• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

青柳 克信  AOYAGI Yoshinobu

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

青柳 克彦  アオヤギ カツヒコ

隠す
研究者番号 70087469
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2013年度 – 2018年度: 立命館大学, 総合科学技術研究機構, 上席研究員
2012年度: 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 特別招聘教授
2010年度 – 2012年度: 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 教授
2010年度: 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション推進機構, 教授
2009年度: 立命館グローバル, イノベーション研究機構, 教授 … もっと見る
2007年度 – 2008年度: 立命館大学, COE推進機構, 教授
2005年度 – 2006年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 教授
2001年度 – 2004年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
2002年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 教授
2001年度: 理化学研究所, 半導体工学研究室, 先任研究員
1991年度 – 2001年度: 理化学研究所, 半導体工学研究室, 主任研究員
1999年度 – 2000年度: 筑波大学, 理化学研究所, 主任研究員
1998年度: 理化学研究所, 主任研究員
1998年度: 理化学研究所, 半導体工学研, 主任研究員(研究職)
1998年度: 理化学研究所, 半導体工学研究室, 先任研究員
1997年度: 筑波大学, 理化学研究所, 主任研究員
1996年度: 理化学研究所, 主任研究員
1991年度 – 1993年度: 理化学研究所, 主任研究員
1990年度: 理化学研究所, レーザー科学研究グループ, 主任研究員
1990年度: 理化学研究所, 国際フロンティア, 主任研究員
1987年度: 理化学研究所, レーザー分子加工グループ・副主任研
1986年度: 理化学研究所, レーザー分子加工研究グループ, グループリーダー
1986年度: 理研, その他, 研究員
1985年度: 理化学研究所, その他, 研究員 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器 / 応用物性 / 応用物理学一般 / 理工系 / 固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
研究代表者以外
理工系 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 … もっと見る / 電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学 / 応用物性 / 応用物性・結晶工学 隠す
キーワード
研究代表者
AlGaN / GaN / MOCVD / p型 / MBE / 窒化物半導体 / ワイドバンドギャップ / スピン / カーボンナノチューブ / 結晶成長 … もっと見る / GaAs / RHEED / 超音速 / 半導体薄膜の結晶成長 / MOVPE / LED / 深紫外発光素子 / MIPE / マイクロプラズマ / Ar^+ laser / パターン化結晶成長 / 原子層エピタキシー / ALE / レーザーMOCV / アルコンイオンレーザ / 有機金属 / カリウム砒素 / 単原子層成長 / temperature modulation technique / boron oxide material / flax crystal growth technique / anti-surfactant method / hetero nonlinear photonic crystal / vertical type Deep UV LED / two light beam in-situ monitoring system / deep UV LED / ドーピング / Al N / ナノテクノロジー / 半導体発光デバイス / 深紫外 / 低転位化 / レーザーリフトオフ / 低転移化 / 縦型LED / 深紫外線 / Al GaN / p型ZnO / フラックス法 / 高効率深紫外波長変換 / 非線型フォトニック結晶 / 量子ドットAlInGaN / 表面核生成機構 / 良質AlGaN / 縦型深紫外LED / 温度変調結晶成長法 / ボロン酸化物 / フラックス結晶成長法 / アンチサーファクタント / ヘテロ非線形フォトニック結晶 / 縦型深紫外発光素子 / 2光束その場観測システム / 深紫外半導体発光素子 / CARBONNANOTUBE / NITRIDE SEMICONDUCTOR / INFRARED CONTROL / SPIN / SINGLE-ELECTRON / QUANTUM DOTS / 単一電子トランジスタ / AlN / 赤外光 / 電子スピン / 選択成長法 / クーロンブロッケード / 単一電子スピン / 半導体量子ドット / 窒化物 / 赤外制御 / 単一電子 / 量子ドット / Hall-effect measurement / Co-doping / Mg-doping / Alternating supply method / Wide bandgap / Deep UV-LED / パルス供給法 / ホール濃度 / サファイヤ / 不純物対 / 第一原理計算 / 高濃度P型 / 交互供給コドーピング / 紫外半導体レーザ / 紫外LED / III族窒化物半導体 / 有機金属気相成長法 / 交互供給成長法 / 貫通転位密度 / コドーピング / Mgドーピング / 交互供給法 / MOCVD法 / 深紫外LED / multiwall nanotube / Coulomb blockade / tunnelingphenomena / conduction / nanotuber / carbon / 化学修飾 / パルス光励起 / 吸収スペクトル / 金属電極 / 多層ナノチューブ / クーロンブロッケイド / トンネル現象 / 電気伝導 / ナノチューブ / カーボン / Micromanipulation Technogoly / Spatial Phase Control Regions / Spontaneous Emission Life Time / Spontaneous Emission Control / Photonic Crystals / 選択結晶成長 / リングレーザー / 無しきい値レーザー / マイクロマニピュレーション法 / マイクロマニピュレイション法 / 位相制御領域 / 自然放出寿命 / 自然放出光制御 / フォトニック結晶 / optical communication / all-Si laser / Er / direct transition / Si quantum dot / quantum size effect / blue light emission / nanocrystalline Si / 量子ドットシステム / レーザー / 光通信 / Siレーザー / 量子サイズ効果 / 青色発光 / ナノ微結晶Si / Quantum dot / Epitaxial growth / SSBE / 吸着原子の脱離過程の観察 / 高速応答の電子線回折観察 / SSBE法 / 拡散を促進 / 素過程を制御 / 並進運動エネルギー / 短パルス超音速ビームエピタキシ法 / エピタキシャル / 短パルスビーム / ガスソースMBE / 量子箱 / 超音速ビーム / Ultra-fine controlled epitaxial growth / High kinetic energy / Epitaxial crystal growth / Supersonic beam / Controllability of epitaxial growth / Control of surface process / Surface processes / Short pulse supersonic beam epitaxy / 反応制御 / 時間分割的な制御 / 高速表面観察 / ミリ秒時間分解 / エピタキシ- / ノズルビーム / 短パルス / 短パルス超音速ノズルビームエピタキシ-法 / 精密な成長制御性 / 短パルス状 / エピタキシャル成長法 / 超音速分子ビーム / 成長制御性 / 素過程 / 短パルス超音速ノズルビームエピタキシャル法 / 量子効果 / ピコ秒分光 / 単一量子井戸 / 多重量子井戸 / 磁場効果 / 電場効果 / SQW / MQW / 量子井戸 / 紫外線分解 / 紫外線殺菌 / 波長可変 / 大面積 / 深紫外光源 / プラズマ励起 / Si基板 / 高出力発光素子 / 大面積発光素子 / 水殺菌 / 高効率 / 水銀灯 / スパッタ装置 / 2光速同時その場観測法 / 高品質GaAlN結晶 / 高出力 / 医療応用 / 水浄化 / 深紫外光 / 電子相互作用 / 量子閉じ込め / 半導体 / 水素終端 / シリコン表面 / 探針 / 原子マニピュレーション / 単原子制御エピタキシー / STM / 走査型トンネル顕微鏡 … もっと見る
研究代表者以外
AlGaN / GaAs / 超格子 / MOVPE / 選択成長 / 有機金属気相成長法 / 超微細加工 / ヘテロ接合 / 電子波エレクトロニクス / 量子干渉効果 / 電子波デバイス / GaN / III族窒化物半導体 / ナノ構造 / 自己停止機構 / 原子層成長 / メゾスコピック現象 / 光デバイス / In-doping / RHEED / GSMBE / SSBE / 成長モード / 結合量子ドット / Self-limiting effect / Selective growth / MBE / AIGaN / 結晶成長 / 深紫外 / オーミックコンタクト / ガリウム砒素 / ドライエッチング / 塩素 / 量子閉じ込め効果 / フォトルミネッセンス / 量子ナノ構造 / レヤバイレヤ加工 / Si基板 / 縦型FET / パワーFET / ビアホール / Si基板上縦型FET / Si基板上エピ反り低減法 / Si基板上FET / p-化 / レーザー / MOCVD / AlNバッファ / Si基板 / 縦型電子デバイス / 導電性AlNバッファー層 / 縦型FET / AlGaN / Si基板上縦型デバイス / レーザーによるオーミックコンタクト形成 / 自然形成ビアホール / 縦型AlGaNショットキーデバイス / レーザによるp型化 / 導電性AlNバッファーレイヤー / AlGaN縦型 / 縦型パワーFET / 保護膜 / オーミック電極 / 先端機能デバイス / エピタキシャル / デバイス / 格子欠陥 / トランジスタ / ダイオード / センサー / 結晶欠陥 / 窒化物半導体 / Selforganization / Optical device / Growth mode / Heteropitaxy / Surface structure / Dislocation / Structural defets / III-V Nitride / 自己組織化 / ヘテロエピタキシー / 表面構造 / 転位 / 構造欠陥 / resonant tunneling / Coulomb diamond / single-electron transistor / vertical coupled quantum dots / selective area growth / quantum pillar / nitride / アンモニア / 負性微分抵抗 / 共鳴トンネルダイオード / 量子相関素子 / 選択成長法 / 共鳴トンネル / クーロンダイヤモンド / 単一電子トランジスタ / 垂直型結合量子ドット / 量子ピラー / 窒化物 / Activation energy / Hole concentration / P-type conduction / Impurity doping / Alternative source supply / Aluminum Gallium Nitride / Gallium Nitride / 有機金属気相成長 / 原子層成長法 / 原子位置制御 / 紫外レーザー / スーパーラティス / Mg-ドーピング / 活性化エネルギー / 正孔密度 / p型伝導 / 不純物ドーピング / 原料交互供給 / 窒化アルミニウムガリウム / 窒化ガリウム / 有機金属化合物気相成長 / Local and Defect Mode / Opto-electronic Device / Interaction of Light with Photonic Crystal / Control of Light Propagation Characteristics / Control of Radiation Field / Photonic Band Structure / Photonic Band / Photonic Crystal / 光の伝播特性制御 / 半導体微細加工 / 光の伝播特性 / 光の局在 / フォトニックバンドギャップ / 光と物質の相互作用 / 局在モード / 光と物質の互用作用 / 光伝播特性の制御 / フォトニック・バンドギャップ / 局在モードと欠陥モ-ド / 光エレクトロニクス素子 / 光波とフォトニック結晶との相互作用 / 光波伝播の制御 / 輻射場の制御 / フォトニックバンド構造 / フォトニックバンド / フォトニック結晶 / Quantum dot / フォートルミネセンス / ガスソースMBE / 超音速ビーム / Inドーピング / 量子箱 / Fibonacci progression / X-ray diffraction / Atomic layer superlattice / Quasi-crystal / Atomic Layer Epitaxy / フィボナッチ数列 / X線回折 / 原子層超格子 / 準結晶 / Quantum wire laser / Nano Sturcture / Nano Fabication / Self-organized growth / Coupled Quantum Dots / Quantum Dot / Single electron devices / 表面修飾 / 再成長 / ドット形成過程 / 表面エネルギー / 表面吸着 / 量子細線レーザー / 微細加工 / 自己形成 / 量子ドット / 単電子デバイス / Quantum confinement effect / Photoluminescnec / Quantum Nano-structures / Atomic Layr Epitaxy / シングル・エレクトロニクス / トンネル現象 / 単電子エレクトロニクス / 単電子トランジスタ / 超高速エレクトロニクス / ナノ・パワー・エレクトロニクス / クーロン・ブロッケード / ガリウムヒ素 / 原子層エッチング / 自動停止 / デジタルエッチング / 原子層 / FIB / ALE / 歪超格子 / 混晶量子井戸 / 混晶選択成長 / 【III】-【V】混晶 / AIN / その場観察 / 縦型発光素子 / AlN / 量子井戸 / 深紫外発光素子 / 縱型発光素子 / 結晶性 / キャリア濃度 / 窒素ラジカル / MIS構造 / p形ドーピング / RF-MBE / InGaN / InN / インターミキシング / ヘテロ界面 / p型ドーピング / 分子線エピタキシー法 / 分子線エピタキシー / 窒化インジウム / エピタキシャル成長 / ポテンシャルスパッタリング / 欠陥 / 水素 / シリコン / 電子状態制御 / ダイヤモンド / グラファイト / 多価イオン / 物質設計 / 内殻励起 / 非平衡新物質 / 欠陥反応 / 分子メス / 双安定性 / 原子操作 / 電子励起原子移動 / メゾンスコピック現象 / photoassisted decomposition / atomic layer epitaxy / triethylgallium / laser MOVPE / gallium arsenide 隠す
  • 研究課題

    (38件)
  • 研究成果

    (151件)
  • 共同研究者

    (81人)
  •  自然形成ビアホールを用いたSi基板上縦型AlGaNパワーFETの開発

    • 研究代表者
      黒瀬 範子
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      立命館大学
  •  Si基板上モノリシックAlGaN深紫外センシングシステムの開発

    • 研究代表者
      岩田 直高
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      豊田工業大学
  •  ダイナミックマイクロプラズマ励起AlGaN10Wクラス高出力深紫外発光素子の開発研究代表者

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      立命館大学
  •  新しい高出力深紫外発光素子の開発研究代表者

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      立命館大学
  •  2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究

    • 研究代表者
      武内 道一
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      立命館大学
  •  AlGaN系縦型高効率深紫外発光デバイスの研究

    • 研究代表者
      川崎 宏治
    • 研究期間 (年度)
      2007
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  InNおよび関連混晶の高度化RF-MBE成長技術の開発と電子・光物性制御の研究

    • 研究代表者
      名西 やす之
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      立命館大学
  •  ナノテクノロジーを用いた深紫外半導体発光デバイスの開発とその応用研究代表者

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2007
    • 研究種目
      学術創成研究費
    • 研究機関
      立命館大学
      東京工業大学
  •  原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー

    • 研究代表者
      田中 悟
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  窒化物半導体量子ドットにおける単一電子スピンの赤外光制御とその応用研究代表者

    • 研究代表者
      川崎 宏治, 青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物理学一般
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  交互供給コドーピング法による高濃度P型窒化物半導体薄膜結晶の製作とその応用研究代表者

    • 研究代表者
      平山 秀樹, 青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      独立行政法人理化学研究所
      東京工業大学
  •  窒化物量子ピラー選択成長による垂直型結合量子ドット作製に関する研究

    • 研究代表者
      川崎 宏治
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  カーボンナノチューブにおけるスピン伝導の制御研究代表者

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京工業大学
      理化学研究所
  •  低速多価イオンビームによる原子操作

    • 研究代表者
      目黒 多加志
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      特定領域研究(B)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  原子位置制御不純物コドーピングに関する研究

    • 研究代表者
      岩井 荘八
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      特殊法人理化学研究所
  •  電子励起を用いた原子操作法の開発

    • 研究代表者
      篠塚 雄三
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      山口大学
  •  フォトニック結晶の開発と輻射場の制御

    • 研究代表者
      井上 久遠
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2002
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      北海道大学
  •  位相制御領域を有するフォトニック結晶の作製とその光デバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2001
    • 研究種目
      特定領域研究(B)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京工業大学
      理化学研究所
  •  半導体量子閉じ込め構造間の電子相互作用による秩序形成と光相互作用に関する共同研究研究代表者

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究分野
      固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  短パルス超音速ビームエピタキシャル法によるIII族窒化物結晶成長とその応用

    • 研究代表者
      沈 旭強
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  単電子デバイスの高密度集積化のための新技術の開拓

    • 研究代表者
      川辺 光央
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1999
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  青色発光ナノ微結晶Si材料の開発と応用に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  原子層制御エピタキシーによる周期構造変調超格子作製と機能性新物質の創製

    • 研究代表者
      岩井 荘八
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  反応制御型超音速ノズルビームエピタキシャル結晶成長法の開発研究代表者

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  原子層エピタキシ-選択成長による低次元量子構造作製に関する研究

    • 研究代表者
      岩井 荘八
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  短パルス超音速分子線エピタキシャル成長法の開発研究代表者

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  原子層制御された微細量子構造の作製とその物性評価

    • 研究代表者
      岩井 荘八
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  メゾスコピック領域における電子波干渉効果

    • 研究代表者
      難波 進
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      長崎総合科学大学
  •  クーロン・ブロッケードを利用したナノパワー超高速エレクトロニクスの研究

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      総合研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東洋大学
  •  電子波デバイスのための極限構造の制御と評価

    • 研究代表者
      蒲生 健次
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  原子層エッチング技術の開発研究

    • 研究代表者
      目黒 多加志
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  電子波デバイスのための極限構造の制御と評価

    • 研究代表者
      蒲生 健次
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  走査型トンネル顕微鏡を用いたシリコンの単原子制御エピタキシー研究代表者

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  電子波デバイスのための極限構造の制御と評価

    • 研究代表者
      蒲生 健次
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  レ-ザ-単原子層制御エピタキシ-の成長機構の解明と単原子層制御ヘテロ構造の製作

    • 研究代表者
      岩井 荘八
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  混晶の薄膜および界面における量子効果とその応用に関する研究

    • 研究代表者
      生駒 俊明
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  レーザMOCVDによるパターン化結晶成長法の開発とその新光機能素子開発への応用研究代表者

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  混晶系薄膜材料における量子効果のピコ秒分光による評価とその面内制御に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      1985
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      理化学研究所

すべて 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 2002 2001 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] 基礎からわかるナノデバイス2011

    • 著者名/発表者名
      青柳克信, その他
    • 総ページ数
      252
    • 出版者
      コロナ社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [図書] 基礎からわかるナノデバイス2011

    • 著者名/発表者名
      青柳克信、石橋幸治、高柳英明、中ノ勇人、平山祥郎
    • 出版者
      コロナ社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [図書] 先端材料光物性2008

    • 著者名/発表者名
      青柳克信
    • 出版者
      コロナ社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [図書] 光学設計2006

    • 著者名/発表者名
      青柳 克信
    • 出版者
      情報機構
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices2018

    • 著者名/発表者名
      Noriko Kurose, Kota Matsumoto, Fumihiko Yamada, Teuku Muhammad Roffi, Itaru Kamiya, Naotaka Iwata, and Yoshinobu Aoyagi
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 8 号: 1 ページ: 015329-015329

    • DOI

      10.1063/1.5009970

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03998
  • [雑誌論文] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices2018

    • 著者名/発表者名
      Noriko Kurose, Kota Matsumoto, Fumihiko Yamada, Teuku Muhammad Roffi, Itaru Kamiya, Naotaka Iwata, and Yoshinobu Aoyagi
    • 雑誌名

      AIP ADVANCES

      巻: 8

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04357
  • [雑誌論文] マイクロプラズマ励起深紫外発光素子の開発と深紫外線の医療応用2015

    • 著者名/発表者名
      黒瀬範子、青柳克信
    • 雑誌名

      レーザー学会誌

      巻: 43 ページ: 677-682

    • NAID

      130007957139

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [雑誌論文] Development of substrate-removal-free vertical ultraviolet light-emitting diode (RefV-LED)2014

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, K. Shibano, T. Araki, Y. Aoyagi
    • 雑誌名

      AIP advances

      巻: 4 号: 2 ページ: 02712211-6

    • DOI

      10.1063/1.4867090

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [雑誌論文] ダイナミックマイクロプラズマ励起AlGaN多重量子井戸高出力大面積深紫外発光素子(MIPE)の開発2014

    • 著者名/発表者名
      黒瀬範子、青柳克信
    • 雑誌名

      電気学会論文誌. A

      巻: 134 号: 5 ページ: 307-314

    • DOI

      10.1541/ieejfms.134.307

    • NAID

      130004869362

    • ISSN
      0385-4205, 1347-5533
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [雑誌論文] Formation of conductive spontaneous via holes in AlN buffer layer on n+Si substrate by filling the vias with n-AlGaN by metal organic chemical vapor deposition and application to vertical deep ultraviolet photo-sensor2014

    • 著者名/発表者名
      Noriko Kurose, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya, Yoshinobu Aoyagi
    • 雑誌名

      AIP ADVANCES

      巻: 4 号: 12 ページ: 1230071-1230077

    • DOI

      10.1063/1.4905135

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [雑誌論文] A 2-inch large-size deep ultraviolet light-emitting device using dynamically controlled micro-plasma-excited AlGaN2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi and N. Kurose
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 102

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [雑誌論文]2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi, N. Kurose
    • 雑誌名

      Applied PhysicsLetters

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [雑誌論文] Formation of AlGaN and GaN epitxial layer with high p-carrier concentration by pulse supply of source2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi, M. Takeuchi, S. Iwai, H. Hirayama
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 2 号: 1 ページ: 0012177-0012183

    • DOI

      10.1063/1.3698156

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [雑誌論文] High-sensitivity ozone sensing using 280nm deep ultraviolet light-emitting diode for depletion of natural hazard ozone2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi, M. Takeuchi, K. Yoshida, M. Kurouchi, Y. Nanishi, H. Sugano, Y. Ahiko, H. Nakamura
    • 雑誌名

      Journal of Environmental Protection

      巻: 3 ページ: 695-699

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [雑誌論文]2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi, M. Takeuchi, S. Iwai, H.Hirayama
    • 雑誌名

      AIP Advances

      ページ: 12177-12183

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [雑誌論文]2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi, M. Takeuchi, K. Yoshida, M. Kurouchi, Y. Nanishi, H. Sugano, Y. Ahiko,H. Nakamura
    • 雑誌名

      Journal of Environmental Protection

      巻: 137 ページ: 1215-1218

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [雑誌論文] High hole carrier concentration realized by alternative co-doping technique in metal organic chemical vapor deposition2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Aoyagi, M.Takeuchi, S.Iwai, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 99 号: 11

    • DOI

      10.1063/1.3641476

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360013, KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [雑誌論文]2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi, M. Takeuchi, S. Iwai, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Letters

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [雑誌論文] Inactivation of bacterial viruses in water using deep ultraviolet semiconductor light-emitting diode2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Aoyagi, et.al.
    • 雑誌名

      J.Environmental Engineering

      巻: 137 号: 12 ページ: 1215-1218

    • DOI

      10.1061/(asce)ee.1943-7870.0000442

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [雑誌論文] AlGaN channel HEMTs on AlN buffer layer with sufficiently low off-state drain leakage current2009

    • 著者名/発表者名
      T.Nanjo, M.Takeuchi, A.Imai, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, T.Kurata, Y.Tokuda, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      ELECTRONICS LETTERS 45

      ページ: 1346-1347

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [雑誌論文] Improvement of crystalline quality of N-polar AlN layers on c-plane sapphire by low-pressure flow-modulated MOCVD2007

    • 著者名/発表者名
      M.Takeuchi, H.Shimizu, R.Kajitani, K.Kawasaki, Y.Kumagai, A.Koukits, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth, 298

      ページ: 336-336

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] Vertical AIGaN deep ultraviolet light emitting diode emitting 322nm fabricated by the laser lift-off technique2007

    • 著者名/発表者名
      K. Kawasaki, Y. Aoyagi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 89

      ページ: 261114-261116

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19032004
  • [雑誌論文] '光学設計2006

    • 著者名/発表者名
      青柳 克信
    • 雑誌名

      情報機構

      ページ: 455-465

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] Ultraviolet Second-Harmonic Generation and sum-Frequency Mixing in Two-Dimensional Nonlinear Optical Polymer Photonic Crystals2006

    • 著者名/発表者名
      Shin-ichiro Inoue, Y. Aoyagi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45・8A

      ページ: 6103-6107

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] Vertical AlGaN deep ultraviolet light emitting diode emitting at 322 nm fabricated by the laser lift-off technique2006

    • 著者名/発表者名
      K.Kawasaki, C.Koike, Y.Aoyagi, M.Takeuchi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 89・25

      ページ: 261114-261114

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] Fabrication of nonlinear photonic crystals and their applications2005

    • 著者名/発表者名
      S.Inoue, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Proc. SPIE Int. Soc. opt. Eng. 5732

      ページ: 438-448

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] Four-electron shell structures anad an interacting two-electron system in carbon nanotube quantum dots2005

    • 著者名/発表者名
      S.Moriyama, T.Fuse, M.Suzuki, Y.Aoyagi, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Physical Review Letters 94

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205015
  • [雑誌論文] Design and fabrication of two-dimensional photonic crystals with predetermined nonlinear optical properties2005

    • 著者名/発表者名
      S.Inoue, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Physical Review letters 94・10

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] Importance of electron-electron interactions and Zeeman splitting in signle-wass carbon nanotube quantum dots2005

    • 著者名/発表者名
      S.Moriyama, T.Fuse, M.Suzuki, Y.Aoyagi, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Physica E{26}

      ページ: 473-476

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205015
  • [雑誌論文] Short Wavelength and High- Efficiency Operation of Deep UV LED Using Quaternary InAlGaN2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, K.Akita, T.Kyono, T.Nakamura, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      The Review of Laser Engineering, Special Issue on Present Status and Future Prospect of Ultraviolet LEDs and LDs Based on Nitride Semiconductors Vol.32, no.6

      ページ: 402-409

    • NAID

      10013161084

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Carbon nanotubes as a building block of quantum dot devices2004

    • 著者名/発表者名
      M.Suzuki, K.Tsuya, S.Moriyama, T.Fuse, Y.Aoyagi, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Physica E{24}

      ページ: 10-13

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205015
  • [雑誌論文] Growth and Annealing Condition of high Al Content p-type AlGaN for deep UV-LEDs2004

    • 著者名/発表者名
      T.Obata, H.Hirayama, Y.Aoyagi, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(a) 201, 12

      ページ: 2803-2807

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Selecting single quantum dots from a bundle of single-wall carbon nanotubes using effect of the lareg current flow2004

    • 著者名/発表者名
      S.Moriyama, T.Fuse, M.Suzuki, Y.Aoyagi, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Science and Technology of Advanced Materials {5}

      ページ: 613-615

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205015
  • [雑誌論文] Electrical transport in semiconducting single-wall carbon nanotubes2004

    • 著者名/発表者名
      S.Moriyama, K.Toratani, D.Tsuya, M.Suzuki, Y.Aoyagi, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Physica E{24}

      ページ: 46-49

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205015
  • [雑誌論文] Two-electron and four-electron periodicity in single-wall carbon nanotube quantum dots2004

    • 著者名/発表者名
      T.Fuse, S.Moriyama, Y.Aoyagi, M.Suzuki, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Superlattices and Microstructures {34}

      ページ: 377-382

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205015
  • [雑誌論文] Surprisingly low built-in electric fields in quaternary AlInGar heterostructures2004

    • 著者名/発表者名
      S.Anceau, P.Lefebvre, T.Suski, S.P.Lepkowski, H.Teisseyre, L.H.Dmowski, L.Konczewicz, A.Kaminska, A.Suchocki, H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(a) vol.201 no.2

      ページ: 190-194

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Quaternary InAlGaN based Deep UV LED with High-Al-content p-type AlGaN2004

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 5359

      ページ: 422-433

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発2004

    • 著者名/発表者名
      青柳 克信
    • 雑誌名

      固体物理 39

      ページ: 265-278

    • NAID

      40006228114

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [雑誌論文] Effect of the large current flow on the low temperature transport properties in a bundle of single-wall carbon nanotubes2003

    • 著者名/発表者名
      T.Fuse, S.Moriyama, M.Suzuki, Y.Aoyagi, K.Ishibashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters {83}

      ページ: 3803-3805

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205015
  • [雑誌論文] Determination of Built-in Electric Fields in Quaternary InAlGaN Heterostructures2003

    • 著者名/発表者名
      H.Teisseyre, T.Suski, S.P.Lepkowski, S.Anceau, P.Perlin, P.Lefebvre, L.Konczewicz, H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Letters vol.82, no.10

      ページ: 1541-1543

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Recent Progress of UV LEDs-using Quaternary InAlGaN-Toward Shorter Wavelength and High-Efficiency Operation--2003

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, K.Akita, T.Nakamura, M.Kiyama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Technical Report of IEICE. ED2003-134

    • NAID

      110003174988

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] High-efficiency UV-emission at 345nm from InAlGaN light-emitting diodes2002

    • 著者名/発表者名
      A.Kinoshita, H.Hirayama, T.Yamabi, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      GaN and Related Alloys-2001, Mater. Res. Soc. 693

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Fabrication of Low Threading Dislocation Density AlGaN Buffer on SiC using Highly Si-doped AlGaN Superlattices2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, M.Ainoya, A.Kinoshita, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. vol.80, no.12

      ページ: 2057-2059

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Growth of (In)AlGaN Compound Semiconductors and their Application to 300-nm-Band High-Intensity UV-LEDs2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      The Review of Laser Engineering Vol.30, No.6

      ページ: 308-314

    • NAID

      130004465336

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Effect of thermal annealing on the Pd/Au contact to p-type A10.15Ga0.85N2002

    • 著者名/発表者名
      B.H.Jun, H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Jan. J. Appl. Phys. Vol.41 part 1, no.2A

      ページ: 581-582

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Room-Temperature Intense 320nm-Band UV Emission from Quaternary InAlGaN-Based Multi-Quantum Wells2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Enomoto, A.Kinoshita, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. vol.80, no.9

      ページ: 1589-1591

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Efficient 230-280nm Emission from high-Al-Content AlGaN-Based Multi-Quantum Wells2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Enomoto, A.Kinoshita, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. vol.80 no.2

      ページ: 37-39

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Investigation of the optimum growth conditions of wide bandgap InAlGaN quaternary for UV-LEDs2002

    • 著者名/発表者名
      T.Yamabi, A.Kinoshita, H.Hirayama, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      GaN and Related Alloys-2001, Mater. Res. Soc. 693

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Formation of GaN nanopillars by selective area growth using ammonia gas source molecular beam epitaxy2002

    • 著者名/発表者名
      Koji Kawasaki, Ikuo Nakamatsu, Hideki Hirayama, Kazuo Tsutsui, Yoshinobu Aoyagi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 243

      ページ: 129-133

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14205015
  • [雑誌論文] Growth of AlN-SiC Solid Solutions by Sequential Supply Epitaxy2002

    • 著者名/発表者名
      A.Avramescu, H.Hirayama, Y.Aoyagi, S.Tanaka
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth vol.234

      ページ: 435-439

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Fabrication of p-n junction with Mg-doped wide bandgap InAlGaN for application to UV emitters2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, T.Yamanaka, A.Kinoshita, H.Hiraoka, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      GaN and Related Alloys-2001, Mater. Res. Soc 693

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Development of 300 nm Band High-Intensity Ultraviolet (UV) LEDs using Quaternary InAlGaN2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, A.Kinoshita, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Oyobuturi Vol.71, No.2

      ページ: 204-208

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] 330nm-Band High-Efficiency UV LEDs using Quaternary InAlGaN2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Crystal Growth vol.29, no.3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] High Doped 'p-Type GaN Grown by Alternative Co-Doping Technique2002

    • 著者名/発表者名
      S.Iwai, H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceeding Vol.719

      ページ: 3-9

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Small Built-in Electric Fields in Quaternary InAlGaN Heterostructures2002

    • 著者名/発表者名
      H.Teisseyre, T.Suski, S.P.Lepkowski, S.Anceau, P.Perlin, P.Lefebvre, L.Konczewicz, H.Hirayama, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(b) vol.243, no.3

      ページ: 764-768

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] Marked enhancement of 320-360 nm UV emission in quaternary InxAlyGal-x-yN with In-segregation effect2002

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, T.Yamabi, A.Kinoshita, Y.Enomoto, A.Hirata, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. vol.80, no.2

      ページ: 207-209

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [雑誌論文] 340nm-band bright UV-LEDs using Quaternary InAlGaN active region2001

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, A.Kinoshita, M.Ainoya, T.Yamanaka, A.Hirata, Y.Aoyagi
    • 雑誌名

      Institute of Physics (IOP) Conference Series No.170: Chapter 2

      ページ: 195-200

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13355001
  • [産業財産権] p型窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法および装置、並びに、半導体素子を製造する装置2017

    • 発明者名
      黒瀬範子、青柳克信
    • 権利者名
      立命館大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2017
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04357
  • [産業財産権] 導電性を有する絶縁体層およびその製造方法並びに窒化物半導体素子およびその製造方法2014

    • 発明者名
      青柳克信、黒瀬範子
    • 権利者名
      学校法人立命館
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2014-051186
    • 出願年月日
      2014-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [産業財産権] 縦型発光ダイオードおよび結晶成長法2013

    • 発明者名
      青柳克信、黒瀬範子、柴野謙太朗、荒木努
    • 権利者名
      学校法人立命館
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-128015
    • 出願年月日
      2013-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [産業財産権] 深紫外発光素子2013

    • 発明者名
      青柳克信、黒瀬範子
    • 権利者名
      学校法人立命館
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-241850
    • 出願年月日
      2013-11-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [産業財産権] AlN層の製造方法およびAlN2011

    • 発明者名
      青柳克信 武内道一
    • 権利者名
      立命館大学
    • 産業財産権番号
      2011-151137
    • 出願年月日
      2011-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子およ2011

    • 発明者名
      太田征孝、青柳克信
    • 権利者名
      シャープ(株)、立命館大学
    • 産業財産権番号
      2011-004714
    • 出願年月日
      2011-01-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [産業財産権] オゾン濃度測定装置2011

    • 発明者名
      吉田薫, 武内道一, 青柳克信, 菅野裕靖, 阿彦由美, 菅野勝靖, 中村広隆
    • 権利者名
      吉田薫, 武内道一, 青柳克信, 菅野裕靖, 阿彦由美, 菅野勝靖, 中村広隆
    • 産業財産権番号
      2011-038925
    • 出願年月日
      2011-02-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [産業財産権] 結晶成長方法および半導体素子2011

    • 発明者名
      青柳克信, 武内道一, 上田吉裕, 太田征孝
    • 権利者名
      青柳克信, 武内道一, 上田吉裕, 太田征孝
    • 産業財産権番号
      2011-042479
    • 出願年月日
      2011-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [産業財産権] オゾン濃度測定装置2011

    • 発明者名
      吉田薫、青柳克信
    • 権利者名
      立命館大学, (有)光電鍍工業所
    • 産業財産権番号
      2011-038925
    • 出願年月日
      2011-02-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [産業財産権] オゾン濃度測定装置2011

    • 発明者名
      吉田薫、青柳克信
    • 権利者名
      立命館大学, (有)光電鍍工業所
    • 産業財産権番号
      2011-231347
    • 出願年月日
      2011-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [産業財産権] Crystal growth method and2011

    • 発明者名
      青柳克信
    • 権利者名
      立命館大学,シャープ(株)
    • 出願年月日
      2011-03-03
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子および半導体光学装置2011

    • 発明者名
      太田征孝, 上田吉裕, バッカロ, パフロ, 青柳克信
    • 権利者名
      太田征孝, 上田吉裕, バッカロ, パフロ, 青柳克信
    • 産業財産権番号
      2011-004714
    • 出願年月日
      2011-01-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [産業財産権] オゾン濃度測定装置2011

    • 発明者名
      吉田薫、武内道一、青柳克信、中村広隆、菅野裕晴、阿彦由美、菅野勝靖
    • 権利者名
      (有)光電鍍工業、(独)都立産業技術研究センター、(学)立命館
    • 産業財産権番号
      2011-038925
    • 出願年月日
      2011-02-24
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [産業財産権] 結晶成長方法および半導体素子2010

    • 発明者名
      青柳克信、武内道一、上田吉裕、太田征孝
    • 権利者名
      青柳克信、武内道一、上田吉裕、太田征孝
    • 産業財産権番号
      2010-155388
    • 出願年月日
      2010-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [産業財産権] 結晶成長方法および半導体素子2010

    • 発明者名
      青柳克信、武内道一、上田吉裕、太田征孝
    • 権利者名
      (学)立命館、シャープ(株)
    • 産業財産権番号
      2010-155388
    • 出願年月日
      2010-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [産業財産権] 結晶成長方及び半導体素子2010

    • 発明者名
      青柳克信 武内道一
    • 権利者名
      立命館大学
    • 産業財産権番号
      2010-155388
    • 出願年月日
      2010-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [産業財産権] 「加熱プレス機」2007

    • 発明者名
      川崎宏治, 青柳克信
    • 権利者名
      東京工業大学
    • 産業財産権番号
      2007-018879
    • 出願年月日
      2007
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [産業財産権] 窒化物系深紫外発光素子およびその製造方法2006

    • 発明者名
      青柳 克信
    • 権利者名
      東京工業大学
    • 出願年月日
      2006-03-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [産業財産権] AlGaN系深紫外発光素子およびその製造方法2005

    • 発明者名
      青柳 克信
    • 権利者名
      東京工業大学
    • 産業財産権番号
      2005-092801
    • 出願年月日
      2005-03-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [産業財産権] レーザーリフトオフ法およびレーザーリフトオフ装置2005

    • 発明者名
      川崎宏治, 青柳克信
    • 権利者名
      東京工業大学
    • 産業財産権番号
      2005-342734
    • 出願年月日
      2005-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [産業財産権] 半導体成長用基板および半導体膜の製造方法2004

    • 発明者名
      青柳 克信
    • 権利者名
      東京工業大学
    • 公開番号
      2006-185962
    • 出願年月日
      2004-12-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [学会発表] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN and AlGaN for high power vertical devices2019

    • 著者名/発表者名
      N.Kurose and Y. Aoyagi
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2019
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04357
  • [学会発表] レーザを用いた局所p-GaNオーミック電極形成法の開発2018

    • 著者名/発表者名
      川﨑輝尚、黒瀬範子、松本晃太、岩田直高、青柳克信
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会2018 シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04357
  • [学会発表] Realization of conductive aluminum nitride epitaxial layer on silicon substrate by forming spontaneous nano size via-holes2018

    • 著者名/発表者名
      N.Kurose and Y. Aoyagi
    • 学会等名
      International Conference on Advanced Materials & Nanotechnology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04357
  • [学会発表] MgドープGaNのレーザー誘起による活性化とその局所制御2017

    • 著者名/発表者名
      松本滉太,黒瀬範子,岩田直高, 山田郁彦,神谷格,青柳克信
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04357
  • [学会発表] MgドープGaNへのレーザー照射による局所活性化と結晶性のその場観測2017

    • 著者名/発表者名
      松本滉太、黒瀬範子、山田郁彦、神谷格、青柳克信、岩田直高
    • 学会等名
      IEEE Metro Area Workshop in Nagoya
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03998
  • [学会発表] MgドープGaNのレーザー誘起による活性化とその局所制御2017

    • 著者名/発表者名
      松本滉大、黒瀬範子、下野貴史、岩田直高、山田郁彦、神谷格、青柳克信
    • 学会等名
      第78回秋季応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03998
  • [学会発表] Realization of Conductive AlN Epitaxial Layer on Si Substrate using Spontaneously Formed Nano-Size Via-Holes for Vertical AlGaN High Power FET2016

    • 著者名/発表者名
      Noriko Kurose, Kota Ozeki, Tsutomu Araki, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya, and Yoshinobu Aoyagi
    • 学会等名
      the 43rd International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Toyama International Conference Center(Toyama, Toyama),Japan
    • 年月日
      2016-06-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04357
  • [学会発表] Realization of Conductive AlN Epitaxial Layer on Si Substrate using Spontaneously Formed Nano-Size Via-Holes for Vertical AlGaN High Power FET2016

    • 著者名/発表者名
      Noriko Kurose, Kota Ozeki, Tsutomu Araki, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya, and Yoshinobu Aoyagi
    • 学会等名
      The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
    • 発表場所
      Toyama International Conference Center (富山県富山市)
    • 年月日
      2016-06-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03998
  • [学会発表] Formation of spontaneous nano-size via-holes to grow conductive AlN buffer layer on Si substrate for vertical AlGaN high power FET2016

    • 著者名/発表者名
      Noriko Kurose and Yoshinobu Aoyagi
    • 学会等名
      18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      San Diego, California, USA
    • 年月日
      2016-07-14
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04357
  • [学会発表] Si基板上縦型高出力AlGaN FET実現を目指した導電性AlNバッファ層(v-AlN層)の形成2016

    • 著者名/発表者名
      Noriko Kurose, Kota Ozeki, Tsutomu Araki, and Yoshinobu Aoyagi
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会2016 シンポジウム
    • 発表場所
      新潟コンベンションセンター (新潟県、新潟市)
    • 年月日
      2016-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04357
  • [学会発表] Fabrication of nonlinear photonic crystal and its application to UV laser2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi, N. Kurose and S. Inoue
    • 学会等名
      International Display Workshop 2015
    • 発表場所
      大津プリンスホテル(滋賀県 大津市)
    • 年月日
      2015-12-10
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [学会発表] A new technique to make an insulating AlN thin film to be conductive by spontaneous via holes formed by MOCVD and its application to realize vertical UVLED on N+Si substrate2015

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, Y. Aoyagi
    • 学会等名
      AVS international conference
    • 発表場所
      SanJose, USA
    • 年月日
      2015-10-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [学会発表] A New Technique to Make an Insulating AlN Thin Film to be Conductive by Spontaneous Via Holes formed by MOCVD and its Application to realize Vertical UV LED on n+Si Substrate2015

    • 著者名/発表者名
      Noriko Kurose and Yoshinobu Aoyagi
    • 学会等名
      AVS 62nd International Symposium & Exhibition
    • 発表場所
      San Jose Convention Center, San Jose, California, USA
    • 年月日
      2015-10-18
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03998
  • [学会発表] Realization of high performance of organic devices by nanoscale control of surface and interface2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi
    • 学会等名
      The 9th International Nanotechnology/MEMS Seminar
    • 発表場所
      静岡大学(静岡県 浜松市)
    • 年月日
      2015-12-08
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [学会発表] Formation of High Conductive n-AlN using Spontaneous Via Holes and Development of Substrate-removal-free Vertical DUV LED (RefV-LED)2014

    • 著者名/発表者名
      N.Kurose, Y.Aoyagi
    • 学会等名
      5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      Atlanta, U.S.A
    • 年月日
      2014-05-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [学会発表] Novel Vertical AlGaN Deep Ultra Violet Photo-detector on n+Si Substrate using Spontaneous Via Holes Growth Technique2014

    • 著者名/発表者名
      Kota Ozeki, Noriko Kurose, Naotaka Iwata*, Kentaro Shibano, Tsutomu Araki, Itaru Kamiya* and Yoshinobu Aoyagi
    • 学会等名
      Solid State Device and Materials
    • 発表場所
      筑波国際会議場 (茨城県、つくば市)
    • 年月日
      2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [学会発表] Development of new type vertical deep ultra-violet light emitting Device(RefV-LED)2014

    • 著者名/発表者名
      N.Kurose, Y.Aoyagi
    • 学会等名
      The 21th International Display Workshops
    • 発表場所
      朱鷺メッセ、新潟コンベンションセンター(新潟県、新潟市)
    • 年月日
      2014-12-04
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [学会発表] Two inch large areaDUV AlGaN light emitter using micro-plasmaexcitation2012

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, Y. Aoyagi
    • 学会等名
      Iinternational Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター (北海道)
    • 年月日
      2012-10-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] 高出力大面積マイクロプラズマ励起AlGaN深紫外発光素子の開2012

    • 著者名/発表者名
      黒瀬範子、青柳克信
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
    • 年月日
      2012-10-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] Development oflarge area micro-plasma-excited AlGaNdeep ultraviolet light device (MIPE) fordisinfection of water2012

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, Y. Aoyagi
    • 学会等名
      WaterContamination Emergency Conference 5
    • 発表場所
      Mulheim an der Ruhr(Germany).
    • 年月日
      2012-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] Development of new deep ultra-violet light emitter usingmicro-plasma excitation of AlGaN and itsapplication2012

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, Y. Aoyagi
    • 学会等名
      International Symposium onGaN related compounds
    • 発表場所
      St.Petersburg (Russia)
    • 年月日
      2012-07-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] Large areamicro-plasma exited AlGaN deep ultravioket light emitter2012

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, Y. Aoyagi
    • 学会等名
      InternationalDisplay Workshop
    • 発表場所
      京都国際会議場 (京都府)
    • 年月日
      2012-12-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] マイクロプラズマを用いた深紫外発光素子の原理実証研究2012

    • 著者名/発表者名
      黒瀬範子、青柳克信
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      名古屋大学(愛知県)(招待講演)
    • 年月日
      2012-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] Development of newdeep ultra-violet light emitter usingmicro-plasma excitation of AlGaN and itsapplication2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi, N. Kurose
    • 学会等名
      International Conference onNanotechnology and MEMS
    • 発表場所
      静岡大学 (静岡県)
    • 年月日
      2012-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] 高効率・高出力縦型深紫外発光素子の開発とその環境、バイオ・計測への応用2011

    • 著者名/発表者名
      武内道一, 黒内正仁, 青柳克信
    • 学会等名
      京都ナノクラスター生活資源グループ平成22年度第2回グループミーティング
    • 発表場所
      JSTイノベーションプラザ京都(京都府)
    • 年月日
      2011-03-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] 2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究2011

    • 著者名/発表者名
      武内道、黒内正仁、青柳克信
    • 学会等名
      窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
    • 発表場所
      長浜・滋賀(Invited)
    • 年月日
      2011-03-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] 高パワー深紫外半導体発光デバイスの開発2011

    • 著者名/発表者名
      武内道一、青柳克信、渡辺正幸、荒川彰
    • 学会等名
      京都ナノクラスター 第二回グループミーティング
    • 発表場所
      JSTイノベーションプラザ(京都)(Invited)
    • 年月日
      2011-03-11
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] 2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究2011

    • 著者名/発表者名
      武内道一、黒内正仁、青柳克信
    • 学会等名
      窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
    • 発表場所
      長浜ロイヤルホテル・滋賀(Invited)
    • 年月日
      2011-03-01
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] 水殺菌、およびオゾン検知へのAlGaN系深紫外LEDの実応用2010

    • 著者名/発表者名
      武内道一、吉田薫、黒内正仁、荒木努、名西やすし、青柳克信
    • 学会等名
      窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会「GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状」
    • 発表場所
      東北大学(宮城)
    • 年月日
      2010-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] Formation of three-dimensional AlN structure for initial growth by annealing AlN buffer layer2010

    • 著者名/発表者名
      M.Kurouchi, M.Takeuchi, Y.Aoyagi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
    • 発表場所
      タンパ、フロリダ州
    • 年月日
      2010-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] 深紫外線LEDを用いたオゾン濃度測定2010

    • 著者名/発表者名
      吉田薫、黒内正仁、武内道一、荒木努、名西やすし、菅野裕靖、阿彦由美、中村広隆、青柳克信
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎)
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] 深紫外線LEDを用いたオゾン濃度測2010

    • 著者名/発表者名
      吉田薫、黒内正仁、武内道山、荒木努、名西〓之、菅野裕靖、阿彦由美、中村広隆、青柳克信
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] 極性混在AlNバッファ層のアニール処理による新しい核形成法2010

    • 著者名/発表者名
      黒内正仁、武内道一、黄恩淑、青柳克信
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎)
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] 深紫外線LEDを用いた水の消毒2010

    • 著者名/発表者名
      吉田薫、黒内正仁、安井宣仁、武内道一、荒木努、神子直之、名西やすし、青柳克信
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2010-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] III族窒化物半導体深紫外光源による水処理2010

    • 著者名/発表者名
      武内道一、黒内正人、青柳克信、安井宣仁、神子直之
    • 学会等名
      第13回日本水環境学会シンポジウム
    • 発表場所
      京都大学(京都府)
    • 年月日
      2010-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] 水殺菌、およびオゾン検知へのAlGaN系深紫外LEDの実応用2010

    • 著者名/発表者名
      武内道一、吉田薫、黒内正人、荒木努、名西〓之、青柳克信
    • 学会等名
      窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2010-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] III族窒化物半導体深紫外光源による水処理2010

    • 著者名/発表者名
      武内道一、黒内正仁、青柳克信、安井宣仁、神子直之
    • 学会等名
      第13回日本水環境学会シンポジウム
    • 発表場所
      京都大学(京都)(Invited)
    • 年月日
      2010-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] Development of DUV Light Emitter by Nonlinear PhotonicCrystal and AlGaN Semiconductors2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Aoyagi
    • 学会等名
      Int.Conf.Lasar lion (2010)
    • 発表場所
      Munich, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] 深紫外線LEDを用いた水の消毒2010

    • 著者名/発表者名
      吉田薫、黒内正仁、安井宣仁、武内道一、荒木努、神子直之、名西やすし、青柳克信
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] Growth and Application of AlGaN Deep UV LEDs -Water Purification and Ozone Sensing2010

    • 著者名/発表者名
      M.Takeuchi, K.Yoshida, M.Kurouchi, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
    • 学会等名
      The 6th SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop
    • 発表場所
      Soeul, Korea
    • 年月日
      2010-11-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] 極性混在AlNバッファ層のアニール処理による新しい核形成法2010

    • 著者名/発表者名
      黒内正人、武内道一、青柳克信
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] Formation of Three-dimensional AlN Structure for Initial Growth by Annealing AlN Buffer Love2010

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Kurouchi, Misaichi Takeuchi, Yoshinobu Aoyagi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] Crack-free AlGaN/AlN Templates Grown on Si(111) Substrates by In-situ Void Formation Technique2010

    • 著者名/発表者名
      Misaichi Takeuchi, Yoshinobu Aoyagi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] AlNボイド形成法によるSi基板上へのクラックフリーAlGaN層成長2010

    • 著者名/発表者名
      武内道一、林洋平、荒木努、名西やすし、青柳克信
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2010-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] Growth and Application of AlGaN Deep UV LEDs-Water Purification and Ozone Sensing-2010

    • 著者名/発表者名
      M.Takeuchi, K.Yoshida, M.Kurouchi, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
    • 学会等名
      The 6th SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop
    • 発表場所
      ソウル、韓国(Invited)
    • 年月日
      2010-11-10
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] Water Sterilization by AlGaN base DUV Light Emitting Diodes2010

    • 著者名/発表者名
      K.Yoshida, M, Kurouchi, M.Takeuchi, N.Yasui, N.Kamiko, Y.Nanishi, T.Araki, Y, Aoyagi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺(静岡)
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] Crack-free AlGaN/AlN templates grown on Si(III) substrates by in-situ void formation technique2010

    • 著者名/発表者名
      M.Takeuchi, Y.Aoyagi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
    • 発表場所
      タンパ、フロリダ州
    • 年月日
      2010-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] Field Plate構造を適用したAlGaN chamel HEMTの特性2010

    • 著者名/発表者名
      南條拓真、武内道一、今井章文、鈴木洋介、塩沢勝臣、吹田宗義、阿部雄次、柳生栄治、吉新喜市、青柳克信
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎)
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] AlNボイド形成法によるSi基板上へのクラックフリーAlGaN層成長2010

    • 著者名/発表者名
      武内道一、林洋平、荒木努、名西やすし、青柳克信
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川)
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] Investigation of AlN MOCVD Growth by Two-light-Beam in-situ Monitoring System2009

    • 著者名/発表者名
      武内道一, 青柳克信
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      済州島(韓国)
    • 年月日
      2009-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] Drivability Enhancement of AlGaN Channel HEMTs2009

    • 著者名/発表者名
      T.Nanjo, M.Takeuchi, A.Imai, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, T.Kurata, Y.Tokuda, Y.Aoyagi
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      済州島(韓国)
    • 年月日
      2009-10-23
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] 超格子はく離層を用いたAlGaN系レーザリフトオフ法によるダメージの評価2009

    • 著者名/発表者名
      高橋聡、武内道一、荒木努、名西やすし、青柳克信
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山)
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] AlN~AlGaN MOCVD成長その場観察-縦型深紫外発光素子実現にむけて-2009

    • 著者名/発表者名
      武内道一、青柳克信
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大(東京)
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] AlN MOCVD成長の二光東成長その場観察2009

    • 著者名/発表者名
      武内道一、青柳克信
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山)
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] Designing of multiple quantum well structures to increase emission intensity from AlGaN LEDs2009

    • 著者名/発表者名
      M.Kurouchi, Y.Hayashi, M.Takeuchi, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
    • 学会等名
      第28回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀)
    • 年月日
      2009-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] 高出力深紫外縦型半導体発光素子の開発と水浄化への応用2009

    • 著者名/発表者名
      武内道一、青柳克信
    • 学会等名
      第12回日本水環境学会シンポジウム
    • 発表場所
      お茶の水女子大(東京)
    • 年月日
      2009-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] AlGaN量子井戸構造に対するIII族元素を用いたポストアニール効果2009

    • 著者名/発表者名
      吉田薫、武内道一、荒木努、名西やすし、青柳克信
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] Discussion about the growth model of AlN flow-modulation MOCVD2009

    • 著者名/発表者名
      武内道一, 青柳克信
    • 学会等名
      第28回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀)
    • 年月日
      2009-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016007
  • [学会発表] 深紫外発光素子の開発(招待講演)2007

    • 著者名/発表者名
      青柳 克信
    • 学会等名
      電子情報通信学会2007年総合大会
    • 発表場所
      名古屋
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [学会発表] Improvement in emission intensity of A1GaN deep ultraviolet light-emitting diodes by carrier confinement enhancement in thin quantum well2007

    • 著者名/発表者名
      青柳 克信,
    • 学会等名
      第26回電子材料シンポジウム(EMS-26)
    • 発表場所
      滋賀県守山
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [学会発表] Development of Deep UV LED(invited talk)2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi
    • 学会等名
      Society of electro-information
    • 発表場所
      Nagoya
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [学会発表] Photonic Crystal and III-N Quantum Dot Laser, (invited talk)2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi
    • 学会等名
      CLEO 2005(The Conference on Lasers and Electro-Optics 2005)
    • 発表場所
      Baltimore, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [学会発表] Photonic Crystal and III-N Quantum Dot Laser(Invited Talk)2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Aoyagi
    • 学会等名
      CLEO 2005(The Conference on Lasers and Electro-Optics 2005)
    • 発表場所
      Baltimore,USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15GS0207
  • [学会発表] 高出力大面積マイクロプラズマ励起AlGaN 深紫外発光素子の開発

    • 著者名/発表者名
      黒瀬範子、青柳克信
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      松山大学(愛媛県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] Large area micro-plasma exited AlGaN deep ultravioket light emitter

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, Y. Aoyagi
    • 学会等名
      International Display Workshop
    • 発表場所
      京都国際会議場(京都府)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] Development of large area micro-plasma-excited AlGaN deep ultraviolet light device (MIPE) for disinfection of water

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, Y. Aoyagi
    • 学会等名
      Water Contamination Emergency Conference 5
    • 発表場所
      Mulheim an der Ruhr (Germany)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] Development of new deep UV light emitter using micro-plasma and application of deep UV light

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi, N. Kurose
    • 学会等名
      ISMS2012
    • 発表場所
      静岡大学(静岡県)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • [学会発表] Deep UV Light Emitter by Nonlinear Photonic Crystal and AlGaN Semiconductors

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, Y. Aoyagi
    • 学会等名
      Laserion 2013,
    • 発表場所
      Munich, Germany
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [学会発表] Development of substrate-removal-free vertical deep ultraviolet light emitting diode using AlGaN semiconductors on Si(111) substrate (Ref-V-DUVLED)

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, Y. Aoyagi, K. Shibano, T. Araki, Y. Aoyagi
    • 学会等名
      Material Research Society
    • 発表場所
      Boston, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [学会発表] n-Si基板上縦型深紫外LED (Ref-V DUV LED)の開発(2)

    • 著者名/発表者名
      柴野謙太朗、黒瀬範子、荒木努、青柳克信
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス、神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [学会発表] マイクロプラズマ励起深紫外発光素子(MIPE)の開発と応用

    • 著者名/発表者名
      黒瀬範子、青柳克信
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学、京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [学会発表] Si上縦型深紫外LEDの開発と応用

    • 著者名/発表者名
      柴野謙太朗、黒瀬範子、荒木努、青柳克信
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学、京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249053
  • [学会発表] Two inch large area DUV AlGaN light emitter using micro-plasma excitation

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, Y. Aoyagi
    • 学会等名
      Iinternational Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター(北海道)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246051
  • 1.  岩井 荘八 (40087474)
    共同の研究課題数: 10件
    共同の研究成果数: 1件
  • 2.  川崎 宏治 (10234056)
    共同の研究課題数: 8件
    共同の研究成果数: 4件
  • 3.  目黒 多加志 (20182149)
    共同の研究課題数: 7件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  川辺 光央 (80029446)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  一色 秀夫 (60260212)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  平山 秀樹 (70270593)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 21件
  • 7.  荒木 努 (20312126)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 8件
  • 8.  武内 道一 (60284585)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 42件
  • 9.  黒瀬 範子 (50520540)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 40件
  • 10.  神谷 格 (10374018)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 13件
  • 11.  蒲生 健次 (70029445)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  野村 晋太郎 (90271527)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  瀬川 勇三郎 (30087473)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  荒井 滋久 (30151137)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  権田 俊一 (70175347)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  長谷川 英機 (60001781)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  須藤 建 (60006236)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  野田 進 (10208358)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  黒内 正仁 (10452187)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 21件
  • 20.  張 随安 (20260218)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  沈 旭強 (50272381)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  田中 悟 (80281640)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  岩田 直高 (40708939)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 8件
  • 24.  佐々木 昭夫 (10025900)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  荒川 泰彦 (30134638)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  名西 やす之 (40268157)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  直井 弘之 (10373101)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  HYUNSEOK Na (80411239)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  山口 智広 (50454517)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  金子 昌充 (70374709)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  神子 直之 (70251345)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  尾浦 憲治郎 (60029288)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  八百 隆文 (60230182)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 34.  藤倉 序章 (70271640)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 35.  蓮見 真彦 (60261153)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 36.  趙 新為 (50260211)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 37.  井上 久遠 (30021934)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 38.  大高 一雄 (40010946)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 39.  武田 三男 (20115653)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 40.  馬場 俊彦 (50202271)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 41.  筒井 一生 (60188589)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 42.  藤井 研一 (10189988)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 43.  塚越 一仁 (50322665)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 44.  安食 博志 (60283735)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 45.  神田 晶申 (30281637)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 46.  吉田 博 (30133929)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 47.  熊野 英和 (70292042)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 48.  石橋 幸治 (30211048)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件
  • 49.  井上 振一郎 (20391865)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 50.  松本 祐司 (60302981)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 51.  鯉沼 秀臣 (70011187)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 52.  原 史朗 (60218617)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 53.  難波 進 (70029370)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 54.  邑瀬 和生 (50028164)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 55.  安藤 恒也 (90011725)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 56.  篠塚 雄三 (30144918)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 57.  上浦 洋一 (30033244)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 58.  萱沼 洋輔 (80124569)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 59.  村上 浩一 (10116113)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 60.  尾笹 一成 (10231234)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 61.  WANG Ke (60532223)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 62.  生駒 俊明 (80013118)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 63.  梅野 正義 (90023077)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 64.  舛本 泰章 (60111580)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 65.  本間 利久 (00091497)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 66.  菅野 卓雄 (50010707)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 67.  谷口 研二 (20192180)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 68.  村山 洋一 (40057956)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 69.  橋詰 保 (80149898)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 70.  福井 孝志 (30240641)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 71.  岩井 俊昭 (80183193)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 72.  迫田 和彰 (90250513)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 73.  前田 瑞夫 (10165657)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 74.  新谷 紀雄
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 75.  田 昭治
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 76.  坂口 春典
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 77.  土居 功年
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 78.  BROWN Simon
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 79.  NEWBURY Ric
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 80.  石橋 晃
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 81.  望月 康則
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

URL: 

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi