビーム / RHEED / その場観察 / 分子線エビタキシー法 / DERI法 / Seebeck係数 / サーモパワー / 窒化インジウムガリウム / ナノ構造隠す

窒化物半導体の変調エピタキシャル成長と深紫外発光制御
- 研究代表者
  
  三宅秀人
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  三重大学
アンモニア触媒分解式ハイドライド気相成長法を用いた窒化アルミニウムの高速成長
- 研究代表者
  
  三宅秀人
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  三重大学
RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成
- 研究代表者
  
  名西やす之
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  立命館大学
InNおよび関連混晶の高度化RF-MBE成長技術の開発と電子・光物性制御の研究
- 研究代表者
  
  名西やす之
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  立命館大学
熱処理によるInN系半導体の高品質化に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  直井弘之
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  立命館大学

すべて 2008 2007 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence2008
- 著者名/発表者名
  T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, D. Muto, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 37
  
  ページ: 603-606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoiuminescence2008
- 著者名/発表者名
  T.Akagi, K.Kosaka, S.Harui, D.Muto, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 37
  
  ページ: 603-606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence2008
- 著者名/発表者名
  T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, D. Muto, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 37
  
  ページ: 603-606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence2008
- 著者名/発表者名
  T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, D. Muto, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  J. Electronic Materials 37
  
  ページ: 603-606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] M. Noda, Y. Kumagai, S. Takado, D. Muto, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi2007
- 著者名/発表者名
  M. Nods, Y. Kumagai, S. Takado, D. Muto, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(c) 4
  
  ページ: 2560-2563
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Microstructure of a-plane InN grown on r-plane Sapphire by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  S.Watanabe, Y.Kumagai, A.Tsuyuguchi, H.Na, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (in press)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D. Muto, H. Naoi, S. Takado, H. Na, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 955
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE, phys2007
- 著者名/発表者名
  S. Watanabe, Y. Kumagai, A. Tsuyuguchi, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  stat. sol (c)4
  
  ページ: 2556-2559
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Thermal and Chemical Stabilities of In-and N-Polar InN Surfaces, phys2007
- 著者名/発表者名
  H. Naoi, D. Muto, T. Hioka, Y. Hayakawa, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  stat. sol 244
  
  ページ: 1834-1838
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D.Muto, H.Naoi, S.Takado, H.Na, T.Araki, and Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Mater.Res.Soc.Symp.Proc 955
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Growth of In-rich InA1N films on(0001) sapphire by RF-MBE and their properties2007
- 著者名/発表者名
  H. Naoi, K. Fujishima, S. Takado, M. Kurouchi, D, Muto, T. Araki, H. Na, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 36
  
  ページ: 1313-1319
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Effect of low temperature InGaN interlayers on structural and optical properties of In-rich InGaN, J2007
- 著者名/発表者名
  H. Na, S. Takado, S. Sawada, M. Kurouchi, T. Akagi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Cryst. Growth 300
  
  ページ: 177-181
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Growth of a-plane (11-20) In-rich InGaN on r-plane (10-12) sapphire by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  M.Noda, Y.Kumagai, S.Takado, D, Muto, H.Na, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (in press)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Growth of A-plane(11-20) In-rich InGaN on r-plane(10-12) sapphire by RF-MBE, phys2007
- 著者名/発表者名
  M. Noda, Y. Kumagai, S. Takado, D. Muto, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  stat. sol (c)4
  
  ページ: 2560-2563
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, H.Naoi, T.Araki, and Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Mater.Res.Soc.Sump.Proc 955
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Effect of low-temperature InGaN interlayers on structural and optical properties of In-rich InGaN2007
- 著者名/発表者名
  H.Na, S.Takado, S.Sawada, M.Kurouchi, T.Akagi, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 177-181
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D.Muto, H.Naoi, S.Takado, H.Na, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceedings 955
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  S.Watanabe,Y.Kumagai,A.Tsuyuguchi,H.Naoi,T.Araki,Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  phvs.stat.sol.(c) 4
  
  ページ: 2556-2559
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Growth of In-rich InAIN films on(0001) sapphire by RF-MBE and their properties2007
- 著者名/発表者名
  H.Naoi, K.Fuiishima, S.Takado, M.Kurouchi, D.Muto, T.Araki, H.Na, and Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 36
  
  ページ: 1313-1319
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Growth of InN nanocolumns by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  S.Nishikawa, Y.Nakao, H.Naoi, T.Araki, H.Na, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 301-302
  
  ページ: 490-495
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Thermal and Chemical Stabilities of In-and N-Polar InN Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  H. Naoi, D. Muto, T. Hioka, Y. Hayakawa, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(b) 244
  
  ページ: 1834-1838
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  S. Watanabe, Y. Kumagai, A. Tsuyuguchi, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(c) 4
  
  ページ: 2556-2559
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 955
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE, Mater. Res2007
- 著者名/発表者名
  T. Yamaguchi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Soc. Symp. Proc 955
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Growth of InN nanocolumns by RF-MBE, J2007
- 著者名/発表者名
  S. Nishikawa, Y. Nakao, H. Naoi, T. Araki, H. Na, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Cryst. Growth 301-302
  
  ページ: 490-495
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] M.Noda, Y.Kumagai, S.Takado, D.Muto, H.Na, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi2007
- 著者名/発表者名
  M.Noda, Y.Itumagai, S.Takado, D.Muto, H.Na, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  phvs.stat.sol.(c) 4
  
  ページ: 2560-2563
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Thermal and Chemical Stabilities of In-and N-Polar InN Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  H.Naoi, D.Muto, T.Hioka, Y.Hayakana, A.Suzuki, T.Araki, and Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  phvs.stat.sol.(b) 224
  
  ページ: 1834-1838
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  T.Yamaguchi, T.Araki, H.Naoi, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceedings 955
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[雑誌論文] Growth of In-rich InAlN films on(0001) sapphire by RF-MBE and their properties2007
- 著者名/発表者名
  H. Naoi, K. Fujishima, S. Takado, M. Kurouchi, D, Muto, T. Araki, H. Na, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials 36
  
  ページ: 1313-1319
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE, Mater2007
- 著者名/発表者名
  D. Muto, H. Naoi, S. Takado, H. Na, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  Res. Soc. Symp. Proc 955
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[雑誌論文] Thermal and chemical stabilities of In- and N-polar InN surfaces
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Naoi
- 雑誌名
  
  physica status solidi(b) (掲載予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760261
[学会発表] Study on Growth of Mg-doped InN by RF-MBE and its Electrical Properties2007
- 著者名/発表者名
  D. Muto, H. Naoi, S. Takado, T. Araki, and Y. Nanishi
- 学会等名
  The 19th Indium Phosphide and Related Materials Conference(IPRM2007)
- 発表場所
  Kunibiki Messe(Matsue, Japan)
- 年月日
  2007-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Study on ECR-MBE Growth and Properties of A-plane InN on R-plane Sapphire2007
- 著者名/発表者名
  T. Araki, Y. Kumagai, S. Watanabe, T. Akagi. H. Naoi, Y. Nanishi
- 学会等名
  International Conference on Crystal Growth(ICCG15)
- 発表場所
  Grand America and Little America hotels(Salt Lake City, USA)
- 年月日
  2007-08-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Electrical Properties of P-type N-polar InN Grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D. Muto, H. Naoi, S. Fukumoto, K. M. Yu, N. Miller, R. E. Jones, J. W. Ager III, E. E. Haller, T. Araki, Y. Nanishi, and W. Walukiewicz
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Growthof InN hexagonal pyramids on hole-patterned GaN templates by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D.Fukuoka, T.Yamaguchi, S.Harui, T.Akagi, K.Hiramatsu, H.Miyake, H.Naoi, T.Araki, and Y.Nanishi
- 学会等名
  International Conference on Crystal Growth (ICCG15)
- 発表場所
  Grand America and Little America hotels(SaltLake City,USA)
- 年月日
  2007-08-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Study on ECR-MBE Growth and Properties of A-plane InN on R-plane Sapphire2007
- 著者名/発表者名
  T.Araki, Y.Iiumagai, S.Watanabe, T.Akagi, H.Naoi, Y.Nanishi
- 学会等名
  International Conference on Crystal Growth (ICCG15)
- 発表場所
  Grand America and Little America hotels(SaltLake City,USA)
- 年月日
  2007-08-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Polar and Non-polar Growth of InN and InGaN2007
- 著者名/発表者名
  Y. Nanishi, H. Naoi, D. Muto, T. Hioka, Y. Hayakawa, Y. Kumagai, M. Noda, and T. Araki
- 学会等名
  The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS 2007)
- 発表場所
  Jeonju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] 原子状水素照射によるRF-MBE成長InNの光学特性の変化2007
- 著者名/発表者名
  草塩卓矢、福田貴之、武藤大祐、野田光彦、赤木孝信、直井弘之、荒木努、名西〓之
- 学会等名
  2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Infrared Cathodoluminescence measurements of InN films2007
- 著者名/発表者名
  T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, H. Naoi, T. Araki. Y. Nanishi
- 学会等名
  TMS 2007 ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE
- 発表場所
  University of Notre Dame(Indiana, USA)
- 年月日
  2007-06-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Study on surface electron accumulation on A-plane InN by electrolyte-based capacitance-voltage measurements2007
- 著者名/発表者名
  M. Nods, S. Fukumoto, D. Muto, K. M. Yu, N. Miller, R. E. Jones, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi and W. Walukiewicz
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  MGM GRAND HOTEL (Las Vegas, USA)
- 年月日
  2007-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Infrared Cathodoluminescence measurements of InN films2007
- 著者名/発表者名
  T.Akagi, k.kosaka, S.Harui, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  TMS 2007 ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE
- 発表場所
  University of Notre Dame(Indiana,USA)
- 年月日
  2007-06-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Study on Growth of Mg-doped InN by RF-MBE and its Electrical Properties2007
- 著者名/発表者名
  D.Muto, H.Naoi, S.Takado, T.Araki, and Y.Nanishi
- 学会等名
  The 19th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2007)
- 発表場所
  kunibiki Messe(Matsue,Japan)
- 年月日
  2007-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] 原子状水素照射によるRF-MBE成長InNの光学特性の変化2007
- 著者名/発表者名
  草塩卓矢、福田貴之、武藤大祐、野田光彦、赤木孝信、直井弘之、荒木努、名西憾之
- 学会等名
  2007年 (平成19年) 秋季第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Study on surface electron accumulation on A-plane InN by electrolyte-basedcapacitance-voltage measurements2007
- 著者名/発表者名
  M.Noda, S.Fukumoto, D.Muto, k.M.Yu, N.Miller, R.E.Jones, J.W.AltermI, E.E.Haller, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi and W.Walukiewicz
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  MGM GRAND HOTEL(Las Vegas,USA)
- 年月日
  2007-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Electrical Properties of P-type N-polar InN Grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D.Muto, H.Naoi, S.Fukumoto, K.M.Yu, N.Miller, R.E.Jones, J.W.AltermI, E.E.Haller, T.Araki, Y.Nanishi, and W.Walukiewicz
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  MGM GRAND HOTEL(Las Vegas,USA)
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206003
[学会発表] Growth of InN hexagonal pyramids on hole-patterned GaN templates by ECR-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D. Fukuoka, T. Yamaguchi, S. Harui, T. Akagi, K. Hiramatsu, H. Miyake, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
- 学会等名
  International Conference on Crystal Growth(ICCG15)
- 発表場所
  Grand America and Little America hotels(Salt Lake City, USA)
- 年月日
  2007-08-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012
[学会発表] Electrical Properties of P-type N-polar InN Grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  D. Muto, H. Naoi, S. Fukumoto, K. M.Yu, N. Miller, R. E. Jones, J. W. Ager III, E. E. Haller, T. Araki, Y. Nanishi, and W. Walukiewicz
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  MGM GRAND HOTEL (Las Vegas, USA)
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069012

1. 山口智広 (50454517)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 6件
2. HYUNSEOK Na (80411239)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 44件
3. 平松和政 (50165205)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 名西やす之 (40268157)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 46件
5. 荒木努 (20312126)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 46件
6. 金子昌充 (70374709)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 三宅秀人 (70209881)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. WANG Ke (60532223)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
9. 青柳克信 (70087469)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

直井 弘之 NAOI Hiroyuki

研究課題

研究成果

共同研究者

窒化物半導体の変調エピタキシャル成長と深紫外発光制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

アンモニア触媒分解式ハイドライド気相成長法を用いた窒化アルミニウムの高速成長

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

InNおよび関連混晶の高度化RF-MBE成長技術の開発と電子・光物性制御の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

熱処理によるInN系半導体の高品質化に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoiuminescence2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] M. Noda, Y. Kumagai, S. Takado, D. Muto, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Microstructure of a-plane InN grown on r-plane Sapphire by ECR-MBE2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE, phys2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Thermal and Chemical Stabilities of In-and N-Polar InN Surfaces, phys2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Growth of In-rich InA1N films on(0001) sapphire by RF-MBE and their properties2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Effect of low temperature InGaN interlayers on structural and optical properties of In-rich InGaN, J2007

著者名/発表者名

直井弘之 NAOI Hiroyuki